CN110423983A - 掩膜版 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种掩膜版。该掩膜版包括掩膜图案区以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区；掩膜图案区与非掩膜图案区的分界为非直线型几何图形，几何图形向掩膜图案区凹陷；非掩膜图案区内设置有固定区，固定区用于固定掩膜版，几何图形位于固定区的相对面。

Description

掩膜版
技术领域
本公开一般涉及掩膜技术领域，尤其涉及一种掩膜版。
背景技术
有机发光二极管(Qrganic Light－emitting Diode，OLED)作为新兴显示与照明技术，成为了研究热点。通常，OLED在制备时采用真空蒸镀方式。实现显示屏的不同分辨率，需要制作出对应数量的像素个数，而像素又由红、绿、蓝三种子像素构成，因此需要分别制作出三种子像素，这就需要掩膜版与基板进行搭配。
在蒸镀过程中，蒸发源会存在一定的蒸镀角，此时要求掩膜版的像素开孔具有的角度要小于等于蒸镀角，才能尽量减少阴影(Shadow)，提高膜层蒸镀精度，减少混色等不良。尤其是随着分辨率的提高，掩膜版上的像素开孔排布也会越来越密集，尺寸也越来越小，又因为有角度限制，导致掩膜版的厚度变得很薄。掩膜版张网时，施加沿掩膜版长边方向的力，易于导致掩膜版产生褶皱、弯曲或扭曲，降低张网精度。
发明内容
本发明人的主要目的在于提供一种掩膜版，提高掩膜版的张网平整度，进而获得优良的掩膜效果。
提供一种掩膜版，包括掩膜图案区以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区；
掩膜图案区与非掩膜图案区的分界为非直线型几何图形，几何图形向掩膜图案区凹陷；
非掩膜图案区内设置有固定区，固定区用于固定掩膜版，几何图形位于固定区的相对面。
较佳地，几何图形为弧形。
较佳地，几何图形为多边形。
较佳地，掩膜版为矩形，固定区位于掩膜版的长边的两端，掩膜版的长边中心线为几何图形的对称中心线。
较佳地，每个几何图形自身为轴对称图形，对称轴为掩膜版的短边中心线。
较佳地，几何图形各点与其紧邻掩膜版的短边的最小距离应大于200微米。
较佳地，掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区，掩膜版的长边中心线为有效掩膜区的对称中心线。
较佳地，掩膜版为矩形，固定区位于掩膜版的短边的两端，掩膜版的短边中心线为几何图形的对称中心线。
较佳地，每个几何图形自身为轴对称图形，对称轴为掩膜版的长边中心线。
较佳地，几何图形各点与其紧邻的掩膜版的长边的最小距离应大于200微米。
根据本申请实施例提供的技术方案，通过将掩膜图案区与非掩膜图案区的分界设置为非直线型几何图形，且该几何图形位于固定区的相对面，能够解决传统的掩膜版易产生褶皱、弯曲或扭曲的问题。进一步的，根据本申请的某些实施例，通过设置几何图形为对称结构，还能解决张网时的受力均匀问题，从而获得张网后的掩膜版的平整性提高的效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了根据本申请实施例的现有掩膜版的示例性结构框图；
图2示出了根据本申请第一实施例的掩膜版的示例性结构框图；
图3示出了根据本申请第一实施例的张网后的掩膜版受力的示例性示意图
图4示出了根据本申请第二实施例的掩膜版的示例性结构框图；
图5示出了根据本申请第三实施例的掩膜版的示例性结构框图；
图6示出了根据本申请观察现有掩膜版的平面平整度的仿真示意图；
图7示出了根据本申请观察现有掩膜版的扭曲状态的仿真示意图；
图8示出了根据本申请观察第一实施例的掩膜版的平面平整度的仿真示意图；
图9示出了根据本申请观察第一实施例的掩膜版的扭曲状态的仿真示意图；
图10示出了根据本申请第四实施例的掩膜版的示例性结构框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
电子产品在制作过程中，往往需要采用掩模版来形成各种图案层。例如，有机发光二极管(Orsganic Light Emitting Diode，OLED)显示装置中有机发光层的蒸镀。
采用掩模版在形成图案膜层时，需要对掩模版进行张网，并固定在框架上，由于掩模版本身的厚度较薄，易生成褶皱、扭曲，使得掩模版不平整，造成了图案变形等不良的掩膜效果。
请参考图1，示出了根据本申请实施例的现有掩膜版的示例性结构框图。掩模版包括掩膜图案区20以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区30，非掩膜图案区30设置有固定区31，固定区31用于固定掩膜版。掩膜图案区与非掩膜图案区的分界为直线图形10。
为了解决上述掩模版张网后的不平整问题，本申请公开如下结构的掩模版。如图2所示，包括掩膜图案区20以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区30；
掩膜图案区20与非掩膜图案区30的分界为非直线型几何图形10，几何图形向掩膜图案区凹陷；
非掩膜图案区30设置有固定区31，固定区31用于固定掩膜版，几何图形10位于固定区31相对面。
下面结合图3说明掩膜图案区20与非掩膜图案区30的分界采用非直线型几何图形时的张网情况。如图3所示，掩模版通过固定区固定至框架，使得掩模版处在张网状态。此时，在掩膜图案区与非掩膜图案区的非直线型几何图形分界上，能够使拉力具有分力，例如能够使拉力F1具有分力F11和分力F12，从而减少褶皱、扭曲的产生，使得掩模版平坦化；而在分界为直线图形时，拉力不存在分力，易产生褶皱、扭曲。
该几何图形可以采用弧形或者多边形。如图2所示，该几何图形为弧形；如图4所示，该几何图形为“<”型；图5所示，该几何图形为“〔”型。此时，都可以在掩膜图案区与非掩膜图案区的非直线型几何图形分界上，能够使拉力具有分力，从而减少褶皱、扭曲的产生，使得掩模版平坦化。本申请的多边形不限于此，还可以采用其他几何图形。
较佳地，如图2所示，掩膜版为矩形，固定区31位于掩膜版的长边13的两端，掩膜版的长边中心线11为几何图形10的对称中心线。图形掩膜版长边13的两端分别设置固定区31，固定区31的相对面设置有几何图形10，且两侧的几何图形10为轴对称结构，掩膜版的长边中心线11为该对称结构的对称轴。这样的布局，使得张网后，对称轴两边对称点上形成方向相反且大小相同的拉力，例如图3所示，拉力F1和拉力F2，有利于掩膜版趋于平整。
较佳地，每个几何图形10自身为轴对称图形，对称轴为掩膜版的短边中心线12。几何图形10是以掩膜版的短边中线12为对称轴的对称图形，使得张网后，对称轴两边对称点上形成大小相同的分力，如图3中的分力F11和F32有利于掩膜版趋于平整。
同理，图4和图5中的两侧的几何图形10也可以设计成长边中心线11的对称结构，并且自身是以短边中心12为对称轴的对称结构。
较佳地，几何图形10各点与其紧邻掩膜版的短边14的最小距离D1应大于200微米。如图2所示，几何图形10各点与其紧邻掩膜版的短边14的最小距离为D1，且距离D1应大于200微米。距离D1太小，如小于200微米时，无法保证掩膜图案区20被蒸镀的薄膜厚度的均匀性。
较佳地，掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区40，掩膜版的长边中心线11为有效掩膜区40的对称中心线。如图2所示，掩膜图案区包括三个有效掩膜区40，有效掩膜区采用以掩膜版的长边中心线11为对称轴的对称结构。对称结构使得有效掩膜区40在张网时，获得较佳的平整效果。
下面结合图6-9说明掩膜版大小相同且固定区施加相同拉力时，分界采用直线和弧形两种几何图形的褶皱和扭曲程度的仿真示意图。图6-9示出了四分子一掩膜版的应变分布情况，即采用应变表示变形程度，上方为掩膜版的固定区，下方为掩膜图案区。物体在受到外力作用下会产生一定的变形，变形的程度称为应变。为了便于观察，图中下方的横条给出不同的应变区间，每个应变数值对应一个子区间。如图6的掩膜版的应变在-.014576至-.131185的范围的9个子区间，对应到掩膜版上，是以从上至下的应变变化过程，掩膜版的最下方的区间为应变数值为-.131185的子区间，掩膜版的最上方的区间为应变数值为-.014576的子区间。
其中图6和图8给出了掩膜版平面状态的仿真图，如图6所示，在-.116609应变点附近出现凹陷，表示出现褶皱或扭曲，如图7中-.116609应变点附件出现明显的扭曲。而图8中每个受力点成平滑状，未出现凹凸不平的褶皱或扭曲，如图9中并未出现扭曲。另外，图8中最下方的-.113261应变区间明显大于图6最下方的-.116609应变区间，即图8中位于掩膜图案区的平坦程度优于图6。可见，改进后，掩膜版的平坦程度获得了改善。
另外，如图10所示，掩膜版为矩形时，固定区31还可以位于掩膜版的短边14的两端，掩膜版的短边中心线11为几何图形的对称中心线。图10中几何图形10为弧形，该结构下，几何图形10还可以为多边形例如“<”型或“〔”型。本申请的多边形不限于此，还可以采用其他几何图形。
较佳地，每个几何图形10自身为轴对称图形，对称轴为掩膜版的长边中心线13。
较佳地，几何图形10各点与其紧邻的掩膜版的长边的最小距离D2应大于200微米。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种掩膜版，包括掩膜图案区以及位于所述掩膜图案区四周的非掩膜图案区，其特征在于，
所述掩膜图案区与所述非掩膜图案区的分界为非直线型几何图形，所述几何图形向所述掩膜图案区凹陷；
所述非掩膜图案区内设置有固定区，所述固定区用于固定所述掩膜版，所述几何图形位于所述固定区的相对面。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述几何图形为弧形。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述几何图形为多边形。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版为矩形，所述固定区位于所述掩膜版的长边的两端，所述掩膜版的长边中心线为所述几何图形的对称中心线。
5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，每个所述几何图形自身为轴对称图形，对称轴为所述掩膜版的短边中心线。
6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述几何图形各点与其紧邻所述掩膜版的短边的最小距离应大于200微米。
7.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区，所述掩膜版的长边中心线为所述有效掩膜区的对称中心线。
8.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版为矩形，所述固定区位于所述掩膜版的短边的两端，所述掩膜版的短边中心线为所述几何图形的对称中心线。
9.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，每个所述几何图形自身为轴对称图形，对称轴为所述掩膜版的长边中心线。
10.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述几何图形各点与其紧邻的所述掩膜版的长边的最小距离应大于200微米。
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