CN110473779B - 一种新型tft器件结构及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 21
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 21
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种新型TFT器件结构及其制作方法，通过设置平坦层，平坦层的竖直截面呈阶梯状，能够减少聚酰亚胺涂布过程中TFT器件产生的凹洞对转印(APR)版的“吸著效应”，使转印(APR)版能够带墨均匀和聚酰亚胺(PI)配向膜厚均匀；且能够使液晶旋转方向稳定一致，有益于增加开口率和减少漏光概率，进而提高画面亮度。同时，竖直截面呈阶梯状的平坦层能够降低面板显示异常现象的产生，进而提高制程良率，有利于提升产能。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种新型TFT器件结构及其制作方法。
背景技术
成盒(CELL)制程中，聚酰亚胺(Polyimide，简称为PI)的配向，因其对液晶的旋转给予一个预倾角使得液晶的旋转方向趋于稳定，因此，聚酰亚胺配向膜的涂布过程好坏是决定聚酰亚胺的配向能力的重要环节，从而影响到制程良率。现有薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称为TFT)器件结构在聚酰亚胺涂布过程中容易使TFT器件发生凹洞和转印(APR)版产生“吸著效应”，影响制程的良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种新型TFT器件结构及其制作方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种方案为：
一种新型TFT器件结构，包括基板，在基板表面上依次层叠设有半导体层、第一绝缘层、平坦层、第二绝缘层、第三绝缘层和透明导电层，所述平坦层的竖直截面呈阶梯状，所述第一绝缘层上开设有过孔，所述过孔对应所述半导体层设置，所述过孔填充有所述第三绝缘层和透明导电层，所述第三绝缘层分别与所述半导体层、第一绝缘层和平坦层接触，所述透明导电层与所述半导体层接触。
本发明采用的第二种方案为：
一种新型TFT器件结构的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一基板，且在所述基板上覆盖半导体层；
S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述半导体层表面；
S3、于所述第一绝缘层中形成过孔；
S4、形成平坦层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S5、形成第二绝缘层，且覆盖于所述平坦层表面；
S6、形成第三绝缘层，覆盖于所述第二绝缘层表面且分别与所述平坦层、第一绝缘层和半导体层接触；
S7、形成透明导电层，覆盖于所述第三绝缘层表面且与所述半导体层接触。
本发明的有益效果在于：
通过设置平坦层，平坦层的竖直截面呈阶梯状，能够减少聚酰亚胺涂布过程中TFT器件产生的凹洞对转印(APR)版的“吸著效应”，使转印(APR)版能够带墨均匀和聚酰亚胺(PI)配向膜厚均匀；且能够使液晶旋转方向稳定一致，有益于增加开口率和减少漏光概率，进而提高画面亮度。同时，竖直截面呈阶梯状的平坦层能够降低面板显示异常现象的产生，进而提高制程良率，有利于提升产能。
附图说明
图1为根据本发明的一种新型TFT器件结构的结构示意图；
图2为根据本发明的一种新型TFT器件结构的结构的制作方法的步骤流程图；
标号说明：
1、基板；2、半导体层；3、第一绝缘层；4、平坦层；5、第二绝缘层；6、第三绝缘层；7、透明导电层；8、金属层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：通过设置新型的平坦层结构，使得平坦层的竖直截面呈阶梯状，以此减少聚酰亚胺涂布过程中TFT器件产生的凹洞对转印(APR)版的“吸著效应”。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种新型TFT器件结构，包括基板，在基板表面上依次层叠设有半导体层、第一绝缘层、平坦层、第二绝缘层、第三绝缘层和透明导电层，所述平坦层的竖直截面呈阶梯状，所述第一绝缘层上开设有过孔，所述过孔对应所述半导体层设置，所述过孔填充有所述第三绝缘层和透明导电层，所述第三绝缘层分别与所述半导体层、第一绝缘层和平坦层接触，所述透明导电层与所述半导体层接触。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过设置平坦层，平坦层的竖直截面呈阶梯状，能够减少聚酰亚胺涂布过程中TFT器件产生的凹洞对转印(APR)版的“吸著效应”，使转印(APR)版能够带墨均匀和聚酰亚胺(PI)配向膜厚均匀；且能够使液晶旋转方向稳定一致，有益于增加开口率和减少漏光概率，进而提高画面亮度。同时，竖直截面呈阶梯状的平坦层能够降低面板显示异常现象的产生，进而提高制程良率，有利于提升产能。
进一步的，所述第三绝缘层的形状与所述平坦层的形状相适配，所述透明导电层的形状与所述第三绝缘层的形状相适配。
由上述描述可知，第三绝缘层的形状与平坦层的形状相适配，透明导电层的形状与第三绝缘层的形状相适配，能够避免造成层与层之间的高低差，提高制程良率。进一步的，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间设有金属层，所述金属层分别与第二绝缘层和第三绝缘层接触。
进一步的，所述平坦层的阶数为2-5层。
由上述描述可知，阶数为2-5层的平坦层结构，能够使制程过程产生的气泡逃脱，进而改善聚酰亚胺配向膜印刷时膜厚不均的问题。
请参照图1，本发明提供的另一种技术方案：
一种新型TFT器件结构的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一基板，且在所述基板上覆盖半导体层；
S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述半导体层表面；
S3、于所述第一绝缘层中形成过孔；
S4、形成平坦层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S5、形成第二绝缘层，且覆盖于所述平坦层表面；
S6、形成第三绝缘层，覆盖于所述第二绝缘层表面且分别与所述平坦层、第一绝缘层和半导体层接触；
S7、形成透明导电层，覆盖于所述第三绝缘层表面且与所述半导体层接触。
进一步的，步骤S4具体为：
将光罩置于所述第一绝缘层上方，通过紫外光照射在所述光罩上表面，形成阶梯状的平坦层，所述平坦层覆盖于所述第一绝缘层表面。
进一步的，所述光罩为半色调掩膜光罩。
从上述描述可知，通过使用半色调掩膜光罩，在曝光的工艺制程上进行多层次的曝光显影技术，藉以得到竖直截面呈阶梯状的平坦层结构，通过此结构的平坦层能够使制程过程产生的气泡逃脱，进而改善聚酰亚胺配向膜印刷时膜厚不均的问题和降低了显示异常现象，进而提升良率。
进一步的，所述第三绝缘层的形状与所述平坦层的形状相适配，所述透明导电层的形状与所述第三绝缘层的形状相适配。
从上述描述可知，第三绝缘层的形状与平坦层的形状相适配，透明导电层的形状与第三绝缘层的形状相适配，能够避免造成层与层之间的高低差，提高制程良率。
进一步的，所述平坦层的阶数为2-5层。
从上述描述可知，阶数为2-5层的平坦层结构，能够使制程过程产生的气泡逃脱，进而改善聚酰亚胺配向膜印刷时膜厚不均的问题。
请参照图1，本发明的实施例一为：
一种新型TFT器件结构，包括基板1，在基板1表面上依次层叠设有半导体层2、第一绝缘层3、平坦层4、第二绝缘层5、第三绝缘层6和透明导电层7，所述平坦层4的竖直截面呈阶梯状，所述平坦层4的阶数为2-5层，优选为3层；
所述第一绝缘层3上开设有过孔，所述过孔对应所述半导体层2设置，且所述过孔关于所述半导体层2的轴对称中心对称，所述过孔填充有所述第三绝缘层6和透明导电层7，所述第三绝缘层6分别与所述半导体层2、第一绝缘层3和平坦层2接触，所述透明导电层7与所述半导体层2接触。
所述第三绝缘层6的形状与所述平坦层4的形状相适配，所述透明导电层7的形状与所述第三绝缘层6的形状相适配。
所述第二绝缘层5与所述第三绝缘层6之间设有金属层8，所述金属层8分别与第二绝缘层5和第三绝缘层6接触。
请参照图2，本发明的实施例二为：
一种新型TFT器件结构的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一基板1，且在所述基板1上覆盖半导体层2；
S2、形成一第一绝缘层3，且覆盖于所述半导体层2表面；
S3、于所述第一绝缘层3中形成过孔；
S4、形成平坦层4，且覆盖于所述第一绝缘层3表面；
步骤S4具体为：
将光罩置于所述第一绝缘层3上方，通过紫外光照射在所述光罩上表面，形成阶梯状的平坦层4，所述平坦层4覆盖于所述第一绝缘层3表面；
所述光罩为半色调掩膜光罩，使用不同透光率的半色调掩膜光罩形成的平坦层4的阶梯数不同，可通过制程需求选择合适的半色调掩膜光罩。
S5、形成第二绝缘层5，且覆盖于所述平坦层4表面；
S6、形成第三绝缘层6，覆盖于所述第二绝缘层5表面且分别与所述平坦层4、第一绝缘层3和半导体层2接触；
S7、形成透明导电层7，覆盖于所述第三绝缘层6表面且与所述半导体层2接触。
为了改善“吸著效应”可通过设置无平坦层结构的TFT器件，虽然这种结构的TFT器件虽然能够解决“吸著效应”，但是对显示质量不产生积极作用，而本方案设计的TFT器件结构既能够解决“吸著效应”，又能对显示质量产生积极作用。
综上所述，本发明提供的一种新型TFT器件结构及其制作方法，通过设置平坦层，平坦层的竖直截面呈阶梯状，能够减少聚酰亚胺涂布过程中TFT器件产生的凹洞对转印(APR)版的“吸著效应”，使转印(APR)版能够带墨均匀和聚酰亚胺(PI)配向膜厚均匀；且能够使液晶旋转方向稳定一致，有益于增加开口率和减少漏光概率，进而提高画面亮度。同时，竖直截面呈阶梯状的平坦层能够降低面板显示异常现象的产生，进而提高制程良率，有利于提升产能。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种新型TFT器件结构，包括基板，在基板表面上依次层叠设有半导体层、第一绝缘层、平坦层、第二绝缘层、第三绝缘层和透明导电层，其特征在于，所述平坦层的竖直截面呈阶梯状，所述第一绝缘层上开设有过孔，所述过孔对应所述半导体层设置，所述过孔填充有所述第三绝缘层和透明导电层，所述第三绝缘层分别与所述半导体层、第一绝缘层和平坦层接触，所述透明导电层与所述半导体层接触。
2.根据权利要求1所述的新型TFT器件结构，其特征在于，所述第三绝缘层的形状与所述平坦层的形状相适配，所述透明导电层的形状与所述第三绝缘层的形状相适配。
3.根据权利要求1所述的新型TFT器件结构，其特征在于，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间设有金属层，所述金属层分别与第二绝缘层和第三绝缘层接触。
4.根据权利要求1所述的新型TFT器件结构，其特征在于，所述平坦层的阶数为2-5层。
5.一种权利要求1-4任意一项所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一基板，且在所述基板上覆盖半导体层；
S2、形成一第一绝缘层，且覆盖于所述半导体层表面；
S3、于所述第一绝缘层中形成过孔；
S4、形成平坦层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；
S5、形成第二绝缘层，且覆盖于所述平坦层表面；
S6、形成第三绝缘层，覆盖于所述第二绝缘层表面且分别与所述平坦层、第一绝缘层和半导体层接触；
S7、形成透明导电层，覆盖于所述第三绝缘层表面且与所述半导体层接触。
6.根据权利要求5所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，步骤S4具体为：
将光罩置于所述第一绝缘层上方，通过紫外光照射在所述光罩上表面，形成阶梯状的平坦层，所述平坦层覆盖于所述第一绝缘层表面。
7.根据权利要求6所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，所述光罩为半色调掩膜光罩。
8.根据权利要求5所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，所述第三绝缘层的形状与所述平坦层的形状相适配，所述透明导电层的形状与所述第三绝缘层的形状相适配。
9.根据权利要求6所述的新型TFT器件结构的制作方法，其特征在于，所述平坦层的阶数为2-5层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201910572648.9A CN110473779B (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 一种新型tft器件结构及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910572648.9A CN110473779B (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 一种新型tft器件结构及其制作方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| CN110473779A CN110473779A (zh) | 2019-11-19 |
| CN110473779B true CN110473779B (zh) | 2021-11-23 |
Family
ID=68507062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910572648.9A Active CN110473779B (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 一种新型tft器件结构及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110473779B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204557028U (zh) * | 2015-03-30 | 2015-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
| CN105278171A (zh) * | 2014-07-09 | 2016-01-27 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
| CN103955084B (zh) * | 2014-03-31 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN108153021A (zh) * | 2018-01-04 | 2018-06-12 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法 |
| CN108257976A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-07-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft基板及其制作方法 |
| CN109116617A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 挡墙结构、彩膜阵列基板和液晶显示面板 |
| CN109240005A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3753613B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2006-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びそれを用いたプロジェクタ |
| TWI330276B (en) * | 2006-04-25 | 2010-09-11 | Au Optronics Corp | Active device array substrate and fabricating method thereof |
| JP2008089994A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
| KR101274715B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2013-06-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101923717B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2018-11-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| CN203930284U (zh) * | 2014-05-28 | 2014-11-05 | 群创光电股份有限公司 | 液晶显示面板及包含其的液晶显示设备 |
| US9927658B2 (en) * | 2014-08-07 | 2018-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, liquid crystal panel, and method for manufacturing active matrix substrate |
| CN105549269A (zh) * | 2016-02-18 | 2016-05-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 配向膜厚度均一性的优化方法及液晶显示面板 |
| JP6363689B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2018-07-25 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| CN107300810B (zh) * | 2017-07-25 | 2020-05-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板的制程及显示面板的制程 |
-
2019
- 2019-06-28 CN CN201910572648.9A patent/CN110473779B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103955084B (zh) * | 2014-03-31 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN105278171A (zh) * | 2014-07-09 | 2016-01-27 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
| CN204557028U (zh) * | 2015-03-30 | 2015-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
| CN108153021A (zh) * | 2018-01-04 | 2018-06-12 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法 |
| CN108257976A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-07-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft基板及其制作方法 |
| CN109116617A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 挡墙结构、彩膜阵列基板和液晶显示面板 |
| CN109240005A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 微型线圈-铁芯结构传感器中聚酰亚胺的低成本刻蚀和平坦化方法;郭博等;《传感技术学报》;20131015(第10期);正文全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110473779A (zh) | 2019-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |