CN111341942B - 一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光led及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED及其制备方法。所述黄光LED由透明导电层、空穴注入层、空穴传输层、CsCu₂I₃薄膜发光层、电子传输层和接触电极构成。本发明一方面采用无铅的CsCu₂I₃薄膜作为发光层，制备了电驱动的LED，克服了传统钙钛矿器件铅毒性的缺点，减少了对人体和环境的危害；另一方面所制备的器件在持续增加电压(6.0‑9.0伏)下光谱没有发生变化，在7伏电压下持续工作310分钟，发光强度仅衰减50％，证明了器件具有出色的工作稳定性。

Description

一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED及其制备方法

技术领域

本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种基于无铅铜基卤化物薄膜的电致LED及其制备方法。

背景技术

金属卤化物钙钛矿材料具有荧光量子产率高、发光色纯度高以及全可见光光谱发射等优异的光学性能，在照明和高性能显示等领域展现出广阔的应用前景。近年来，通过研究人员的不懈努力，基于钙钛矿材料的LED在发光效率上有了大幅度提升，尤其是绿光、红光和近红外光钙钛矿LED的外量子效率均超过了20％，展现出极大的应用前景(Lu,M.；Zhang,Y.；Wang,S.；Guo,J.；Yu,W.W.and Rogach,A.L,Adv.Funct.Mater.29,1902008(2019))。然而，这些钙钛矿器件的发光层均含有重金属铅，由于铅离子的毒性，不可避免的对人体和环境带来非常大的危害，限制了其未来大规模产业化的应用(Sun,J.；Yang,J.；Lee,J.I.；Cho,J.H.and Kang.M.S.J.Phys.Chem.Lett.9,1573-1583(2018))。因此，采用环境友好的材料是发展钙钛矿LED的迫切需要。

钙钛矿LED的另一个急需解决的问题是器件工作的稳定性差，尤其是黄光波段的钙钛矿LED长时间工作方面面临巨大的挑战。在已往的钙钛矿黄光LED报道中，人们通常是通过混合卤素钙钛矿CsPbBr_1.88I_1.22纳米晶作为发光层制备黄光LED(Vashishtha,P.andHalpert,J.E.Chem.Mater.29,5965-5973(2017))。然而，由于固有的卤素相分离，得到的器件在持续通电时颜色会发生明显的改变。例如，器件在4伏时表现为558纳米的黄光，电压增加到5伏时，光谱红移到650纳米，当电压持续增加到7伏时，光谱***成665纳米和518纳米两个独立的发光峰。此外，在7伏电压下仅仅持续运行6分钟，黄光光谱已经完全消失。因此，提高钙钛矿LED在不同电压下光谱稳定性和长时间工作稳定性具有非常重要的科学价值。

考虑到铜基卤化物CsCu₂I₃兼具环保无毒、环境稳定的优势特性，如果能够采用CsCu₂I₃薄膜作为发光层，实现环保绿色且工作稳定发光器件的制备，无疑具有非常重要的科学意义和应用前景。

发明内容

本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED及其制备方法，采用无毒、稳定的CsCu₂I₃薄膜作为发光层，制备了电驱动的LED，同时克服了传统铅基钙钛矿器件运行不稳定和铅毒性的缺点，从而实现了环境友好、工作稳定的钙钛矿发光器件的制备。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED，包括透明导电的衬底，衬底上依次设有空穴注入层、空穴传输层、CsCu₂I₃薄膜发光层、电子传输层以及接触电极。

优选的，空穴注入层为聚乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸钠，其厚度为20～30纳米。

优选的，空穴传输层为聚(4-丁基苯基二苯胺)或聚(9-乙烯基咔唑)，厚度为20～50纳米。

优选的，发光层厚度为100～150纳米；电极为氟化锂和金属铝的复合材料，其厚度为100～150纳米。

优选的，电子传输层为1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，其厚度为30～50纳米。

所述的基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED的制备方法，是按照下述步骤进行的：

(1)清洗透明导电的衬底；

(2)采用低温溶液法在衬底上制备空穴注入层；

(3)采用低温溶液法在空穴注入层上制备空穴传输层；

(4)采用低温溶液法或热真空蒸镀法在空穴传输层上制备CsCu₂I₃发光层；

(5)采用热真空蒸镀法在CsCu₂I₃发光层上制备电子传输层；

(6)采用热真空蒸镀法在电子传输层上制备电极。

优选的，步骤(2)中空穴注入层(2)是采用一步溶液法制备的，步骤(3)中空穴传输层(3)是采用一步溶液法制备的，步骤(4)中CsCu₂I₃发光层(4)是采用一步溶液法制备的。

优选的，步骤(4)中CsCu₂I₃发光层(4)采用热真空蒸镀法制备的，具体步骤为：将CsI与CuI粉末混合，摩尔比为1∶2，在惰性气体保护下均匀研磨；将研磨好的混合物放置在钼舟中并转移至热真空蒸镀腔室，将带有空穴传输层(3)的样品倒放在距钼舟上方30厘米处，蒸镀条件为：蒸发功率为40瓦，蒸发压强为1×10^-4帕斯卡，蒸发速率为10～20埃每秒，蒸发厚度为110纳米，基片温度为100℃，蒸发时间为100分钟；蒸发完毕后对样品进行退火处理。

优选的，步骤(5)中电子传输层(5)采用热真空蒸镀法制备的，具体步骤为：将1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯粉末放置坩埚中，并转移至热真空蒸镀腔室，将带有CsCu₂I₃薄膜发光层(4)的样品倒放在距坩埚上方30厘米处，蒸镀条件为：蒸发功率为30瓦，蒸发压强为1×10^-4帕斯卡，蒸发速率为3～10埃每秒，蒸发厚度为40纳米，蒸发时间为100分钟。

本发明采用无毒、稳定的CsCu₂I₃薄膜作为发光层，从而实现了环境友好、工作稳定的无铅电致LED的制备。该器件一方面不含有重金属铅，避免了对人体和环境带来的危害；另一方面该器件在持续增加电压(6.0-9.0伏)下光谱没有发生变化，在7伏电压下持续工作310分钟，发光强度仅衰减50％，证明了器件具有优异的工作稳定性。因此该器件可以同时克服传统黄光钙钛矿LED运行不稳定和铅毒性的难题。本发明对推动钙钛矿LED向环境友好、工作稳定且实用化方向发展提供新的思路，具有非常重要的科学意义。

附图说明

图1为本发明所述的无铅电致LED的结构示意图。

图2为实施例1中CsCu₂I₃发光层的扫描电子显微镜照片。

图3为实施例2中CsCu₂I₃发光层的扫描电子显微镜照片。

图4为实施例1、2和3所制备的电致LED的电流密度-电压特性曲线。

图5为实施例1、2和3所制备的电致LED的外量子效率。

图6为实施例3中所制备的电致LED在不同电压下的电致发光谱。

图7为实施例3中所制备的电致LED在7伏电压下连续工作的发光强度变化曲线。

其中：1.衬底，2.空穴注入层，3.空穴传输层，4.CsCu₂I₃薄膜发光层，5.电子传输层，6.接触电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明提供一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED，包括绝缘的透明导电衬底1，衬底1上依次设有空穴注入层2、空穴传输层3、CsCu₂I₃薄膜发光层4、电子传输层5以及接触电极6。

优选的，所述透明导电衬底1为ITO导电玻璃，ITO薄层的厚度为120～150纳米，电阻率为10^-3～10^-4欧姆·厘米。

所述空穴注入层2为聚乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸钠，其厚度为20～30纳米。其中，聚乙撑二氧噻吩又称为PEDOT，聚苯乙烯磺酸钠又称为PSS。

所述空穴传输层3为为聚(4-丁基苯基二苯胺)(即Poly-TPD)、聚(9-乙烯基咔唑)(即PVK)中的一种，厚度为20～50纳米。

所述CsCu₂I₃薄膜发光层4的厚度为100～150纳米。

所述电子传输层5为1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(即TPBi)，其厚度为30～50纳米。

所述接触电极6为氟化锂和金属铝的复合材料，其厚度为100～150纳米。

上述基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED的制备方法，是按照下述步骤进行的：

(1)清洗透明导电的衬底1；

(2)采用低温溶液法在衬底上1制备空穴注入层2；

(3)在空穴注入层2上采用低温溶液法制备空穴传输层3；

(4)采用低温溶液法或热真空蒸镀法在空穴传输层3上制备CsCu₂I₃薄膜发光层4；

(5)采用热真空蒸镀法在CsCu₂I₃薄膜发光层4上沉积电子传输层5；

(6)采用热真空蒸镀法在电子传输层5上沉积电极6。

优选的，步骤(2)中空穴注入层2采用一步溶液法制备的：将PEDOT:PSS溶液使用水系0.45微米的尼龙滤头过滤，在空气环境下，将过滤好的溶液均匀旋涂在透明导电衬底上，旋涂条件为：高速3000转每分钟/60秒，最后对旋涂后的样品进行退火处理，退火温度为130℃，时间为20分钟。

优选的，步骤(3)中空穴传输层3是按照一步溶液法制备的：将PVK或Poly-TPD溶于氯苯溶液中，浓度为6毫克每毫升，用恒温磁力搅拌器在25℃条件下搅拌2小时得到前驱溶液，在惰性气体保护下，将前驱溶液用旋涂的方式均匀旋涂在空穴注入层上，旋涂条件为：高速4000转每分钟/60秒，最后对旋涂后的样品进行退火处理，退火温度为130℃，时间为20分钟。

优选的，步骤(4)中CsCu₂I₃薄膜发光层4的制备是低温溶液法或热真空蒸镀法。CsCu₂I₃薄膜发光层4是按照一步溶液法制备过程如下：

将CsI与CuI粉末混合溶于二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶液中(体积比为1∶1)，浓度为0.5摩尔每升，用恒温磁力搅拌器在70℃条件下搅拌12小时得到混合溶液；

在惰性气体保护下，将上述混合溶液用旋涂的方式均匀旋涂在空穴传输层上，旋涂条件为：低速500转每分钟/5秒，高速3000转每分钟/55秒；在旋涂第45秒时迅速滴入100微升的甲苯；旋涂结束后对样品进行退火处理，退火温度为100℃，时间为60分钟。

另外，所述CsCu₂I₃薄膜发光层4也可以采用热真空蒸镀法制备：

将CsI与CuI粉末混合，摩尔比为1∶2。在惰性气体保护下，均匀研磨直至没有大颗粒出现；

将研磨好的混合物放置在钼舟中并转移至热真空蒸镀腔室，将带有空穴传输层的样品倒放在距钼舟上方30厘米处，蒸镀条件为：蒸发功率为40瓦，蒸发压强为1×10^-4帕斯卡，蒸发速率为10～20埃每秒，蒸发厚度为110纳米，基片温度为100℃，蒸发时间为100分钟；蒸发完毕后对样品进行退火处理，退火条件：温度为100℃，环境为真空，时间为60分钟。

优选的，步骤(5)中电子传输层5是按照热真空蒸镀法制备的：

将TPBi粉末放置坩埚中，并移至并转移至热真空蒸镀腔室，将带有CsCu₂I₃薄膜发光层的样品倒放在距坩埚上方30厘米处，蒸镀条件为：蒸发功率为30瓦，蒸发压强为1×10^-4帕斯卡，蒸发速率为3～10埃每秒，蒸发厚度为40纳米，蒸发时间为100分钟。

下面结合具体实施方式说明本发明制备方法和性能。

实施例1：

(1)清洗透明导电的衬底1，所采用的衬底1为ITO导电玻璃。

采用ITO导电玻璃作为衬底1，将其进行化学清洗，清洗步骤为：首先将衬底放在清洁剂(立白牌液体洗涤剂)中浸泡10分钟，再用自来水冲洗干净；然后依次用丙酮和乙醇溶液各超声清洗10分钟，再循环一次；之后用去离子水冲洗干净后，经高纯氮气吹干后备用。

(2)采用低温溶液法制备空穴注入层2。

将清洗后的透明导电衬底1放置紫外臭氧清洗机中进行处理30分钟，处理后的透明导电衬底1进行旋涂空穴注入层；将PEDOT:PSS溶液使用水系0.45微米的尼龙滤头过滤，在空气环境下，将过滤好的溶液均匀旋涂在透明导电衬底1上，旋涂条件为：高速3000转每分钟/60秒，最后对旋涂后的样品进行退火处理，退火温度为130℃，时间为20分钟。所获得的空穴注入层的厚度为30纳米。

(3)采用低温溶液法制备空穴传输层3。

将12毫克的PVK(Aladdin牌)粉末溶于2毫升的氯苯溶液中，接着用恒温磁力搅拌器在25℃条件下搅拌2小时得到前驱溶液，然后将制备好的空穴注入层的样品和前驱溶液转移到惰性气体保护的手套箱里，将前驱溶液用旋涂的方式均匀旋涂在空穴注入层上，旋涂条件为：高速4000转每分钟/60秒，最后在手套箱里对旋涂后的样品进行退火处理，退火温度为130℃，时间为20分钟。所获得的空穴传输层的厚度为40纳米。

(4)采用一步溶液法制备CsCu₂I₃薄膜发光层4。

首先将0.26克的CsI(Aladdin牌)与0.38克的CuI(Aladdin牌)粉末溶于1毫升的二甲基甲酰胺和1毫升的二甲基亚砜混合溶液中；接着用恒温磁力搅拌器在70℃条件下搅拌12小时；然后在惰性气体保护的手套箱里，将制备好的混合溶液用旋涂的方式均匀旋涂在空穴传输层上，旋涂条件为：低速500转每分钟/5秒，高速3000转每分钟/55秒；在旋涂第45秒时迅速滴入100微升的甲苯；旋涂结束后对样品进行退火处理，退火温度为100℃，时间为60分钟。所制备的CsCu₂I₃薄膜发光层的厚度为110纳米。

图2为采用一步溶液法制备的CsCu₂I₃薄膜发光层4的扫描电子显微镜照片。

(5)将旋涂完CsCu₂I₃薄膜发光层4的样品放置于真空蒸镀腔室中，采用热真空蒸镀法完成电子传输层5的制备。

具体步骤为：首先将2克的TPBi(Aladdin牌)粉末放置坩埚中，然后带有CsCu₂I₃薄膜发光层的样品倒放在距坩埚上方30厘米处，开启机械泵，对蒸镀腔室抽真空，当腔体真空度低于5帕斯卡后，开启分子泵继续抽真空，直至腔体真空度低于1.0×10^-4帕斯卡时开始蒸镀，设定其功率设定为30瓦，蒸发速率为3～10埃每秒，蒸发厚度为40纳米，蒸发时间为100分钟。所制备的电子传输层的厚度为40纳米。

(6)采用热真空蒸镀法并结合掩膜板在电子传输层5的表面沉积氟化锂(Aladdin牌)和铝电极，氟化锂和铝电极的厚度分别为1纳米和100纳米。

实施例2：

(1)采用ITO导电玻璃作为衬底1。本实施例中对透明导电衬底1的清洗方法和实施例1相同。

(2)采用低温溶液法制备空穴注入层2。该部分的工艺过程和制备参数和实施例1相同。

(3)采用低温溶液法制备空穴传输层3。该部分的工艺过程和制备参数和实施例1相同。

(4)采用热真空蒸镀法制备CsCu₂I₃薄膜发光层4：首先将1.95克的CsI(Aladdin牌)与2.85克的CuI(Aladdin牌)粉末混合，然后在惰性气体保护的手套箱里，进行均匀的研磨，直至没有大颗粒出现；

将研磨好的4.8克的混合物放置在钼舟中并转移至热真空蒸镀腔室，将带有空穴传输层的样品倒放在距钼舟上方30厘米处，开启机械泵，对蒸镀腔室抽真空，当腔体真空度低于5帕斯卡后，开启分子泵继续抽真空，直至腔体真空度低于1.0×10^-4帕斯卡时开始蒸镀，设定其功率设定为40瓦，蒸发速率为10～20埃每秒，蒸发厚度为110纳米，基片温度为100℃，蒸发时间为100分钟。所制备的CsCu₂I₃薄膜发光层为110纳米；蒸发完毕后对样品进行退火处理，退火条件：温度为100℃，环境为真空，时间为60分钟。

图3为采用热真空蒸镀法制备CsCu₂I₃薄膜发光层4的扫描电子显微镜照片。

(5)采用热真空蒸镀法制备电子传输层5。该部分的工艺过程和制备参数和实施例1相同。

(6)最后，采用热真空蒸镀法制备接触电极6。该部分的工艺过程和制备参数和实施例1相同。

本实施例与实施例1所不同的是，CsCu₂I₃薄膜发光层4采用的是热真空蒸镀法，这样可通过控制混合物的蒸发功率和速率对CsCu₂I₃薄膜发光层4的结晶质量进行调控。此外，通过使用本实施例的方法和实施例1的方法制备的CsCu₂I₃薄膜发光层，器件的性能对比如图5所示。

实施例3：

(1)采用ITO导电玻璃作为衬底1。本实施例中对透明导电衬底1的清洗方法和实施例1相同。

(2)采用低温溶液法制备空穴注入层2。该部分的工艺过程和制备参数和实施例1相同。

(3)采用低温溶液法制备空穴传输层3：将18毫克的Poly-TPD(Aladdin牌)粉末溶于3毫升的氯苯溶液中，接着用恒温磁力搅拌器在25℃条件下搅拌2小时得到前驱溶液，然后将制备好的空穴注入层的样品和前驱溶液转移到惰性气体保护的手套箱里，将前驱溶液用旋涂的方式均匀旋涂在空穴注入层上，旋涂条件为：高速4000转每分钟/60秒，最后在手套箱里对旋涂后的样品进行退火处理，退火温度为130℃，时间为20分钟。所获得的空穴传输层的厚度为40纳米。

(4)采用一步溶液法制备CsCu₂I₃薄膜发光层4。该部分的工艺过程和制备参数和实施例1相同。

(5)采用热真空蒸镀法制备电子传输层5。该部分的工艺过程和制备参数和实施例1相同。

(6)最后，采用热真空蒸镀法制备接触电极6。该部分的工艺过程和制备参数和实施例1相同。

本实施例与实施例1所不同的是，空穴传输层为Poly-TPD，Poly-TPD和PVK具有不同的电导率和载流子迁移率，当二者分别和CsCu₂I₃薄膜发光层4接触时，可以实现对CsCu₂I₃薄膜发光层4不同的空穴注入效果。

图4为实施例1、2、3中所制备器件的电流密度-电压特性曲线，三个器件均表现出明显的整流特性。表明三个实施例均可以实现以CsCu₂I₃薄膜发光层的电致LED。

图5为实施例1、2、3中所制备器件的外量子效率对比。从图中可以看出，实施例1中所制备的电致LED的外量子效率为0.10％，实施例2中的器件具有最低的外量子效率0.07％，实施例3中的器件具有最高的外量子效率0.17％。

图6为实施例3中所制备的电致LED在不同电压下的电致发光谱。从图中可以看出在不同电压下，光谱的形状和位置没有发生改变，表现出优良的光谱稳定性，明显优于传统CsPbBr_1.88I_1.22发光器件的结果。

图7为实施例3中所制备的电致LED在7伏电压下连续工作的发光强度变化曲线，从图中可以看出在7伏电压下可持续工作310分钟，发光强度仅衰减50％，展现出优异的工作稳定性。

本发明一方面采用无铅的CsCu₂I₃薄膜作为发光层，制备了电驱动的LED，克服了传统钙钛矿器件铅毒性的缺点，减少了对人体和环境的危害；另一方面所制备的器件在持续增加电压(6.0-9.0伏)下光谱没有发生变化，在7伏电压下持续工作310分钟，发光强度仅衰减50％，证明了器件具有出色的工作稳定性。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.一种基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED，包括透明导电的衬底(1)，其特征在于：衬底(1)上依次设有空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、CsCu₂I₃薄膜发光层(4)、电子传输层(5)以及接触电极(6)；

空穴注入层(2)为聚乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸钠，其厚度为20～30纳米；

空穴传输层(3)为聚(4-丁基苯基二苯胺)或聚(9-乙烯基咔唑)，厚度为20～50纳米；

电子传输层(5)为1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，其厚度为30～50纳米；

CsCu₂I₃薄膜发光层(4)采用热真空蒸镀法制备的，具体步骤为：

将CsI与CuI粉末混合，摩尔比为1：2，在惰性气体保护下均匀研磨；将研磨好的混合物放置在钼舟中并转移至热真空蒸镀腔室，将带有空穴传输层(3)的样品倒放在距钼舟上方30厘米处，蒸镀条件为：蒸发功率为40瓦，蒸发压强为1×10^-4帕斯卡，蒸发速率为10～20埃每秒，蒸发厚度为110纳米，基片温度为100℃，蒸发时间为100分钟；蒸发完毕后对样品进行退火处理；

或者CsCu₂I₃薄膜发光层(4)按照一步溶液法制备过程如下：

将CsI与CuI粉末混合溶于二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶液中，浓度为0.5摩尔每升，用恒温磁力搅拌器在70℃条件下搅拌12小时得到混合溶液；在惰性气体保护下，将上述混合溶液用旋涂的方式均匀旋涂在空穴传输层上，旋涂条件为：低速500转每分钟/5秒，高速3000转每分钟/55秒；在旋涂第45秒时迅速滴入100微升的甲苯；旋涂结束后对样品进行退火处理，退火温度为100℃，时间为60分钟；

电压从6.0伏持续增加到9.0伏，所述电注入黄光LED的电致发光谱的形状和位置没有发生变化，在7伏电压下持续工作310分钟，发光强度仅衰减50％。

2.根据权利要求1所述的基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED，其特征在于：发光层(4)厚度为100～150纳米；电极(6)为氟化锂和金属铝的复合材料，其厚度为100～150纳米。

3.如权利要求1或2所述的基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED的制备方法，其特征在于是按照下述步骤进行的：

(1)清洗透明导电的衬底(1)；

(2)采用低温溶液法在衬底(1)上制备空穴注入层(2)；

(3)采用低温溶液法在空穴注入层(2)上制备空穴传输层(3)；

(4)采用低温溶液法或热真空蒸镀法在空穴传输层(3)上制备CsCu₂I₃发光层(4)；

(5)采用热真空蒸镀法在CsCu₂I₃发光层(4)上制备电子传输层(5)；

(6)采用热真空蒸镀法在电子传输层(5)上制备电极(6)。

4.根据权利要求3所述的基于无铅铜基碘化物的电注入黄光LED的制备方法，其特征在于：步骤(2)中空穴注入层(2)是采用一步溶液法制备的，步骤(3)中空穴传输层(3)是采用一步溶液法制备的，步骤(4)中CsCu₂I₃发光层(4)是采用一步溶液法制备的。

5.根据权利要求3所述的一种基于无铅铜基卤化物薄膜的电致LED的制备方法，其特征在于步骤(5)中电子传输层(5)采用热真空蒸镀法制备的，具体步骤为：

将1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯粉末放置坩埚中，并转移至热真空蒸镀腔室，将带有CsCu₂I₃薄膜发光层(4)的样品倒放在距坩埚上方30厘米处，蒸镀条件为：蒸发功率为30瓦，蒸发压强为1×10^-4帕斯卡，蒸发速率为3～10埃每秒，蒸发厚度为40纳米，蒸发时间为100分钟。

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