CN110690861A - 具有线性补偿功能的多级功率放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有线性补偿功能的多级功率放大器，所述多级功率放大器包括：第一放大电路，接收第一偏置电流；第二放大电路，接收第二偏置电流；包络检测电路，基于输入射频(RF)信号的包络输出直流(DC)检测电压；以及偏置补偿电路，响应于所述DC检测电压，基于所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。

Description

具有线性补偿功能的多级功率放大器
本申请要求于2018年7月5日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0078186号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种具有线性补偿功能的多级功率放大器。
背景技术
通常，多级功率放大器可包括可彼此串联连接的第一放大器和第二放大器。第一放大器和第二放大器均可具有放大增益，并可使用通常高的放大增益来放大输入信号。
第一放大器可放大输入信号并且将放大的信号输出到第二放大器。第二放大器可放大从第一放大器输入的信号并且输出放大的信号。第一放大器和第二放大器可共享总放大增益，并且第一放大器可执行放大和缓冲功能。
第一放大器可以是驱动放大器(DA)并且第二放大器可以是功率放大器(PA)。
典型的多级功率放大器可能具有以下缺点：在高功率驱动区中第一放大器的偏置下降并且第二放大器的偏置上升，因此线性度降低。
发明内容
提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种多级功率放大器包括：第一放大电路，被配置为接收第一偏置电流；第二放大电路，被配置为接收第二偏置电流；包络检测电路，被配置为基于输入射频(RF)信号的包络输出直流(DC)检测电压；以及偏置补偿电路，被配置为基于所述直流检测电压，基于高功率驱动区中的所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。
所述偏置补偿电路可被配置为响应于所述直流检测电压基于从所述第二偏置电流提取的灌电流来产生补偿电流，并且将产生的所述补偿电流供应给所述第一放大电路的偏置端子。
所述多级功率放大器还可包括：第一偏置电路，被配置为供应所述第一偏置电流；以及第二偏置电路，被配置为供应所述第二偏置电流。
所述包络检测电路还可被配置为从所述射频信号检测包络信号，并且基于检测到的所述包络信号输出所述直流检测电压。
所述包络检测电路可包括：信号提取电路，被配置为从所述射频信号提取所述包络信号；整流电路，被配置为对提取的所述包络信号进行整流并输出所述直流检测电压；以及滤波器电路，被配置为从所述直流检测电压去除交流分量以使所述直流检测电压稳定。
所述包络检测电路还可被配置为通过所述整流电路的输入端子从外部源接收控制电压。
所述偏置补偿电路可包括放大电路，所述放大电路包括放大晶体管，其中，所述放大电路可被配置为接收所述直流检测电压作为所述放大晶体管的偏置电压，当所述直流检测电压等于或大于导通电压时放大所述灌电流，并且输出所述补偿电流。
在一个总体方面，一种多级功率放大器包括：第一偏置电路，被配置为供应第一偏置电流；第二偏置电路，被配置为供应第二偏置电流；第一放大电路，被配置为接收所述第一偏置电流；第二放大电路，被配置为接收所述第二偏置电流；包络检测电路，被配置为基于输入射频(RF)信号的包络输出直流(DC)检测电压；以及偏置补偿电路，被配置为基于所述直流检测电压，基于从所述第二偏置电路分支出的灌电流来补偿所述第一偏置电流。
所述第二偏置电路可包括偏置晶体管，所述偏置晶体管被配置为放大内部电流以输出所述第二偏置电流，并且所述偏置补偿电路可被配置为被供应从所述偏置晶体管的基极、所述偏置晶体管的集电极和所述偏置晶体管的发射极中的一个分支出的所述灌电流。
所述偏置补偿电路可被配置为响应于所述直流检测电压基于所述灌电流来产生补偿电流，并将产生的所述补偿电流供应给所述第一放大电路的偏置端子。
所述包络检测电路还可被配置为从所述射频信号检测包络信号，并基于检测到的所述包络信号输出所述直流检测电压。
所述包络检测电路可包括：信号提取电路，被配置为从所述射频信号提取所述包络信号；整流电路，被配置为对提取的所述包络信号进行整流并输出所述直流检测电压；以及滤波器电路，被配置为从所述直流检测电压去除交流分量以使所述直流检测电压稳定。
所述包络检测电路还可被配置为通过所述整流电路的输入端子从外部源接收控制电压。
所述偏置补偿电路可包括放大电路，所述放大电路包括放大晶体管，其中，所述放大电路可被配置为接收所述直流检测电压作为所述放大晶体管的偏置电压，当所述直流检测电压等于或大于导通电压时放大所述灌电流，并且输出所述补偿电流。
在一个总体方面，一种多级功率放大器包括：第一放大电路，被配置为接收第一偏置电流；第二放大电路，被配置为接收第二偏置电流；包络检测电路，被配置为基于输入射频(RF)信号的包络输出直流(DC)检测电压；以及偏置补偿电路，被配置为基于所述直流检测电压基于所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。
所述偏置补偿电路可被配置为基于高功率驱动区中的所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。
所述多级功率放大器还可包括：第一偏置电路，被配置为供应所述第一偏置电流；以及第二偏置电路，被配置为供应所述第二偏置电流。
通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是示出多级功率放大器的示例的示图；
图2是多级功率放大器的电路图的示例；
图3是示出图2的灌电流的分支的示例的示图；
图4是示出图2的灌电流的分支的示例的示图；
图5是示出图2的灌电流的分支的示例的示图；
图6是示出图2的灌电流的分支的示例的示图；
图7是示出包络检测电路和偏置补偿电路的示例的示图；
图8是示出包络检测电路和偏置补偿电路的示例的示图；
图9是示出第二偏置电路的示例的示图；
图10示出第一放大电路的Vbe输出功率的曲线图的示例；
图11示出第二放大电路的Vbe输出功率的曲线图的示例；以及
图12示出ACLR输出功率的曲线图的示例。
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明和方便，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此所描述的方法、设备和/或***的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或***的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此所描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可对在此所描述的操作的顺序做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
在此所描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此所描述的示例。更确切地说，已经提供了在此所描述的示例，仅仅是为了示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或***的诸多可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当元件(诸如，层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。
如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分相区分。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此所描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间关系术语，以描述如附图所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间关系术语意图除了包含在附图中所描绘的方位之外，还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件在“上方”或“上面”的元件随后将相对于另一元件在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位而包含“上方”和“下方”两种方位。所述装置还可以以其他方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并将对在此使用的空间关系术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，而不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包括”、“包含”和“具有”列举存在的所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此所描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间出现的形状的改变。
可按照在理解本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式组合在此描述的示例的特征。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的其他构造是可行的。
图1是示出多级功率放大器的示例的示图，并且图2是示例多级功率放大器的电路图。
参照图1和图2，根据示例的多级功率放大器可包括第一偏置电路210、第二偏置电路220、第一放大电路(Amp1)110、第二放大电路(Amp2)120、包络检测电路300和偏置补偿电路400。
当根据示例的第一放大电路110和第二放大电路120中的每个使用无补偿的偏置电路时，分别包括在第一放大电路110和第二放大电路120中的功率晶体管分别在小信号和大信号处的功率晶体管偏置点可能彼此不同。原因是因为输入到功率晶体管的信号摆动的幅值可能导致偏置电路的非线性操作的差异。
通常，随着输入功率增加，当由于偏置电路的二次非线性特性产生的附加DC分量的幅值增加时，偏置点升高，并且相反，当输入功率低时，由于因偏置电路的非线性引起的附加DC分量的幅值小，因此功率晶体管的偏置点下降。
在多级放大器中，可根据通过每级的输入信号的幅值而变化的偏置点的变化方面来确定幅度失真(例如，AM-AM失真)，偏置点的变化方面与线性度非常直接相关。因此，根据本公开，可补偿由非线性引起的偏置点的下降和上升。
参照图1和图2，与第二放大电路120相比，可以以相对小的输入功率驱动第一放大电路110。在如上所述未应用偏置补偿电路400的示例中，随着输入信号的幅度增加，第一放大电路110的偏置点可能下降，并且第二放大电路120的偏置点可能上升。
在应用根据本公开的偏置补偿电路400的示例中，当以大输入驱动第二放大电路120并且第二放大电路120的偏置点上升时，第二放大电路120的一些偏置电流可被灌入，并且灌电流中的一些可附加地提供给第一放大电路110的第一偏置电流，从而同时减轻第二放大电路120的偏置点在高功率区中上升以及第一放大电路110的偏置点在高功率区中下降。这将在下文中描述。
第一偏置电路210可使用基于供应的第一电压V1产生的内部电流来供应第一偏置电流Ibias1。
第二偏置电路220可使用基于供应的第二电压V2产生的内部电流来供应第二偏置电流Ibias2。
第一放大电路110可被供应第一偏置电流Ibias1，并且第一放大电路110可放大输入射频信号，并且将放大的射频信号输出到第二放大电路120。
第二放大电路120可被供应第二偏置电流Ibias2并且放大由第一放大电路110放大的射频信号，并且将放大的射频信号输出到输出端子OUT。
包络检测电路300可基于通过输入端子IN和电容器输入的射频信号的包络输出直流(DC)检测电压Vd。
基于(例如，响应于)DC检测电压Vd，偏置补偿电路400可基于从第二偏置电路220分支出的灌电流Isink来补偿第一偏置电流Ibias1。
此外，偏置补偿电路400可从第二偏置电流Ibias2分支出灌电流Isink以补偿第二偏置电流Ibias2。
作为示例，包络检测电路300可从射频信号检测包络信号，并基于包络信号输出DC检测电压Vd。这将参考图9进行描述。
基于(例如，响应于)DC检测电压Vd，偏置补偿电路400可使用灌电流Isink产生补偿电流Icom，并且将补偿电流Icom供应给第一放大电路110的第一偏置端子N1。
因此，在第一偏置端子N1处，补偿电流Icom可被添加到从第一偏置电路210产生的第一偏置电流Ibias1，以补偿第一偏置电流Ibias1的下降。
在本公开的各个附图中，将省略对于由相同附图标记表示并且具有相同功能的组件的不必要的重复描述，并且将在各个附图中描述彼此不同的内容。
参照图2，第一放大电路110可包括第一放大晶体管Q1，第一放大晶体管Q1具有被供应第一偏置电流Ibias1的基极以及通过第一电感器L1被供应第一操作电压Vcc1的集电极。第一放大电路110可放大通过输入端子IN和电容器CB1输入的射频信号，并通过电容器CB2将放大的射频信号输出到第二放大电路120。
第二放大电路120可包括第二放大晶体管Q2，第二放大晶体管Q2具有被供应第二偏置电流Ibias2的基极以及通过第二电感器L2被供应第二操作电压Vcc2的集电极。第二放大电路120可放大从第一放大电路110输入的射频信号，并通过电容器CB3将放大的射频信号输出到输出端子OUT。
第一偏置电路210可包括放大基于第一电压V1产生的内部电流I1并输出第一偏置电流Ibias1的第一偏置晶体管Q21。
第二偏置电路220可包括放大基于第二电压V2产生的内部电流I2并输出第二偏置电流Ibias2的第二偏置晶体管Q22。
在图2中，CB1、CB2和CB3可以是阻隔DC信号(电压或电流)并通过AC信号的隔直电容器。
图3是示出图2的灌电流的分支的示图。
参照图3，偏置补偿电路400可使用从第二偏置电流Ibias2分支出的灌电流Isink来补偿第一偏置电流Ibias1。
作为示例，参照图2和图3，响应于DC检测电压Vd，偏置补偿电路400可使用从第二偏置电流Ibias2提取的灌电流Isink来产生补偿电流Icom，并且将补偿电流Icom供应给第一放大电路110的第一偏置端子N1。
此外，与图3不同，偏置补偿电路400可被供应从偏置晶体管Q22的基极、集电极和发射极中的一个分支出的灌电流Isink。这将参照图4、图5和图6进行描述。
图4是示出图2的灌电流的分支的示例的示图，图5是示出图2的灌电流的分支的示例的示图，并且图6是示出图2的灌电流的分支的示例的示图。
参照图4，作为示例，灌电流Isink可从偏置晶体管Q22的基极分支出。
参照图5，作为示例，灌电流Isink可从偏置晶体管Q22的发射极分支出。
参照图6，作为示例，灌电流Isink可从偏置晶体管Q22的集电极分支出。
参照图4至图6，偏置晶体管Q22可放大通过其基极输入的内部电流I2，并通过其发射极输出第二偏置电流Ibias2。第二偏置电路220可包括连接到偏置晶体管Q22的发射极的镇流电阻器R20，以调整第二偏置电流Ibias2的幅值。
图7是示出根据示例的包络检测电路300和偏置补偿电路400的示例的示图，并且图8是示出根据示例的包络检测电路300和偏置补偿电路400的示例的示图。
参照图7和图8，包络检测电路300可包括信号提取电路310、整流电路320和滤波器电路330。
信号提取电路310可连接到信号输入端子IN和第一放大电路110的输入端子之间的检测节点Nd，以提取射频信号的包络信号。作为示例，信号提取电路310可包括电容器C1。
整流电路320可对通过信号提取电路310输入的包络信号进行整流，并输出DC检测电压Vd。作为示例，整流电路320可包括至少一个整流元件QD，并且整流元件QD可以是整流二极管或二极管连接晶体管。
滤波器电路330可从DC检测电压Vd去除AC分量以使DC检测电压Vd稳定。作为示例，滤波器电路330可包括连接在整流电路320的输出端子和地之间的电容器C2以及与电容器C2并联连接的电阻器R21。
偏置补偿电路400可包括放大电路410。放大电路410可包括放大晶体管Q40，放大电路410可被供应DC检测电压Vd作为放大晶体管Q40的偏置电压，并且当DC检测电压Vd等于或大于导通电压时可放大灌电流Isink，并且输出补偿电流Icom。
换言之，偏置补偿电路400可在低功率区中截止，可仅在高功率区中导通，并且可以是在导通状态下放大从第二偏置电路220分支出的灌电流Isink的可切换放大电路。
此外，输出的DC检测电压Vd可根据输入到包络检测电路300的射频信号的功率幅值而变化。作为示例，当向包络检测电路300输入小功率时，可检测小DC检测电压Vd，使得偏置补偿电路400的放大晶体管Q40可截止。当射频信号的功率幅值逐渐增加以产生特定临界点或更高的DC检测电压Vd时，偏置补偿电路400的放大晶体管Q40可导通。此外，仅在偏置补偿电路400的放大晶体管Q40导通的操作期间，可从第二放大电路的第二偏置电路灌入一些电流，这些电流可被放大，并且然后可被添加到第一放大电路的第一偏置电流，从而补偿第一偏置电流。
参照图8，包络检测电路300可通过整流电路320的输入端子从外部源接收控制电压Vctrl。
当调节控制电压Vctrl的电压幅值时，可控制偏置补偿电路400的放大晶体管Q40的导通。
详细地，为了调整从包络检测电路300的输出端子提供的DC检测电压Vd的范围，可将控制电压Vctrl供应给整流元件QD的阳极端子。根据控制电压Vctrl的幅值，可控制能够使放大晶体管Q40导通的输入电压的幅值。
作为示例，当施加高控制电压Vctrl时，即使在相对小的输入功率下，整流元件QD和放大晶体管Q40也可导通。相反，在施加低控制电压Vctrl的情况下，由于即使在整流元件QD导通时放大晶体管Q40的基极-发射极结也可截止，因此可不驱动放大晶体管Q40。
例如，在放大晶体管Q40的发射极具有1.2V的电压的示例中，为了使放大晶体管Q40导通，应施加大于导通电压(例如，1.2V)的约2.4V或更高的基极电压，而不是1.2V的发射极电压。
因此，为了使放大晶体管Q40的基极电压等于或大于2.4V，考虑到1.2V的整流元件QD的导通电压和通过电容器C1附加输入的信号的摆动，近似控制电压Vctrl应约为3.1V至3.4V。
在施加上述基极电压的示例中，为了使基极-发射极结的导通电压等于或大于1.2V，并且使放大晶体管Q40的基极电压等于或大于2.4V，考虑到1.2V的整流元件QD的导通电压和通过信号提取电路310附加输入的信号的摆动，近似控制电压Vctrl应为约3.1V到3.4V。
作为示例，当满足放大晶体管Q40可操作的输入功率和控制电压Vctrl的条件时，放大晶体管Q40可使输入到第二偏置电路220的第二偏置晶体管Q22的基极的电流的信号(参见图4)分支，并且所述分支出的灌电流Isink可被放大并且被添加到第一偏置电路210的第一偏置端子N1处的第一偏置电流Ibias1，使得第一偏置电流Ibias1可被补偿并被供应给第一放大电路110。
为了调整灌电流Isink的量，可将电阻器(图4中的R25)添加到灌入路径。
图9是示出第二偏置电路的示例的示图。
参照图9，例如，第二偏置电路220可包括第一电阻器R23、第一二极管连接晶体管DT1和第二二极管连接晶体管DT2、第二电阻器R22、电容器C2、偏置晶体管Q22和镇流电阻器R20。
第一电阻器R23、第一二极管连接晶体管DT1和第二二极管连接晶体管DT2以及第二电阻器R22可彼此串联连接在参考电流Iref1端子和地之间。偏置晶体管Q22和镇流电阻器R20可串联连接在第二电压V2端子和连接到第二放大电路120的第二偏置节点N2之间。电容器C2可连接在偏置晶体管Q22的基极和地之间。
参照图9，偏置补偿电路400可被供应从偏置晶体管Q22的基极节点N2B、集电极节点N2C和发射极节点N2E中的一个分支出的灌电流Isink。
图10是根据示例的第一放大电路110的Vbe输出功率的曲线图。
图10的曲线图是表示通过在增加输入功率的同时模拟第一放大电路110的基极-发射极电压Vbe1和输出功率而获得的结果的曲线图。
图10的曲线图G11是针对未应用偏置补偿电路400的示例的第一放大电路110的Vbe1-输出功率曲线图，并且曲线图G12是针对应用偏置补偿电路400的示例的第一放大电路110的Vbe1-输出功率曲线图。
参照图10的曲线图G11和G12，可以看出，与未应用偏置补偿电路400的示例相比，在应用了根据本公开的偏置补偿电路400的示例中第一放大电路110的基极-发射极电压Vbe1的下降现象得到改善，并且基极-发射极电压Vbe1从约30dBm的输出电压再次上升，以进一步改善电压下降现象。
图11是根据示例的第二放大电路120的Vbe-输出功率的曲线图。
图11的曲线图是表示通过在增加输入功率的同时模拟第二放大电路120的基极-发射极电压Vbe2和输出功率而获得的结果的曲线图。
图11的曲线图G21是针对未应用偏置补偿电路400的示例的第二放大电路120的Vbe2-输出功率曲线图，并且曲线图G22是针对应用偏置补偿电路400的示例的第二放大电路120的Vbe2-输出功率曲线图。
参照图11的曲线图G21和G22，可以看出，与未应用偏置补偿电路400的示例(见曲线图G21)相比，在应用了根据本公开的偏置补偿电路400的示例(见曲线图G22)中第二放大电路120的基极-发射极电压Vbe2的电压升高现象从约30dBm的外电压进一步改善。
参照图10和11，可以看出，即使在输入功率增加的区中，第一放大电路110和第二放大电路120的基极-发射极电压Vbe的降低和升高的程度也可缓解，以改善AM-AM失真。
图12是ACLR输出功率的曲线图的示例。
图12的曲线图是通过在增加输入功率的同时模拟邻道泄漏比率(ACLR)而获得的结果的曲线图。
图12的曲线图G31是针对未应用偏置补偿电路400的示例的ACLR曲线图，并且曲线图G32是针对应用了偏置补偿电路400的示例的ACLR曲线图。
参照图12的曲线图G31和G32，可以看出，第一放大电路110和第二放大电路120显示出由于输入信号的摆动大小的差异而导致的AM-AM失真曲线中的每个的下降和上升的形状，并且在应用偏置补偿电路400的示例中，曲线图中所示的整个区中的AM-AM失真曲线的变化被缓解从而改善作为线性指数的ACLR。
如上所述，根据各种示例，通过补偿高功率驱动区中的第一偏置和第二偏置，可改善第一偏置和第二偏置的线性度并且可降低多级功率放大器的幅度失真(例如，AM-AM失真)。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式和细节上的各种改变。在此所描述的示例将仅被视为描述性意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的***、架构、装置或者电路中的组件，和/或用其他组件或者它们的等同物来替换或者补充描述的***、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为被包括在本公开中。

Claims (17)

1.一种多级功率放大器，包括：
第一放大电路，被配置为接收第一偏置电流；
第二放大电路，被配置为接收第二偏置电流；
包络检测电路，被配置为基于输入射频信号的包络输出直流检测电压；以及
偏置补偿电路，被配置为基于所述直流检测电压，基于高功率驱动区中的所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。
2.根据权利要求1所述的多级功率放大器，其中，所述偏置补偿电路被配置为响应于所述直流检测电压基于从所述第二偏置电流提取的灌电流来产生补偿电流，并且将产生的所述补偿电流供应给所述第一放大电路的偏置端子。
3.根据权利要求1所述的多级功率放大器，所述多级功率放大器还包括：
第一偏置电路，被配置为供应所述第一偏置电流；以及
第二偏置电路，被配置为供应所述第二偏置电流。
4.根据权利要求2所述的多级功率放大器，其中，所述包络检测电路还被配置为从所述射频信号检测包络信号，并且基于检测到的所述包络信号输出所述直流检测电压。
5.根据权利要求4所述的多级功率放大器，其中，所述包络检测电路包括：
信号提取电路，被配置为从所述射频信号提取所述包络信号；
整流电路，被配置为对提取的所述包络信号进行整流并输出所述直流检测电压；以及
滤波器电路，被配置为从所述直流检测电压去除交流分量以使所述直流检测电压稳定。
6.根据权利要求5所述的多级功率放大器，其中，所述包络检测电路还被配置为通过所述整流电路的输入端子从外部源接收控制电压。
7.根据权利要求4所述的多级功率放大器，其中，所述偏置补偿电路包括放大电路，所述放大电路包括放大晶体管，
其中，所述放大电路被配置为接收所述直流检测电压作为所述放大晶体管的偏置电压，当所述直流检测电压等于或大于导通电压时放大所述灌电流，并且输出所述补偿电流。
8.一种多级功率放大器，包括：
第一偏置电路，被配置为供应第一偏置电流；
第二偏置电路，被配置为供应第二偏置电流；
第一放大电路，被配置为接收所述第一偏置电流；
第二放大电路，被配置为接收所述第二偏置电流；
包络检测电路，被配置为基于输入射频信号的包络输出直流检测电压；以及
偏置补偿电路，被配置为基于所述直流检测电压，基于从所述第二偏置电路分支出的灌电流来补偿所述第一偏置电流。
9.根据权利要求8所述的多级功率放大器，其中，所述第二偏置电路包括偏置晶体管，所述偏置晶体管被配置为放大内部电流以输出所述第二偏置电流，并且
所述偏置补偿电路被配置为被供应从所述偏置晶体管的基极、所述偏置晶体管的集电极和所述偏置晶体管的发射极中的一个分支出的所述灌电流。
10.根据权利要求9所述的多级功率放大器，其中，所述偏置补偿电路被配置为响应于所述直流检测电压基于所述灌电流来产生补偿电流，并将产生的所述补偿电流供应给所述第一放大电路的偏置端子。
11.根据权利要求10所述的多级功率放大器，其中，所述包络检测电路还被配置为从所述射频信号检测包络信号，并基于检测到的所述包络信号输出所述直流检测电压。
12.根据权利要求11所述的多级功率放大器，其中，所述包络检测电路包括：
信号提取电路，被配置为从所述射频信号提取所述包络信号；
整流电路，被配置为对提取的所述包络信号进行整流并输出所述直流检测电压；以及
滤波器电路，被配置为从所述直流检测电压去除交流分量以使所述直流检测电压稳定。
13.根据权利要求12所述的多级功率放大器，其中，所述包络检测电路还被配置为通过所述整流电路的输入端子从外部源接收控制电压。
14.根据权利要求11所述的多级功率放大器，其中，所述偏置补偿电路包括放大电路，所述放大电路包括放大晶体管，
其中，所述放大电路被配置为接收所述直流检测电压作为所述放大晶体管的偏置电压，当所述直流检测电压等于或大于导通电压时放大所述灌电流，并且输出所述补偿电流。
15.一种多级功率放大器，包括：
第一放大电路，被配置为接收第一偏置电流；
第二放大电路，被配置为接收第二偏置电流；
包络检测电路，被配置为基于输入射频信号的包络输出直流检测电压；以及
偏置补偿电路，被配置为基于所述直流检测电压基于所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。
16.根据权利要求15所述的多级功率放大器，其中，所述偏置补偿电路被配置为基于高功率驱动区中的所述第二偏置电流来补偿所述第一偏置电流。
17.根据权利要求15所述的多级功率放大器，所述多级功率放大器还包括：
第一偏置电路，被配置为供应所述第一偏置电流；以及
第二偏置电路，被配置为供应所述第二偏置电流。
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