CN110443204A - 发光信号强度控制方法及电子装置 - Google Patents

Abstract

一种发光信号强度控制方法，适于电子装置。电子装置包含处理元件、发光元件，以及感测模组，其中发光元件包含指纹感测区域，而感测模组安置于指纹感测区域的下方，发光信号强度控制方法包含下列步骤：处理元件依据优化数据控制发光元件的指纹感测区域发出优化照射光束至放置于指纹感测区域上方的手指，优化照射光束经手指反射后，到达感测模组，以产生指纹影像，其中优化照射光束的光信号强度分布是不均匀的，从指纹感测区域的中心至***至少划分为第一区域以及第二区域，而第一区域的光信号强度小于第二区域的光信号强度。因此，可均匀化感测模组所感测到的光信号强度分布，进而获得良好的光学感测影像品质。此外，一种电子装置亦被提出。

Description

发光信号强度控制方法及电子装置

技术领域

本发明是有关于一种发光元件的发光信号强度控制方法及其电子装置，且特别是有关于可控制发光元件的发光信号强度分布以发出非均匀光束的方法及其电子装置。

背景技术

随着电子科技与制造技术的不断演进与改良，资讯电子产品亦一直推陈出新。电脑、手机、摄相机等电子产品已经是现代人必备的工具。此外，现今的智能型行动装置中，亦需要整合指纹感测装置，以加强智能型行动装置的使用安全性并且支援更多智能型功能。

在目前，使用者可将手指按压于手机的显示器上以进行指纹感测。然而，在感测的过程中，感测模组中靠近周围的感测像素所感测到的光信号强度往往较低于感测模组中靠近中央的感测像素所感测到的光信号强度，以致于感测模组所得到的光信号强度具有落差，会影响指纹感测的正确性。所以在目前的解决方法中，常以后端的软体来修正信号强度，不过修正后的图像仍是有副作用，例如会将杂讯放大而造成细节损失等副作用。因此，如何让指纹感测模组可以感测到均匀的光信号强度，是本领域技术人员致力于研究的。

发明内容

本发明提供一种发光信号强度控制方法及电子装置，可均匀感测模组接收到的光信号强度，进而获得良好的光学感测影像品质。

本发明提供一种发光信号强度控制方法，适于电子装置。电子装置包含处理元件、发光元件，以及感测模组，其中发光元件包含指纹感测区域，包含多个发光像素，排列成一阵列，而感测模组是安置于指纹感测区域的下方，发光信号强度控制方法包含下列步骤：处理元件依据优化数据控制发光元件的指纹感测区域发出优化照射光束至放置于指纹感测区域上方的手指，优化照射光束经手指反射后，到达感测模组，以产生指纹影像，其中优化照射光束的光信号强度分布是不均匀的，从指纹感测区域的中心至***至少划分为第一区域以及第二区域，而位于第一区域中的发光像素所发出的光信号强度小于位于第二区域中的发光像素所发出的光信号强度。

本发明另提供一种电子装置，用以感测手指的指纹影像。电子装置包含发光元件、处理元件以及感测模组。发光元件包含指纹感测区域，包含多个发光像素，排列成一阵列，用以提供优化照射光束至手指。处理元件用以依据优化数据控制发光元件。感测模组安置于指纹感测区域之下方，用以接收经手指反射后到达感测模组的优化照射光束以产生指纹影像，其中优化照射光束的光信号强度分布是不均匀的，从指纹感测区域的中心至***至少划分为第一区域以及第二区域，而位于第一区域中的发光像素所发出的光信号强度小于位于第二区域中的发光像素所发出的光信号强度。

基于上述，本发明的发光信号强度控制方法及电子装置，在进行指纹感测时，可提供优化照射光束(非均匀光束)照射至手指，以均匀化感测模组所感测到的光信号强度分布，进而获得良好的光学感测影像品质。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的发光信号强度控制方法的步骤流程图。

图2为本发明一实施例的电子装置的示意图。

图3为图2的电子装置的发光元件所发出的照射光束的光信号强度分布图。

图4为图2的电子装置所感测到的由手指反射后的反射光束的反射光信号强度分布图。

图5为根据图4的原始数据所产生的优化数据的模拟照射光信号强度分布图。

图6为依据图5的优化数据控制发光元件所发出的优化照射光束的光信号强度分布图。

图7为图6的优化照射光束照射至手指经手指反射后由感测模组所感测得到的反射光信号强度分布图。

图8为本发明一实施例的发光元件在依据优化数据产生照射光束之前与之后，感测模组所感测到的实际的反射光信号强度分布曲线。

图9为本发明另一实施例的发光信号强度控制方法的步骤流程图。

图10为本发明一实施例中发光元件所发出的优化照射光束的光信号强度分布图。

图11A为本发明一实施例的感测模组所感测到的反射光信号强度分布示意图。

图11B显示图11A的反射光信号强度分布所对应的类比转数位能量速度相对于不同坐标位置的感测像素的分布曲线。

图12为本发明一实施例的控制模型的示意图。

图13A为本发明一实施例的发光元件中位于指纹感测区域的发光像素的发光信号强度相对于发光像素位置的分布曲线。

图13B为依据图13A中的分布曲线所产生的优化照射光束的示意图。

附图标号说明

10：手指

20：发光元件

22：指纹感测区域

40：光学模组

60：感测模组

70：记忆单元

80：处理元件

100：电子装置

200、201、300、300A、301、301A、400、601、602、604：曲线

500：曲面

603：线段

C1：发光元件中心线

C2：感测模组中心线

S100～S104、S200～S203：步骤

具体实施方式

图1为本发明一实施例的发光信号强度控制方法的步骤流程图。图2为本发明一实施例的电子装置的示意图。请同时参考图1及图2。本发明的一实施例提供一种发光信号强度控制方法，此方法至少可应用于图2所绘示的电子装置100，但本发明并不限于此。电子装置100包含发光元件20以及感测模组60，其中发光元件20具有指纹感测区域22，使用者可将手指10放置在指纹感测区域22上以进行指纹感测。在本实施例中，电子装置100还可包含光学模组40。

在本实施例中，发光元件20例如是显示面板、触控显示面板或上述与指压板的组合。举例而言，发光元件20例如为有机发光显示面板(Organic Light-Emitting Diodedisplay panel，OLED display panel)，但本发明并不限于此。替代地，发光元件20可以是触控显示面板，如具有多个触控电极的有机发光显示面板。所述多个触控电极可以形成在有机发光显示面板的外表面上或是内嵌于有机发光显示面板中，且多个触控电极可以藉由自容或互容的方式进行触控侦测。或者，发光元件20可以是指压板与显示面板的组合或指压板与触控显示面板的组合。

光学模组40例如是透镜组，具有准直器(collimators)结构，以及/或是包含有微透镜(micro-lens)层及/或微孔(pin-holes)层。在本实施例中，光学模组40例如为透镜组，包含具有屈光度的一或多个光学镜片的组合，例如包含双凹透镜、双凸透镜、凹凸透镜、凸凹透镜、平凸透镜以及平凹透镜等非平面镜片的各种组合，本发明对光学模组40的型态及其种类并不加以限制。举例而言，光学模组40由两片透镜所组成，但在其他实施例中，亦可以是三片透镜或四片透镜组成，本发明并不限于此。

在本实施例中，感测模组60例如包含有多个感测像素，而多个感测像素是排列成一个感测阵列，其中每一个感测像素可以包含至少一个光电二极体(photodiode)，但本发明并不限于此。在进行指纹感测时，使用者将手指10靠近或放置于发光元件20的指纹感测区域22上，而发光元件20会发出照射光束照射至手指10，经手指反射后会依序传递通过发光元件20以及光学模组40，并且传递至感测模组60以进行指纹感测。

图3为图2的电子装置的发光元件所发出的照射光束的光信号强度分布图。请同时参考图1至图3。在本实施例的发光信号强度控制方法中，当使用者将手指放置于发光元件20的指纹感测区域22上以进行指纹辨识感测时，电子装置100会执行步骤S100，启动发光元件20以在指纹感测区域22发出照射光束。详细而言，在本实施例中，施加相同电压至发光元件20中指纹感测区域22的多个发光像素。多个发光像素是排列成一阵列。因此，发光元件20中对应指纹感测区域22内的发光像素所发出的光信号的强度会是相等的。为了省电考量，在本实施例进行指纹感测时，可只有指纹感测区域22内的发光像素发出光信号，但本发明并不限于此。也就是说，发光元件20的指纹感测区域22所发射的照射光束的光信号强度分布会如图3所绘示的曲线200。具体而言，曲线200即表示在发光元件20的指纹感测区域22中位于不同位置的多个发光像素(未绘示)的光信号强度的分布。曲线200的中心线C1是表示指纹感测区域22的中心位置。如曲线200所示，不论发光像素位于指纹感测区域22中的位置与中心位置的距离为何，其发出的照射光信号强度都是一样的。亦即，照射光束的光信号强度分布是均匀的。

图4为图2的电子装置所感测到的由手指反射后的反射光束的反射光信号强度分布图。请同时参考图1至图4。接着，进行步骤S101，感测由手指10所反射的反射光束以得到原始数据(反射光信号强度分布)。具体而言，原始数据是由电子装置10中的感测模组60对由手指10所反射的反射光束进行感测而得出的反射光信号强度分布。由图4所绘示的曲线300可得知，若以图3所绘示曲线200为发光元件20的指纹感测区域22的发射光信号强度分布，则感测模组60中的多个感测像素所感测到的反射光会具有不同的反射光信号强度，其中距离感测模组60的感测阵列中央位置愈近的感测像素所感测到的反射光信号强度愈大，而距离感测模组60的感测阵列中央位置愈远的感测像素所感测到的反射光信号强度愈小，因而产生形状向上凸的反射光信号强度分布感测结果。曲线300表示感测模组60在感测阵列中的不同位置的多个感测像素(未绘示)所感测到的反射光信号强度值，中心线C2是表示这些感测像素所组成阵列的中心位置。

图5为根据图4的原始数据所产生的优化数据的模拟照射光信号强度分布图。请同时参考图1、图2、图4以及图5。接着，进行步骤S102，根据原始感测数据以形成出优化数据(模拟照射光信号强度分布)。详细而言，在本实施例中，将上述所测得的原始数据的数值，进行倒数化以形成优化数据。因此，在优化数据中，原始数据的低光信号强度将调整为高光信号强度，而高光信号强度将调整为低光信号强度，进而形成形状向下凹的模拟光信号强度分布图，如图5所绘示的曲线400。也就是说，相对应于形状向上凸的原始数据(反射光信号强度分布，如曲线300所示)，产生形状向下凹的模拟照射光信号强度分布(优化数据)，如曲线400所示。

中心线C1所对应的数值是表示位于指纹感测区域22的中心位置的发光像素经调整后的照射光信号强度值。值得一提的是，此优化数据可在制造电子装置100时，也就是在电子装置100出厂之前，就已经产生并内建于电子装置100中，例如是存入如图2所绘示的记忆单元70中，以使电子装置100在制造完成后(也就是出厂前)即具有优化数据。也就是说，图1中的步骤S100、S101以及S102是在电子装置100出厂前执行的。或者是，优化数据可以在电子装置100出厂后，使用者执行指纹感测后产生而存入至记忆单元70中的。因此，当电子装置100进行指纹感测时，处理元件80可以依据优化数据控制发光元件20的发光信号强度，以作为发光元件20的指纹感测区域22中的发光像素的电性参数数据，例如是施加于发光像素的电流或电压数值。记忆单元70将于后续段落中详细说明。

图6为依据图5的优化数据控制发光元件所发出的优化照射光束的光信号强度分布图。请同时参考图1、图2、图5以及图6。接着，进行步骤S103，依据优化数据控制发光元件20，以发出优化照射光束。详细而言，电子装置100依据优化数据对应控制发光元件20的指纹感测区域22中的多个发光像素的电性参数，以使距离指纹感测区域22的中心位置愈远的发光像素所发出的照射光信号强度愈大，而距离指纹感测区域22的中心位置愈近的发光像素所发出的照射光信号强度愈小，因而产生形状向下凹的发射光信号强度分布的非均匀光束，如图6所绘示的曲线201。中心线C1所对应的数值是表示位于指纹感测区域22的中心位置的发光像素根据优化数据所产生的照射光信号强度值。具体而言，在本实施例中，从指纹感测区域22的中心至***至少划分为第一区域以及第二区域，而位于第一区域中的发光像素所发出的光信号强度小于位于第二区域中的发光像素所发出的光信号强度。

图7为图6的优化照射光束照射至手指经手指反射后由感测模组60所感测得到的反射光信号强度分布图。请同时参考图1、图2、图6以及图7。如图7所绘示的曲线301所示，优化照射光束(非均匀光束)照射至手指10经手指反射后，由感测模组60所感测得出的反射光信号强度分布会呈现均匀的分布。中心线C2是表示感测像素所组成的感测阵列的中心位置。也就是说，位于感测阵列的中心位置的感测像素所感测到的反射光信号强度值会大致相同于位于感测阵列的边缘位置的感测像素所感测到的反射光信号强度值。也就是说，感测阵列的所有感测像素，不论其位置为何，所感测到的反射光信号强度值是大致相同的。

图8为本发明一实施例的发光元件在依据优化数据产生照射光束之前与之后，感测模组所感测到的实际的反射光信号强度分布曲线。请参考图2及图8。图8所绘示的曲线300A表示，当发光元件20未依据优化数据产生照射光束，也就是说，照射光束的光信号强度分布是均匀(如图3所示的曲线200)时，感测模组60所感测到的反射光信号强度分布。中心线C2所对应的数值是表示感测阵列的中心点位置所感测到的光信号强度值。而曲线301A表示，当发光元件20依据优化数据产生非均匀的照射光束，感测模组60所感测到的反射光信号强度分布。由图8所绘示的曲线300A、301A可得知，相较于均匀光束，当发光元件20发出优化照射光束(非均匀光束)，照射至手指10经反射后由感测模组60感测得出的光信号强度分布较为均匀。因此，本发明可改善感测模组60所感测到的反射光信号强度分布，使其较为均匀，近而获得良好的光学感测影像。

值得一提的是，在本实施例中，电子装置100可为手持电子装置，例如是智慧型手机、平板等手持电子装置。因此，上述的发光元件20的发光信号强度控制方法可实现于内建或挂载的软体应用。具体而言，在本实施例中，电子装置100还可以包含记忆单元70以及处理元件80，且上述的发光元件20的发光信号强度控制方法可以软体形式内建于手持电子装置中的记忆单元70中，可以手动或自动的软体处理方式提出指令，让处理元件80进一步执行控制与调整。处理元件80例如为中央处理单元(central processing unit，CPU)、微处理器(microprocessor)、数位讯号处理器(digital signal processor，DSP)、可程式化控制器、可程式化逻辑装置(programmable logic device，PLD)或其他类似装置或这些装置的组合，本发明并不加以限制。

而在一实施例中，发光信号强度控制方法还可以将优化数据内建或储存至手持电子装置中的储存单元中。当执行指纹感测时，本实施例的电子装置100可依据所储存的优化数据控制发光元件20以提供优化照射光束。如此一来，可减少手持电子装置执行指纹感测时所需的处理运算时间。

图9为本发明另一实施例的发光信号强度控制方法的步骤流程图。图10为本发明一实施例中发光元件所发出的优化照射光束的光信号强度分布图。请参考图2、图9及图10。图9及图10所提供的发光信号强度控制方法及优化照射光束的光信号强度分布至少可应用于图2所绘示的电子装置100，但本发明并不限于此。在本实施例的发光信号强度控制方法中，首先，执行步骤S200，启动发光元件20以发出照射光束，以及感测由手指10所反射的反射光束以得到第一数据。此第一数据如同前述实施例的原始数据，为感测模组60的感测结果，即反射光信号强度分布数据。

接着，执行步骤S201，根据第一数据以形成优化数据。接着，执行步骤S202，依据优化数据控制发光元件20以发出优化照射光束，其中优化照射光束的光信号强度分布是根据三维空间的高斯函数分布呈现渐层光信号强度分布，如图10所绘示的高斯函数分布曲面500。曲面500下方的平面坐标(X轴与Y轴所构成的平面)是对应于指纹感测区域22的坐标位置，而在垂直方向上(Z轴)的数值是表示光信号强度。举例而言，若曲面500在Z轴上的数值越低，则表示在指纹感测区域22中对应XY坐标位置上的发光像素所发出的优化照射光束的光信号强度越低。若曲面500在Z轴上的数值越高，则在指纹感测区域22中对应XY坐标位置上的发光像素所发出的优化照射光束的光信号强度越高。接着，执行步骤S203，启动感测模组60感测由手指10所反射的反射优化照射光束以得到第二数据。

图11A为本发明一实施例的感测模组所感测到的反射光信号强度分布示意图。图11B显示图11A的反射光信号强度分布所对应的类比转数位能量速度(analog-to-digitalconversion energy velocity)相对于不同坐标位置的感测像素的分布曲线。请参考图2、图11A及图11B。在上述根据原始感测数据以产生优化数据的步骤中，还可进一步以下述说明的实施例进行。在本实施例中，首先，处理元件80启动发光元件20以发出照射光束，其中照射光束之光信号强度分布是均匀的。接着，感测模组60感测由手指10所反射的反射光束以得到原始数据，其中感测模组60包含多个感测像素，排列成一感测阵列。接着，重复执行上述两个步骤，以产生对应于不同发光信号强度的多笔原始数据(即感测模组60所感测到的反射光信号强度分布，如图11A所显示)。也就是说，在照射光束是均匀的情况下，调整不同的发光信号强度，以产生多笔原始数据，以产生多笔类比转数位能量速度(ADC EnergyVelocity)相对于不同坐标位置的感测像素的分布曲线，如图11B所显示的曲线601。在图11A中，反射光信号强度分布的显示是以灰阶的方式表达，其中灰阶颜色显示较亮(即颜色较淡)的代表所感测到的反射光信号强度较高，而灰阶颜色显示较暗(即颜色较深)的代表所感测的光信号强度较低。接着，再依据多笔分布曲线建立出控制模型(fitting model)。

图12为本发明一实施例的控制模型的示意图。请参考图2及图12。图12的控制模型中的多笔曲线602是分别对应于感测模组中不同坐标位置的感测像素。也就是说，每一笔曲线602是显示一个特定感测像素，在不同发光信号强度下的类比转数位能量速度。详细而言，在本实施例中，控制模型是绘示成直角坐标关系图，如图12所显示，其中Y坐标代表类比转数位能量速度，X坐标代表发光元件20所发出的照射光束的亮度等级。

因此，为了均匀感测模组所感测到的反射光信号强度，本发明实施例可以设定一个适合的类比转数位能量速度，例如Y轴上的数值15，就可以取得感测模组中不同坐标位置的感测像素所需对应的照射光束亮度等级。换句话说，在依据控制模型得出优化数据(即照射光束的亮度分布)的方法中，可提供感测目标值(即类比转数位能量速度)，并利用控制模型，依据感测目标值计算出指纹感测区域22中不同位置的多个发光像素的发光信号强度，以产生优化数据(即照射光信号强度分布)。

举例而言，在本实施例中，可以将感测目标值设定为15(如图12所显示的线段603)，则可利用控制模型计算出不同位置的发光像素各别所需的亮度等级，如图12所绘示的不同的多个曲线602分别与线段603的交集点所对应的亮度等级值。在本实施例中，曲线602为一阶非线性关系曲线，但本发明并不限于此。在另一实施例中，不同的多个曲线602也可以线性回归函数形成为斜直线，但本发明并不限于此。

图13A为本发明一实施例的发光元件中位于指纹感测区域22的发光像素的发光信号强度相对于发光像素位置的分布曲线。图13B为依据图13A中的分布曲线所产生的优化照射光束的示意图。请参考图2、图13A及图13B。承上所述，本实施例会计算出指纹感测区域22中不同位置的发光像素各别所需的亮度等级(即发光信号强度)，以形成优化数据，如图13A所绘示的曲线604，其显示发光像素的发光信号强度相对于发光像素位置的分布曲线。如上所述，优化数据可以在电子装置100出厂前，内建于记忆单元70中。

之后，也就是电子装置100出厂后，使用者使用电子装置进行指纹感测时，本发明电子装置100会依据优化数据控制发光元件20以发出优化照射光束至手指。此优化照射光束的图样如图13B所绘示。在图13B中，优化照射光束(非均匀光束)的亮度分布是以灰阶的方式表达。其中灰阶颜色较浅的代表光信号强度较高(较亮)，而灰阶颜色较深的代表光信号强度较低(较暗)。如此一来，可均匀感测模组所感测到的光信号强度，以获得良好的光学感测影像。如图13A与图13B所示，在本实施例中，从指纹感测区域22的中心至***划分为多个区域，而距离指纹感测区域22的中心较近的区域中的发光像素所发出的光信号强度小于距离指纹感测区域22的中心较远的区域中的发光像素所发出的光信号强度。

综上所述，本发明的发光元件的发光信号强度控制方法及电子装置，在进行指纹感测时，可提供优化照射光束(非均匀光束)照射至手指，以均匀化感测模组所感测到的光信号强度分布，进而获得良好的光学感测影像品质。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求范围所界定者为准。

Claims (16)

1.一种发光信号强度控制方法，其特征在于，适于电子装置，该电子装置包含处理元件、发光元件，以及感测模组，其中该发光元件包含指纹感测区域，包含多个发光像素，排列成一阵列，而该感测模组安置于该指纹感测区域的下方，该发光信号强度控制方法包含：

该处理元件依据优化数据控制该发光元件的该指纹感测区域发出优化照射光束至放置于该指纹感测区域上方的手指，该优化照射光束经该手指反射后，到达该感测模组，以产生指纹影像，其中该优化照射光束的光信号强度分布是不均匀的，

其中从该指纹感测区域的中心至***至少划分为第一区域以及第二区域，而位于该第一区域中的发光像素所发出的光信号强度小于位于该第二区域中的发光像素所发出的光信号强度。

2.根据权利要求1所述的发光信号强度控制方法，其特征在于，还包含：

该处理元件启动该发光元件以发出照射光束，其中该照射光束的光信号强度分布是均匀的；

该感测模组感测由该手指所反射的反射光束以得到原始数据；以及

该处理元件根据该原始数据以形成出该优化数据。

3.根据权利要求2所述的发光信号强度控制方法，其特征在于，启动该发光元件以发出该照射光束的方法包含：

施加相同电压至该发光元件的该指纹感测区域中的该些发光像素。

4.根据权利要求2所述的发光信号强度控制方法，其特征在于，该原始数据为由该感测模组对该手指所反射的该反射光束进行感测而得出的反射光信号强度分布，其中该感测模组所感测到的该反射光信号强度分布，距离该指纹感测区域的中心位置愈近，光信号强度愈大，距离该指纹感测区域的中心位置愈远，光信号强度愈小。

5.根据权利要求2所述的发光信号强度控制方法，其特征在于，根据该原始数据以形成出该优化数据的方法包含：

将该原始数据的数值进行倒数化以形成该优化数据。

6.根据权利要求1所述的发光信号强度控制方法，其特征在于，另包含：

该处理元件启动该发光元件以发出照射光束，其中该照射光束的光信号强度分布是均匀的；

该感测模组感测由该手指所反射的反射光束以得到原始数据，其中该感测模组包含多个感测像素，排列成感测阵列；以及

重复执行上述两个步骤，以产生对应于不同发光信号强度的多笔该原始数据，并且产生多个类比转数位能量速度相对于该感测阵列中不同坐标位置的该些感测像素的多个分布曲线；

依据该些分布曲线建立出控制模型；

提供感测目标值；以及

利用该控制模型，依据该感测目标值计算出该指纹感测区域中不同位置的该些发光像素的发光信号强度，以产生该优化数据。

7.根据权利要求1所述的发光信号强度控制方法，其特征在于，该处理元件依据该优化数据控制该发光元件发出该优化照射光束的方法包含：

该处理元件依据该优化数据对应调整该发光元件的该指纹感测区域中的该些发光像素的电性参数。

8.根据权利要求1所述的发光信号强度控制方法，其特征在于，该优化照射光束的光信号强度分布是根据三维空间的高斯函数分布呈现距离该指纹感测区域的中心位置愈远，光信号强度愈大的光信号强度分布。

9.一种电子装置，其特征在于，用以感测手指的指纹影像，包含：

发光元件，包含指纹感测区域，包含多个发光像素，排列成一阵列，用以提供优化照射光束至该手指；

处理元件，用以依据优化数据控制该发光元件；以及

感测模组，安置于该指纹感测区域的下方，用以接收经该手指反射后到达该感测模组的该优化照射光束以产生该指纹影像，其中该优化照射光束的光信号强度分布是不均匀的，

其中从该指纹感测区域的中心至***至少划分为第一区域以及第二区域，而位于该第一区域中的发光像素所发出的光信号强度小于位于该第二区域中的发光像素所发出的光信号强度。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，该发光元件用以被该处理元件启动以发出照射光束，该感测模组用以感测由该手指所反射的反射光束以得到原始数据，且该优化数据是根据该原始数据所形成的。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该发光元件的该指纹感测区域中的该些发光像素用以被施加相同电压以发出该照射光束。

12.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该原始数据为由该感测模组对该手指所反射的该反射光束进行感测而得出的反射光信号强度分布数据，其中该感测模组所感测到的光信号强度分布，距离该指纹感测区域的中心位置愈近，光信号强度愈大，距离该指纹感测区域的中心位置愈远，光信号强度愈小。

13.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该优化数据是将该原始数据的数值进行倒数化所形成的。

14.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，该处理元件启动该发光元件以发出照射光束，该照射光束的光信号强度分布是均匀的，该感测模组感测由该手指所反射的反射光束以得到原始数据，其中该感测模组包含多个感测像素，排列成感测阵列，其中多笔该原始数据是对应于不同发光信号强度的照射光束所产生的，且依据多笔该原始数据产生多个类比转数位能量速度相对于该感测阵列中不同坐标位置的该些感测像素的多个分布曲线，其中该些分布曲线建立控制模型，而该控制模型被利用而依据该感测目标值计算出该指纹感测区域中不同位置的该些发光像素的发光信号强度，以产生该优化数据。

15.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该优化照射光束是该发光元件的该指纹感测区域中的该些发光像素的电性参数依据该优化数据对应调整而得出的。

16.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，该优化照射光束的光信号强度分布是根据三维空间的高斯函数分布呈现距离该指纹感测区域的中心位置愈远，光信号强度愈大的光信号强度分布。