CN110010658B

CN110010658B - 显示装置

Info

Publication number: CN110010658B
Application number: CN201811561865.XA
Authority: CN
Inventors: 申起燮; 金炯洙; 尹斗铉
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2017-12-27
Filing date: 2018-12-20
Publication date: 2023-05-26
Anticipated expiration: 2038-12-20
Also published as: US20190198819A1; KR102437327B1; CN110010658A; US10950822B2; KR20190079254A

Abstract

提供了一种能够通过提高光提取效率而提高亮度的显示装置。所述显示装置能够包括：设置在基板上的薄膜晶体管；设置在所述薄膜晶体管上并且包括沟槽部分的第一涂覆层；设置在包括所述沟槽部分的内侧的所述第一涂覆层上的反射层；设置在所述反射层上并且位于所述沟槽部分中的滤色器；设置在所述滤色器和所述反射层上的第二涂覆层；设置在所述第二涂覆层上并且连接至所述薄膜晶体管的第一电极；设置在所述第一电极上并且包括暴露所述第一电极的开口部分的堤层；设置在所述堤层和所述第一电极上的有机层；以及设置在所述有机膜层上的第二电极。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置，更具体而言涉及能够通过提高光提取效率而提高亮度的显示装置。

背景技术

随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求也随之提高。在显示装置领域，轻薄的并且能够覆盖大面积的平板显示器(FPD)已经迅速取代了笨重的阴极射线管(CRT)。平板显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)、电泳显示器(ED)等。

在这些类型的显示器当中，有机发光显示器是自发光装置，并且具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角。值得注意的是，有机发光显示器能够制作在柔性塑料基板上，并且相对于等离子体显示面板或者无机发光显示器具有优势，因为与等离子体显示面板或者无机电致发光(EL)显示器相比，其能够在低电压下工作，具有更低功耗，并且能够提供生动的颜色再现。

根据光的发射方向，有机发光显示器被划分为底部发射显示器和顶部发射显示器。在底部发射显示器中，从发射层发射的光被朝向底部发射，在顶部发射显示器中，光被朝向顶部发射。在顶部发射显示器中，亮度是由光提取效率决定的，因为来自发射层的光将被朝向顶部发射。因而，光提取效率的提高一直处于持续的研究当中。

发明内容

本发明提供了一种能够通过提高光提取效率而提高亮度的显示装置。

根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：设置在基板上的薄膜晶体管；设置在所述薄膜晶体管上并且包括沟槽部分的第一涂覆层；设置在包括所述沟槽部分的内侧的所述第一涂覆层上的反射层；设置在所述反射层上并且位于所述沟槽部分中的滤色器；设置在所述滤色器和所述反射层上的第二涂覆层；设置在所述第二涂覆层上并且连接至所述薄膜晶体管的第一电极；设置在所述第一电极上并且包括暴露所述第一电极的开口部分的堤层；设置在所述堤层和所述第一电极上的有机层；以及设置在所述有机膜层上的第二电极。

在平面中看，所述开口部分能够完全与所述沟槽部分重叠。

所述沟槽部分的平面表面的尺寸能够等于或者大于开口部分的平面表面的尺寸。

所述反射层能够经由穿过所述第一涂覆层并且能够暴露所述薄膜晶体管的第一通孔连接至所述薄膜晶体管。

所述第一电极能够经由穿过所述第二涂覆层并且能够暴露所述第一通孔的第二通孔连接至所述反射层。

所述沟槽部分能够具有45度到90度的坡度。

所述沟槽部分能够具有60度到80度的坡度。

所述第二涂覆层能够仅位于所述沟槽部分内。

所述第一涂覆层的表面能够与所述第二涂覆层的表面一致。

所述第一电极能够是透明电极。

附图说明

所包括的用于提供对本发明的进一步理解并且被包括到本说明书当中并构成了本说明书的部分的附图示出了本发明的实施例，所述附图与文字描述一起起着说明本发明的原理的作用。在附图中：

图1是根据本发明的实施例的一种有机发光显示器的示意性方框图，

图2是示出了根据本发明的子像素的电路配置的第一范例的第一图示；

图3是示出了根据本发明的子像素的电路配置的第二范例的第二图示；

图4是示出了根据本发明的示例性实施例的有机发光显示器的顶视平面图；

图5是示出了根据本发明的示例性实施例的有机发光显示器的子像素的截面图；

图6是示出了根据本发明的示例性实施例的沟槽部分、发射区域和开口部分的顶视平面图；

图7是示出了根据本发明的示例性实施例的第一涂覆层内的沟槽部分的截面图；

图8是示出了光反射路径的模式图；以及

图9是示出了根据本发明的另一示例性实施例的显示装置的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。在整个说明书中，相似的附图标记表示基本类似的构成部分。在对本发明的描述当中，在认为对与本发明有关的已知功能或配置的详细描述能够对本发明的主题造成不必要的模糊时，将省略该详细描述。文中使用的元件的术语和名称是为了便于描述而选择的，其能够不同于实际产品中使用的部分的名称。在使用“在……上”、“在……之上”、“在……之下”、“邻近……”等词语描述两个部分之间位置关系时，只要没有使用词语“紧接着”或者“直接”，一个或多个部分就可以位于所述两个部分之间。

根据本发明的一个或多个实施例的显示装置是其中在玻璃基板或柔性基板上形成显示元件的显示装置。尽管显示装置的示例包括有机发光显示器、液晶显示器和电泳显示器等，但是将针对有机发光显示器描述本发明。有机发光显示器包括处于作为阳极的第一电极和作为阴极的第二电极之间的由有机材料构成的有机层。来自第一电极的空穴和来自第二电极的电子在有机层内复合，从而形成了激子，即，电子空穴对。之后，随着激子返回基态而产生能量，由此使得自发光显示器发射光。

根据本发明的一个或更多实施例的显示装置是顶部发射有机发光显示器。在所述顶部发射有机发光显示器当中，从发射层发射的光通过上覆的透明第二电极释放。

在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。

图1是根据本发明的实施例的一种有机发光显示器的示意性方框图。

图2是示出了根据本发明的子像素的电路配置的第一范例的第一图示。图3是示出了根据本发明的子像素的电路配置的第二范例的第二图示。根据本发明的所有实施例的有机发光显示器和其它显示器的所有实施例是操作上耦合和配置的。

参考图1，一种有机发光显示器包括图像处理器10、定时控制器20、数据驱动器30、栅极驱动器40和显示面板50。

图像处理器10输出数据启用信号DE等连同外部提供的数据信号DATA。除了数据启用信号DE之外，图像处理器10能够输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一者或多者，但是为了便于解释，这些信号在附图中未示出。图像处理器10能够是按照***电路板上的IC(集成电路)的形式提供的。

定时控制器20接收来自图像处理器10的数据信号DATA连同数据启用信号DE或者包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号在内的驱动信号。

基于所述驱动信号，定时控制器20输出用于控制栅极驱动器40的操作定时的栅极定时控制信号GDC以及用于控制数据驱动器30的操作定时的定时控制信号DDC。定时控制器20能够是按照控制电路板上的IC的形式提供的。

响应于由定时控制器20提供的数据定时控制信号DDC，数据驱动器30对从定时控制器20提供的数据信号DATA抽样并锁存，将其转换为伽马参考电压，并输出所述伽马参考电压。数据驱动器30通过数据线DL1到DLn输出数据信号DATA，其中n是正整数。数据驱动器30能够以IC的形式接合到基板上。

响应于从定时控制器20提供的栅极定时控制信号GDC，栅极驱动器40在使栅极电压的电平移位的同时输出栅极信号。栅极驱动器40通过栅极线GL1到GLm输出栅极信号，其中m是正整数。栅极驱动器40以IC的形式形成于栅极电路基板上，或者通过面板内栅极(GIP)技术形成于显示面板50上。

显示面板50显示对应于分别从数据驱动器30和栅极驱动器40提供的数据信号DATA和栅极信号的图像。显示面板50包括显示图像的多个子像素SP。

参考图2，每一子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、补偿电路CC和有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED通过响应于驱动晶体管DR提供的驱动电流而操作以发射光。

响应于通过栅极线GL1提供的栅极信号，开关晶体管SW导通，从而将通过第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压存储到电容器Cst内。驱动晶体管DR操作使得响应于存储在电容器Cst中的数据电压，驱动电流在高电平电源线VDD和低电平电源线GND之间流动。补偿电路CC是用于补偿驱动晶体管DR的阈值电压等的电路。此外，连接至开关晶体管SW或驱动晶体管DR的电容器Cst能够位于补偿电路CC内。补偿电路CC包括一个或多个薄膜晶体管和电容器。补偿电路CC根据补偿方法具有很宽范围的各种配置，因而将省略对其的详细图示和描述。

如图3所示，在添加了补偿电路CC的情况下，子像素能够进一步包括信号线、电源线等，以提供特定信号或功率以及驱动补偿薄膜晶体管。栅极线GL1能够包括用于向开关晶体管SW提供栅极信号的第(1-1)栅极线GL1a以及用于驱动子像素内包括的补偿薄膜晶体管的第(1-2)栅极线GL1b。所述的额外电源线能够被定义为用于使子像素的特定节点复位的复位电源线INIT。但是，这只是一个示例，本发明不限于此。

同时，图2和图3通过举例方式示出了包括补偿电路CC的子像素。然而，如果有补偿实体或电路位于子像素外，例如，位于数据驱动器30等当中，那么能够省略补偿电路CC。也就是说，例如，如果向子像素添加补偿电路CC，那么每一子像素能够具有包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器和有机发光二极管OLED的2T(晶体管)1C(电容器)结构，或者能够具有诸如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等的各种替代结构。尽管图2和图3表明补偿电路CC位于开关晶体管SW和驱动晶体管DR之间，但是补偿电路CC能够位于驱动晶体管DR和有机发光二极管OLED之间。补偿电路CC的位置和结构不限于图2和图3所示的那些，并且包括其它变形。

图4是示出了根据本发明的示例性实施例的有机发光显示器的顶视平面图。图5是根据本发明的示例性实施例的有机发光显示器的子像素的截面图。图6是示出了根据本发明的示例性实施例的沟槽部分、发射区域和开口部分的顶视平面图。图7是示出了根据本发明的示例性实施例的第一涂覆层内的沟槽部分的截面图。图8是示出了光反射路径的模式图。图9是示出了根据本发明的另一示例性实施例的显示装置的截面图。

参考图4，所述有机发光显示器包括基板SUB1、显示区域A/A、置于显示区域A/A的任一侧的GIP驱动器GIP以及置于基板SUB1的底部的焊盘部分PD。多个子像素SP位于显示区域A/A中，并且发射R、G、B或者R、G、B、W以表示全色。GIP驱动器GIP置于显示区域A/A的任一侧，并且向显示区域A/A施加栅极驱动信号。焊盘部分PD置于显示区域A/A的一侧，例如，底部一侧，并且膜上芯片COF被接合到焊盘部分DP。通过膜上芯片COF向从显示区域A/A连接的多条信号线施加数据信号和电功率。

现在，将参考图5描述根据本发明的有机发光显示器的每一子像素SP的截面结构。

参考图5，根据本发明的示例性实施例的有机发光显示器具有处于基板SUB1上的缓冲层BUF。基板SUB1能够由玻璃、塑料或金属构成。缓冲层BUF用于保护在后续工艺中形成的薄膜晶体管免受从基板SUB1泄漏出的诸如碱离子的杂质影响。缓冲层BUF能够是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或者这些化合物构成的多层。

半导体层ACT和电容器下电极LCT位于缓冲层BUF上。半导体层ACT能够由硅半导体或者氧化物半导体形成。硅半导体能够包括非晶硅或者结晶的多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，超过100cm²/Vs)、低功耗和良好的可靠性。因而，能够将多晶硅应用于用于驱动元件和/或复用器(MUX)的栅极驱动器，或者应用于像素当中的驱动TFT。由于氧化物半导体具有低截止电流，所以氧化物半导体适用于具有短导通时间和长截止时间的开关TFT。此外，由于氧化物半导体能够因低截止电流而增长像素的电压保持时间，所以氧化物半导体适用于需要低速操作和/或低功耗的显示装置。此外，半导体层ACT包括漏极区和源极区，它们均包括p型杂质或n型杂质，并且还包括处于漏极区和源极区之间的沟道。电容器下电极LCT由与半导体层ACT相同的材料构成，并且能够充当电容器的下电极，因为其通过杂质掺杂而变得导电。

栅极绝缘膜GI设置在半导体层ACT和电容器下电极LCT上。栅极绝缘膜能够是氧化硅SiOx、氮化硅SiNx或者这些化合物构成的多层。栅电极GA设置在栅极绝缘膜GI上且对应于半导体层ACT的某区域，即，用于注入杂质的沟道，电容器上电极UCT设置在栅极绝缘膜GI上且在位置上对应于电容器下电极LCT。栅电极GA能够由从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或者这些元素的合金构成的多层所构成的集合中选出的任一项构成。此外，栅电极GA能够是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)之一或多个或者这些元素的合金所形成的多层。例如，栅电极GA能够由钼/铝-钕或者钼/铝这样的双层构成。电容器上电极UCT由与栅电极GA相同的材料构成。电容器下电极LCT和电容器上电极UCT形成了电容器Cst。

用于对栅电极GA和电容器上电极UCT绝缘的层间绝缘膜ILD位于栅电极GA和电容器上电极UCT上。层间绝缘膜能够是氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或者这些化合物构成的多层。暴露半导体层ACT的部分的接触孔CH位于层间绝缘膜ILD的一些区域内。漏电极DE和源电极SE位于层间绝缘膜ILD上。漏电极DE经由暴露半导体层ACT的漏极区的接触孔CH连接至半导体层ACT，且源电极SE经由暴露半导体层ACT的源极区的接触孔CH连接至半导体层ACT。

所述源电极SE和漏电极DE能够是单层或多层。如果源电极SE和漏电极DE由单层构成，那么它们能够由从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或者这些元素的合金所构成的组中选出的任一项构成。另一方面，如果源电极SE和漏电极DE由多个层构成，那么它们能够由钼/铝-钕这样的两层构成，或者由钛/铝/钛、钼/铝/钼或者钼/铝-钕/钼这样的三层构成。照此，形成了包括半导体层ACT、栅电极GA、漏电极DE和源电极SE的薄膜晶体管TFT。

钝化膜PAS设置在包括薄膜晶体管TFT的基板SUB1上。钝化膜PAS是保护在下元件的绝缘膜，并且能够是氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或者这些化合物构成的多层。而且，暴露漏电极DE的钝化孔PAH位于钝化膜PAS内。第一涂覆层OC1设置在钝化膜PAS上。第一涂覆层OC1能够是用于抹平在下结构上的不规则性的平面化膜，并且可以由诸如聚酰亚胺、基于苯并环丁烯的树脂、丙烯酸酯等的有机材料构成。暴露漏电极DE的第一通孔VIA1位于第一涂覆层OC1的某区域中。

有机发光二极管OLED设置在第一涂覆层OC1上。更具体而言，第一电极ANO设置在第一涂覆层OC1上的形成第一通孔VIA1的位置上。第一电极ANO能够用作像素电极，并且经由第一通孔VIA1连接至薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一电极ANO是阳极，并且能够由透明导电材料构成，例如，ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或ZnO(氧化锌)。

用于限定像素的堤层BNK设置在第一电极ANO上。堤层BNK由诸如聚酰亚胺、基于苯并环丁烯的树脂、丙烯酸酯等的有机材料构成。堤层BNK具有暴露第一电极ANO的某部分的开口部分OP。暴露第一电极ANO的有机层EML位于基板SUB1的整个表面上。有机层EML是通过电子和空穴的复合发射光的层。空穴注入层或者空穴传输层能够形成于有机层EML和第一电极ANO之间，电子传输层或者电子注入层能够形成于有机层EML上。第二电极CAT设置在有机层EML上。第二电极CAT位于显示区域的整个表面上，并且为阴极。第二电极CAT能够由诸如IZO、ITO或ITZO的透明金属氧化物构成，或者能够由镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其合金构成。因此，本发明的有机发光显示器得到了配置。

同时，根据本发明的实施例的显示装置包括形成于第一涂覆层OC1中的沟槽部分OCG、覆盖沟槽部分OCG的反射层RFL、位于沟槽部分OCG中的滤色器以及覆盖沟槽部分OCG和滤色器CF的第二涂覆层OC2。所有的这些元件均位于有机发光二极管OLED和钝化膜PAS之间。

更具体而言，沟槽部分OCG形成于第一涂覆层OC1中。沟槽部分OCG位于第一涂覆层OC1中，且在位置上对应于堤层BNK的开口部分OP。在平面中看，开口部分OP完全与沟槽部分OCGOP重叠。堤层BNK的开口部分OP包括第一电极ANO、有机层EML以及与第二电极CAT重叠并发射光的发射区EP。本发明的沟槽部分OCG至少与发射区EP和堤层BNK的开口部分OP重叠。

反射层RFL设置在第一涂覆层OC1上的形成沟槽部分OCG和第一通孔VIA1的位置上。反射层RFL经由第一通孔VIA1连接至漏电极DE，并且设置在包括沟槽部分OCG的内周缘的第一涂覆层OC1上。本发明的反射层RFL跨越沟槽部分OCG的整个内周缘形成，从而将从有机发光二极管OLED发射的光朝上反射。反射层RFL能够由但不限于提供良好的反射率的铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或其合金构成，但是其不受具体限制，只要提供良好反射率即可。

同时，参考图6，沟槽部分OCG的平面表面的尺寸等于或者大于开口部分OP的平面表面的尺寸。例如，如图6所示，第一涂覆层OC1的沟槽部分OCG的平面表面的尺寸大于开口部分OP和发射区EP的平面表面的尺寸。而且，第一涂覆层OC1的沟槽部分OCG被设置为包括开口部分OP和发射区EP。因而，从有机发光二极管OLED的发射区EP发射的光能够完全被沟槽部分OCG接收，并且被经反射层RFL反射。

出于这一目的，参考图7，第一涂覆层OC1的沟槽部分OCG具有45到90度的坡度θ。如果沟槽部分OCG的坡度θ比45度陡，那么从有机发光二极管OLED的发射区EP发射的光能够完全被沟槽部分OCG接收到，并经反射层RFL向上反射。如果沟槽部分OCG的坡度θ比90度陡，那么能够使光保持局限于沟槽部分OCG中，并且被完全向上反射。就光反射效率而言，第一涂覆层OC1的沟槽部分OCG具有60到80度的坡度θ是优选的。

返回参考图5，滤色器CF被置于沟槽部分OCG中的形成反射层RFL的位置上。滤色器CF填充沟槽部分OCG，并且从有机发光二极管OLED发射的光能够从反射层RFL受到反射，并且其颜色将通过滤色器CF受到转换。

第二涂覆层OC2设置在第一涂覆层OC1、反射层RFL和滤色器CF上，从而覆盖它们。第二涂覆层OC2能够将在下沟槽部分OCG、反射层RFL和滤色器CF引起的不规则性抹平。第二涂覆层OC2能够由与前述第一涂覆层OC1相同的材料构成。第二涂覆层OC2并不具体局限于某厚度，而是优选被形成为具有足以将其下的不规则性抹平的厚度。

在第二涂覆层OC2中形成暴露在下第一通孔VIA1和反射层RFL的第二通孔VIA2。第一电极ANO设置在第二涂覆层OC2上，并且经由第二通孔VIA2连接至反射层RFL。因而，第一电极ANO通过反射层RFL连接至薄膜晶体管TFT的漏电极DE。

参考图8，从有机发光二极管OLED向下发射的光完全被接收于第一涂覆层OC1的沟槽部分中，并被反射层RFL反射，并向上重新发射。因此，有可能降低从有机发光二极管OLED向下发射但是却损失于底部或侧面的光的量，由此提高光提取效率，并因此提高亮度。

图9是示出根据本发明的另一示例性实施例的显示装置的截面图。在下文中，将通过相同的附图标记表示与上文描述的显示装置相同的部件，并且将简要给出对其的描述。

参考图9，根据本发明的另一示例性实施例的有机发光显示器具有处于基板SUB1上的缓冲层BUF以及位于缓冲层BUF上的半导体层ACT和电容器下电极LCT。栅极绝缘膜GI设置在半导体层ACT和电容器下电极LCT上。栅电极GA设置在栅极绝缘膜GI上且对应于半导体层ACT的某区域，且电容器上电极UCT设置在栅极绝缘膜GI上且在位置上对应于电容器下电极LCT。电容器下电极LCT和电容器上电极UCT形成了电容器Cst。

用于对栅电极GA和电容器上电极UCT绝缘的层间绝缘膜ILD位于栅电极GA和电容器上电极UCT上。暴露半导体层ACT的部分的接触孔CH位于层间绝缘膜ILD的一些区域中。漏电极DE和源电极SE位于层间绝缘膜ILD上。照此，形成了包括半导体层ACT、栅电极GA、漏电极DE和源电极SE的薄膜晶体管TFT。

钝化膜PAS设置在包括薄膜晶体管TFT的基板SUB1上，并且暴露漏电极DE的钝化孔PAH位于钝化膜PAS内。第一涂覆层OC1设置在钝化膜PAS上，且暴露漏电极DE的第一通孔VIA1位于第一涂覆层OC1的某区域内。

有机发光二极管OLED设置在第一涂覆层OC1上。更具体而言，第一电极ANO设置在第一涂覆层OC1上的形成第一通孔VIA1的位置上，用于界定像素的堤层BNK设置在第一电极ANO上。堤层BNK具有暴露第一电极ANO的某部分的开口部分OP。暴露第一电极ANO的有机层EML位于基板SUB1的整个表面上，且第二电极CAT设置在有机层EML上。

同时，显示装置包括形成于第一涂覆层OC1中的沟槽部分OCG、覆盖沟槽部分OCG的反射层RFL、位于沟槽部分OCG中的滤色器以及覆盖沟槽部分OCG和滤色器CF的第二涂覆层OC2。所有的这些元件均位于有机发光二极管OLED和钝化膜PAS之间。

具体而言，在本发明的示例性实施例中，第二涂覆层OC2填充第一涂覆层OC1的沟槽部分OCG，并且仅位于沟槽部分OCG内。第二涂覆层OC2能够抹平由沟槽部分OCG中的滤色器CF导致的不规则性。值得注意的是，这样做可以存在优势的原因在于能够抹平下层不规则性，因为第二涂覆层OC2的表面与第一涂覆层OC1的表面是一致的。

第一电极ANO设置在第一涂覆层OC1和第二涂覆层OC2上，并且经由第一通孔VIA1连接至反射层RFL。因而，第一电极ANO通过反射层RFL连接至薄膜晶体管TFT的漏电极DE。

如上文所讨论的，在根据本发明的示例性实施例的显示装置中，从有机发光二极管OLED向下发射的光能够受到第一涂覆层的沟槽部分之上的反射层RFL反射，并被向上发射。因此，有可能降低从有机发光二极管OLED向下发射但是损失于底部或侧面所的光的量，由此提高光提取效率，并因此提高亮度。

尽管已经参考本发明的若干例示性实施例描述了本发明的实施例，但是应当理解本领域技术人员能够设计出很多其他修改和实施例，它们将落在本公开的原理的范围内。更具体而言，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，有可能在目标组合布置的构成部分和/或排布当中做出各种变化和修改。除了构成部分和/或排布方面的变化和修改之外，备选的使用方式对于本领域技术人员而言也是显而易见的。

Claims

1.一种显示装置，包括：

设置在基板上的薄膜晶体管；

设置在所述薄膜晶体管上并且包括沟槽部分的第一涂覆层；

设置在包括所述沟槽部分的内侧的所述第一涂覆层上的反射层；

设置在所述反射层上并且位于所述沟槽部分中的滤色器；

设置在所述滤色器和所述反射层上的第二涂覆层；

设置在所述第二涂覆层上并且连接至所述薄膜晶体管的第一电极；

设置在所述第一电极上并且包括开口部分的堤层，所述开口部分暴露所述第一电极；

设置在所述堤层和所述第一电极上的有机层；以及

设置在所述有机层上的第二电极，

其中，所述反射层被设置为依照所述第一涂覆层的上表面在水平方向上延伸到所述滤色器的边缘之外，

其中，所述反射层的至少一部分设置在所述第一涂覆层和所述滤色器之间。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在平面中看，所述堤层的所述开口部分与所述第一涂覆层的所述沟槽部分完全重叠。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一涂覆层的所述沟槽部分的平面表面的尺寸等于或者大于所述堤层的所述开口部分的平面表面的尺寸。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射层经由穿过所述第一涂覆层并且暴露所述薄膜晶体管的第一通孔连接至所述薄膜晶体管。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一电极经由穿过所述第二涂覆层并且暴露所述第一通孔的第二通孔连接至所述反射层。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一涂覆层的所述沟槽部分具有45度到90度的坡度。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一涂覆层的所述沟槽部分具有60度到80度的坡度。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二涂覆层仅位于所述第一涂覆层的所述沟槽部分内。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一涂覆层的表面与所述第二涂覆层的表面一致。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极是透明电极。