CN110416254B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括显示区和非显示区，阵列基板包括：第一、二金属层，第一、二金属层于显示区内形成多条栅极线，其中，第一金属层和/或第二金属层自显示区延伸至非显示区，并于非显示区内形成多条第一信号连接线；驱动芯片，位于非显示区；第三金属层，第三金属层于显示区内形成多条数据线，第三金属层形成多条第二信号连接线，每条第二信号连接线自驱动芯片引出，每条第二信号连接线分别与自显示区延伸至非显示区的一条第一信号连接线电连接以形成一信号传输线，其中，第三金属层的电阻率小于第一金属层及第二金属层，多条信号传输线之间的阻抗差值小于预设阈值。本发明提供的阵列基板及显示面板，其改善显示效果。

Description

阵列基板及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

近年来，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)技术发展迅速，已经成为最有可能替代LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)的前景技术。

现有技术中，显示面板的数据线或栅极线在非显示区集中后，引入至设置在显示面板***几个特定的焊盘区域，以实现与驱动芯片进行信号传输

由于数据线或栅极线等信号线距离焊盘区域有长有短，如信号线集中的区域中，靠近显示面板边缘的信号线最长，其电阻最大，而位于信号线集中的区域中央的信号线最短，其电阻也最小。

不同的信号线之间存在因长度不同而导致的电阻不同，因此当加载信号时，不同信号线间存在其上所传输的数据信号的波形延迟过大，使信号线所控制的像素亮度不均，影响显示效果。

发明内容

本发明为了克服上述现有技术存在的缺陷，提供一种阵列基板及显示面板，其改善显示效果。

本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区和非显示区，包括：第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和第二金属层于所述显示区内形成多条栅极线，所述第一金属层和/或第二金属层自所述显示区延伸至所述非显示区，并于所述非显示区内形成多条第一信号连接线；驱动芯片，位于所述非显示区；第三金属层，所述第三金属层于所述显示区内形成多条数据线，所述第三金属层还形成多条第二信号连接线，每条所述第二信号连接线自所述驱动芯片引出，并与自所述显示区延伸至所述非显示区的所述第一信号连接线电连接以形成多条信号传输线，多条信号传输线之间的阻抗差值小于预设阈值，其中所述第三金属层的电阻率小于第一金属层及第二金属层。

可选地，多条信号传输线之间的阻抗差值等于0。

可选地，各所述第二信号线于所述阵列基板上沿所述数据线方向的投影长度相等。

可选地，所述信号传输线于所述阵列基板上的投影长度越长，所述第二信号线于所述阵列基板上的投影越长。

可选地，部分所述信号传输线仅包括所述第一信号连接线。

可选地，所述第一信号连接线由所述第一金属层和所述第二金属层交替形成。

可选地，所述第一信号连接线与所述第二信号通过过孔电连接。

可选地，所述第二金属层位于所述第一金属层和所述第三金属层之间。

可选地，所述第一金属层和所述第二金属层由钼或者铝形成。

可选地，所述第三金属层由钛铝钛的复合层或者由铜形成。

根据本发明的又一方面，还提供一种显示面板，包括：如上所述的阵列基板；以及OLED元件，形成于所述阵列基板上。

与现有技术相比，本发明通过设置第三金属层形成的第二信号连接线，使第二信号连接线的两端分别连接驱动芯片的焊盘及第一金属层和/或第二金属层形成的第一信号连接线，减少信号传输线的电阻，并减少信号传输线之间的阻抗差异。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1示出了本发明实施例的显示面板的示意图。

图2示出了本发明实施例的显示面板的显示区的截面图。

图3示出了本发明实施例的阵列基板的示意图。

图4示出了本发明实施例的信号连接线电连接的示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。

本发明的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的尺寸采用了夸示的绘图方式以便于理解，附图中的尺寸并不代表实际尺寸的比例关系。

首先参见图1，图1示出了本发明实施例的显示面板的示意图。显示面板为OLED显示面板20。OLED显示面板20至少包括显示单元200、扫描驱动器220、数据驱动器230。OLED显示设备20中也可以包括其他设备和/或元件。

显示单元200可以包括连至栅极线(S1到Sn)、发光控制线(EM1到EMn)和数据线(D1到Dm)的多个子像素(或像素)210。

显示单元200可以显示图像以便和从外部提供的第一功率源(ELVdd)以及从外部提供的第二功率源(ELVss)相对应。显示单元200还可以显示与由扫描驱动器220生成的栅极线S1到Sn提供的扫描信号以及发光控制线EM1到EMn提供的发光控制信号、以及由数据驱动器230生成的数据线D1到Dm提供的数据信号相对应的图像。

扫描驱动器220可以生成扫描信号和发光控制信号。扫描驱动器220内生成的扫描信号可以被顺序地提供给栅极线(S1到Sn)，发光控制信号可以被顺序地提供给每一条发光控制线(EM1到EMn)。扫描信号和发光信号也可以分别不按顺序地被提供给栅极线S1到Sn以及发光控制线EM1到EMn。在其他实施例中，发光控制信号也可由发光控制驱动器来生成。

数据驱动器230可以接收输入信号，例如RGB数据，并且可以生成和接收到的输入信号相对应的数据信号。数据驱动器230内生成的数据信号可以通过数据线(D1到Dm)被提供给子像素210，以便与扫描信号同步。数据信号也可以以和扫描信号不同步的方式被提供给数据线D1到Dm。

在图1的显示面板中，显示单元200形成显示面板的显示区，显示区外的部分为非显示区，各驱动器和自显示区延伸至非显示区的信号连接线位于非显示区。

下面参见图2，图2示出了本发明实施例的显示面板的显示区的截面图。

显示面板300包括基板310、薄膜晶体管(TFT元件)及显示元件380。薄膜晶体管包括依次在基板310上形成的栅极320、有源层340以及源极350和漏极360。栅极320与有源层340、源极350和漏极360之间还形成有栅极绝缘层330。薄膜晶体管与显示元件380之间还形成有钝化层370。栅极320与栅极线同层，由第一金属层和第二金属层形成。源极350和漏极360与数据线同层，由第三金属层形成。

显示元件380优选地为OLED元件，其包括在钝化层370上依次形成的第一电极层381、有机功能层及第二电极层。在本实施例中，第一电极层381为阳极，第二电极层为阴极。阳极381优选地为ITO/Ag/ITO复合薄膜。在一些变化例中，阳极381还可以使用其他材料来形成。阳极381穿过钝化层370与薄膜晶体管的漏极360连接。阴极优选地由Al来形成。在一些变化例中，阴极也可以使用其他材料或复合薄膜来形成。有机功能层可包括依次在阳极381上形成的空穴传输层、发光层及电子传输层。

由显示元件380所形成的像素之间还形成有像素定义层390。像素定义层390位于钝化层370上，并间隔相邻像素。

下面结合图3及图4描述本发明提供的阵列基板。图3示出了本发明实施例的阵列基板的示意图。

图4示出了本发明实施例的信号连接线电连接的示意图。阵列基板包括显示区110和非显示区120。阵列基板的显示区110对应图1所示的显示单元。非显示区120围绕显示区110供显示区110内的栅极线及数据线等连接至位于驱动芯片。阵列基板包括第一金属层、第二金属层、第三金属层及驱动芯片140。

第一金属层和第二金属层于显示区110内形成多条栅极线(如图1所示)及各像素中的薄膜晶体管的栅极(如图2所示)。第一金属层和第二金属层可选地由钼或者铝形成。在一些具体实施例中，第一金属层位于一基板上，且第一金属层位于基板和第二金属层之间。在本实施例中，第一金属层自显示区110延伸至非显示区120，并于非显示区120内形成多条第一信号连接线131。

第三金属层可以位于第二金属层之上。换言之，在一些实施例中，第二金属层位于第一金属层和第二金属层之间。在一些变化例中，第三金属层也可位于第二金属层与基板之间。第三金属层于显示区110内形成多条数据线(如图1所示)及各像素的薄膜晶体管的源极和漏极(如图2所示)。第三金属层形成多条第二信号连接线132。每条第二信号连接线132自驱动芯片140引出，并与自显示区110延伸至非显示区120的第一信号连接线131电连接以形成多条信号传输线。进一步地，第一信号连接线131与第二信号连接线132通过过孔电连接。具体参见图4，基板410上，由第一金属层形成的第一信号连接线420通过第一金属层和第三金属层之间的绝缘层的过孔与第三金属层形成的第二信号连接线430电连接。连接第一信号连接线420和第二信号连接线430的过孔可作为驱动芯片140的焊盘。第三金属层的电阻率小于第一金属层及第二金属层。第三金属层可以由钛铝钛的复合层或者由铜形成，这样第三金属层的材料的电阻率更小。当薄膜晶体管的源漏极与数据线不同层的情况下，第三金属层可用作数据线及其他需要导线联通的地方。

在本实施例中，多条信号传输线之间的阻抗差值小于预设阈值。具体而言，信号传输线于阵列基板上的投影长度越长，第二信号线131于所述阵列基板上的投影越长。可以理解，信号传输线的阻抗与信号传输线的长度正相关，通过由电阻率较低的第三金属层形成的第二信号线132与第一信号线131串联以获得较小的信号传输线的阻抗。进一步地，如图3所示，越靠近阵列基板边缘的信号传输线越长，其第二信号线132的长度越长；越靠近阵列基板中央的信号传输线越短，其第二信号线132的长度越短，这样可以减小多条信号传输线之间的阻抗差值，使得多条信号传输线之间的阻抗差值小于预设阈值(例如，相邻电阻差值小于5～10Ω，最大和最小电阻差值小于10倍)。在一个优选例中，可以计算各第二信号线132的长度使得多条信号传输线之间的阻抗差值相等。

在本实施例的一个变化例中，为了便于第二信号线的制程，各第二信号线于阵列基板上沿数据线方向的投影长度相等。在这样的实施例中，各信号传输线于阵列基板上沿数据线方向的投影长度相等，而越靠近阵列基板边缘的信号传输线于阵列基板的垂直投影的长度越长。尽管未精确计算第二信号线的长度，但也可以使得越靠近阵列基板边缘的第二信号线于阵列基板的垂直投影的长度越长，进而减小多条信号传输线之间的阻抗差值。

在本实施例的又一个变化例中，仅靠近阵列基板边缘的部分信号传输线采用第三金属层形成的第二信号连接线132，而靠近阵列基板中央的信号传输线可仅包括第一信号连接线131。由此，可以仅制作部分第二信号连接线132即可减小多条信号传输线之间的阻抗差值。

在本实施例的又一个变化例中，第一信号连接线131可由第一金属层和第二金属层交替形成。换言之，相邻两条由第一金属层形成的第一信号连接线131之间有一条由第二金属层形成的第一信号连接线131。

上述各个实施例及变化例仅仅是示意性的描述了本发明的基本构思，本领域技术人员可以实现更多的变化方式，在不违背本发明基本构思的前提下，这些变化方式都在本发明的保护范围之内。

与现有技术相比，本发明通过设置第三金属层形成的第二信号连接线，使第二信号连接线的两端分别连接驱动芯片的焊盘及第一金属层和/或第二金属层形成的第一信号连接线，减少信号传输线的电阻，并减少信号传输线之间的阻抗差异。

以上具体地示出和描述了本发明的示例性实施方式。应该理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明意图涵盖包含在所附权利要求范围内的各种修改和等效置换。

Claims (10)

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区和非显示区，其特征在于，包括：

第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和第二金属层于所述显示区内形成多条栅极线，

其中，所述第一金属层和/或第二金属层自所述显示区延伸至所述非显示区，并于所述非显示区内形成多条第一信号连接线；

驱动芯片，位于所述非显示区；

第三金属层，所述第三金属层于所述显示区内形成多条数据线，所述第三金属层还形成多条第二信号连接线，每条所述第二信号连接线自所述驱动芯片引出，每条所述第二信号连接线分别与自所述显示区延伸至所述非显示区的一条所述第一信号连接线电连接以形成一信号传输线，其中，所述第三金属层的电阻率小于第一金属层及第二金属层，多条信号传输线之间的阻抗差值小于预设阈值，所述第一信号连接线由所述第一金属层和所述第二金属层交替形成。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多条信号传输线之间的阻抗差值等于零。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，各所述第二信号线于所述阵列基板上沿所述数据线方向的投影长度相等。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号传输线于所述阵列基板上的投影长度越长，所述第二信号线于所述阵列基板上的投影越长。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，部分所述信号传输线仅包括所述第一信号连接线。

6.如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号连接线与所述第二信号连接线通过过孔电连接。

7.如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层位于所述第一金属层和所述第三金属层之间。

8.如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层由钼或者铝形成。

9.如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层由钛铝钛的复合层或者由铜形成。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1至9任一项所述的阵列基板；以及

OLED元件，形成于所述阵列基板上。

Images