CN110505754A - 一种用于led的铝基覆膜板的生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的用于LED的铝基覆膜板的生产方法包括S1，在铝基板进行线路成型；S2，判断覆盖膜的长度是否大于675mm，如是，则将覆盖膜整段钻孔，覆盖膜为白色覆盖膜；S3，将铝基板与覆盖膜均套置于治具；S4，假贴，使用烙铁或假贴机进行假贴以获得半成板；S5，压合，将离型膜放置于压机的上模板及下模板之间，将半成板放置于离型膜内，启动压机进行压合；S6，同时取出半成板与离型膜，将离型膜从半成板上撕离；S7，对半成板进行烤板；S8，对半成板进行钻孔；S9，对半成板进行微刻；S10，对半成板进行模冲。线路成型于铝基板，阻焊采用白色覆盖膜，由本发明提供的方法所制得的铝基覆膜板作为LED基板，保证基板有耐高压，偏移量小，高白色度和优异的耐泛黄性。

Description

一种用于LED的铝基覆膜板的生产方法
技术领域
本发明属于LED技术领域，具体涉及一种用于LED的铝基覆膜板的生产方法。
背景技术
目前的覆膜LED基板生产方法中，多在软板上进行线路及覆盖膜制作后涂胶，再压合铝板以得到LED基板，软板为覆盖膜软板，铝板为硬板。然而，此工艺的软板在压合过程中容易变型，导致灯珠位置偏移，软板容易与硬板分离，从而导致工艺难度较高且工艺不良率高。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种降低工艺难度，提升工艺良率的用于LED的铝基覆膜板的生产方法。
为实现上述的主要目的，本发明提供的用于LED的铝基覆膜板的生产方法包括S1，在铝基板进行线路成型，铝基板的铜层的厚度为30至50微米，铝基板的介质层的厚度为150至220微米，铝基板的铝层厚度为0.8至1.5微米；S2，判断覆盖膜的长度是否大于675mm，如是，则将覆盖膜整段钻孔，覆盖膜为白色覆盖膜；S3，将离型膜从覆盖膜撕离，将铝基板与覆盖膜均套置于治具；S4，假贴，使用烙铁或假贴机进行假贴以获得半成板；S5，压合，将离型膜放置于压机的上模板及下模板之间，将半成板放置于离型膜内，半成板的上板面与下板面均抵接有离型膜，启动压机进行压合；S6，同时取出半成板与离型膜，将离型膜从半成板上撕离；S7，对半成板进行烤板；S8，对半成板进行钻孔；S9，对半成板进行微刻；S10，对半成板进行模冲，铝基板朝向上方。
由上述方案可见，线路成型于铝基板，覆盖膜采用白色覆盖膜，由本发明提供的方法所制得的铝基覆膜板作为LED基板，保证基板具备有耐高压，灯珠偏移量小，阻焊层高白色度和优异的耐泛黄性，提高工艺良率，降低工艺难度。
附图说明
利用附图对本发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制，对于本领域的技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
图1是本发明所述的一种用于LED的铝基覆膜板的生产方法的流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参见图1，本实施例的用于LED的铝基覆膜板的生产方法S1，在铝基板进行线路成型，铝基板的铜层的厚度为30至50微米，铝基板的介质层的厚度为150至220微米，铝基板的铝层厚度为0.8至1.5微米，在铝基板进行线路成型的方法可采用本领域的公知技术；S2，判断覆盖膜的长度是否大于675mm，如是，则执行步骤S20，步骤S20为将覆盖膜整段钻孔，覆盖膜为白色覆盖膜；S3，将离型膜从覆盖膜撕离，将铝基板与覆盖膜均套置于治具；S4，假贴，使用烙铁或假贴机进行假贴以获得半成板；S5，压合，将离型膜放置于压机的上模板及下模板之间，将半成板放置于离型膜内，半成板的上板面与下板面均抵接有离型膜，启动压机进行压合；S6，同时取出半成板与离型膜，将离型膜从半成板上撕离；S7，对半成板进行烤板；S8，对半成板进行钻孔；S9，对半成板进行微刻；S10，对半成板进行模冲，铝基板朝向上方。最终得到的铝基覆膜板即可用于LED，阻焊采用白色覆盖膜。
如步骤S2的判断结果为否，则执行步骤S21，步骤S21为判断长度是否不大于1200mm，如步骤21的判断结果为是，则执行步骤S211，步骤S211为将覆盖膜分两段钻孔，如步骤21的判断结果为否，则执行步骤S212，步骤S212为将覆盖膜分三段钻孔。对覆盖膜进行两段钻孔或三段钻孔为分段钻孔。
当覆盖膜需要进行分段钻孔时，以直径为0.41毫米的邮票孔作为分切标识，重叠位置孔中心到孔中心的距离为2至10毫米，覆盖膜的长度比角孔到邮票孔边的距离长4毫米。当覆盖膜不需要进行分段钻孔时，覆盖膜的长度比角孔边到边的距离长4毫米。
覆盖膜的板框边布置有多个假贴定位孔，假贴定位孔的直径为2毫米，沿覆盖膜的长度方向为X方向，沿覆盖膜的宽度方向为Y方向，相邻两个假贴定位孔沿X方向相互间隔100毫米。离角孔最近的假贴定位孔沿X方向与角孔间隔为10至30毫米，每个假贴定位孔与角孔沿Y方向均间隔相同距离且距离均为250毫米。
铝基板布置有对位光学点，对位光学点用于进行步骤S4假贴时的对位。对位光学点为实心铜点，实心铜点的直径为1.5毫米，对位光学点的外侧设置有圆环，圆环的环宽为0.3毫米，圆环的内环直径为2毫米，圆环的外环直径为2.6毫米。
采用假贴机进行假贴，步骤S4的假贴时间为10至15秒。假贴机的上盘温度为85℃至95℃，假贴机的下盘温度为33℃至43℃。
步骤S5包括预压与成型，步骤S5的预压时间为10至20秒，步骤S5的预压重量为10至20kg，步骤S5的成型时间为60至180秒，步骤S5的成型重量为65至120kg，步骤S5的压合温度为170℃至190℃，预压重量与成型重量均为压合机施加于半成板的重量。
在步骤S9中，刀具的转速为4000至5000rpm，刀具的切割速度为500至2500mm/min，刀具的切割方向为单向切割。
覆盖膜的油墨层的厚度为10至30微米，覆盖膜的胶层的厚度为13至35微米，覆盖膜的基材层的厚度为13至50微米。
线路成型于铝基板，覆盖膜采用白色覆盖膜，由本发明提供的方法所制得的铝基覆膜板作为LED基板，保证基板有保证基板具备有耐高压，灯珠偏移量小，阻焊层高白色度和优异的耐泛黄性，提高工艺良率，降低工艺难度。
最后需要强调的是，本发明不限于上述实施方式，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于LED的铝基覆膜板的生产方法，其特征在于，包括：
S1，在铝基板进行线路成型，所述铝基板的铜层的厚度为30至50微米，所述铝基板的介质层的厚度为150至220微米，所述铝基板的铝层厚度为0.8至1.5毫米；
S2，判断所述覆盖膜的长度是否不大于675mm，如是，则将所述覆盖膜整段钻孔，所述覆盖膜为白色覆盖膜；
S3，将离型膜从所述覆盖膜撕离，将所述铝基板与所述覆盖膜均套置于治具；
S4，假贴，使用烙铁或假贴机进行假贴以获得半成板；
S5，压合，将所述离型膜放置于压机的上模板及下模板之间，将所述半成板放置于所述离型膜内，所述半成板的上板面与下板面均抵接有所述离型膜，启动压机进行压合；
S6，撕离，同时取出所述半成板与所述离型膜，将所述离型膜从所述半成板上撕离；
S7，对所述半成板进行烤板；
S8，对所述半成板进行钻孔；
S9，对所述半成板进行微刻；
S10，对所述半成板进行模冲，所述铝基板朝向上方。
2.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于：
所述步骤S2的判断结果若为否，则执行步骤S21，步骤S21为判断所述长度是否不大于1200mm，如步骤S21的判断结果为是，则将所述覆盖膜分两段钻孔。
3.根据权利要求2所述的生产方法，其特征在于：
如所述步骤S21的判断结果为否，则将所述覆盖膜分三段钻孔。
4.根据权利要求3所述的生产方法，其特征在于：
采用所述假贴机进行假贴，所述步骤S4的假贴时间为10至15秒。
5.根据权利要求4所述的生产方法，其特征在于：
所述假贴机的上盘温度为85℃至95℃，所述假贴机的下盘温度为33℃至43℃。
6.根据权利要求5所述的生产方法，其特征在于：
所述步骤S5的预压时间为10至20秒，所述步骤S5的预压重量为10至20kg。
7.根据权利要求6所述的生产方法，其特征在于：
所述步骤S5的成型时间为60至180秒，所述步骤S5的成型重量为65至120kg。
8.根据权利要求7所述的生产方法，其特征在于：
所述步骤S5的压合温度为170℃至190℃。
9.根据权利要求1至8任一项所述的生产方法，其特征在于：
在所述步骤S9中，刀具的转速为4000至5000rpm，所述刀具的切割速度为500至2500mm/min，所述刀具的切割方向为单向切割。
10.根据权利要求1至8任一项所述的生产方法，其特征在于：
所述覆盖膜的油墨层的厚度为10至30微米，所述覆盖膜的胶层的厚度为13至35微米，所述覆盖膜的基材层的厚度为13至50微米；
所述覆盖膜的板框边布置有多个假贴定位孔，沿所述覆盖膜的长度方向为X方向，沿所述覆盖膜的宽度方向为Y方向，相邻两个所述假贴定位孔沿所述X方向相互间隔100毫米，离角孔最近的所述假贴定位孔沿所述X方向与所述角孔的间隔为10至30毫米，每个所述假贴定位孔与所述角孔沿所述Y方向均间隔相同距离；
所述铝基板布置有对位光学点，所述对位光学点的外侧设置有圆环。
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