CN110554541A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置,一实施方式的显示装置具备:沿第1方向延伸的第1以及第2影像信号线;沿第2方向延伸的第1扫描信号线;通过第1扫描信号线控制并与第1影像信号线连接的第1像素电极;以及通过第1扫描信号线控制并与第2影像信号线连接的第2像素电极。第1影像信号线具有与第1像素电极相邻的第1线部,第2影像信号线具有与第2像素电极相邻的第2线部。第1像素电极具有第1A电极部和第1B电极部,第2像素电极具有第2A电极部和第2B电极部。第1A电极部相对于第1线部具有第1角度。第1B电极部相对于第1线部具有第2角度。第2A以及第2B电极部相对于第2线部具有第3角度。
Description
关联申请
本申请基于2018年6月1日提出的申请号为2018-106152的日本专利申请的优选权而提出,并通过引用而将该日本专利申请的全部内容合并入本申请中。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
作为显示装置的一例已知有液晶显示装置。在液晶显示装置中,为了改善视角依赖性来提高显示品质而实施了各种方法。例如,若通过在配置于副像素的像素电极设置沿不同的方向延伸的多个部而实现多畴(Multi-domain),则视角依赖性得到改善。另外,还已知通过将接近的同一颜色的副像素的像素电极分别向不同方向倾斜来实现伪多畴的技术。
在采用了多畴的像素电极的情况下,在沿不同的方向延伸的多个部分的边界处液晶分子不旋转,因此,在副像素会产生低亮度区域。另外,在采用伪多畴的情况下,在特定的像素布局或驱动条件下,有可能视角依赖性没有充分得到改善。
发明内容
本公开的目的之一在于,提供改善副像素的亮度和视角依赖性来提高显示品质的显示装置。
一实施方式的显示装置具备:沿第1方向延伸的第1影像信号线以及第2影像信号线;沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第1扫描信号线;通过所述第1扫描信号线控制、并与所述第1影像信号线电连接的第1像素电极;以及通过所述第1扫描信号线控制、并与所述第2影像信号线电连接的第2像素电极。所述第1影像信号线在所述第2方向上具有与所述第1像素电极相邻的第1线部。所述第2影像信号线在所述第2方向上具有与所述第2像素电极相邻的第2线部。所述第1像素电极在所述第1方向上具有第1A电极部和第1B电极部。所述第2像素电极在所述第1方向上具有第2A电极部和第2B电极部。所述第1A电极部相对于所述第1线部在第1旋转方向上具有第1角度。所述第1B电极部相对于所述第1线部在所述第1旋转方向上具有与所述第1角度不同的第2角度。所述第2A电极部以及所述第2B电极部相对于所述第2线部在所述第1旋转方向上具有第3角度。
根据这种构成,能够提供改善副像素的亮度和视角依赖性来提高显示品质的显示装置。
附图说明
图1是示出第1实施方式中的液晶显示装置的概略构成的图。
图2是第1实施方式中的显示面板的概略剖视图。
图3是示出第1实施方式中的像素布局的一例的图。
图4是示出可用于图3示出的像素布局的具体构造的一例的俯视图。
图5是放大示出第1实施方式中的第1像素电极和第2像素电极的俯视图。
图6是示出第1比较例的像素构造的俯视图。
图7是示出第2比较例的像素构造的俯视图。
图8是示出可用于第2实施方式的像素布局的具体构造的一例的俯视图。
图9是示出第3实施方式的第1像素电极的一例的俯视图。
图10是示出第4实施方式中的像素布局的一例的图。
图11是示出可用于第4实施方式的像素布局的具体构造的一例的俯视图。
图12是放大示出第4实施方式中的第1像素电极和第2像素电极的俯视图。
图13是示出可用于第5实施方式的像素布局的具体构造的一例的俯视图。
具体实施方式
一边参照附图,一边说明一个实施方式。
此外,本公开只不过是一例,本领域技术人员对于保持发明的主旨不变进行的适当变更而容易想到的内容,当然包含在本发明的范围内。另外,为了更加清楚地进行说明,有时附图与实际的形态相比而是示意地示出,但是只不过是一个例子,并不限定本发明的解释。在各附图中,有时针对连续地配置的相同或者类似的要素而省略附图标记。另外,在本说明书和各附图中,对于已经出现的附图,对发挥与前述的构成要素相同或者类似的功能的构成要素标记上相同的参考附图标记,有时省略重复的详细的说明。
在本说明书中,“α包括A、B或C”、“α包括A、B以及C中的某一个”、“α包括从由A、B以及C构成的组中选出的一个”这样的表达只要没有特别明示,就不排除α包括A~C的多个组合的情况。而且,这些表达也不排除α包括其他要素的情况。
本说明书中的“第1α、第2α、第3α”这种表达的“第1、第2、第3”只不过是用于说明要素而使用的便利的数字。也就是说,只要没有特别明示,则“A具备第3α”这样的表达还包括A不具备第3α以外的第1α以及第2α的情况。
在本说明书中,“部件α之上的部件β”或“部件α之下的部件β”这样的表达不仅包括部件α与部件β接触的情况,也可包括在部件α与部件β之间还设置其他部件的情况。
在各实施方式中,作为显示装置的一例而公开了液晶显示装置。但各实施方式不妨碍向其他种类的显示装置应用通过各实施方式公开的各种技术思想。作为其他种类的显示装置,可想到例如具有LED(Light Emitting Diode:发光二极管)或有机电致发光(EL)显示元件的自发光型的显示装置、具有电泳元件等的电子纸型的显示装置、应用了MEMS(Micro Electro Mechanical System:微电子机械***)的显示装置、和应用了电致变色的显示装置等。
[第1实施方式]
图1是示出第1实施方式中的液晶显示装置DSP(以下,仅称为显示装置DSP)的概略构成的图。显示装置DSP具备显示面板PNL、柔性电路基板FPC、控制器CT和背光灯BL。显示面板PNL具备第1基板SUB1、第2基板SUB2、配置在这些基板SUB1、SUB2之间的液晶层LC。
显示面板PNL具有包括多个副像素SP在内的显示区域DA、和在显示区域DA***的***区域PA。在***区域PA设置有端子T,该端子T连接有柔性电路基板FPC。在图示的例子中,控制器CT设置于柔性电路基板FPC。控制器CT例如也可以设置于第1基板SUB1等其他部件。背光灯BL与显示面板PNL的背面相对置,供给用于显示的光。
第1基板SUB1具备多个影像信号线S、多个扫描信号线G、连接有各影像信号线S的源极驱动器SD、和连接有各扫描信号线G的栅极驱动器GD。多个影像信号线S沿第1方向D1延伸并且沿第2方向D2排列。多个扫描信号线G沿第2方向D2延伸并且沿第1方向D1排列。源极驱动器SD在控制器CT的控制下向各影像信号线S供给影像信号。栅极驱动器GD在控制器CT的控制下向各扫描信号线G供给扫描信号。
第1基板SUB1具有配置在各副像素SP的像素电极PE以及晶体管TR。而且,第1基板SUB1具备遍历多个副像素SP而延伸的公共电极CE。
图2是显示区域DA中的显示面板PNL的概略剖视图。第1基板SUB1具备第1基材10、绝缘层11~14、和第1取向膜15。晶体管TR具备半导体层SC、和中继电极RE。
半导体层SC形成在第1基材10之上。绝缘层11覆盖半导体层SC以及第1基材10。扫描信号线G形成在绝缘层11之上。绝缘层12覆盖扫描信号线G以及绝缘层11。影像信号线S以及中继电极RE形成在绝缘层12之上。绝缘层13覆盖影像信号线S、中继电极RE以及绝缘层12。公共电极CE形成在绝缘层13之上。绝缘层14覆盖公共电极CE。像素电极PE形成在绝缘层14之上。第1取向膜15覆盖像素电极PE以及绝缘层14。
第2基板SUB2具备第2基材20、遮光层21(黑色矩阵)、彩色滤光片层22、外涂层23、和第2取向膜24。遮光层21形成在第2基材20之下,与扫描信号线G、影像信号线S以及中继电极RE相对置。彩色滤光片层22覆盖遮光层21以及第2基材20。外涂层23覆盖彩色滤光片层22。第2取向膜24覆盖外涂层23。
副像素SP为例如由遮光层21规定的区域。如图1所示,副像素SP也能够称为是通过相邻的两条影像信号线S、和相邻的两条扫描信号线G而规定的区域。另外,副像素SP也能够称为是配置有像素电极PE的区域。
显示面板PNL还具备间隔件30。间隔件30配置在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间,保证这些基板的间隔(单元间隙)。在显示区域DA整体中,分散配置有多个间隔件30。在图示的例子中,间隔件30从第2基板SUB2延伸出去,但也可以从第1基板SUB1延伸出去。间隔件30的前端与第1基板SUB1接触。也可以存在前端不与第1基板SUB1接触的间隔件30。
液晶层LC配置在取向膜15、24之间。在第1基材10的下表面配置有第1偏振片PL1,在第2基材20的上表面配置有第2偏振片PL2。显示面板PNL的构造不限于图2的例子,能够应用各种构成。
图3是示出本实施方式中的像素布局的一例的图。上述显示区域DA包括多个像素PX1、和多个像素PX2。像素PX1包括红色的副像素SPr11、SPr12、绿色的副像素SPg11、SPg12、蓝色的副像素SPb1、和白色的副像素SPw1。像素PX2包括红色的副像素SPr21、SPr22、绿色的副像素SPg21、SPg22、蓝色的副像素SPb2和白色的副像素SPw2。
副像素SPr11和副像素SPr12、副像素SPg11和副像素SPg12、副像素SPb1和副像素SPw1、副像素SPr21和副像素SPr22、副像素SPg21和副像素SPg22、副像素SPw2和副像素SPb2分别沿第1方向D1排列。副像素SPr11、SPg11、SPb1、SPr21、SPg21、SPw2按照该顺序沿第2方向D2排列。副像素SPr12、SPg12、SPw1、SPr22、SPg22、SPb2按照该顺序沿第2方向D2排列。
在显示区域DA的整体中,像素PX1沿第1方向D1连续地排列。同样地,像素PX2沿第1方向D1连续地排列。另外,像素PX1和像素PX2沿第2方向D2交替排列。
副像素SPr11、SPg11、SPb1、SPr21、SPg21、SPw2以使图中的下端与上端相比向右方突出的方式相对于第1方向D1倾斜。副像素SPr12、SPg12、SPw1、SPr22、SPg22、SPb2以使图中的下端与上端相比向左方突出的方式相对于第1方向D1倾斜。
此外,显示区域DA的像素布局还能够采用图3以外的各种布局。例如,在图3的例子中,在像素PX1、PX2各配置有两个红色的副像素SP和两个绿色的副像素SP,蓝色的副像素SP和白色的副像素SP各配置有一个,但各颜色的副像素的数量不限于此。另外,在显示区域DA也可以配置有红色、绿色、蓝色以及白色以外的副像素SP。
作为显示装置DSP的驱动方式,例如能够采用帧反相驱动、列反相驱动、线反相驱动、以及点反相驱动等各种方式。在帧反相驱动中,针对每一帧使供给至各副像素SP的影像信号的极性反相。在列反相驱动中,针对沿第1方向D1排列的副像素SP的每一列使影像信号的极性反相。在线反相驱动中,针对沿第2方向D2排列的副像素SP的每条线使影像信号的极性反相。在点反相驱动中,针对第1方向D1以及第2方向D2双方,使相邻的副像素SP的影像信号的极性反相。
在图3中,例示了在列反相驱动时的副像素SP的极性。对标注了“+”的副像素SP供给正极性的影像信号,对标注了“-”的副像素SP供给负极性的影像信号。即,在列反相驱动中,向相邻的影像信号线S供给的影像信号的极性不同。图示的正极性和负极性也可以针对每一帧而反相。另外,也可以针对沿第2方向D2连续的每多个列而使正极性和负极性反相。
显示装置DSP也可以是能够执行以比通常的帧频低的帧频来显示图像的低频驱动。例如通常的帧频为60Hz,在该情况下,可以将以低频驱动的帧频设为例如30Hz或15Hz。若采用这种低频驱动,则能够降低显示装置DSP的耗电量。
图4是示出可用于图3示出的像素布局的具体构造的一例的俯视图。图4示出了副像素SPb1、SPw1、SPr21、SPr22、SPg21、SPg22、SPw2、SPb2的影像信号线S、扫描信号线G、像素电极PE以及晶体管TR(半导体层SC)。
影像信号线S具有多个折曲部BP、和在折曲部BP之间呈直线状延伸的线部La、Lb,整体上沿第1方向D1延伸。线部La位于图4中的上方的扫描信号线G与中央的扫描信号线G之间。线部Lb位于图4中的中央的扫描信号线G与下方的扫描信号线G之间。线部La相对于第1方向D1以角度θa向第1旋转方向R1倾斜。线部Lb相对于第1方向D1以角度θb向与第1旋转方向R1相反的第2旋转方向R2倾斜。角度θa、θb均为锐角。在图示的例子中,角度θa、θb为相同角度,但也可以为不同的角度。
在副像素SPw1、SPw2配置有第1像素电极PE1。在副像素SPb1、SPr21、SPr22、SPg21、SPg22、SPb2配置有第2像素电极PE2。副像素SPw1、SPw2的第1像素电极PE1以及副像素SPr21、SPr22、SPg21、SPg22的第2像素电极PE2均配置在由相邻的两条影像信号线S、和相邻的两条扫描信号线G所包围的区域。另一方面,副像素SPb1、SPb2的第2像素电极PE2均超过扫描信号线G地延伸出去。即,在图4的例子中,蓝色的副像素SPb1、SPb2的第1方向D1上的宽度比其他副像素SP大。
半导体层SC在连接位置P1与影像信号线S连接,在连接位置P2与像素电极PE(PE1、PE2)连接。连接位置P1相当于晶体管TR的源极电极。连接位置P2相当于晶体管TR的漏极电极。在连接位置P2,图2示出的中继电极RE介于像素电极PE与半导体层SC之间,但在图4中省略了中继电极RE的图示。各副像素SP通过连接有半导体层SC的影像信号线S以及扫描信号线G来控制。
在副像素SPr21、SPg21、SPw2中,连接位置P1位于图中中央的扫描信号线G与图中下方的扫描信号线G之间,连接位置P2位于图中上方的扫描信号线G与中央的扫描信号线G之间。另一方面,在副像素SPb1中,连接位置P1位于图中上方的扫描信号线G与中央的扫描信号线G之间,连接位置P2位于图中中央的扫描信号线G与下方的扫描信号线G之间。副像素SPw1、SPr22、SPg22、SPb2中的半导体层SC的连接位置P1、P2与副像素SPw2、SPr21、SPg21、SPb1相同。
副像素SPr21、SPr22、SPg21、SPg22的第2方向D2上的宽度为W1。副像素SPb1、SPb2的第2方向D2上的宽度为W2。副像素SPw1、SPw2的第2方向D2上的宽度为W3。在图4的例子中,成立W1<W3<W2。此外,宽度W1~W3相当于相邻的影像信号线S的间隔。影像信号线S的折曲部BP以能够实现这种各副像素SP的形状的方式设置于各处。
像这样,通过将与红色以及绿色的副像素SP相比数量少的蓝色以及白色的副像素SP的第2方向D2上的宽度扩宽,能够调整图3示出的像素PX1、PX2中的各颜色的亮度。而且,通过将与白色的副像素SP相比亮度低的蓝色的副像素SP的第1方向D1上的宽度扩宽,能够更恰当地调整亮度。
各副像素SP的形状不限于图4的例子。例如,宽度W3可以与宽度W1以及宽度W2中的某一个相同。另外,宽度W1~W3也可以相同。蓝色的副像素SPb1、SPb2的第2像素电极PE2也可以配置在其他的与像素电极PE同样地由相邻的两条影像信号线S、和相邻的两条扫描信号线G所包围的区域。蓝色以外的副像素SP的像素电极PE也可以超过扫描信号线G而延伸出去。
副像素SPb1、SPb2的第2像素电极PE2、副像素SPr21、SPr22的第2像素电极PE2、副像素SPg21、SPg22的第2像素电极PE2、副像素SPw1、SPw2的第1像素电极PE1分别具有关于第1方向D1呈线对称的形状。像这样,通过规定副像素SP的像素电极PE的形状,能够针对红色、绿色以及蓝色的副像素SP而实现伪多畴(双畴)的像素布局。就白色的副像素SPw1、SPw2而言,如后述那样在各自的副像素SP实现了多畴。此外,图3示出的副像素SPr11、SPr12、SPg11、SPg12具有与图4示出的副像素SPr21、SPr22、SPg21、SPg22相同的构成。
在本实施方式中,在白色的副像素SPw1、SPw2配置有第1像素电极PE1,在其他副像素SP配置有第2像素电极PE2,因此,在显示区域DA整体上,第1像素电极PE1的数量少于第2像素电极PE2的数量。具体来说,第1像素电极PE1的数量为第2像素电极PE2的数量的1/5。但显示区域DA整体上的第1像素电极PE1的数量可以比第2像素电极PE2的数量的1/5更多,也可以比第2像素电极PE2的数量的1/5更少。
接着,说明第1像素电极PE1以及第2像素电极PE2的形状。图5是扩大示出副像素SPw1、SPr22附近的俯视图。在图5中,省略了半导体层SC的图示,并且示出遮光层21以及间隔件30的配置例。
第1像素电极PE1具备多个第1A电极部E1a、多个第1B电极部E1b、第1连结部CP11、第2连结部CP12、基部BS1。基部BS1为在上述的连接位置P2连接有半导体层SC的部分。
在图5的例子中,第1A电极部E1a的数量为三条,第1B电极部E1b的数量为4条。即,第1A电极部E1a的数量与第1B电极部E1b的数量不同。各电极部E1a、E1b的数量不限于图5的例子。例如,第1A电极部E1a的数量可以比第1B电极部E1b的数量更多,第1A电极部E1a的数量和第1B电极部E1b的数量也可以相同。
各第1A电极部E1a的一端与基部BS1连接,另一端与第1连结部CP11连接。4条第1B电极部E1b中,中央两条的一端与第1连结部CP11连接,另一端与第2连结部CP12连接。左端的第1B电极部E1b的一端与第1连结部CP11连接,另一端没有与第2连结部CP12连接。右端的第1B电极部E1b的一端与第2连结部CP12连接,另一端没有与第1连结部CP11连接。
假设在将图5中的第1连结部CP11和右端的第1B电极部E1b延长而将彼此连接、或者将第2连结部CP12和左端的第1B电极部E1b延长而将彼此连接的情况下,第1像素电极PE1会超过影像信号线S而向其他副像素SP延伸。与之相对地,若为图5的第1像素电极PE1的形状,则能够将第1像素电极PE1收容在副像素SPw1的区域内。
如图5所示,与第1连结部CP11连接的第1A电极部E1a的位置和与第1连结部CP11连接的第1B电极部E1b的位置可以在第2方向D2上错开。另外,如图5所示,左端以及右端处的第1B电极部E1b的前端可以分别与影像信号线S重叠。像这样,还能够通过对各电极部E1a、E1b的位置或形状进行调整,来有效地利用副像素SPw1的区域内的空间。
第2像素电极PE2具备多个第2电极部E2、连结部CP2和基部BS2。基部BS2为在上述的连接位置P2连接有半导体层SC的部分。各第2电极部E2的一端与基部BS2连接,另一端与连结部CP2连接。在图5的例子中,第2电极部E2的数量为三条。即,第2电极部E2的数量和第1像素电极PE1的第1A电极部E1a的数量不同。但第2电极部E2的数量不限于图5的例子。
第2电极部E2包括第2A电极部E2a和第2B电极部E2b。例如,第2A电极部E2a相当于第2电极部E2的基部BS2侧的一半部分,第2B电极部E2b相当于第2电极部E2的连结部CP2侧的一半部分。从其他观点来讲,第2A电极部E2a为第2电极部E2中与第1A电极部E1a在第2方向D2上并排的部分,第2B电极部E2b为第2电极部E2中与第1B电极部E1b在第2方向D2上并排的部分。
以下,将与第1像素电极PE1电连接的影像信号线S称为第1影像信号线S1,将与第2像素电极PE2电连接的影像信号线S称为第2影像信号线S2。将与第1影像信号线S1的副像素SP对应的线部Lb称为第1线部Lb1,将与第2影像信号线S2的副像素SP对应的线部Lb称为第2线部Lb2。而且,将图中下方的扫描信号线G称为第1扫描信号线G1,将图中上方的扫描信号线G称为第2扫描信号线G2。第1扫描信号线G1对图4示出的副像素SPw1、SPr22、SPg22、SPb2的晶体管TR进行控制。第2扫描信号线G2对图4示出的副像素SPb1、SPr21、SPg21、SPw2的晶体管TR进行控制。
第1A电极部E1a以及第1B电极部E1b与第1线部Lb1在第2方向D2上相邻。第2A电极部E2a以及第2B电极部E2b与第2线部Lb2在第2方向D2上相邻。第1A电极部E1a相对于第1线部Lb1在第1旋转方向R1上具有第1角度θ1。第1B电极部E1b相对于第1线部Lb1在第1旋转方向R1上具有第2角度θ2。第2A电极部E2a以及第2B电极部E2b相对于第2线部Lb2在第1旋转方向R1上具有第3角度θ3。
第1角度θ1和第2角度θ2为彼此不同的角度。第3角度θ3可以为与第1角度θ1以及第2角度θ2的一方相同的角度,也可以为与双方不同的角度。第1角度θ1以及第2角度θ2的至少一方优选为5°以下。另外,第3角度θ3优选为5°以下。由此,能够有效利用副像素SPw1、SPr22内的空间。在图5的例子中,第1角度θ1和第3角度θ3均为0°,第2角度θ2为10°。
遮光层21具有与扫描信号线G(包括G1、G2)重叠的第1部分21a、和与影像信号线S(包括S1、S2)重叠的第2部分21b。由第1部分21a和第2部分21b包围的区域为有助于副像素SPw1、SPr22的显示的像素开口。基部BS1、BS2以及连结部CP12、CP2与第1部分21a重叠。
如图4所示,副像素SPb1的第2像素电极PE2在副像素SPw1侧超过第2扫描信号线G2。由于需要将该第2像素电极PE2的基部BS2遮光,所以在图5的例子中,副像素SPw1的上方的第1部分21a向第1像素电极PE1侧突出。由此,在第1部分21a形成有折曲部21c。同样的折曲部21c还形成于图4示出的副像素SPw2的上方。
间隔件30配置在例如影像信号线S(在图5中为第2影像信号线S2)和扫描信号线G(在图5中为扫描信号线G1、G2)交叉的位置附近。遮光层21在间隔件30附近具有扩张部分21d。扩张部分21d为将第1部分21a的第1方向D1上的宽度(或第2部分21b的第2方向D2上的宽度)扩宽的部分。扩张部分21d例如图示所示,与间隔件30呈同心圆状,但也可以是其他形状。在间隔件30附近的区域中,液晶分子的取向会紊乱。扩张部分21d将该区域遮光,从而抑制因取向紊乱而引起的显示品质降低。
若将间隔件30配置在折曲部21c,则会因扩张部分21d而使得周围的副像素SP的开口面积大幅减小。因此,间隔件30优选避开折曲部21c来配置。另外,白色的副像素SPw1、SPw2和蓝色的副像素SPb1、SPb2与其他颜色的副像素SP相比数量少。从较大地确保这些副像素SPw1、SPw2、SPb1、SPb2的开口面积的观点开看,也优选在图5示出的位置配置有间隔件30。
如图4所示,与副像素SPw1的第1像素电极PE1最接近的第1像素电极PE1为副像素SPw2的第1像素电极PE1。副像素SPw1的第1像素电极PE1由第1扫描信号线G1控制,副像素SPw2的第1像素电极PE1由第2扫描信号线G2控制。即,在本实施方式中,最接近的两个第1像素电极PE1分别由不同的扫描信号线G控制。
此外,对副像素SPr12、SPg12、SPg22、SPb2能够应用与图5示出的副像素SPr22同样的构造。对副像素SPw2能够应用与图5示出的副像素SPw2的构造关于第1方向D1呈线对称的构造。对副像素SPr11、SPg11、SPb1、SPr21、SPg21能够应用与图5示出的副像素SPr22的构造关于第1方向D1呈线对称的构造。
在此,利用比较例来例示本实施方式的效果。图6是示出第1比较例的像素构造的俯视图。在第1比较例中,在全部副像素SP配置有第2像素电极PE2。图7是示出第2比较例的像素构造的俯视图。在第2比较例中,在全部副像素SP配置有多畴的像素电极PEd。该像素电极PEd具有沿不同的方向延伸的第1电极部Ed1和第2电极部Ed2。
在此,在第1比较例中,将像副像素SPw1这样第2像素电极PE2倾斜的情况称为第1畴,将像副像素SPw2这样第2像素电极PE2倾斜的情况称为第2畴。假设在实施了上述的列反相驱动的情况下,副像素SPw1如图所示成为负极性,副像素SPw2如图所示成为正极性。或者,副像素SPw1成为正极性,副像素SPw2成为负极性。即,就白色的副像素SP而言,在显示区域DA整体内第1畴的极性被固定为正或负的一方,第2畴被固定为另一方。
若像这样固定了畴和极性的关系,则在从倾斜方向观看显示区域DA的情况下,作为第1畴以及第2畴的一方的副像素SPw1的亮度与作为另一方的第2畴的副像素SPw2的亮度存在差值。在蓝色的副像素SPb1、SPb2中也同样。会因这种亮度差而在显示区域DA视觉确认到闪烁条纹。尤其是在实施了上述的低频驱动时,容易视觉确认到闪烁条纹。另外,闪烁条纹容易因高亮度较高的白色的副像素SP而产生。
在第2比较例中,全部副像素SP为多畴。因此,假设在实施了列反相驱动的情况下也会抑制闪烁条纹。另一方面,在多畴的副像素SP中,在第1电极部Ed1与第2电极部Ed2的边界,产生在施加电压时液晶不旋转的区域。由此,各颜色的副像素SP的亮度(或透射率)降低。
与这些相对地,在本实施方式中,白色的副像素SPw1、SPw2为具有第1A电极部E1a和第1B电极部E1b的多畴。因此,在实施了列反相驱动的情况下也会抑制在第1比较例中产生的那种闪烁条纹。而且,副像素SPw1、SPw2以外的副像素SP虽由同一颜色的一对副像素SP构成伪多畴,但各个副像素SP自身并非多畴。因此,能够抑制在第2比较例中产生的那种亮度降低的问题。
在本实施方式中,各影像信号线S与第1比较例同样地为适于单畴的形状。在该情况下,难以将配置在副像素SPw1、SPw2的像素电极PE形成为与第2比较例同样的形状。与之相对地,通过利用在图5中说明的形状的第1像素电极PE1,能够有效地利用副像素SPw1、SPw2的空间。
此外,本实施方式或后述的各实施方式的构成也能够适当地用于列反相驱动以外的驱动方法。例如,在线反相驱动或点反相驱动中,也可以在特定颜色的副像素SP的畴和极性在显示区域DA的整体或一部分中被固定的情况下,在这些副像素SP配置第1像素电极PE1。另外,在不实施反相驱动的情况下,也可以根据需要,在特定的副像素SP配置第1像素电极PE1。也就是说,本实施方式的发明能够应用于在单畴形状的副像素SP的区域形成多畴形状的像素电极PE的情况。因此,除以上结构以外,本实施方式还可变形为各种形式。
[第2实施方式]
对第2实施方式进行说明。对于在本实施方式中没有特别提到的构成可应用与第1实施方式同样的构成。
图8是示出可用于第2实施方式的像素布局的具体构造的一例的俯视图。在图8的例子中,在不仅白色的副像素SPw1、SPw2而且在蓝色的副像素SPb1、SPb2也配置有第1像素电极PE1这一点与图4不同。
在图8的例子中,副像素SPb2的第1像素电极PE1具有4条第1A电极部E1a、6条第1B电极部E1b、第1连结部CP11、第2连结部CP12和基部BS1。即,副像素SPb2的第1像素电极PE1的各电极部E1a、E1b的数量比副像素SPw1的第1像素电极PE1更多。像这样,通过在第2方向D2上的宽度大的副像素SPb2的第1像素电极PE中增加各电极部E1a、E1b的数量,能够有效地利用副像素SPb的空间来提高亮度。但各电极部E1a、E1b的数量在副像素SPb2、SPw1中可以相同,也可以是在副像素SPw1中更多。另外,可以将副像素SPb2的各电极部E1a、E1b的宽度设为比副像素SPw1的各电极部E1a、E1b的宽度更宽。
在副像素SPb2的第1像素电极PE中,6条第1B电极部E1b的中,中央两条的一端与第1连结部CP11连接,另一端与第2连结部CP12连接。左侧两条第1B电极部E1b的一端与第1连结部CP11连接,另一端没有与第2连结部CP12连接。右侧两条第1B电极部E1b的一端与第2连结部CP12连接,另一端没有与第1连结部CP11连接。但不限于该例子,第1B电极部E1b和各连结部CP11、CP12的连接关系可变形为各种形式。副像素SPb1的第1像素电极PE1具有与副像素SPb2的第1像素电极PE1关于第1方向D1呈线对称的形状。
在例如实施列反相驱动的情况下,与白色的副像素SPw1、SPw2同样地,在蓝色的副像素SPb1、SPb2中会产生上述的闪烁条纹。如本实施方式所示,在副像素SPb1、SPb2也配置第1像素电极PE1的情况下,能够抑制因副像素SPb1、SPb2引起的闪烁条纹。除此之外,作为在副像素SPw1、SPw2配置第1像素电极PE1的情况下的效果,能够得到与在第1实施方式中说明的效果同样的效果。
[第3实施方式]
在第3实施方式中,公开了第1像素电极PE1的变形例。图9是示出本实施方式的第1像素电极PE1的一例的俯视图。第1像素电极PE1具有多个第1电极部E1、和基部BS1。在此,示出了三根第1电极部E1,但第1像素电极PE1也可以具有更多的第1电极部E1或更少的第1电极部E1。
各第1电极部E1的一端与基部BS1连接,另一端彼此分离。这些另一端也可以连接于与上述的第2连结部CP12同样的连结部。第1电极部E1具有第1A电极部E1a、第1B电极部E1b、和在这些电极部E1a、E1b之间的折曲部EB。
第1A电极部E1a相对于上述的第1线部Lb1在第1旋转方向R1上具有第1角度θ1。第1B电极部E1b相对于上述的第1线部Lb1在第1旋转方向R1上具有第2角度θ2。由于通过折曲部EB使第1电极部E1折曲,所以第1A电极部E1a的图中上端与第1B电极部E1b的图中下端在第2方向D2上错开。
具有本实施方式的形状的第1像素电极PE1也能够获得与上述的各实施方式同样的效果。第1像素电极PE还可以变形为其他各种形状。
[第4实施方式]
对第4实施方式进行说明。对于在本实施方式中没有特别提到的构成可应用与第1实施方式同样的构成。
图10是示出第4实施方式中的像素布局的一例的图。该像素布局与图3的例子相同,具有包括副像素SPr11、SPr12,SPg11、SPg12、SPb1、SPw1在内的像素PX1、和包括副像素SPr21、SPr22、SPg21、SPg22、SPw2、SPb2在内的像素PX2。但是,各副像素SP均相对于第1方向D1不倾斜。此外,在图10中,例示了列反相驱动时的副像素SP的极性(+/-)。本实施方式中的显示装置DSP的驱动方式不限于列反相驱动。
图11是示出可用于第4实施方式的像素布局的具体构造的一例的俯视图。本实施方式中,影像信号线S具有多个折曲部BP、和在折曲部BP之间呈直线状延伸的线部L。线部L与第1方向D1平行。
副像素SPr21、SPr22、SPg21、SPg22的第2方向D2上的宽度为W1。副像素SPb1、SPb2的第2方向D2上的宽度为W2。副像素SPw1、SPw2的第2方向D2上的宽度为W3。在图11的例子中,成立W1<W3<W2。影像信号线S的折曲部BP以能够实现这种各副像素SP的形状的方式设置于各处。此外,宽度W1,W2,W3的关系不限于图示的例子。例如,宽度W1~W3可以相同,在这种情况下没有必要设置折曲部BP。
在副像素SPw1、SPw2配置有第1像素电极PE1。在其他副像素SP配置有第2像素电极PE2。与上述的各实施方式同样地,副像素SPb1、SPb2的第2像素电极PE2分别超过各自下方的扫描信号线G而延伸。半导体层SC与各副像素SP的像素电极PE的连接形式与图4的例子相同。
接着,对第1像素电极PE1以及第2像素电极PE2的形状进行说明。图12是放大示出副像素SPw1、SPr22附近的俯视图。在图12中,省略半导体层SC的图示,并且示出遮光层21以及间隔件30的配置例。遮光层21与图5的例子相同,具有第1部分21a、第2部分21b和扩张部分21d。
以下,将与副像素SPw1的第1像素电极PE1电连接的影像信号线S称为第1影像信号线S1,将与副像素SPr22的第2像素电极PE2电连接的影像信号线S称为第2影像信号线S2。将第1影像信号线S1的线部L称为第1线部L1,将第2影像信号线S2的线部L称为第2线部L2。而且,将图中下方的扫描信号线G称为第1扫描信号线G1,将图中上方的扫描信号线G称为第2扫描信号线G2。第1扫描信号线G1控制图11示出的副像素SPw1、SPr22、SPg22、SPb2的晶体管TR。第2扫描信号线G2控制图11示出的副像素SPb1、SPr21、SPg21、SPw2的晶体管TR。
第1像素电极PE1具备多个第1A电极部E1a、多个第1B电极部E1b、第1连结部CP13、第2连结部CP14和基部BS1。在图12的例子中,各电极部E1a、E1b的数量均为5根,但这些数量也可以不同。图中下端的第1A电极部E1a与基部BS1一体化,但也可以与基部BS1分开。
第1连结部CP13与第1线部L1平行。各电极部E1a、E1b的一端与第1连结部CP13连接。中央的第1A电极部E1a和第1B电极部E1b的前端与第2连结部CP14连接。而且,在这些第1A电极部E1a与第1B电极部E1b之间设有从第1连结部CP13突出的突出部PT。突出部PT比各电极部E1a、E1b在第2方向D2上的宽度小。
第2像素电极PE2具有多个第2A电极部E2a、多个第2B电极部E2b、连结部CP21和基部BS2。各电极部E2a、E2b的一端与连结部CP21连接。在图12的例子中,各电极部E1a、E1b的数量均为6根,但这些数量也可以不同。图中下端的第2A电极部E2a与基部BS2一体化,但也可以与基部BS2分开。
各电极部E1a、E1b、E2a、E2b的前端部与遮光层21的第2部分21b重叠。各连结部CP13、CP14、CP21的至少一部分与第2部分21b重叠。基部BS1、BS2与第2部分21b重叠。此外,像素电极PE1、PE2的各部分与遮光层21的关系不限于此例。
第1A电极部E1a具有在第1连结部CP13侧的端部向第1扫描信号线G1的方向凹陷的凹部K11a、和前端部向第2扫描信号线G2的方向突出的凸部K12a。第1B电极部E1b具有在第1连结部CP13侧的端部向第2扫描信号线G2的方向凹陷的凹部K11b、和在前端部向第1扫描信号线G1的方向突出的凸部K12b。各电极部E2a、E2b具有在第1连结部CP13侧的端部向第1扫描信号线G1的方向凹陷的凹部K21、和在前端部向第2扫描信号线G2的方向突出的凸部K22。这些凹部K11a、K11b、K21以及凸部K12a、K12b、K22具有在向各像素电极PE1、PE2施加电压时提高液晶分子的取向稳定性的作用,但也并非必须设置。
第1A电极部E1a的凹部K11a与凸部K12a之间的部分相对于第1线部L1在第1旋转方向R1上具有第1角度θ1。第1B电极部E1b的凹部K11b与凸部K12b之间的部分相对于第1线部Lb1在第1旋转方向R1上具有第2角度θ2。第2A电极部E2a以及第2B电极部E2b的凹部K21与凸部K22之间的部分相对于第2线部L2在第1旋转方向R1上具有第3角度θ3。
第1角度θ1与第2角度θ2为彼此不同的角度。第3角度θ3可以为与第1角度θ1以及第2角度θ2的一方相同的角度,也可以为与双方不同的角度。第1角度θ1以及第2角度θ2的至少一方优选在20°以上,若在40°以上则更优选。另外,第3角度θ3优选在20°以上,若在40°以上则更优选。第1角度θ1和第3角度θ3为例如锐角,第2角度θ2为例如钝角。在图12的例子中,第1角度θ1和第3角度θ3均为80°,第2角度θ2为100°。
在图12的例子中,基部BS1的端部ED1和基部BS2的端部ED2与第1扫描信号线G1重叠。端部ED1相对于第1线部L1在第1旋转方向R1上具有第1角度θ1。端部ED2相对于第2线部L2在第1旋转方向R1上具有第2角度θ2。这些端部ED1、ED2的倾斜与在第1方向D1上相邻的像素电极PE的形状相匹配地将基部BS1、BS2最优化,用于提高取向稳定性。例如,若着眼于图11中的副像素SPw2的第1像素电极PE1,则该第1像素电极PE1的端部ED1与副像素SPb2的第2像素电极PE2的第2B电极部E2b平行。即,这些像素电极PE1、PE2之间的间隔为固定,因此,能够抑制副像素SPw2、SPb2的边界处的取向的紊乱。
此外,如图11所示,在副像素SPr21中,各电极部E2A、E2B与副像素SPr22的各电极部E2A、E2B关于第2方向D2具有线对称的形状。由此,构成为伪多畴。蓝色以及绿色的副像素SP也同样。另一方面,白色的副像素SPw1、SPw2为具有以不同的角度倾斜的第1A电极部E1a以及第1B电极部E1b的多畴。
在本实施方式中,假设在将第2像素电极PE2配置于全部副像素SP的情况下,也会产生在第1实施方式中说明的闪烁条纹。与之相对地,在本实施方式中,由于在与其他颜色相比为高亮度的白色的副像素SPw1、SPw2配置多畴的第1像素电极PE1,所以能够抑制闪烁条纹。另外,在全部副像素SP配置多畴的第1像素电极PE1的情况下会发生亮度降低。与之相对地,在本实施方式中,在白色的副像素SPw1、SPw2以外的副像素SP配置第2像素电极PE2,因此,能够抑制亮度降低。除此之外,能够从本实施方式获得与上述各实施方式同样的效果。
[第5实施方式]
对第5实施方式进行说明。对于在本实施方式中没有特别提到的构成可应用与第4实施方式同样的构成。
图13是示出可用于第5实施方式的像素布局的具体构造的一例的俯视图。在图13的例子中,在不仅白色的副像素SPw1、SPw2而且在蓝色的副像素SPb1、SPb2也配置有第1像素电极PE1这一点上与图11不同。
在图13的例子中,副像素SPb2的第1像素电极PE1具有6条第1A电极部E1a、7条第1B电极部E1b、第1连结部CP13、第2连结部CP14、基部BS1和突出部PT。即,副像素SPb2的第1像素电极PE1的各电极部E1a、E1b的数量比副像素SPw1的第1像素电极PE1多。像这样,通过在第1方向D1上的宽度大的副像素SPb2的第1像素电极PE1中增加各电极部E1a、E1b的数量,能够有效利用副像素SPb的空间来提高亮度。但各电极部E1a、E1b的数量也可以在副像素SPb2、SPw1中相同,也可以是在副像素SPw1中更多。另外,副像素SPb2的各电极部E1a、E1b的宽度可以比副像素SPw1更宽。
副像素SPb2的第1像素电极PE1还具有第3连结部CP15。在第3连结部CP15连接有图中上端的两条第1B电极部E1b。图中最上端的第1B电极部E1b没有连接第1连结部CP13。在这种构造中,能够有效地利用副像素SPb2的空间,能够配置尽可能多的电极部。
此外,副像素SPb2的第1像素电极PE1的形状只要能够实现多畴即可,不限于图示的例子。副像素SPb1的第1像素电极PE1具有与副像素SPb2的第1像素电极PE1同样的形状。
例如在实施列反相驱动的情况下,与白色的副像素SPw1、SPw2同样地,在蓝色的副像素SPb1、SPb2中会产生上述的闪烁条纹。如本实施方式那样,在副像素SPb1、SPb2也配置有第1像素电极PE1的情况下,能够抑制因副像素SPb1、SPb2而引起的闪烁条纹。除此之外,作为在副像素SPw1、SPw2配置第1像素电极PE1的情况下的效果而能够获得与在上述各实施方式中说明的效果同样的效果。
在以上的第1~第5实施方式中,公开了在白色的副像素SP配置第1像素电极PE1的例子、和在白色以及蓝色的副像素SP配置第1像素电极PE1的例子。然而,配置第1像素电极PE1的副像素SP不限于白色以及蓝色,也可以配置于红色以及绿色的副像素SP。另外,在显示装置DSP具有红色、绿色、蓝色以及白色以外的副像素SP的情况下,也可以在该副像素SP配置第1像素电极PE1。
第1像素电极PE1的形状不限于利用各实施方式公开的形状。即,第1像素电极PE1只要能够实现多畴即可,可应用各种形状。第2像素电极PE2也不限于利用各实施方式公开的形状,可应用各种形状。
以作为本发明的实施方式而说明的显示装置为基础,本领域技术人员可进行适当设计变更并实施的全部显示装置只要包含本发明的主旨,均包含在本发明的范围内。
应该理解的是,在本发明的思想范畴中,若为本领域技术人员则可想到各种变形例,这些变形例也属于本发明的范围内。例如,相对于上述的各实施方式,本领域技术人员适当追加、削除构成要素或进行设计变更而得到的、或追加、省略工序或进行条件变更而得到的形态,只要具备本发明的主旨也都包含在本发明的范围内。
另外,应该理解的是,就在各实施方式中说明的形态所带来的其他作用效果而言,从本说明书的记载可明确得到的、或本领域技术人员可适当想到的作用效果当然是本发明所带来的。
Claims (12)
1.一种显示装置,其特征在于,具备:
沿第1方向延伸的第1影像信号线以及第2影像信号线;
沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第1扫描信号线;
通过所述第1扫描信号线控制、并与所述第1影像信号线电连接的第1像素电极;以及
通过所述第1扫描信号线控制、并与所述第2影像信号线电连接的第2像素电极,
所述第1影像信号线在所述第2方向上具有与所述第1像素电极相邻的第1线部,
所述第2影像信号线在所述第2方向上具有与所述第2像素电极相邻的第2线部,
所述第1像素电极在所述第1方向上具有第1A电极部和第1B电极部,
所述第2像素电极在所述第1方向上具有第2A电极部和第2B电极部,
所述第1A电极部相对于所述第1线部在第1旋转方向上具有第1角度,
所述第1B电极部相对于所述第1线部在所述第1旋转方向上具有与所述第1角度不同的第2角度,
所述第2A电极部以及所述第2B电极部相对于所述第2线部在所述第1旋转方向上具有第3角度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第1角度为20°以上。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第1角度或所述第2角度为5°以下,
所述第3角度为5°以下。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第1像素电极包括:
多个所述第1A电极部;
多个所述第1B电极部;以及
第1连结部以及第2连结部,它们沿所述第2方向延伸、并分别将多个所述第1A电极部以及多个所述第1B电极部连接,
多个所述第1A电极部的至少一个与所述第1连结部连接,并且不与所述第2连结部连接,
多个所述第1B电极部的至少一个与所述第2连结部连接,并且不与所述第1连结部连接。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
与所述第1连结部连接的所述第1A电极部的位置、和与所述第1连结部连接的所述第1B电极部的位置在所述第2方向上错开。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
在俯视时,所述第1B电极部与所述第1影像信号线重叠。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第1像素电极包括多个所述第1A电极部、和多个所述第1B电极部,
所述第1A电极部的数量与所述第1B电极部的数量不同。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
具备多个所述第1像素电极和多个所述第2像素电极,
所述第1像素电极的数量比所述第2像素电极的数量少。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
具备多个所述第1像素电极、多个所述第2像素电极、包括所述第1扫描信号线在内的多个扫描信号线,
最接近的两个所述第1像素电极通过不同的所述扫描信号线来控制。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第1像素电极配置于白色的副像素。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
具备包括所述第1影像信号线以及所述第2影像信号线在内的多个影像信号线,
向相邻的所述影像信号线供给的影像信号的极性不同。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述第1A电极部在所述第2方向上与所述第2A电极部相邻,
所述第1B电极部在所述第2方向上与所述第2B电极部相邻。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20191210 |
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |