CN110531546A - 液晶手写膜的切割方法及液晶手写膜 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种液晶手写膜的切割方法，该液晶手写膜的切割方法是将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜；沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度。本发明通过切断上基膜导电层，使得上基膜导电层的电压无法到达液晶手写膜边缘，解决了在对液晶膜进行切割时，上下基膜导电层发生连接短路的问题，并且由于上基膜的切割深度小于上基膜的厚度，使得液晶手写膜的液晶泄露问题得到了解决。

Description

液晶手写膜的切割方法及液晶手写膜

技术领域

本发明涉及液晶手写板技术领域，特别涉及一种液晶手写膜的切割方法及液晶手写膜。

背景技术

在液晶手写膜领域，为了实现对比度和显示亮度更高的笔迹效果。常用的做法是提升液晶和手性剂在整体配方中的比例，同时降低聚合物在配方中比例。但聚合物含量的降低会引起对上、下基膜导电层的粘附力下降，导致液晶手写膜成品在组装成液晶手写板的工艺过程中以及在后续客户使用过程中容易出现液晶膜上下分层状况。另一方面，由于在液晶手写膜中夹在两层导电膜之间的聚合物含量少，对上、下基膜导电层的支撑作用被减弱了，使得通过卷对卷生产工艺制备出来的整卷的液晶卷膜在使用激光切割机切割成定制尺寸时，上、下基膜导电层会由于聚合物支撑作用的减弱而发生不可控的连接短路，使得经过激光切割后的定制尺寸的液晶手写膜在搭载电路驱动时无法清除笔迹或笔迹清除不彻底，极大的降低了液晶手写膜的生产良率，提升了成本。

另外，在切割时由于切割工艺的不完善还容易使短路现象愈加严重，进一步提升生产不良率。为了改善短路现象的发生，设计人员提供了多种设计方案。例如，申请号为CN201811623151.7的中国专利，公布了一种液晶膜片切割方法及成品液晶膜片。该方法在将液晶膜片切割成多个预设尺寸的成品膜片之后，在所述膜片本体的正面或反面、离所述成品膜片四周边缘线预设距离处进行再次切割形成半切断线，该半切断线将所述成品膜片的上膜导电层、下膜导电层其中之一切断，使得上膜导电层或下膜导电层的电压无法到达液晶膜片边缘，从而使得上膜导电层、下膜导电层不短路。

上述现有技术中，虽然一定程度上可以使液晶手写膜不短路，但由于由于切割方法是将上基膜和上基膜导电层全部切断，然后去边角料，容易导致液晶手写膜中的液晶泄露。由于液晶泄露，对上、下基膜导电层的支撑作用被减弱了，仍然容易发生不可控的连接短路。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种液晶手写膜的切割方法，旨在解决现有的切割方法在对液晶卷膜进行切割时，上、下基膜导电层会发生连接短路的问题和液晶手写膜被切割后液晶容易泄露的问题。

为实现上述目的，本发明提出一种液晶手写膜的切割方法，该液晶手写膜的切割方法包括：

优选地，将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜；沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度。

优选地，在所述将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜的步骤中，采用刀切，裁剪、冲切、激光切割、超声波切割的方式切割出所述预设尺寸液晶手写膜。

优选地，在所述沿预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度的步骤中，采用激光切割的方式切割所述预设尺寸液晶手写膜。

优选地，在所述采用激光切割的方式切割所述液晶手写膜的步骤中，采用红外波段二氧化碳激光机、可见光波段激光切割机或紫外波段激光切割机切割所述预设尺寸液晶手写膜。

优选地，所述切割线与所述预设尺寸液晶手写膜四周边缘的距离为0.01mm～50mm。

本发明还提出了一种液晶手写膜，所述液晶手写膜的上基膜导电层切断且上基膜表面形成有一条切割线，该切割线的深度小于上基膜的厚度。

优选地，所述切割线与所述液晶手写膜四周边缘的距离为0.01mm～50mm。

本发明的有益效果在于：本发明采用了分步切割的方法，先将液晶膜切割成预设尺寸液晶手写膜，然后在液晶手写膜四周边缘偏移预定距离，将上基膜导电层切断，使得上基膜导电层的电压无法到达液晶手写膜边缘，从而解决了上基膜导电层和下基膜导电层在切割时的连接短路问题，提高了液晶手写膜的生产良率，降低了成本；另外，在对液晶手写膜四周边缘的内侧进行切割时，利用上基膜导电层对特定激光的吸收速率大于上基膜对特定激光的吸收速率的特性，通过调整切割机的切割功率、频率、光波长、脉冲波形、光斑尺寸、切割速率等参数，在上基膜导电层被切断的前提下，上基膜的切割深度小于上基膜的厚度，不切断上基膜使得液晶手写膜的液晶处于被包裹状态，可以阻断液晶的泄漏，提高了产品质量。

附图说明

图1为本发明一实施例中液晶手写膜的结构示意图；

图2为本发明一实施例中液晶手写膜的切割方法的流程示意图；

图3为本发明一实施例中液晶手写膜的截面示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的方案进行清楚完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本发明中的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提出一种液晶手写膜的切割方法，参照图1至图3，该液晶手写膜的切割方法包括：

步骤S1：将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜100。在本发明实施例中，液晶膜为卷对卷方式生产的液晶卷膜；包括上基膜30、上基膜导电层40、液晶浆料层50、下基膜导电层60和下基膜70。在本步骤中，可以通过切割机先将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜100。不仅可以采用红外波段二氧化碳激光机、可见光波段激光切割机、紫外波段激光切割机，还可以采用刀切，裁剪、冲切，超声波切割等方式将液晶膜切割出预设尺寸的液晶手写膜100。

步骤S2：沿预设尺寸液晶手写膜100四周边缘10偏移预定距离，将上基膜导电层40切断并在上基膜30表面形成一条切割线20，该切割线20的切割深度h小于上基膜的厚度H。在本步骤中，可以通过激光切割机沿预设尺寸液晶手写膜四周边缘10的内侧将上基膜导电层40切断并在上基膜30表面形成一条切割线20，控制切割线的切割深度h小于上基膜的厚度H。由于上基膜导电层30被切断，使得电压无法到达液晶手写膜100边缘，从而解决了上基膜导电层40和下基膜导电层60在切割时的连接短路问题；而且不切断上基膜30可以使液晶手写膜100的液晶处于被包裹状态，防止液晶的泄露，提高了液晶手写膜100的生产良率。

在前述步骤S2中，由于上基膜导电层40对特定激光的吸收速率大于上基膜30对特定激光的吸收速率，在切割上基膜导电层40时可以通过调整切割机的切割功率、频率、光波长、脉冲波形、光斑尺寸、切割速率等参数，从而控制上基膜30的切割深度h，使得切割深度h小于上基膜的厚度H，并将上基膜导电层40切断。控制切割线20的切割深度h小于上基膜的厚度H，液晶手写膜100中的液晶被上基膜30和下基膜70包裹着，解决了现有的切割方法中液晶容易泄露的问题，保证了液晶手写膜100的生产质量，由于切断上基膜导电层40，使得上基膜导电层40无法将电压传达到液晶手写膜边缘10，从而上基膜导电层40和下基膜导电层60不会出现连接短路的问题，提高了液晶手写膜100的生产良率。

本发明提出的一种液晶手写膜的切割方法，参照图1，在前述步骤S1中，采用刀切、裁剪、冲切、激光切割、超声波切割的方式切割出预设尺寸液晶手写膜100。在本发明中不仅可以采用红外波段二氧化碳激光机、可见光波段激光切割机、紫外波段激光切割机，还可以采用刀切，裁剪、冲切，超声波切割等多种方式，切割出完整的预设尺寸液晶手写膜100，所切割出的液晶手写膜100可应用于液晶手写板。

本发明提出的一种液晶手写膜的切割方法，参照图1，在前述步骤S2中，采用激光切割的方式切割预设尺寸液晶手写膜100。其中激光切割的方式包括红外波段二氧化碳激光机、可见光波段激光切割机或紫外波段激光切割机。在本发明实施例中优选可见光波段激光切割机或紫外波段激光切割机。激光切割机利用高能量密度激光束照射液晶手写膜100，通过精确控制激光光束可以有效提高加工效率并得到精确的加工结果，比传统的切割方式效率高、切缝窄，切缝小可以使上基膜30表面更平滑美观，也能让上基膜30包裹住液晶层50，防止液晶泄露。可见光波段激光切割机和紫外波段激光切割机的波长短，比长波长切割机具有更高的切割精度，能更精准地切割液晶手写膜100。

本发明提出一种液晶手写膜的切割方法，参照图1，切割线20与预设尺寸液晶手写膜四周边缘10的距离为0.01mm～50mm，能够实现精准切割。

本发明还提出一种液晶手写膜，参照图3，液晶手写膜100包括上基膜30、上导电层40、液晶层50、下导电层60和下基膜70，液晶手写膜100的上基膜导电层40切断且上基膜30表面形成有一条切割线20，该切割线的深度h小于上基膜的厚度H。由于上基膜导电层40被切断，使得电压无法到达液晶手写膜边缘10，从而解决了上基膜导电层40和下基膜导电层60在切割时的连接短路问题，而且不切断上基膜30可以使液晶手写膜100的液晶处于被包裹状态，阻断了液晶的泄露，提高了液晶手写膜100的生产良率。

本发明提出一种液晶手写膜，切割线20与所述液晶手写膜四周边缘10的距离为0.01mm～50mm，能够实现精准切割。

以上所述的仅为本发明的部分或优选实施例，无论是文字还是附图都不能因此限制本发明保护的范围，凡是在与本发明一个整体的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明保护的范围内。

Claims (7)

1.一种液晶手写膜的切割方法，所述液晶手写膜包括上基膜、上基膜导电层、液晶浆料层、下基膜导电层和下基膜，其特征在于，所述切割方法包括：

将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜；

沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度。

2.根据权利要求1所述的液晶手写膜的切割方法，其特征在于，在所述将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜的步骤中，采用刀切、裁剪、冲切、激光切割、超声波切割的方式切割出所述预设尺寸液晶手写膜。

3.根据权利要求1所述的液晶手写膜的切割方法，其特征在于，在所述沿预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离，将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线，该切割线的切割深度小于上基膜的厚度的步骤中，采用激光切割的方式切割所述预设尺寸液晶手写膜。

4.根据权利要求3所述的液晶手写膜的切割方法，其特征在于，在所述采用激光切割的方式切割所述预设尺寸液晶手写膜的步骤中，采用红外波段二氧化碳激光机、可见光波段激光切割机或紫外波段激光切割机切割所述预设尺寸液晶手写膜。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶手写膜的切割方法，其特征在于，所述切割线与所述预设尺寸液晶手写膜四周边缘的距离为0.01mm～50mm。

6.一种液晶手写膜，所述液晶手写膜包括上基膜、上导电层、液晶层、下导电层和下基膜，其特征在于，所述液晶手写膜的上基膜导电层切断且上基膜表面形成有一条切割线，该切割线的深度小于上基膜的厚度。

7.根据权利要求6所述的液晶手写膜，其特征在于，所述切割线与所述液晶手写膜四周边缘的距离为0.01mm～50mm。