CN110620552A - 一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器 - Google Patents

一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器 Download PDF

Info

Publication number
CN110620552A
CN110620552A CN201910813118.9A CN201910813118A CN110620552A CN 110620552 A CN110620552 A CN 110620552A CN 201910813118 A CN201910813118 A CN 201910813118A CN 110620552 A CN110620552 A CN 110620552A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
inductor
controlled oscillator
capacitance compensation
bias
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910813118.9A
Other languages
English (en)
Inventor
刘洪刚
夏庆贞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Euleus Intelligent Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Euleus Intelligent Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Euleus Intelligent Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Euleus Intelligent Technology Co Ltd
Priority to CN201910813118.9A priority Critical patent/CN110620552A/zh
Publication of CN110620552A publication Critical patent/CN110620552A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B1/00—Details
    • H03B1/02—Structural details of power oscillators, e.g. for heating
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，采用CMOS工艺加工而成，包括振荡电路、LC谐振网络，LC谐振网络包括至少一个耦合电感、至少三个并联且具有不同偏置电压的变容管单元；每个耦合电感包括至少两个电感堆叠耦合而成的耦合结构，耦合结构两端的两个电感分别为主电感和次电感，主电感与振荡电路相连接并设置为振荡电路提供偏置电压的第一偏置端，次电感与变容管单元相连接并设置为变容管单元提供调谐电压的调谐端；每个变容管单元包括两个变容管对称串联构成的串联结构，每个变容管单元中的两个变容管的公共连接端形成用于为变容管单元提供其偏置电压的第二偏置端。本发明具有低相位噪声、高线性度、高温度稳定性的优点。

Description

一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器
技术领域
本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器（VCO）。
背景技术
CMOS工艺具有高截止频率、高效率、高线性度、低介质损耗、低串扰，抗辐照，耐高温等优点，相比较于GaAs等化合物半导体具有成本低，集成度高，工艺成熟稳定等优势，广泛应用于无线通信、卫星、雷达、电子战等领域。线性化VCO可应用于高精度宽带雷达***，有利于提高雷达***的距离分辨率。
为了提高基于CMOS工艺压控振荡器的调谐线性度，在电路设计中通常采用开关电容阵或电容补偿的技术来实现。采用电容补偿技术设计的压控振荡器，通常需要采用耦合电感结构与多对变容管单元构成耦合LC谐振网络，这一相对简单的结构易于实现较高的调谐线性度，较低的调谐增益。但是，多LC谐振结构构成的谐振网络，其品质因子往往受限于耦合电感的品质因子，而谐振网络的品质因子将直接影响压控振荡器的相位噪声。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于电容补偿技术，且具有较高的调谐线性度和较低的相位噪声的线性压控振荡器。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，采用CMOS工艺加工而成，所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器包括振荡电路、与所述振荡电路相连接的LC谐振网络，所述LC谐振网络包括至少一个耦合电感、至少三个并联且具有不同偏置电压的变容管单元；当所述LC谐振网络包括多个所述耦合电感时，各所述耦合电感堆叠耦合；
每个所述耦合电感包括至少两个电感堆叠耦合而成的耦合结构，所述耦合结构两端的两个电感分别为主电感和次电感，所述主电感与所述振荡电路相连接，且所述主电感上设置有用于为所述振荡电路提供偏置电压的第一偏置端，所述次电感与所述变容管单元相连接，且所述次电感上设置有用于为所述变容管单元提供调谐电压的调谐端；所述耦合电感所包括的各电感采用所述CMOS工艺中的不同金属层制成；
每个所述变容管单元包括两个变容管对称串联构成的串联结构，每个所述变容管单元中的两个所述变容管的公共连接端形成用于为所述变容管单元提供其偏置电压的第二偏置端。
优选的，所述振荡电路包括用于产生负阻、构成交叉耦合结构的第一核心振荡管和第二核心振荡管，所述第一核心振荡管的栅极与所述第二核心振荡管的漏极相连接，所述第二核心振荡管的栅极与所述第一核心振荡管的漏极相连接，所述第一核心振荡管的漏极、所述第二核心振荡管的漏极分别连接在所述主电感的两端，所述第一核心振荡管的源极与所述第二核心振荡管的源极共接。
优选的，所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器还包括为所述振荡电路提供可调偏置电流的可变电流源。
优选的，所述可变电流源包括第一晶体管、第二晶体管和偏置电阻，所述偏置电阻的一端形成用于为所述可变电流源提供偏置电压的第三偏置端，所述第一晶体管的栅极和漏极、所述第二晶体管的栅极均与所述偏置电阻的另一端相连接，所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的源极分别接地，所述第二晶体管的漏极与所述第一核心振荡管的源极、所述第二核心振荡管的源极相连接。
优选的，所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器还包括用于降低负载牵引效应、用作隔离的缓冲放大器。
优选的，所述缓冲放大器包括共源连接的第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极连接到一起而形成用于为所述缓冲放大器提供偏置电压的第四偏置端，所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极分别经对应的隔直电容后形成所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器的输出端，所述第三晶体管的栅极与第一核心振荡管的漏极相连接，所述第四晶体管的栅极与所述第二核心振荡管的漏极相连接，所述第三晶体管的源极、所述第四晶体管的源极均与所述第一核心振荡管的源极、所述第二核心振荡管的源极相连接。
优选的，所述第三晶体管的漏极经第一螺旋电感后、所述第四晶体管的漏极经第二螺旋电感后再连接到一起。
优选的，所述耦合电感所包括的电感均为单圈螺旋电感。
优选的，所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器所采用的所述CMOS工艺中，衬底为高阻硅。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，通过将耦合电感结构中的次电感采用厚金属层设计，可以提高整个耦合谐振网络的品质因子，进而降低了压控振荡器的相位噪声；通过采用多对变容管对并通过设置不同的偏置电压，可以提高整个电容电压特性曲线的线性度，进而提高了整个压控振荡器的调谐线性度；通过采用CMOS工艺，可以提高整个电路的温度稳定性。该线性压控振荡器克服了传统压控振荡器在线性度、相位噪声以及温度稳定性等方面的局限性，实现了具有低相位噪声、高线性度、高温度稳定性性能的线性压控振荡器，在高精度宽带雷达***等领域具有广阔的应用前景。
附图说明
附图1为本发明的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器的拓扑结构示意图。
附图2为本发明的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器中所用到的高品质因子的LC谐振网络的结构示意图。
附图3为本发明的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器的版图示意图。
附图4为本发明的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器的输出信号频谱测试结果图。
附图5为本发明的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器的输出信号相位噪声测试结果图。
附图6为本发明的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器在线性调谐范围内振荡信号的频率，输出信号的功率以及衡量线性度的增益随扫描电压变化的测试结果图。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本发明作进一步描述。
实施例一：一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器如附图1所示。该线性压控振荡器采用CMOS工艺加工而成，它包括振荡电路、LC谐振网络、可变电流源、缓冲放大器。在图1中，振荡电路位于图中的中间部分，可变电流源位于图中的下半部分，缓冲放大器位于图中的左右两侧，LC谐振网络位于图中的上半部分。
LC谐振网络与振荡电路相连接，它包括至少一个耦合电感、至少三个变容管单元。各变容管单元并联且具有不同偏置电压。当LC谐振网络包括多个耦合电感时，各耦合电感堆叠耦合。
每个耦合电感包括至少两个电感堆叠耦合而成的耦合结构，耦合结构两端的两个电感分别为主电感和次电感，主电感与振荡电路相连接，且主电感上设置有用于为振荡电路提供偏置电压的第一偏置端；次电感与变容管单元相连接，且次电感上设置有用于为变容管单元提供调谐电压的调谐端。
每个变容管单元包括两个变容管对称串联构成的串联结构，故变容管单元也可成为变容管对。每个变容管单元中的两个变容管的公共连接端形成用于为变容管单元提供其偏置电压的第二偏置端。
如附图1和附图2所示，在本实施例中，LC谐振网络包括一个耦合电感和三个变容管单元。耦合电感则包括两个堆叠耦合的电感，分别为主电感L3/Lfirst和次电感L4/Lsecond。主电感L3/Lfirst上设置的第一偏置端连接pad5，从而为振荡电路提供偏置电压。主电感L3/Lfirst的两端与振荡电路相连接。次电感L4/Lsecond上设置的调谐端连接pad6，从而为变容管单元提供调谐电压Vs。三个变容管单元并联，第一个变容管单元包括串联的变容管Cvar1和变容管Cvar6，变容管Cvar1和变容管Cvar6串联的公共连接端构成的第二偏置端连接pad9为其提供偏置电压；第二个变容管单元包括串联的变容管Cvar2和变容管Cvar5，变容管Cvar2和变容管Cvar5串联的公共连接端构成的第二偏置端连接pad8为其提供偏置电压；第三个变容管单元包括串联的变容管Cvar3和变容管Cvar4 ，Cvar3和变容管Cvar4串联的公共连接端构成的第二偏置端连接pad7为其提供偏置电压。以上三个变容管单元的偏置电压各不相同，分别为V3、V2、V1。三个变容管单元并联后，再连接至次电感L4/Lsecond的两端。以上三对变容管具有相同的尺寸。不同变容管对的偏置电压不同，通过设置不同变容管对的偏置电压，使不同变容管的电容-电压特性曲线发生偏移，不同变容管电容-电压特性曲线相互补偿，以提高整个电容-电压特性曲线在调谐电压范围内的线性度，进而可以提高压控振荡器的调谐线性度。
振荡电路包括用于产生负阻、构成交叉耦合结构的第一核心振荡管M1和第二核心振荡管M2。第一核心振荡管M1的栅极与第二核心振荡管M2的漏极相连接，第二核心振荡管M2的栅极与第一核心振荡管M1的漏极相连接，第一核心振荡管M1的漏极、第二核心振荡管M2的漏极分别连接在主电感L3/Lfirst的两端，第一核心振荡管M1的源极与第二核心振荡管M2的源极共接。
可变电流源用于为振荡电路提供可调偏置电流。可变电流源包括第一晶体管M3、第二晶体管M4和偏置电阻R。偏置电阻R的一端形成用于为可变电流源提供偏置电压的第三偏置端并连接pad3，第一晶体管M3的栅极和漏极、第二晶体管M4的栅极均与偏置电阻R的另一端相连接，第一晶体管M3的源极、第二晶体管M4的源极分别接地，第二晶体管M4的漏极与第一核心振荡管M1的源极、第二核心振荡管M2的源极相连接。
用于降低负载牵引效应、用作隔离的缓冲放大器包括共源连接的第三晶体管M5和第四晶体管M6，第三晶体管M5和第四晶体管M6也可以分别称之为共源管M5和共源管M6。第三晶体管M5的漏极、第四晶体管M6的漏极连接到一起而形成用于为缓冲放大器提供偏置电压Vbia的第四偏置端并连接pad4，第三晶体管M5的漏极、第四晶体管M6的漏极分别经对应的隔直电容C1、C2后形成基于电容补偿技术的线性压控振荡器的输出端并分别连接至pad1、pad2，第三晶体管M5的栅极与第一核心振荡管M1的漏极相连接，第四晶体管M6的栅极与第二核心振荡管M2的漏极相连接，第三晶体管M5的源极、第四晶体管M6的源极均与第一核心振荡管M1的源极、第二核心振荡管M2的源极、第二晶体管M4的漏极相连接。
本实施例中，第三晶体管M5的漏极经第一螺旋电感L1后、第四晶体管M6的漏极经第二螺旋电感L2后再连接到一起，并连接至pad4。第一螺旋电感L1、第二螺旋电感L2均为在片螺旋电感，用于抑制键合线寄生电感对缓冲放大器的影响。
以上方案的基于电容补偿技术的线性压控振荡器，采用的CMOS工艺，通过键合金线引到封装焊盘，衬底为高阻硅。耦合电感所包括的电感均为单圈螺旋电感，且各电感采用CMOS工艺中的不同金属层制成。如，主电感L3/Lfirst在上，次电感L4/Lsecond在下，次电感L4/Lsecond采用CMOS工艺中第二层相对较厚的金属层加工而成，电感L3/Lfirst采用CMOS工艺中顶层相对较厚的金属层加工而成，以提高整个LC谐振网络的品质因子。
如附图3所示，上述采用CMOS工艺加工而成的线性压控振荡器，其整个芯片版图的尺寸为580μm×560μm。图3中左侧输出端口通过隔直电容C1连接至输出焊盘pad1，右侧输出端口通过隔直电容C2连接至输出焊盘pad2；可变电流源的偏置电压连接至偏置焊盘pad3，缓冲放大器中共源管M5、M6的漏极通过螺旋电感L1、L2连接至偏置焊盘pad4，核心振荡管M1和M2的漏极通过主电感Lfirst连接至焊盘pad5，3对变容管单元的调谐电压Vs通过次电感Lsecond连接至焊盘pad6，第一对变容管Cvar5、Cvar6的偏置电压通过焊盘pad7施加，第二对变容管Cvar3、Cvar4的偏置电压通过焊盘pad8施加，第三对变容管Cvar1、Cvar2的偏置电压通过焊盘pad9施加，在芯片两个输出焊盘pad1和pad2的上下两侧，各有一个焊盘，分别是pad10、pad11、pad12、pad13，为GSG探针测试用的接地焊盘，同时为整个芯片的接地焊盘。
图4为本发明所提供的基于电容补偿技术的线性压控振荡器输出信号的频谱测试结果。测试时将其中一个输出焊盘接50欧姆负载电阻，另外一个输出焊盘通过GSG探针连接至频谱仪。测试结果表明，本发明所提供的基于电容补偿技术的线性压控振荡器可以稳定的振荡在K波段，输出基频信号与二次谐波相差31dBc，表现出较好的谐波抑制特性。由于采用了先进的CMOS工艺，具有更好的射频特性，本设计中提供的压控振荡器可以提供比基于传统硅基CMOS工艺设计的压控振荡器更高的输出功率。
图5为本发明所提供的基于电容补偿技术的线性压控振荡器输出信号相位噪声的测试结果。测试时，通过调节可变电流源的偏置电流，可以使压控振荡器工作在最佳相位噪声状态下。测试结果表明，由于采用了特殊设计的具有高品质因子的谐振网络，本发明所提供的压控振荡器在偏1MHz时的相位噪声为-101dBc/Hz。在偏100KHz时的相位噪声为-60dBc/Hz。与传统的基于CMOS工艺的压控振荡器相比较，本发明中所提供的压控振荡器具有更优异的相位噪声特性。
图6为本发明所提供的基于电容补偿技术的线性压控振荡器在线性调谐范围内振荡信号的频率，输出信号的功率以及衡量线性度的增益随调谐电压变化的测试结果。在调谐电压从0.4V扫描到2V时，该线性压控振荡器的振荡频率可以随调谐电压线性变化。压控振荡器的振荡频率从23.11GHz变化到26GHz,线性调谐范围为2.89GHz，线性调谐带宽为11.8%。在线性调谐范围内，压控振荡器的输出功率介于-3dBm~-1dBm之间。表明本发明中所提供的线性压控振荡器能够提供较大的基频振荡输出信号。在线性调谐范围内，压控振荡器的调谐增益从1.25GHz/V变化到2.45GHz/V，调谐线性度为32.4%。测试结果表明，本发明所提供的基于电容补偿技术的线性压控振荡器与传统的压控振荡器相比具有更好的线性度，这一特性在设计高精度，高分辨率以及宽带雷达***中具有非常重要的应用前景。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，采用CMOS工艺加工而成，所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器包括振荡电路、与所述振荡电路相连接的LC谐振网络，其特征在于：所述LC谐振网络包括至少一个耦合电感、至少三个并联且具有不同偏置电压的变容管单元；当所述LC谐振网络包括多个所述耦合电感时，各所述耦合电感堆叠耦合；
每个所述耦合电感包括至少两个电感堆叠耦合而成的耦合结构，所述耦合结构两端的两个电感分别为主电感和次电感，所述主电感与所述振荡电路相连接，且所述主电感上设置有用于为所述振荡电路提供偏置电压的第一偏置端，所述次电感与所述变容管单元相连接，且所述次电感上设置有用于为所述变容管单元提供调谐电压的调谐端；所述耦合电感所包括的各电感采用所述CMOS工艺中的不同金属层制成；
每个所述变容管单元包括两个变容管对称串联构成的串联结构，每个所述变容管单元中的两个所述变容管的公共连接端形成用于为所述变容管单元提供其偏置电压的第二偏置端。
2.根据权利要求1所述的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，其特征在于：所述振荡电路包括用于产生负阻、构成交叉耦合结构的第一核心振荡管和第二核心振荡管，所述第一核心振荡管的栅极与所述第二核心振荡管的漏极相连接，所述第二核心振荡管的栅极与所述第一核心振荡管的漏极相连接，所述第一核心振荡管的漏极、所述第二核心振荡管的漏极分别连接在所述主电感的两端，所述第一核心振荡管的源极与所述第二核心振荡管的源极共接。
3.根据权利要求2所述的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，其特征在于：所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器还包括为所述振荡电路提供可调偏置电流的可变电流源。
4.根据权利要求3所述的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，其特征在于：所述可变电流源包括第一晶体管、第二晶体管和偏置电阻，所述偏置电阻的一端形成用于为所述可变电流源提供偏置电压的第三偏置端，所述第一晶体管的栅极和漏极、所述第二晶体管的栅极均与所述偏置电阻的另一端相连接，所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管的源极分别接地，所述第二晶体管的漏极与所述第一核心振荡管的源极、所述第二核心振荡管的源极相连接。
5.根据权利要求2所述的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，其特征在于：所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器还包括用于降低负载牵引效应、用作隔离的缓冲放大器。
6.根据权利要求5所述的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，其特征在于：所述缓冲放大器包括共源连接的第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极连接到一起而形成用于为所述缓冲放大器提供偏置电压的第四偏置端，所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极分别经对应的隔直电容后形成所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器的输出端，所述第三晶体管的栅极与第一核心振荡管的漏极相连接，所述第四晶体管的栅极与所述第二核心振荡管的漏极相连接，所述第三晶体管的源极、所述第四晶体管的源极均与所述第一核心振荡管的源极、所述第二核心振荡管的源极相连接。
7.根据权利要求6所述的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，其特征在于：所述第三晶体管的漏极经第一螺旋电感后、所述第四晶体管的漏极经第二螺旋电感后再连接到一起。
8.根据权利要求1所述的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，其特征在于：所述耦合电感所包括的电感均为单圈螺旋电感。
9.根据权利要求1所述的一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器，其特征在于：所述基于电容补偿技术的线性压控振荡器所采用的所述CMOS工艺中，衬底为高阻硅。
CN201910813118.9A 2019-08-30 2019-08-30 一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器 Pending CN110620552A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910813118.9A CN110620552A (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910813118.9A CN110620552A (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110620552A true CN110620552A (zh) 2019-12-27

Family

ID=68922657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910813118.9A Pending CN110620552A (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110620552A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111277280A (zh) * 2020-01-17 2020-06-12 长沙瑞感电子科技有限公司 一种基于毫米波压控振荡器的相控阵列发射芯片

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040104782A1 (en) * 2002-11-28 2004-06-03 Csem Centre Suisse D'electronique Et Microtechnique Sa Voltage controlled oscillator circuit for a low power electronic device
JP2004165612A (ja) * 2002-05-31 2004-06-10 Toshiba Corp 可変インダクタ、可変インダクタを含む発振器及びこの発信器を備えた無線端末、並びに、可変インダクタを含む増幅器及びこの増幅器を備えた無線端末
US20050073371A1 (en) * 2003-10-07 2005-04-07 Brett Stephen Jonathan Voltage controlled oscillator having improved phase noise
US20060033587A1 (en) * 2004-08-11 2006-02-16 Jose Cabanillas Coupled-inductor multi-band VCO
JP2008042275A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Univ Chuo Ｌｃ発振回路
CN101594139A (zh) * 2009-06-22 2009-12-02 中国科学院微电子研究所 一种基于源极跟随器的缓冲器
TW201312929A (zh) * 2011-09-06 2013-03-16 Univ Nat Taipei Technology 壓控振盪裝置
US20130169374A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Industrial Technology Research Institute Voltage controlled oscillator
CN103501175A (zh) * 2013-10-24 2014-01-08 清华大学 一种毫米波锁相环
US20140070898A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-13 Broadcom Corporation Low Phase Noise Voltage Controlled Oscillators
KR101481467B1 (ko) * 2013-12-17 2015-01-16 한국교통대학교산학협력단 직렬 ｌｃ 공진회로를 가지는 저위상잡음 ｃｍｏｓ 전압제어 발진기
CN104852732A (zh) * 2015-05-28 2015-08-19 中国科学技术大学先进技术研究院 一种低功耗低噪声高线性增益的压控振荡器
CN105185769A (zh) * 2014-03-11 2015-12-23 阿尔特拉公司 具有改进的品质因数的电感器结构
CN105187013A (zh) * 2011-12-19 2015-12-23 英特尔公司 具有减小的单端电容的电压控制振荡器
CN105720973A (zh) * 2016-01-15 2016-06-29 东南大学 一种微波单片集成压控振荡器调谐增益线性化的方法
US20170047890A1 (en) * 2014-12-24 2017-02-16 National Chi Nan University Voltage-controlled oscillator
US20170126177A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Texas Instruments Incorporated Trifilar Voltage Controlled Oscillator
CN107528542A (zh) * 2017-08-24 2017-12-29 天津大学 一种采用cmos工艺实现的毫米波压控振荡器
CN107809236A (zh) * 2017-11-15 2018-03-16 中国科学技术大学 一种具有温度补偿的电感电容型压控振荡器
CN207269218U (zh) * 2017-10-31 2018-04-24 广西师范大学 一种高频宽带压控振荡器
CN108494397A (zh) * 2018-01-22 2018-09-04 西安电子科技大学 一种压控振荡器电路和锁相环

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165612A (ja) * 2002-05-31 2004-06-10 Toshiba Corp 可変インダクタ、可変インダクタを含む発振器及びこの発信器を備えた無線端末、並びに、可変インダクタを含む増幅器及びこの増幅器を備えた無線端末
US20040104782A1 (en) * 2002-11-28 2004-06-03 Csem Centre Suisse D'electronique Et Microtechnique Sa Voltage controlled oscillator circuit for a low power electronic device
US20050073371A1 (en) * 2003-10-07 2005-04-07 Brett Stephen Jonathan Voltage controlled oscillator having improved phase noise
US20060033587A1 (en) * 2004-08-11 2006-02-16 Jose Cabanillas Coupled-inductor multi-band VCO
JP2008042275A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Univ Chuo Ｌｃ発振回路
CN101594139A (zh) * 2009-06-22 2009-12-02 中国科学院微电子研究所 一种基于源极跟随器的缓冲器
TW201312929A (zh) * 2011-09-06 2013-03-16 Univ Nat Taipei Technology 壓控振盪裝置
CN105187013A (zh) * 2011-12-19 2015-12-23 英特尔公司 具有减小的单端电容的电压控制振荡器
US20130169374A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Industrial Technology Research Institute Voltage controlled oscillator
US20140070898A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-13 Broadcom Corporation Low Phase Noise Voltage Controlled Oscillators
CN103501175A (zh) * 2013-10-24 2014-01-08 清华大学 一种毫米波锁相环
KR101481467B1 (ko) * 2013-12-17 2015-01-16 한국교통대학교산학협력단 직렬 ｌｃ 공진회로를 가지는 저위상잡음 ｃｍｏｓ 전압제어 발진기
CN105185769A (zh) * 2014-03-11 2015-12-23 阿尔特拉公司 具有改进的品质因数的电感器结构
US20170047890A1 (en) * 2014-12-24 2017-02-16 National Chi Nan University Voltage-controlled oscillator
CN104852732A (zh) * 2015-05-28 2015-08-19 中国科学技术大学先进技术研究院 一种低功耗低噪声高线性增益的压控振荡器
US20170126177A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Texas Instruments Incorporated Trifilar Voltage Controlled Oscillator
CN105720973A (zh) * 2016-01-15 2016-06-29 东南大学 一种微波单片集成压控振荡器调谐增益线性化的方法
CN107528542A (zh) * 2017-08-24 2017-12-29 天津大学 一种采用cmos工艺实现的毫米波压控振荡器
CN207269218U (zh) * 2017-10-31 2018-04-24 广西师范大学 一种高频宽带压控振荡器
CN107809236A (zh) * 2017-11-15 2018-03-16 中国科学技术大学 一种具有温度补偿的电感电容型压控振荡器
CN108494397A (zh) * 2018-01-22 2018-09-04 西安电子科技大学 一种压控振荡器电路和锁相环

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111277280A (zh) * 2020-01-17 2020-06-12 长沙瑞感电子科技有限公司 一种基于毫米波压控振荡器的相控阵列发射芯片
CN111277280B (zh) * 2020-01-17 2021-06-04 长沙瑞感电子科技有限公司 一种基于毫米波压控振荡器的相控阵列发射芯片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Liu et al. A 0.5-14-GHz 10.6-dB CMOS cascode distributed amplifier
US8952748B2 (en) Circuit and method for a multi-mode filter
Grebennikov RF and microwave transmitter design
US8115572B2 (en) Tunable matching network circuit topology selection
US7315212B2 (en) Circuits and methods for implementing transformer-coupled amplifiers at millimeter wave frequencies
CN101944880B (zh) 一种采用调谐曲线补偿vco的方法及其电路模块
US7268634B2 (en) Dual-mode voltage controlled oscillator using integrated variable inductors
CN104378074A (zh) 用于e类异相功率放大器的组合电路
CN113746429B (zh) 一种基于变压器耦合的堆叠压控振荡器
Issakov et al. A 52-to-61 GHz push-push VCO in 28 nm CMOS
CN110620552A (zh) 一种基于电容补偿技术的线性压控振荡器
US20110133849A1 (en) Low phase noise voltage-controlled oscillator (vco) using high quality factor metamaterial transmission lines
Cusmai et al. A 3.2-to-7.3 GHz quadrature oscillator with magnetic tuning
Jia et al. A 38-to 40-GHz current-reused active phase shifter based on the coupled resonator
CN115549587A (zh) 低闪烁噪声的低温压控振荡器电路、芯片及量子测控***
Abdeljelil et al. Design of a CMOS 12 GHz rotary travelling wave oscillator with switched capacitor tuning
US11336263B2 (en) Negative-resistance circuit and active filter for millimetre wave frequencies
Ettinger et al. An integrated 20 GHz SiGe bipolar differential oscillator with high tuning range
Cheema et al. Monolithic transformers for high frequency bulk CMOS circuits
US11632090B1 (en) Push-push frequency doubling scheme and circuit based on complementary transistors
Tesson et al. High-quality varactors and Schottky-diodes in SiGe: C technology for mm-Wave and THz applications
Ellinger Passive devices and networks
Verdier et al. Design and optimization of 20 GHz LC-VCOs in SiGe: C BiCMOS technology
Minnella et al. A 0-360° phase shifter for 77-GHz automotive radar sensors in 28-nm FD-SOI CMOS technology
Plett Distributed Effects and Coupling in RF Integrated Circuits

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination