CN110394908A - 翻转式半导体解理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种翻转式半导体解理装置,具有一个置于底板上的支撑架,所述支撑架中间凹槽内放置晶圆翻转机构,两端分别装有晶圆裂片机构和晶圆划刻机构,且晶圆裂片机构和晶圆划刻机构分别可沿支撑架两侧的导轨移动,位于晶圆裂片机构一端的支撑架上放置裂片盘,位于晶圆划刻机构一端的支撑架上定位连接晶圆吸附盘,所述晶圆吸附盘上放置晶圆片,由晶圆划刻机构将晶圆划刻出多组等间距的划痕,通过晶圆翻转机构把划刻好的晶圆片连同晶圆吸附盘翻转至支撑架另一侧与裂片盘相贴合,由晶圆裂片机构采用背压方式让划刻好的晶圆片解理断裂,进而实现了半导体晶圆解理的自动化加工方式。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体激光器制造设备,尤其涉及一种半导体光电子器件的加工装置。
背景技术
随着科学技术的日益发展,激光由于其广泛应用于生活的各个方面逐渐进入人们的视野。近些年来,半导体激光器在精密机械零件的加工、印刷领域和医学领域以及光通信领域中的应用也渐渐引起了人们对激光应用的重视,而解理面作为激光泵浦光源型腔面,其表面质量的好坏对激光器的整体性能起到决定性的作用。面对现代工业发展中的需求,半导体解理面的加工设备较少,且效率底下,设计出一个满足大批量生产、成品率高的半导体解理面的加工装置已经成为人们迫切的需要。
发明内容
本发明的目的在于提升加工半导体解理面的效率,满足了工业中大批量生产的需求,并且实现不同半导体材料的解理面的加工,提供了一种翻转式半导体解理加工装置。
为了实现上述目的,本发明的技术方案是:一种翻转式半导体解理装置,具有一个置于底板上的支撑架,所述支撑架中间凹槽内放置晶圆翻转机构,两端分别装有晶圆裂片机构和晶圆划刻机构,且晶圆裂片机构和晶圆划刻机构分别可沿支撑架两侧的导轨移动,位于晶圆裂片机构一端的支撑架上放置裂片盘,位于晶圆划刻机构一端的支撑架上定位连接晶圆吸附盘,所述晶圆吸附盘上放置晶圆片,由晶圆划刻机构将晶圆划刻出多组等间距的划痕,通过晶圆翻转机构把划刻好的晶圆片连同晶圆吸附盘翻转至支撑架另一侧与裂片盘相贴合,由晶圆裂片机构采用背压方式让划刻好的晶圆片解理断裂。
进一步,所述支撑架上设置有四个定位柱,分别用于划刻时的定位和解理时的定位,中间设置有凹槽,用于放置晶圆翻转机构实现与晶圆划刻机构和晶圆裂片机构晶圆裂片机构的协作,底部设有两个横向槽和一个纵向槽用于晶圆划刻机构和晶圆裂片机构的前后运动。
进一步,所述裂片盘设有平坦外圆环,用于翻转之后与晶圆吸附盘相贴合,中间设有多组等间距尖端凸起,每两个尖端作为一个划痕的受力点用于半导体的解理。
进一步,所述晶圆翻转机构具有一带动气动手指左右移动的无杆气缸,无杆气缸通过三轴气缸连接顶板,且无杆气缸与顶板之间连接有四个导向柱子,所述三轴气缸带动顶板沿四个导向柱子上下移动,并实现晶圆与定位柱之间的卡死以及翻转之后与裂片盘的贴合,所述顶板上面设有翻转轴,翻转轴两侧通过轴承座与顶板连接,翻转轴通过联轴器与电机相连接,翻转轴前端固定连接气动手指,通过电机带动气动手指实现将划刻好的晶圆翻转。
进一步,所述导向柱顶部采用螺帽旋紧起到限位作用,顶板上面对应翻转轴前后翻转位置上设置四个弹簧阻尼器,所述弹簧阻尼器起到翻转之后的缓冲与支撑作用。
进一步,所述晶圆吸附盘由外圆环、定位孔和夹取槽组成,所述外圆环与两侧的定位孔相连,用于划刻和解理时的定位,外圆环中用于贴膜附着晶圆片,一侧与夹取槽相连,用于气动手指的夹取,夹取槽和两侧的定位孔与外圆环相连时上下均留有一定厚度,用于划刻和解理时的贴合。
进一步,所述晶圆裂片机构和晶圆划刻机构均为三轴联动机构,三轴联动机构由纵向移动机构、横向移动机构和竖向移动机构组成,移动机构由底部的电机通过丝杆及滑块带动实现划刻刀头前后运动,横向移动机构安装在纵向移动机构上面,由左侧的电机通过丝杆及滑块带动实现划刻刀头的左右运动,竖向移动机构安装在横向移动机构上面,由顶部的电机通过丝杆及滑块带动实现划刻刀头的上下运动。
进一步,所述纵向移动机构、横向移动机构和竖向移动机构中还设有圆柱导轨和导向滑块,通过导向滑块与圆柱导轨配合连接,实现移动机构的导向运动。
进一步,所述晶圆划刻机构的竖向移动机构上装有晶圆划刻刀头。
进一步,所述晶圆裂片机构的竖向移动机构上装有晶圆片解理断裂刀头。
本发明的有益效果是:
本发明结构简单可靠性高,能够自动传送工件,并同时进行划片和解理操作,极大的提升了生产效率,满足日常生产加工中的各种需求。
附图说明
图1为本发明的翻转式半导体装置的整体示意图;
图2为本发明的支撑架的示意图;
图3为本发明的翻转机构的示意图;
图4为本发明的裂片盘的示意图;
图5为本发明的晶圆吸附盘的示意图;
图6为本发明的晶圆划刻装置的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步阐述。
如图1至图6所示,本发明的翻转式半导体解理装置,包括底板1、支撑架2、晶圆裂片机构3、裂片盘4、晶圆翻转机构5、晶圆吸附盘6、晶圆划刻机构7。
支撑架2置于底板1上,支撑架2中间凹槽内放置晶圆翻转机构5,两端分别装有晶圆裂片机构3和晶圆划刻机构7,晶圆裂片机构3和晶圆划刻机构7分别可沿支撑架2两侧的导轨移动,位于晶圆裂片机构3一端的支撑架2上放置裂片盘4,位于晶圆划刻机构7一端的支撑架2上定位连接晶圆吸附盘6,翻转机构5将由晶圆划刻机构7划刻好的晶圆翻转至裂片盘4上,由晶圆裂片机构3对划刻好的晶圆进行加工制作。
通过贴膜机将晶圆片放置在晶圆吸附盘6上,将晶圆吸附盘6固定在支撑架2上,然后由晶圆划刻机构7将晶圆划刻出多组等间距的划痕,通过晶圆翻转机构5把划刻好的晶圆连同晶圆吸附盘翻6转至支撑架2另一侧与裂片盘4相贴合,裂片盘4的盘体41上具有多组等距凸起尖端42,每两个凸起尖端42作为一个划痕的受力点,通过晶圆裂片机构3采用背压方式让半导体晶圆解理断裂,进而实现了半导体晶圆解理的自动化加工方式。
如图2,5所示,晶圆吸附盘6是由外圆环62和两侧的定位孔61和中间一端的夹取槽65组成,在经过贴膜机处理之后将工件64通过蓝膜63黏附在外圆环62的底部。将晶圆吸附盘6放置在支撑架圆盘23上,并将定位孔61与定位柱22相对齐,然后由晶圆划刻机构7进行划刻。
如图6所示,晶圆划刻机构7包括前轴承座701、纵向丝杆滑块702、纵向导轨703、连接板704、纵向滑块705、后轴承座706、固定座707、第一电机708、支撑板709、第二联轴器710、第二电机711、第二电机座712、第二丝杆713、支撑杆714、刀具支撑架715、第三导轨716、第三电机717、第二导轨718、轴承座719、第三电机座720、板721、第三联轴器722、第三丝杆723、夹紧板724、刀头725。
第一电机708通过联轴器连接纵向丝杆,纵向丝杆两端分别固定在后轴承座706和前轴承座701上,纵向丝杆配合连接纵向丝杆滑块702,纵向丝杆滑块702与连接板704通过螺钉连接,连接板704两端通过螺钉与纵滑块705相连接,两侧的纵向滑块705与纵向导轨703相连,纵向导轨703通过固定座707与底板1进行固定连接,进而实现整体机构的前后运动,连接板704穿过槽21两侧上端分别连接支撑板709,两个支撑板709顶部采用支撑杆714两侧通过螺栓连接,支撑板709左侧通过螺钉连接着第二电机座712,第二电机座712与第二电机711相连接,第二电机711与第二联轴器710相连接,第二联轴器710与第二丝杆713相连接,第二丝杆713的两端与轴承座719连接,轴承座719通过螺钉分别固定在支撑板709的两侧,第二丝杆713与横向丝杆滑块相连,横向丝杆滑块与刀具支撑架715相连接,刀具支撑架715两侧与上下两个横向滑块相连接,两个横向滑块分别与两个第二导轨718相连接,两个第二导轨718通过螺栓固定在支撑板709上,从而实现了刀头的左右运动,刀具支撑架715与第三电机座720相连接,第三电机座720与第三电机717相连接,第三电机717与第三联轴器722相连接,第三联轴器722与第三丝杆723相连接,第三丝杆723两端均有轴承座采用螺钉固定在刀具支撑架715上,第三丝杆723与竖向丝杆滑块相连接,并与板721采用螺钉固定,刀具支撑架715两侧设有第三导轨716,第三导轨716上设有竖向滑块,竖向滑块与板721采用螺钉固定,板721与夹紧板724固定连接,夹紧板724与刀头725相连接,通过螺栓将夹紧板724与板721相连接,进而实现刀头的上下运动。
如图3所示,晶圆翻转机构5包括无杆气缸501、导向柱502、轴承座A503、顶板504、气动手指505、翻转轴506、轴承座B507、电机508、螺母509、弹簧阻尼器510、三轴气缸511。
无杆气缸501固定在槽24中,无杆气缸501的四个拐角分别设有导向柱502,中间设有三轴气缸511,四个导向柱502和三轴气缸511与顶板504连接,四个导向柱502穿过顶板504顶部通过螺帽509相连接起到限位作用,进而实现顶板504上与电机508相连接,顶板504上面对应翻转轴前后翻转位置上设置四个用于缓冲的弹簧阻尼器,弹簧阻尼器起到翻转之后的缓冲与支撑作用。电机508通过联轴器与翻转轴506相连接,翻转轴506两侧分别与轴承座A503和轴承座B507连接,翻转轴506与气动手指505通过螺钉固定连接,通过气动手指505对夹取槽65的夹取实现将划刻好的晶圆翻转和上下移动贴合。
通过翻转机构5将划刻好的晶圆翻转至裂片盘4上,晶圆吸附盘6上的外圆环62与裂片盘4相对齐,通过多组等间距凸起尖端42与划痕的对应由晶圆裂片机构7对划痕的背部下刀从而产生解理面的加工制作。晶圆裂片机构3与晶圆划刻机构7运动原理与组成机构相同,不同点在于划刻机构的刀头。
除上述实施例外,本发明还包括有其他实施方法,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应属于本发明保护的范围。
Claims (10)
1.一种翻转式半导体解理装置,具有一个置于底板上的支撑架,其特征在于:所述支撑架中间凹槽内放置晶圆翻转机构,两端分别装有晶圆裂片机构和晶圆划刻机构,且晶圆裂片机构和晶圆划刻机构分别可沿支撑架两侧的导轨移动,位于晶圆裂片机构一端的支撑架上放置裂片盘,位于晶圆划刻机构一端的支撑架上定位连接晶圆吸附盘,所述晶圆吸附盘上放置晶圆片,由晶圆划刻机构将晶圆划刻出多组等间距的划痕,通过晶圆翻转机构把划刻好的晶圆片连同晶圆吸附盘翻转至支撑架另一侧与裂片盘相贴合,由晶圆裂片机构采用背压方式让划刻好的晶圆片解理断裂。
2.根据权利要求1所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述支撑架上设置有四个定位柱分别用于划刻时的定位和解理时的定位,中间设置有凹槽用于放置晶圆翻转机构实现与晶圆划刻机构和晶圆裂片机构晶圆裂片机构的协作,底部设有两个横向槽和一个纵向槽用于晶圆划刻机构和晶圆裂片机构的前后运动。
3.根据权利要求1所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述裂片盘设有平坦外圆环,用于翻转之后与晶圆吸附盘相贴合,中间设有多组等间距尖端凸起,每两个尖端作为一个划痕的受力点用于半导体的解理。
4.根据权利要求1所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述晶圆翻转机构具有一带动气动手指左右移动的无杆气缸,无杆气缸通过三轴气缸连接顶板,且无杆气缸与顶板之间连接有四个导向柱子,所述三轴气缸带动顶板沿四个导向柱子上下移动,并实现晶圆片与定位柱之间的卡死以及翻转之后与裂片盘的贴合,所述顶板上面设有翻转轴,翻转轴两侧通过轴承座与顶板连接,翻转轴通过联轴器与电机相连接,翻转轴前端固定连接气动手指,通过电机带动气动手指实现将划刻好的晶圆翻转。
5.根据权利要求4所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述导向柱顶部采用螺帽旋紧起到限位作用,顶板上面对应翻转轴前后翻转位置上设置四个弹簧阻尼器,所述弹簧阻尼器起到翻转之后的缓冲与支撑作用。
6.根据权利要求1所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述晶圆吸附盘由外圆环、定位孔和夹取槽组成,所述外圆环与两侧的定位孔相连,用于划刻和解理时的定位,外圆环中用于贴膜附着晶圆片,一侧与夹取槽相连,用于气动手指的夹取,夹取槽和两侧的定位孔与外圆环相连时上下均留有一定厚度,用于划刻和解理时的贴合。
7.根据权利要求1所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述晶圆裂片机构和晶圆划刻机构均为三轴联动机构,所述三轴联动机构由纵向移动机构、横向移动机构和竖向移动机构组成,所述移动机构由底部的电机通过丝杆及滑块带动实现划刻刀头前后运动,所述横向移动机构安装在纵向移动机构上面,由左侧的电机通过丝杆及滑块带动实现划刻刀头的左右运动,所述竖向移动机构安装在横向移动机构上面,由顶部的电机通过丝杆及滑块带动实现划刻刀头的上下运动。
8.根据权利要求7所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述纵向移动机构、横向移动机构和竖向移动机构中还设有圆柱导轨和导向滑块,通过导向滑块与圆柱导轨配合连接,实现移动机构的导向运动。
9.根据权利要求7所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述晶圆划刻机构的竖向移动机构上装有晶圆划刻刀头。
10.根据权利要求7所述的翻转式半导体解理装置,其特征在于:所述晶圆裂片机构的竖向移动机构上装有晶圆片解理断裂刀头。
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Jiang Chen Inventor after: Dong Kangjia Inventor after: Gao Rui Inventor after: Lang Xiaohu Inventor after: Ren Shaobin Inventor before: Jiang Chen Inventor before: Dong Kangjia Inventor before: Gao Rui Inventor before: Lang Xiaohu Inventor before: Ren Shaobin |
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CB03 | Change of inventor or designer information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |