CN110618564B - 电极结构、阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种电极结构、阵列基板及显示装置。该电极结构具有在第一方向上间隔排布的多个镂空部及位于相邻镂空部之间的电极部；镂空部可具有第一镂空孔和第二镂空孔；在第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔在第一方向上得到的投影面完全重叠；在第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔在第一方向上得到的投影面完全重叠；电极部可包括位于在第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔之间的第一电极块，及位于在第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔之间的第二电极块；第一镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻第一电极块的宽度之和，不同于第二镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻第二电极块的宽度之和。本方案中可减小工艺波动及提高光透过率。

Description

电极结构、阵列基板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种电极结构、阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称：TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到迅速发展。该薄膜晶体管液晶显示装置的显示原理为像素电极和公共电极之间形成电场，电场驱动液晶分子偏转实现图像的明暗显示，也就是说，像素电极、公共电极等电极结构会对薄膜晶体管液晶显示装置的光透过率产生影响。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种电极结构、阵列基板及显示装置，在保证工艺能力的同时，还可提高显示产品的光透过率。

本申请第一方面提供了一种电极结构，所述电极结构具有在第一方向上间隔排布的多个镂空部，相邻所述镂空部之间形成电极部；

所述镂空部至少具有多个第一镂空孔和多个第二镂空孔，每个所述镂空部中相邻所述第一镂空孔通过所述第二镂空孔连接；且在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠；在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠；

所述电极部至少包括第一电极块和第二电极块，所述第一电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔之间，所述第二电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔之间；

所述第一镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第一电极块的宽度之和，不同于所述第二镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第二电极块的宽度之和；

其中，所述宽度为在所述第一方向上的尺寸。

在本申请的一种示例性实施例中，每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度和第二镂空孔的宽度不同；

每一所述电极部中第一电极块的宽度和第二电极块的宽度相同。

在本申请的一种示例性实施例中，相邻所述镂空部中一者的第一镂空孔的宽度等于另一者中第二镂空孔的宽度；所述一者的第二镂空孔的宽度等于所述另一者中第一镂空孔的宽度。

在本申请的一种示例性实施例中，每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度和第二镂空孔的宽度相同；

每一所述电极部中第一电极块的宽度和第二电极块的宽度不同。

在本申请的一种示例性实施例中，相邻所述电极部中一者的第一电极块的宽度等于所述另一者中第二电极块的宽度；所述一者中第二电极块的宽度等于所述另一者中第一电极块的宽度。

在本申请的一种示例性实施例中，

每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度大于第二镂空孔的宽度；

每一所述电极部中第一电极块的宽度大于第二电极块的宽度。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述镂空部包括第一镂空段和第二镂空段，所述第一镂空段和所述第二镂空段均包括所述第一镂空孔和所述第二镂空孔，

所述第一镂空段中所述第一镂空孔和所述第二镂空孔均在第二方向上延伸；

所述第二镂空段中所述第一镂空孔和所述第二镂空孔均在第三方向上延伸；

其中，所述第一镂空段和所述第二镂空段中一者的所述第一镂空孔与另一者的所述第二镂空孔连接，且所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向两两相交。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第二方向与所述第三方向之间的夹角为直角或钝角；且所述第二方向与所述第一方向上的夹角等于所述第三方向与所述第一方向上的夹角。

在本申请的一种示例性实施例中，

所述第一镂空孔的宽度及与其相邻的所述第一电极块的宽度之和、所述第二镂空孔的宽度及与其相邻的所述第二电极块的宽度之和为5μm至10μm。

本申请第二方面提供了一种阵列基板，其包括：衬底基板及呈阵列分布在所述衬底基板上的亚像素单元，所述亚像素单元包括相互绝缘的公共电极和像素电极，所述公共电极和所述像素电极中的至少一者为前述任一项所述的电极结构。

本申请第三方面提供了一种显示装置，其包括前述的阵列基板。

本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：

本申请所提供的电极结构、阵列基板及显示装置，通过将镂空部和电极部中至少一者设计呈包括宽度不等的部分，这样相比于镂空部和电极部各处均相等的方案，在保证电极结构的工艺能力的同时，还可改善应用此电极结构的显示产品的光透过率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了相关技术中电极结构的示意图；

图2示出了本申请一实施例所述的电极结构的示意图；

图3示出了本申请另一实施例所述的电极结构的示意图；

图4示出了本申请又一实施例所述的电极结构的示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本申请将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

相关技术中，通常将液晶显示装置中的像素电极和/或公共电极制作为狭缝式电极结构，如图1所示，此狭缝式电极结构可包括多个缝隙10，相邻缝隙之间形成电极部11，其中，缝隙10各处宽度S均相等，且电极条11各处宽度W均相等，使得狭缝式电极结构中各处像素间距pitch相同，此像素间距pitch为缝隙的宽度S及与之相邻的电极部的宽度W之和。

经研究表明，像素间距pitch的大小影响液晶显示产品的光透过率Tr，且不同大小的像素间距pitch的工艺波动不同，下表1为不同像素间距pitch的模拟结果：

表1

如表1所示，在电极条宽度W为2.6μm，缝隙宽度S为5.1μm时，即：像素间距pitch为7.7μm时，应用该电极结构的液晶显示装置的光透过率Tr可约为29.24％。在电极条宽度W为1.8μm，缝隙宽度S可为3.7μm，即：像素间距pitch为5.5μm时，应用该电极结构的液晶显示装置的光透过率Tr可约为30.39％。也就是说，通过减小像素间距pitch可增大液晶显示装置的光透过率，使得该电极结构可应用于大尺寸、高分辨率液晶显示产品中。

但如表1所示，像素间距pitch越小，透过率差异Δ越大，以工艺尺寸公差为±0.1μm为例，在像素间距pitch为7.7μm时，透过率差异Δ为0.29％，在像素间距pitch为5.5μm时，透过率差异Δ为1.09％，透过率差异Δ越大，Mura(亮度不均匀，造成各种痕迹)现象越严重，也就是说，若像素间距pitch越小，则会导致显示产品Mura现象越严重。换言之，随着像素间距pitch减小，工艺波动越大，制作的产品不良率较高，从而容易产生画质不良的情况。

此外，从表1中还可以看出，工艺尺寸公差对透过率差异Δ影响也较大，即：随着工艺尺寸公差增大，透过率差异Δ也越大。

由上述内容可知，若将像素间距pitch整体设计的较大，则会降低光透过率，不能满足大尺寸高分辨率液晶显示产品对光透过率的要求；若将像素间距pitch整体设计的较小，则会产生较大的工艺波动，使得制作的产品不良率提高。

基于前述问题，本申请一实施例提供了一种电极结构，此电极结构可应用于液晶显示产品中，具体可为液晶显示产品中的像素电极和/或公共电极。

如图2至图4所示，该电极结构具有在第一方向X上间隔排布的多个镂空部，相邻镂空部之间形成电极部；该电极结构可为狭缝式电极。

本实施例中，镂空部至少具有第一镂空孔和第二镂空孔；在第一方向X上相邻且相互平行的第一镂空孔在第一方向X上得到的投影面完全重叠；在第一方向X上相邻且相互平行的第二镂空孔在第一方向X上得到的投影面完全重叠；电极部至少包括第一电极块和第二电极块，第一电极块位于在第一方向X上相邻且相互平行的第一镂空孔之间，第二电极块位于在第一方向X上相邻且相互平行的第二镂空孔之间；应当说明的是，第一镂空孔、第二镂空孔、第一电极块和第二电极块的形状均为平行四边形。其中，第一镂空孔的宽度及与其在第一方向X上相邻的第一电极块的宽度之和，不同于第二镂空孔的宽度及与其在第一方向X上相邻的第二电极块的宽度之和。也就是说，本实施例中电极结构在镂空部(电极部)整体延长方向上具有不同像素间距pitch。需要说明的是，前述提到的宽度为在第一方向X上的尺寸。

可选地，第一镂空孔的宽度及与其相邻的第一电极块的宽度之和可为5μm至10μm；第二镂空孔的宽度及与其相邻的所述第二电极块的宽度之和可为5μm至10μm。具体地，第一镂空孔、第二镂空孔的宽度可为4μm至7μm；第一电极块、第二电极块的宽度可为1μm至3μm。

为了使得本实施例中第一镂空孔的宽度及与其相邻的第一电极块的宽度之和，不同于第二镂空孔的宽度及与其相邻的第二电极块的宽度之和；具体可包括以下实施例：

实施例一：

如图2所示，每一镂空部中第一镂空孔201的宽度S11和第二镂空孔202的宽度S12不同；每一电极部中第一电极块211的宽度W11和第二电极块212的宽度W12相同。也就是说，在设计具有不同像素间距pitch的电极结构时，可设计电极部的宽度不变，通过减小镂空部中部分位置的宽度，使得此位置对应的像素间距pitch减小，而其他位置像素间距pitch不变，从而形成具有不同像素间距pitch的电极结构。

本实施例中，通过减小镂空部中部分位置的宽度，使得对应位置的像素间距pitch减小，这样一方面可增大此位置处的横向电场分量，因此，可提高此位置处液晶分子偏转，降低此处液晶显示的透过率损失，即：提升此处光透过率，从而提高整个液晶显示的光透过率。另一方面，由于仅部分位置像素间距pitch减小，而其他位置像素间距pitch保持不变，因此，不会产生较大的工艺波动，从而可提高产品良率。

其中，为了说明本实施例提供的电极结构的光透过率高，本申请通过模拟软件做了测试。测试中选取本实施例中每一镂空部中第一镂空孔201的宽度S11为4.0μm，其第二镂空孔202的宽度S12为5.1μm；每一电极部中第一电极块211的宽度W11和第二电极块212的宽度W12均为2.6μm，模拟出的光透过率为29.53％；相比于表1中的比较例一，比较例一为整个电极条的宽度均为2.6μm，整个缝隙宽度均为5.1μm的电极结构，透过率提高。

应当理解的是，以前述提到的电极结构为像素电极为例，本实施例模拟的液晶显示面板除像素电极之外的其他结构与比较例一中的液晶显示面板结构相同。此外，需要说明的是，像素间距pitch不同的位置透过率会略有不同，但不会形成明显的差异，因此，不会对显示效果造成太大的影响。

可选地，相邻镂空部中一者的第一镂空孔201的宽度等于另一者中第二镂空孔202的宽度；该一者的第二镂空孔202的宽度等于另一者中第一镂空孔201的宽度，这样在提高光透过率的同时，还可保证整体光透过率变化的均匀性，以实现显示效果较佳的目的。

实施例二：

如图3所示，每一镂空部中第一镂空孔301的宽度S21和第二镂空孔302的宽度S22相同；每一电极部中第一电极块311的宽度W21和第二电极块312的宽度W22不同。也就是说，在设计具有不同像素间距pitch的电极结构时，可设计镂空部的宽度不变，通过减小电极部中部分位置的宽度，使得此位置对应的像素间距pitch减小，而其他位置像素间距pitch不变，从而形成具有不同像素间距pitch的电极结构。

本实施例中，通过减小电极部中部分位置的宽度，使得对应位置的像素间距pitch减小，这样一方面可减小此位置处的纵向电场分量，因此，可提高此位置处液晶分子偏转，降低此处液晶显示的透过率损失，即：提升此处光透过率，从而提高整个液晶显示的光透过率。另一方面，由于仅部分位置像素间距pitch减小，而其他位置像素间距pitch保持不变，因此，不会产生较大的工艺波动，从而可提高产品良率。

其中，为了说明本实施例提供的电极结构的光透过率高，本申请通过模拟软件做了测试。测试中选取本实施例中每一镂空部中第一镂空孔301的宽度S21及第二镂空孔302的宽度S22为5.1μm；每一电极部中第一电极块311的宽度W21为2.6μm，其第二电极块312的宽度W22均为2.6μm，模拟出的光透过率为29.35％；相比于表1中的比较例一，比较例一为整个电极条的宽度均为2.6μm，整个缝隙宽度均为5.1μm的电极结构，透过率提高。

应当理解的是，以前述提到的电极结构为像素电极为例，本实施例模拟的液晶显示面板除像素电极之外的其他结构与比较例一中的液晶显示面板结构相同。此外，需要说明的是，像素间距pitch不同的位置透过率会略有不同，但不会形成明显的差异，因此，不会对显示效果造成太大的影响。

可选地，相邻电极部中一者的第一电极块311的宽度等于另一者中第二电极块312的宽度；该一者中第二电极块312的宽度等于另一者中第一电极块311的宽度，这样在提高光透过率的同时，还可保证整体光透过率变化的均匀性，以实现显示效果较佳的目的。

实施例三：

如图4所示，每一镂空部中第一镂空孔401的宽度S31大于第二镂空孔402的宽度S32；每一电极部中第一电极块411的宽度W31大于第二电极块S412的宽度W32。也就是说，在设计具有不同像素间距pitch的电极结构时，通过减小镂空部中部分位置的宽度以及减小相邻电极部中与该部分位置对应的部位的宽度，使得此处对应的像素间距pitch减小，而其他位置处像素间距pitch不变，从而形成具有不同像素间距pitch的电极结构。本实施例中，通过减小镂空部中部分位置的宽度以及减小相邻电极部中与该部分位置对应的部位的宽度，使得此处对应的像素间距pitch减小，这样一方面可减小此位置处的纵向电场分量及增大此位置处的横向电场分量，因此，可提高此位置处液晶分子偏转，降低此处液晶显示的透过率损失，即：提升此处光透过率，从而提高整个液晶显示的光透过率。另一方面，由于仅部分位置像素间距pitch减小，而其他位置像素间距pitch保持不变，因此，不会产生较大的工艺波动，从而可提高产品良率。

其中，为了说明本实施例提供的电极结构的光透过率高，本申请通过模拟软件做了测试。测试中选取本实施例中每一镂空部中第一镂空孔401的宽度S31为5.1μm，第二镂空孔402的宽度S22为4.0μm；每一电极部中第一电极块411的宽度W31为2.6μm，其第二电极块412的宽度W32均为1.5μm，模拟出的光透过率为29.54％；相比于表1中的比较例一，比较例一为整个电极条的宽度均为2.6μm，整个缝隙宽度均为5.1μm的电极结构，透过率提高。

举例而言，前述任一实施例中，每个镂空部中第一镂空孔和第二镂空孔设置有多个，相邻第一镂空孔通过第二镂空孔连接，即：第一镂空孔与第二镂空孔交替排布。也就是说，电极部中第一电极块和第二电极可设置有多个，其中，相邻第一电极块通过第二电极块连接，也就是说，第一电极块和第二电极块交替排布，即：光透过率较高的部分与光透过率较低的部分交替排布，这样将光透过率较高的部分与光透过率较低的部分交替混在一起，在提高光透过率的同时，还可保证整个光透过率变化的均匀性，以实现显示效果较佳的目的。

可选地，镂空部中第一镂空孔的长度可与第二镂空孔的长度可相等，由于电极部通过相邻镂空部形成，因此，电极部中与第一镂空孔对应的第一电极块的长度可与与第二镂空孔对应的第二电极块的长度可相等，以进一步保证整个光透过率变化的均匀性，提高显示效果。应当理解的是，镂空部中第一镂空孔的长度可与第二镂空孔的长度也可不相等，电极部中第一电极块的长度与第二电极块的长度也可不相等，视具体情况而定。需要说明的是，此长度指的是第一电极块或第二电极块其在自身延长方向上的尺寸，此延伸方向与第一方向相交。

在一实施例中，可将镂空部划分成两大段，具体地，镂空部可包括第一镂空段和第二镂空段，第一镂空段和第二镂空段均可包括第一镂空孔和第二镂空孔，且第一镂空段和第二镂空段中一者的第一镂空孔与另一者的第二镂空孔连接。其中，第一镂空段中第一镂空孔和第二镂空孔均在第二方向Y上延伸；第二镂空段中第一镂空孔和第二镂空孔均在第三方向Z上延伸。

需要说明的是，第一方向X、第二方向Y及第三方向Z之间两两相交，通过使第二方向Y和第三方向Z均与第一方向X相交，这样可在有限空间内形成更多的电极部，以使电场变密集，从而可提高光透过率，此外，通过使第二方向Y与第三方向Z相交，即：通过使电极部呈弯折型，相比于直线型电极部，这样可以形成不同电场区域，以提高视角。优选地，第二方向Y与第三方向Z之间的夹角为直角或钝角，这样可提高产品制作良率，降低画质不良的情况。进一步地，第二方向Y与第一方向X上的夹角等于第三方向Z与第一方向X上的夹角，以保证整个光透过率变化的均匀性，提高显示效果。

但值得说明的是，第一方向X、第二方向Y、第三方向Z之间的关系不限于上述描述的形式，也可为其他关系，视具体情况而定，只要保证第一方向X、第二方向Y及第三方向Z之间两两相交即可。

其中，前述实施例一和实施例二中，第一镂空段中第一镂空孔和第二镂空孔的在第二方向Y上延伸的中线可相互重合；第二镂空段中第一镂空孔和第二镂空孔的在第三方向Z上延伸的中线相互重合，这样设计在提高光透过率的同时，还可保证整个光透过率变化的均匀性，以实现显示效果较佳的目的。

本申请一实施例还提供了一种阵列基板，其包括：衬底基板及呈阵列分布在衬底基板上的亚像素单元，亚像素单元包括相互绝缘的公共电极和像素电极，公共电极和像素电极中的至少一者可为前述任一实施例所描述的电极结构。

应当理解的是，亚像素单元中公共电极和像素电极之间可相互绝缘。

在一实施例中，公共电极和像素电极可位于不同层，二者之间通过绝缘层相绝缘；进一步地，公共电极或像素电极均可为前述任一实施例所描述的电极结构，该公共电极中的电极部和像素电极中的电极部在垂直方向上的投影间隔排列，二者无重叠区域。

在另一实施例中，公共电极和像素电极同层设置，且公共电极中的电极部和像素电极中的电极部间隔排列。

本申请一实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可为液晶显示装置，其包括前述任一实施例所描述的阵列基板。根据本申请的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示器或具有液晶显示器的移动装置、可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板及呈阵列分布在所述衬底基板上的亚像素单元，所述亚像素单元包括相互绝缘的公共电极和像素电极，所述公共电极和所述像素电极中的至少一者的电极结构为：

一种电极结构，所述电极结构具有在第一方向上间隔排布的多个镂空部，相邻所述镂空部之间形成电极部；

所述镂空部至少具有多个第一镂空孔和多个第二镂空孔，所述第一镂空孔和所述第二镂空孔均在第二方向上延伸，每个所述镂空部中相邻第一镂空孔通过所述第二镂空孔连接；且在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠；在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠；

所述电极部至少包括第一电极块和第二电极块，所述第一电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔之间，所述第二电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔之间；

所述第一镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第一电极块的宽度之和，不同于所述第二镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第二电极块的宽度之和；

其中，所述宽度为在所述第一方向上的尺寸；每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度和第二镂空孔的宽度不同；每一所述电极部中第一电极块的宽度和第二电极块的宽度相同；相邻所述镂空部中一者的第一镂空孔的宽度等于另一者中第二镂空孔的宽度；所述一者的第二镂空孔的宽度等于所述另一者中第一镂空孔的宽度。

2.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板及呈阵列分布在所述衬底基板上的亚像素单元，所述亚像素单元包括相互绝缘的公共电极和像素电极，所述公共电极和所述像素电极中的至少一者的电极结构为：

一种电极结构，所述电极结构具有在第一方向上间隔排布的多个镂空部，相邻所述镂空部之间形成电极部；

所述镂空部至少具有多个第一镂空孔和多个第二镂空孔，所述第一镂空孔和所述第二镂空孔均在第二方向上延伸，每个所述镂空部中相邻第一镂空孔通过所述第二镂空孔连接；且在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠；在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠；

所述电极部至少包括第一电极块和第二电极块，所述第一电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔之间，所述第二电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔之间；

所述第一镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第一电极块的宽度之和，不同于所述第二镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第二电极块的宽度之和；

其中，所述宽度为在所述第一方向上的尺寸；每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度和第二镂空孔的宽度相同，每一所述电极部中第一电极块的宽度和第二电极块的宽度不同，相邻所述电极部中一者的第一电极块的宽度等于另一者中第二电极块的宽度；所述一者中第二电极块的宽度等于所述另一者中第一电极块的宽度。

3.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板及呈阵列分布在所述衬底基板上的亚像素单元，所述亚像素单元包括相互绝缘的公共电极和像素电极，所述公共电极和所述像素电极中的至少一者的电极结构为：

一种电极结构，所述电极结构具有在第一方向上间隔排布的多个镂空部，相邻所述镂空部之间形成电极部；

所述镂空部至少具有多个第一镂空孔和多个第二镂空孔，所述第一镂空孔和所述第二镂空孔均在第二方向上延伸，每个所述镂空部中相邻第一镂空孔通过所述第二镂空孔连接；且在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠；在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔在所述第一方向上得到的投影面完全重叠；

所述电极部至少包括第一电极块和第二电极块，所述第一电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第一镂空孔之间，所述第二电极块位于在所述第一方向上相邻且相互平行的第二镂空孔之间；

所述第一镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第一电极块的宽度之和，不同于所述第二镂空孔的宽度及与其在第一方向上相邻的所述第二电极块的宽度之和；

其中，所述宽度为在所述第一方向上的尺寸；每一所述镂空部中第一镂空孔的宽度大于第二镂空孔的宽度；每一所述电极部中第一电极块的宽度大于第二电极块的宽度。

4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述镂空部包括第一镂空段和第二镂空段，所述第一镂空段和所述第二镂空段均包括所述第一镂空孔和所述第二镂空孔，

所述第一镂空段中所述第一镂空孔和所述第二镂空孔均在第二方向上延伸；

所述第二镂空段中所述第一镂空孔和所述第二镂空孔均在第三方向上延伸；

其中，所述第一镂空段和所述第二镂空段中一者的所述第一镂空孔与另一者的所述第二镂空孔连接，且所述第一方向、所述第二方向、所述第三方向两两相交。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二方向与所述第三方向之间的夹角为直角或钝角；且所述第二方向与所述第一方向上的夹角等于所述第三方向与所述第一方向上的夹角。

6.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一镂空孔的宽度及与其相邻的所述第一电极块的宽度之和、所述第二镂空孔的宽度及与其相邻的所述第二电极块的宽度之和为5μm至10μm。

7.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

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