CN110637257A - 用于物体的表面处理的装置 - Google Patents

用于物体的表面处理的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110637257A
CN110637257A CN201880024669.0A CN201880024669A CN110637257A CN 110637257 A CN110637257 A CN 110637257A CN 201880024669 A CN201880024669 A CN 201880024669A CN 110637257 A CN110637257 A CN 110637257A
Authority
CN
China
Prior art keywords
working fluid
irradiation device
radiation
measuring unit
treatment chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880024669.0A
Other languages
English (en)
Inventor
O.施塔茨曼
T.席廷格
U.雅恩-夸德
P.施密特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ist Metz Co Ltd
IST Metz GmbH
Original Assignee
Ist Metz Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ist Metz Co Ltd filed Critical Ist Metz Co Ltd
Publication of CN110637257A publication Critical patent/CN110637257A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于物体的表面处理的装置，其带有容纳待处理的物体(12)的处理腔(14)、向物体(12)对准的用于UV辐射的辐射源(16)和用于以工作流体加载处理腔(14)的设备(24)，其中，工作流体包含至少一个惰性成分和至少一个光化学活性的活性成分。根据本发明，提出一种构造用于检测在位于处理腔(14)中的工作流体处和/或在物体(12)处的测量数据的测量单元(20)，其中，设置有与测量单元(20)相连接的控制单元(18)用于根据所检测的测量数据影响工作流体的组成。

Description

用于物体的表面处理的装置
技术领域
本发明涉及一种用于物体的表面处理的装置，尤其用于清洁半导体基质或玻璃基质，其带有至少部分地容纳待处理的物体的处理腔、向在处理腔中的物体对准的用于UV辐射的辐射源以及用于以工作流体加载处理腔的设备，其中，工作流体包含至少一个惰性成分和至少一个光化学活性的活性成分(Reaktivkomponente)。
背景技术
这样的清洁装置为了平面基质(如用于例如在半导体工业中电子或显示器制造的玻璃或半导体晶片)的表面处理被用以借助于短波的UV辐射在产生臭氧的情况下从光刻漆(Photolack)或掩蔽漆(Abdecklack)移除有机残余物并且还从基质表面移除由灰尘等引起的污物。因此应无问题地且无高次品率地保证在接下来的过程步骤、例如微观结构化中基质的再加工。在此有问题的是，在氧气的初始浓度过高的情况下臭氧含量变得过高，由此一方面减小了打在基质上的UV辐射功率而另一方面高的臭氧浓度有害地作用于基质。此外，由于高的臭氧含量，结构性的设备如用于基质的支架、壳体或运输设备被损坏，这一方面可导致不期望的在基质上的二次污染而另一方面导致所应用的设备的使用寿命减少。
发明内容
由此处出发，本发明目的在于消除在现有技术中出现的缺点并且提供一种装置，其允许有效地清除基质上的污物。在此，清洁作用应很大程度上独立于运行类型且尤其还在经过运行(Durchlaufbetrieb)中始终被保持在最佳区域中，而不非必要地损坏基质和/或处理装置。
为了实现该目的，提出在权利要求1中所说明的特征组合。本发明的有利的设计方案和改进方案由从属权利要求得出。
本发明从检测用于有效的清洁作用的参数并且相应地将其优化的构思出发。与此相应地，根据本发明提出，设立有用于检测在位于处理腔中的工作流体处和/或在物体处的测量数据的测量单元，并且与测量单元相连接的控制单元构造用于根据所检测的测量数据影响工作流体的组成。以此可直接检测工作流体的在待处理的物体处有效的成分或借助于UV辐射由此所产生的活性部份，由此可限定清洁作用。补充地或备选地也可能的在测量技术上确定在物体处或在物体上实际的清洁效果。通过在考虑另外的参数(如物体的停留时间和辐射功率)的情况下来适配或调节工作流体的混合比，那么可通过控制单元来优化工艺流程(Prozessablauf)。
有利地，测量单元具有气体传感器用于检测作用于物体的活性成分和/或惰性成分。
设置有另外的有利的实施方案，即测量单元检测借助于UV辐射和活性成分所产生的在物体上的清洁作用。
这样的检测可由此来实现，即测量单元具有感测物体的表面污染的图像传感器。
就此而言在此可存在另外的有利的实施方案，即测量单元构造用于通过光谱学、荧光测量或光学的吸收测量来检测物体的污染状态。
污染度可无接触地还由此直接在物体处来确定，即测量单元具有检测由物体反射的或传输穿过物体的辐射的辐射传感器。
为了获得尽可能均匀的清洁作用，如果工作流体在多个进入部位处可分布地引入到处理腔中的区域上，是有利的。
为了影响工作流体的组成，如果控制单元作用于至少一个尤其由阀形成的调节元件(Stellglied)，是有利的。
另外的改进可由此来实现，即混合腔能够以工作流体的成分加载并且经由流体出口与处理腔连通。
为了持续优化过程参数，如果测量单元和控制单元形成闭合的调节回路(Regelkreis)用于影响工作流体的组成，是有利的。
有利地，惰性成分由气态的氮气和/或稀有气体形成。
用于清洁基质表面的另外的有利的实施方案设置成，在UV辐射的作用下光化学活性的活性成分由氧气且和必要时水蒸汽形成。
为了获得高通过性(Durchsatz)并且使操作耗费最小，如果物体可借助于运输设备运输穿过处理腔，是有利的。
在此，如果处理腔具有合适的入口和出口用于穿引(Durchfuehren)物体，也是有利的。
另外的特别的优点由此得出，即：
- 工作流体被导引到在辐射源与物体之间的间隙中；
- 工作流体的组成在物体的表面的区域中被测量；
- 使物体以连续的或不连续的运动驶入处理腔中并且从其中驶出；
- 物体在处理腔中停留可预设的停留时间；
- 处理腔的入口和出口可相应借助于封闭装置封闭并且该封闭可手动地或自动地操纵；
- 工作流体在过压下被引入处理腔中并且多余的工作气体可基本上仅经由用于物体的入口和出口逸出；
- 工作流体的成分的混合比根据清洁作用被与提前生成的参考数据比较并且可适配；
- 工作流体的成分的混合比被再调整到可预设的理论值上；
- 工作流体的成分的混合比在清洁过程期间可适配和/或可改变；
- 通过测量有机污物的特征性吸收线(Absorptionslinie)，借助于光学的吸收测量直接在基质表面上来确定清洁作用；
- 通过使用例如光学的对比方法和/或纹影方法(Schlierenverfahren)和/或计算上的探测方法，利用摄像机***和下游的、适配的图像处理来确定清洁作用；
- 摄像机***具有图像追踪；
- 通过测量在UV-、VIS-或IR范围中有机污物的典型的光谱范围，借助于光谱学在基质表面的至少一个可预设的区域中来确定清洁作用；
-通过点状光谱地测量和评估待清洁的表面的至少一部分的地点分辨的(ortsaufgeloest)图像，清洁作用借助于超光谱成像(Hyper-Spectral-Imaging)至少在基质表面的部分区域内实现。
- 清洁作用借助于荧光测量和/或借助于荧光-光谱学来确定；
- 打到物体表面上的UV辐射作为对于清洁作用的测量参量来确定。
附图说明
接下来根据在附图中示意性示出的实施例来详细阐述本发明。
唯一的附图示出带有受调节的清洁作用的用于半导体基质或玻璃基质的清洁设备的框图。
具体实施方式
在附图中示出的清洁设备10在使用UV辐射和工作流体的情况下实现作为处理物体的基质12的表面清洁，工作流体包含可借助于UV辐射光化学激活的活性成分和惰性成分。为此，装置或设备10包括处理腔14、布置在其中的用于UV辐射的辐射源16以及在闭合的调节回路中工作的调节设备18，其由测量单元20、控制单元22和调整设备24形成以影响工作流体的组成。
适宜地设置有滚动运输装置26，以便使能够在通过处理腔14时处理基质12。为了该目的，盒形的处理腔14具有入口28和出口30用于在箭头32的方向上尽可能紧密地穿引基质12。
作为辐射源16设置有成排的在纵侧彼此并排布置的UV辐射源，例如受激准分子灯(Excimerlampe)或水银蒸汽灯34，其相应具有气体放电管36和槽形伸长的、以其凹形的反射器面向经过的基质12对准的反射器38。为了使能够电离或断开分子键，发出的UV辐射的至少一大部份应处于100至300nm的范围中。
测量单元20使能够检测在位于处理腔中的工作流体处和/或在待处理的基质12处的测量数据，从而可与物体有关地检查和影响借助于UV辐射和活性成分所产生的清洁作用。
在一实施形式中，测量单元20具有用于检测活性成分和/或惰性成分的至少一个气体传感器40。其应尽可能靠近被辐射的或被处理的基质表面布置。
另外，如果测量单元20具有至少一个辐射传感器42，其检测被传输穿过基质12的或由其反射的辐射，是适宜的。
也可考虑，测量单元20具有用于检测待处理的基质12的污染状态的摄像机***或光谱仪。
工作流体可具有气态的氮气(N2)或稀有气体作为惰性成分和气态的氧气(O2)以及水蒸汽(H2O)作为活性成分的初始产物(Ausgangsprodukt)。这些成分可被储存在调整设备24的适合的容器44中。
为了能够影响工作流体的组成，容器44在相应的排出管路46中后置有可借助于控制单元22控制的阀48。排出管路46通在共同的混合腔50中，在其中调整工作流体的由阀位置确定的混合比。为了实现尽可能均匀地加载处理腔14，混合腔50经由分支的输入管路52(Einspeiseleitung)与处理腔14中的多个进入部位54连通。
在设备10的运行中，充分利用短波的UV辐射由于高的光子能具有电离效应，使得有机化合物至少部分地直接被破坏并且被分解成挥发性的有机的或无机的残余物，其可经由抽吸被从处理腔14中移除。为了避免UV辐射由于位于灯34与基质12之间的大气而过高的阻尼，应用惰性成分(例如氮气)，由此避免被存在于工作流体中的氧气过高的吸收。另一方面，为了支持和加强清洁作用，期望使用氧气作为活性成分，其在UV辐射下形成臭氧或基团(Radikal)，这又十分有效地帮助破坏在基质12上的有机残余物。对此，将氧气以较小的浓度混入工作流体，例如在少量百分比的范围中。
通过借助于测量单元20的测量值检测，有效地用于清洁的臭氧成分的量可经由气体传感器40或清洁作用本身来检测并且通过控制单元18经由工作流体的组成必要时在灯功率适配的情况下来再调节，从而在不损坏基质的情况下可实现优化的处理结果。

Claims (15)

1.一种用于物体的表面处理的装置，尤其用于清洁半导体基质或玻璃基质，其带有：
a) 至少部分地容纳待处理的所述物体(12)的处理腔(14)，
b) 向在所述处理腔(14)中的所述物体(12)对准的用于UV辐射的辐射源(16)以及
c) 用于以工作流体加载所述处理腔(14)的设备(24)，
d) 其中，所述工作流体包含至少一个惰性成分和至少一个光化学活性的活性成分，
其特征在于，
e) 构造用于检测在位于所述处理腔(14)中的所述工作流体处和/或在所述物体(12)处的测量数据的测量单元(20)，以及
f) 与所述测量单元(20)相连接的控制单元(18)用于根据所检测的所述测量数据影响所述工作流体的组成。
2.根据权利要求1所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)具有用于检测所述活性成分和/或惰性成分的气体传感器(40)。
3.根据权利要求1或2所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)检测借助于所述UV辐射和所述活性成分所产生的在所述物体(12)上的清洁作用。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)具有检测所述物体(12)的表面污染的图像传感器。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)构造用于通过光谱学、荧光测量或光学的吸收测量来检测所述物体(12)的污染状态。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)具有检测由所述物体(12)反射的或传输穿过所述物体(12)的辐射的辐射传感器(42)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述工作流体在多个进入部位(54)处能够分布地引入到所述处理腔(14)中的区域上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述控制单元(18)作用于至少一个尤其由阀形成的调节元件(48)用于影响所述工作流体的组成。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的辐射装置，其特征在于能够以所述工作流体的成分加载的、经由流体出口与所述处理腔(14)连通的混合腔(50)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述测量单元(20)和所述控制单元(18)形成闭合的调节回路用于影响所述工作流体的组成。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述惰性成分由气态的氮气和/或稀有气体形成。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的辐射装置，其特征在于，在UV辐射的作用下光化学活性的活性成分由氧气和必要时水蒸汽形成。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述物体(12)能够借助于运输设备(26)运输穿过所述处理腔(14)。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述处理腔(14)具有入口(28)和出口(30)用于穿引所述物体(12)。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的辐射装置，其特征在于，所述UV辐射处于100-300nm的范围中。
CN201880024669.0A 2017-04-13 2018-04-10 用于物体的表面处理的装置 Pending CN110637257A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017108076.7 2017-04-13
DE102017108076.7A DE102017108076A1 (de) 2017-04-13 2017-04-13 Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Objekten
PCT/EP2018/059139 WO2018189164A1 (de) 2017-04-13 2018-04-10 Vorrichtung zur oberflächenbehandlung von objekten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110637257A true CN110637257A (zh) 2019-12-31

Family

ID=61972117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880024669.0A Pending CN110637257A (zh) 2017-04-13 2018-04-10 用于物体的表面处理的装置

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP3610329A1 (zh)
JP (1) JP2020520551A (zh)
KR (1) KR20190137877A (zh)
CN (1) CN110637257A (zh)
DE (1) DE102017108076A1 (zh)
WO (1) WO2018189164A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111359994A (zh) * 2020-03-16 2020-07-03 Tcl华星光电技术有限公司 清洗装置
CN114682569A (zh) * 2022-02-28 2022-07-01 歌尔股份有限公司 Uv清洗验证设备及清洗验证方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1788339A (zh) * 2003-12-26 2006-06-14 株式会社杰士汤浅 紫外线洗涤装置及洗涤方法
US20070074747A1 (en) * 2003-12-18 2007-04-05 Takayuki Toshima Substrate processing method, substrate processing apparatus and computer-readable memory medium
WO2015190263A1 (ja) * 2014-06-13 2015-12-17 ウシオ電機株式会社 デスミア処理装置およびデスミア処理方法
CN105445978A (zh) * 2016-01-27 2016-03-30 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板检测方法
CN105700206A (zh) * 2016-02-16 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 一种基板表面信息检测装置以及方法
US20160329223A1 (en) * 2013-12-25 2016-11-10 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light irradiation apparatus
US20160365371A1 (en) * 2015-06-12 2016-12-15 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Uv cleaning device of glass substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057133A (ja) * 2000-08-15 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
WO2006010110A2 (en) * 2004-07-09 2006-01-26 Akrion Technologies, Inc. Reduced pressure irradiation processing method and apparatus
JP4994074B2 (ja) * 2006-04-20 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置，基板洗浄方法，基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070074747A1 (en) * 2003-12-18 2007-04-05 Takayuki Toshima Substrate processing method, substrate processing apparatus and computer-readable memory medium
CN1788339A (zh) * 2003-12-26 2006-06-14 株式会社杰士汤浅 紫外线洗涤装置及洗涤方法
US20160329223A1 (en) * 2013-12-25 2016-11-10 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light irradiation apparatus
WO2015190263A1 (ja) * 2014-06-13 2015-12-17 ウシオ電機株式会社 デスミア処理装置およびデスミア処理方法
US20160365371A1 (en) * 2015-06-12 2016-12-15 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Uv cleaning device of glass substrate
CN105445978A (zh) * 2016-01-27 2016-03-30 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板检测方法
CN105700206A (zh) * 2016-02-16 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 一种基板表面信息检测装置以及方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111359994A (zh) * 2020-03-16 2020-07-03 Tcl华星光电技术有限公司 清洗装置
CN114682569A (zh) * 2022-02-28 2022-07-01 歌尔股份有限公司 Uv清洗验证设备及清洗验证方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020520551A (ja) 2020-07-09
WO2018189164A1 (de) 2018-10-18
EP3610329A1 (de) 2020-02-19
KR20190137877A (ko) 2019-12-11
DE102017108076A1 (de) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7501292B2 (en) Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate
KR100767804B1 (ko) 세정 주기 제어 방법 및 장치
JP4337547B2 (ja) 紫外光洗浄装置および紫外光洗浄装置用紫外線ランプ
US7025831B1 (en) Apparatus for surface conditioning
KR102406832B1 (ko) 자외선 파장 범위를 위한 광학 요소의 세정 프로세스
CN110637257A (zh) 用于物体的表面处理的装置
KR100832107B1 (ko) 오염 검사 장치 및 방법, 그리고 상기 장치를 이용한레티클 세정 설비 및 방법
JP2008506268A (ja) 減圧下照射による処理方法及び装置
US9966280B2 (en) Process gas generation for cleaning of substrates
TWI672490B (zh) 粒子的校正分析裝置與方法
JP2018048946A (ja) 分析装置
CN108292100B (zh) 用于利用暴露于uv-辐射的含水液体介质处理衬底的方法
TW201534919A (zh) 基板處理裝置及臭氧氣體濃度之異常偵測方法
JP2003344601A (ja) 光学素子の洗浄装置及び光学素子の洗浄方法、および光学素子の製造方法
SE516643C2 (sv) Förfarande och anordning för framställning av ett gasformigt medium
JP4883133B2 (ja) 紫外光洗浄装置
US10204840B2 (en) Method for measuring gas dissociation degrees
KR20120105356A (ko) 광 조사 장치
JP2009262046A (ja) 紫外光照射処理装置
JP2006313669A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6055348B2 (ja) Ｉｃｐ発光分光分析装置を用いた分析方法
KR20200067751A (ko) 발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치
JP6790779B2 (ja) 紫外線処理装置
TWI588925B (zh) Light irradiation device
JP2000233129A (ja) 紫外線処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination