CN104516167A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板中数据线和屏蔽电极产生较大的寄生电容会对数据线上的负载，以及公共电极电压造成较大影响的问题。本发明的阵列基板，包括：基底，以及依次设置在基底上的数据线、第一电极、第二电极，以及设置数据线上方的屏蔽电极；所述屏蔽电极内形成有与所述数据线位置对应的第一开口，所述屏蔽电极与所述第二电极同层设置，且两者之间无电场或形成弱电场。

Description

阵列基板及显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经逐渐取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，TFT-LCD(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。
其中，如ADS模式(高级超维场转换模式)的显示面板通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的显示面板是由阵列基板(即TFT基板)和彩膜基板(即CF基板)对盒组装并灌注液晶制成。一般的，如图1所示，所述阵列基板上形成有栅线2(即扫描线)的图形、数据线1(即信号线)的图形、薄膜晶体管5的图形、过孔的图形以及像素电极(即显示电极)的图形和公共电极的图形，其中，多根栅线2及多根数据线1交叉定义若干个像素区A，其中，在像素电极6和公共电极3一个为板状电极，一个为狭缝电极，且狭缝电极位于板状电极上方(本发明中以像素电极6为板状电极，公共电极3为狭缝电极为例进行描述)。需要说明的是，在数据线1所在层与像素电极6所层之间设置有第一绝缘层11(需要说明的是，该第一绝缘层11在有的阵列基板中也是可以没有的)，在像素电极6所在层与公共电极3所在层之间设置有第二绝缘层12。所述彩膜基板上形成有黑矩阵(BM)图形、RGB图形等。
如图1、2所示，像素电极6的图形一般与数据线1的图形相隔一段距离，因此像素电极6与数据线1之间、公共电极3与数据线1之间会形成电场。但是像素电极6与数据线1之间的距离很小，故产生的电场的影响也很小，主要是数据线1与狭缝状的公共电极3之间产生的电场会导致每根数据线1的上方及两侧的液晶分子无法有效偏转，造成漏光的问题。
为了解决上述问题，现有技术中通常在形成公共电极3的同时在与数据线1所对应的位置形成屏蔽电极4(该屏蔽电极4实质也是公共电极3的一部分，只不过由于设置在数据线1上方用于屏蔽数据线1，故称之为屏蔽电极4)，该屏蔽电极4与公共电极3接同样的信号，用于屏蔽数据线1，以防止数据线1与共公共电极3之间形成电场，但同时会导致屏蔽电极4与数据线1之间形成较大的电容，故数据线1上的数据电压信号将会对屏蔽电极4上的信号产生影响，进而造成公共电极3上的公共电极3信号受到干扰，且波动很大，产生Greenish flicker以及负载偏大等不良。而且同时，由于屏蔽电极4和公共电极3是相同材料的，也就说屏蔽电极4是透光的，因此需要在彩膜基板上与屏蔽电极4对应的位置形成黑矩阵，而且彩膜基板和阵列基板在对盒时会出现不可避免的偏差，因此所形成的黑矩阵的宽度较宽，从而造成显示面板的开口率下降。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板存在的上述技术问题，提供一种大大降低阵列基板上屏蔽电极与数据线之间的寄生电容，同时不影响显示面板开口率的阵列基板及显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括：基底，以及依次设置在基底上的数据线、第一电极、第二电极，以及设置数据线上方的屏蔽电极；
所述屏蔽电极内形成有与所述数据线位置对应的第一开口，所述屏蔽电极与所述第二电极同层设置，且两者之间无电场或形成弱电场。
优选的是，所述阵列基板还包括设置在所述数据线下方的遮光条；
所述遮光条与所述屏蔽电极在基底上的投影区域完全重合，用于防止来自背光源的光从屏蔽电极所在位置透过。
进一步优选的是，所述遮光条内形成有与所述数据线位置对应的第二开口，所述第二开口的宽度等于所述数据线的宽度。
更进一步优选的是，所述第一开口的宽度等于所述第二开口的宽度。
优选的是，所述遮光条与所述第二电极之间无电场或形成弱电场。
优选的是，所述阵列基板还包括设置在基底上的薄膜晶体管，
所述遮光条与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，且材料相同。
优选的是，所述屏蔽电极与所述第二电极连接同一信号线。
优选的是，所述第一电极为板状电极，所述第二电极为狭缝电极。
进一步优选的是，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；或，
所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括上述阵列基板。
本发明具有如下有益效果：
由于发明的阵列基板中的数据线的正上方设置有屏蔽电极，因此可以避免液晶面板中数据线与公共电极之间产生电场，导致数据线两侧的液晶无法有效旋转的问题，同时在屏蔽电极与数据线对应的问题设置有第一开口，因此可以减小数据线与屏蔽电极的有效正对面积，从而减小数据线与屏蔽电极之间所产生的寄生电容，进而使得大大减小屏蔽电极对数据线上的负载以及公共电极上的公共电压信号的影响。
由于本发明的显示装置包括上述阵列基板，故该显示装置的开口率较显示面板的开口率高。
附图说明
图1为现有的阵列基板的平面示意图；
图2为图1的A-A'的剖视图；
图3为本发明的实施例1的阵列基板的平面示意图；
图4为图3的A-A'的剖视图；
图5为本发明的实施例1的阵列基板的一种优选示意图。
其中附图标记为：1、数据线；2、栅线；3、公共电极；4、屏蔽电极；5、薄膜晶体管；6、像素电极；7、遮光条；4-1、第一开口；7-1、第二开口；10、基底；11、第一绝缘层；12、第二绝缘层；13、第三绝缘层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
一种阵列基板，其包括：基底，以及依次设置在基底上的数据线、第一电极、第二电极，以及设置数据线上方的屏蔽电极；所述屏蔽电极内形成有与所述数据线位置对应的第一开口，所述屏蔽电极与所述第二电极同层设置，且两者之间无电场或形成弱电场。
其中，所述第一电极为板状电极，所述第二电极为狭缝电极。所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；或，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。但是下述实施例中，均以第一电极为板状的像素电极，第二电极为狭缝状的公共电极为例进行进一步的描述。但是本实施例也不局限于第一电极为像素电极，第二电极为公共电极的情况，第一电极为公共电极，第二电极为像素电极也是在本发明的保护范围内的。
实施例1：
如图3和4所示，本实施例提供一种阵列基板，其包括交叉且绝缘设置的多条栅线2和多条数据线1(其中栅线2所在层与数据线1所在层之间设置有第三绝缘层13)，在栅线2和数据线1的交叉位置限定出像素区，在每个像素区内均设置有像素电极6和公共电极3，其中，像素电极6为板状电极，公共电极3为设于像素电极6上方的狭缝电极，需要说明的是，在数据线1所在层与像素电极6所层之间设置有第一绝缘层11(该第一绝缘层11在有的阵列基板中也是可以没有的)，在像素电极6所在层与公共电极3所在层之间设置有第二绝缘层12。特别的是，在本实施例的中的数据线1的正上方设置有与所述公共电极3同层设置的屏蔽电极4，屏蔽电极4与公共电极3之间无电场或形成弱电场，且该屏蔽电极4内形成有与数据线1位置对应的第一开口4-1。
由于本实施例阵列基板中的数据线1的正上方设置有屏蔽电极4，因此可以避免液晶面板中数据线1与公共电极3之间产生电场，导致数据线1两侧的液晶无法有效旋转的问题，同时在屏蔽电极4与数据线1对应的问题设置有第一开口4-1，因此可以减小数据线1与屏蔽电极4的有效正对面积，从而减小数据线1与屏蔽电极4之间所产生的寄生电容，进而使得大大减小屏蔽电极4对数据线1上的负载以及对公共电极3上的公共电压信号的影响。
由于屏蔽电极4与公共电极3之间无电场或者形成弱电场，因此可以优选地，将公共电极3线与屏蔽电极4连接同一信号线，也就是说在公共电极3和屏蔽电极4上施加的电压相同，从而可以使得布线简单且容易实现。
结合图5所示，优选地，在本实施例中的数据线1下方设置有遮光条7；该遮光条7与屏蔽电极4的在基底上的投影区域完全重合，以防止来自背光源的光从屏蔽电极4所在位置透过，导致显示面板出现漏光，致使显示面板所显示的画面不良的问题。同时可以理解的是，由于背光源的光不能阵列基板上与屏蔽电极4所对应的位置透过的，因此需要在彩膜基板上与屏蔽电极4所对应的位置形成黑矩阵，而当阵列基板与彩膜基板对盒时，会出现不可避免的对盒偏差，因此需要将和矩阵的宽度做得较宽，以防止背光源的光透过，但是，由于黑矩阵的宽度增加，势必会降低显示面板的开口率。而在本实施例将用于防止背光源的光透过屏蔽电极4所在区域的遮光条7设置在阵列基板侧，因此可以省去在彩膜基板上制备与屏蔽电极4位置对应的黑矩阵，从而也不会影响显示面板的开口率。
需要说明的是，所述遮光条7与所述屏蔽电极4在基底上的投影区域也不一定是完全吻合的，屏蔽电极4的第一开口4-1的大小和遮光条4的宽度都要根据不同的设计要求来进行设计，比如说如果要求寄生电容很小，那屏蔽电极4的第一开口4-1就要比较大；如果要求一般，屏蔽电极4的第一开口4-1的宽度也可以是数据线1的宽度的一半。而遮光条4的宽度就要根据在固定的第一开口4-1下，以防止数据线1对液晶分子的影响范围，如果影响范围较大，则遮光条4的宽度就要较宽，否则反之。
其中，所述遮光条7与所述第二电极之间无电场或者形成弱电场，也就是说遮光条7可以与第二电极上所施加的电压相同或者是所施加的电压相差不大；当然还可以是遮光条7的两端处于悬空，此时遮光条7与第二电极之间也是无电场的。之所以如此设置是因为，若遮光条7第二电极之间产生电场同样会造成数据线1两侧的液晶分子无法有效旋转，以造成显示不良的问题；而遮光条7第二电极之间无电场，或仅仅是形成弱电场，此时处于遮光条7上方的液晶分子的旋转则不会受到影响，即使存在一些影响也是很小的，可以忽略不计。
进一步优选地，遮光条7内形成有与所述数据线1位置对应的第二开口4-2，所述第二开口4-2的宽度等于所述数据线1的宽度。因此，可以有效的避免由于遮光条7与数据线1之间存在正对面积而产生不可避免的寄生电容，导致数据线1上的负载较大，从而导致数据线1上的电压被拉低，造成显示不良的现象。
更进一步优选地，屏蔽电极4上的第一开口4-1的宽度等于所述第二开口4-2的宽度，也就是第一开口4-1的宽度等于数据线1的宽度，从而可以尽可能避免在屏蔽电极4与数据线1之间产生寄生电容，同时在屏蔽电极4第一开口4-1之外的位置是被遮光条7所遮挡的，因此也不会造成漏光的现象。
可以理解的是，在阵列基板上是设置有薄膜晶体管5的，优选地，所述遮光条7与所述薄膜晶体管5的栅极同层设置，且材料相同。也就是说遮光条7可以是与栅极采用一次构图工艺形成的，从而可以节约制备工艺步骤，节约成本，以及提高生产效率。当然，遮光条7也是可以不与栅极同层形成，只要是形成在数据线1下方，能够遮挡背光源的光透过显示面板与屏蔽电极4所对应的区域即可，同时可以理解的是，遮光条7的材料也是可以与栅极材料不同，只要是能够遮光的材料即可。
本实施例所提供的阵列基板，不仅可以缓解现有技术中阵列基板中的屏蔽电极4与数据线1之间存在较大的寄生电容的问题，同时，在阵列基板上设置遮光条7，因此不会出现由于黑矩阵宽度较大而影响显示面板开口率的问题。
实施例2：
本实施例提供一种显示装置，其包括实施例1所述的显示面板，故其性能更好。
本发明所提供的显示装置可以为TN、ADS、IPS、LTPS等任何模式的液晶显示装置。该显示装置可以为液晶面板、液晶电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：基底，以及依次设置在基底上的数据线、第一电极、第二电极，其特征在于，所述阵列基板还包括设置数据线上方的屏蔽电极；
所述屏蔽电极内形成有与所述数据线位置对应的第一开口，所述屏蔽电极与所述第二电极同层设置，且两者之间无电场或形成弱电场。
2.根据权利要求书1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述数据线下方的遮光条；
所述遮光条与所述屏蔽电极在基底上的投影区域完全重合，用于防止来自背光源的光从屏蔽电极所在位置透过。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光条内形成有与所述数据线位置对应的第二开口，所述第二开口的宽度等于所述数据线的宽度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口的宽度等于所述第二开口的宽度。
5.根据权利要求2-4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光条与所述第二电极之间无电场或形成弱电场。
6.根据权利要求2-4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在基底上的薄膜晶体管，
所述遮光条与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，且材料相同。
7.根据权利要求1-4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极与所述第二电极连接同一信号线。
8.根据权利要求1-4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为板状电极，所述第二电极为狭缝电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；或，
所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-9中任意一项所述的阵列基板。
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