CN110377089A - 一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路。增加了两个稳压电阻、三个稳压P型场效应管、两个稳压P型电流源、一个稳压N型电流源;两个稳压P型场效应管连接到两个第一级放大N型场效应管的源极,三个稳压P型场效应管的栅极和漏极均连接到稳压N型电流源的输入端,两个稳压P型场效应管的源极串接后经两个稳压电阻接到两个第二级放大N型场效应管的漏极,两个稳压P型场效应管的源极串接后接到稳压P型电流源的输出端,稳压P型场效应管的源极接到稳压P型电流源的输出端。本发明精巧地利用了主放大器信号通路上的各级放大器器件,仅需增加几个简单的电路元件,就能实现多级差分运放输出共模电压稳定,增强稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及了一种用于运算放大器的电压稳定电路,尤其是涉及了一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路。
背景技术
运算放大器(运放)作为模拟电路里的基本、核心组成单元有着不可替代的作用,运放的增益、带宽、功耗、环路稳定性等性能参数往往决定着由该运放所组成的功能电路的性能。
差分结构的运放是其中重要的一种,差分运放有正负两个输入信号、以及正负两个输出信号,两个输入输出信号之间的信号通路是全对称结构,因此差分运放在输入信号的共模抑制能力、电源抑制比、抗偶次谐波方面有着天然的优势,在模拟电路里应用广泛。
典型的两级差分运放结构如图1所示,在这样的两级差分运放结构下,需要实现共模稳压,使得电压稳定,需增设一个电路支路和共模电容反馈结构/独立共模放大器结构,需要增加众多元件来实现,增设后还依然可能存在环路不稳定问题,需要额外做补偿,难以实现有效精简的共模稳压。
发明内容
如上背景技术所描述,两级差分运放需要为每一级电路准备一个单独的共模稳压电路,使得每一级输出的共模电压都在预定范围之内,这带来了芯片面积以及功耗的增加。为解决这一问题,本发明提出了一种新的精简结构的两级差分运放输出共模稳压电路。
如图4~图7所示,本发明采用的技术方案是:
本发明包括第一级放大P型场效应管MP1/MP2/MP3/MP4、第一级放大N 型场效应管MN1/MN2、第一级放大N型电流源IBN1/IBN2、第一级放大P型电流源IBP1、第一级放大N型电流源IBN1/IBN2、第二级放大N型场效应管 MN3/MN4、第二级放大P型电流源IBP2/IBP3、两级运放密勒补偿电容C1/C2;正、负差分输入信号VIP、VIN分别输入到第一级放大P型场效应管MP2、第一级放大P型场效应管MP1的栅极,第一级放大P型场效应管MP1、第一级放大 P型场效应管MP2的源极均和第一级放大P型电流源IBP1的输出端连接,第一级放大P型电流源IBP1的输入端接电源电压;第一级放大P型场效应管MP1、第一级放大P型场效应管MP2的漏极分别和第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管MP4的源极连接,第一级放大P型场效应管MP3和第一级放大P型场效应管MP4的栅极串联到一起后连接到偏置电压VBP;第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管MP4的漏极分别和第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的漏极连接,第一级放大N型场效应管MN1和第一级放大N型场效应管MN2的栅极串联到一起后连接到偏置电压VBN;第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的源极分别连接第一级放大N型电流源IBN1、第一级放大N型电流源 IBN2的输入端,第一级放大N型电流源IBN1、第一级放大N型电流源IBN2 的输出端接地;第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4 的栅极分别连接到第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管 MP4的漏极,第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4 的漏极分别连接第二级放大P型电流源IBP2、第二级放大P型电流源IBP3的输出端,第二级放大P型电流源IBP2和第二级放大P型电流源IBP3的输入端接电源电压;第二级放大N型场效应管MN3自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C1,第二级放大N型场效应管MN4自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C2,第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4 的源极接地;第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4 的漏极分别作为两级差分运放的第二级放大输出端,也作为两级差分运放的正、负差分输出信号VOP、VON。
还包括稳压电阻R1、稳压电阻R2、稳压P型场效应管MP5~MP7、稳压P 型电流源IBP4/IBP5、稳压N型电流源IBN3;稳压P型场效应管MP5和稳压P 型场效应管MP6的漏极分别连接到第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的源极,稳压P型场效应管MP5~MP7的栅极以及稳压 P型场效应管MP7的漏极均连接到稳压N型电流源IBN3的输入端,稳压N型电流源IBN3的输出端连接到地;稳压P型场效应管MP5、稳压P型场效应管 MP6的源极串接后分别经稳压电阻R1、稳压电阻R2连接到第二级放大N型场效应管MN4、第二级放大N型场效应管MN3的漏极,稳压P型场效应管MP5、稳压P型场效应管MP6的源极串接后连接到稳压P型电流源IBP4的输出端,稳压P型电流源IBP4的输入端接电源电压;稳压P型场效应管MP7的源极连接到稳压P型电流源IBP5的输出端,稳压P型电流源IBP5的输入端接电源电压;稳压P型场效应管MP7的源极接参考共模电压VCMO。
所述的P型电流源的结构为两个单PMOS管串联构成的Cascode结构或者单PMOS管结构。PMOS管为P型场效应管。
所述的N型电流源的结构为两个单NMOS管串联构成的Cascode结构或者单NMOS管结构。NMOS管为N型场效应管。
所述的稳压P型电流源IBP5去掉,稳压P型场效应管MP7的源极直接连接到参考共模电压VCMO,稳压P型场效应管MP7的源极不连接稳压P型电流源IBP5,也不连接电源电压。
还包括第三级运放电路,具体为:第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的栅极分别连接到第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的漏极,第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的漏极分别连接第三级放大P型电流源IBP4、第三级放大P型电流源IBP5的输出端,第三级放大P型电流源IBP4和第三级放大P 型电流源IBP5的输入端接电源电压;第三级放大N型场效应管MN5自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C3,第三级放大N型场效应管MN6自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C4,第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的源极接地;第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的漏极分别作为三级差分运放的第三级放大输出端,也作为两级差分运放的正、负差分输出信号VOP、VON。
本发明的有益效果是:
对于两级以上的差分运放,传统的共模电压稳定电路需要为每一级放大电路准备一个独立的共模输出稳定电路。而本发明提出的共模电压稳定电路,仅需2个电阻、3个MOS和3个电流源(一般来说也是3个MOS管)即可,电路结构精巧地利用了主放大器信号通路上的各级放大器器件,包括用于增强稳定性的密勒电容。
附图说明
图1为现有技术的两级差分运放结构电路图;
图2为P型电流源所采用的Cascode结构和单PMOS管结构;
图3为N型电流源所采用的Cascode结构和单NMOS管结构;
图4为本发明具体实施例1的两级差分运放输出共模稳压电路图;
图5为本发明具体实施例1的再次简化后的两级差分运放输出共模稳压电路图;
图6为本发明具体实施例2的将附图4的输入MOS类型由PMOS改为 NMOS后的电路镜像结构图;
图7为本发明具体实施例3的三级差分运放输出共模稳压电路图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。
本发明针对解决的技术问题的两级差分运放结构如图1所示。
电路包括第一级放大P型场效应管MP1/MP2/MP3/MP4、第一级放大N型场效应管MN1/MN2、第一级放大N型电流源IBN1/IBN2、第一级放大P型电流源IBP1、第一级放大N型电流源IBN1/IBN2、第二级放大N型场效应管 MN3/MN4、第二级放大P型电流源IBP2/IBP3、两级运放密勒补偿电容C1/C2。
正、负差分输入信号VIP、VIN分别输入到第一级放大P型场效应管MP2、第一级放大P型场效应管MP1的栅极,第一级放大P型场效应管MP1、第一级放大P型场效应管MP2的源极均和第一级放大P型电流源IBP1的输出端连接,第一级放大P型电流源IBP1的输入端接电源电压;第一级放大P型场效应管 MP1、第一级放大P型场效应管MP2的漏极分别和第一级放大P型场效应管 MP3、第一级放大P型场效应管MP4的源极连接,第一级放大P型场效应管 MP3和第一级放大P型场效应管MP4的栅极串联到一起后连接到偏置电压VBP;第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管MP4的漏极分别和第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的漏极连接,第一级放大N型场效应管MN1和第一级放大N型场效应管MN2的栅极串联到一起后连接到偏置电压VBN;第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的源极分别连接第一级放大N型电流源IBN1、第一级放大N型电流源IBN2的输入端,第一级放大N型电流源IBN1、第一级放大N型电流源 IBN2的输出端接地。
第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的栅极分别连接到第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管MP4的漏极,第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管MP4的漏极分别作为两级差分运放的第一级放大输出端VOP1/VON1,第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的漏极分别连接第二级放大P型电流源IBP2、第二级放大P型电流源IBP3的输出端,第二级放大P型电流源IBP2和第二级放大P型电流源IBP3的输入端接电源电压;第二级放大N型场效应管MN3自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C1,第二级放大N型场效应管MN4自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C2,第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的源极接地;第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的漏极分别作为两级差分运放的第二级放大输出端,也作为两级差分运放的正、负差分输出信号VOP、VON。
图1中VIP/VIN为正、负差分输入信号,VOP/VON为正、负差分输出信号。VOP1/VON1是两级运放第一级输出的信号。MP1/MP2/MP3/MP4组成输入P型的Cascode结构,MN1/MN2和IBN1/IBN2组成N型的Cascode结构,IBP1为输入MOS对的P型电流源,IBN1/IBN2为N型电流源。上述这些器件共同组成两级差分运放的第一级放大电路。
MN3/MN4、C1/C2和IBP2/IBP3组成两级差分运放的第二级放大电路。其中MN3/MN4为第二级的放大管,IBP2/IBP3为第二级的P型电流源,C1/C2为两级运放的密勒补偿电容,以提供环路稳定性。
图1中的第一级放大电路,为保证所有器件都正常工作在饱和工作区,要求电流源IBP1=IBN1+IBN2。
但是在集成电路的制造当中,因为光刻偏差、离子注入偏差等因素带来的影响,上述等式并不成立,而由于高增益影响,这会使得第一级放大器输出信号共模电平VCM1偏离正常值:
其中,VCM1表示第一级放大器输出信号的共模电平值,VOP1表示VOP1输出脚的电平值,VON1表示VON1输出脚的电平值。
具体来说,如果IBN1+IBN2>IBP1,则VCM1的电压值大幅下降,使得 MN1/MN2以及电流源IBN1/IBN2都进入线性区以降低IBN1/IBN2的电流,使得IBN1+IBN2重新等于IBP1。
此时第二级放大电路的NM3/MN4的电流就会变得比IBP2/IBP3小很多,从而差分运放的输出端VOP/VON的电压都大幅升高,从而输出共模电压VCM2大幅高于预定的电压值VCMO。
其中,VCM2表示第二级放大器输出信号的共模电平值,VOP表示VOP输出脚的电平值,VON表示VON输出脚的电平值。
如果IBN1+IBN2<IBP1,由上述类似的过程,则VCM1的电压将大幅上升,使得第二级放大电路的NM3/MN4的电流比IBP2/IBP3大很多,从而VCM2的电压大幅下降。
因此第一级放大器电路结构需要一个共模稳压电路来将VCM1的电压稳定在 NM3/NM4栅压Vgs的水平。这一共模稳压电路的结构一般有共模电容反馈结构、独立共模放大器结构。这些结构都需要增加电容、MOS管来实现,如果是独立共模放大器结构,还可能存在环路不稳定问题,需要额外做补偿。同时还需一个电路支路来产生目标栅压Vgs,给VCM1作为参考电压。
在增加第一级共模稳压电路后,VCM1能稳定在NM3/NM4栅压Vgs水平上。但此时NM3/NM4的电流和IBP2/IBP3在芯片的批量生产中仍不能保持完全一致,由于第二级放大器的高增益,两者电流间的失配仍然能让VCM2偏离预定电压 VCMO。
因此第二级放大器电路结构仍需要一个共模稳压电路来将VCM2的电压稳定在VCMO的水平。这一共模稳压电路的结构一般有共模电容反馈结构、独立共模放大器结构。这些结构都需要增加电容、MOS管来实现,如果是独立共模放大器结构,还可能存在环路不稳定问题,需要额外做补偿。
因此,本发明设计了电路结构如下:
实施例1
在输入MOS类型为PMOS的结构情况下,电路结构如图4所示。
如图4所示,还增加包括稳压电阻R1、稳压电阻R2、稳压P型场效应管 MP5~MP7、稳压P型电流源IBP4/IBP5、稳压N型电流源IBN3。
稳压P型场效应管MP5和稳压P型场效应管MP6的漏极分别连接到第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的源极,稳压P型场效应管MP5~MP7的栅极以及稳压P型场效应管MP7的漏极均连接到稳压N 型电流源IBN3的输入端,稳压N型电流源IBN3的输出端连接到地;稳压P型场效应管MP5、稳压P型场效应管MP6的源极串接后分别经稳压电阻R1、稳压电阻R2连接到第二级放大N型场效应管MN4、第二级放大N型场效应管 MN3的漏极,稳压P型场效应管MP5、稳压P型场效应管MP6的源极串接后连接到稳压P型电流源IBP4的输出端,稳压P型电流源IBP4的输入端接电源电压;稳压P型场效应管MP7的源极连接到稳压P型电流源IBP5的输出端,稳压P型电流源IBP5的输入端接电源电压;稳压P型场效应管MP7的源极接参考共模电压VCMO。
图4相比图1不含共模稳定电路的初始电路结构,只增加了电阻R1/R2,三个PMOS管MP5/MP6/MP7和三个电流源IBP4/IBP5/IBN3,就实现了传统结构两级放大器各自独立的共模稳定电路的功能。
其中可分为几个部分:
1)电阻R1和R2起到求VCM2值的作用。在运放输入信号为零且没有零漂的理想情况下,VOP=VON=VCM2。但大部分时候,VOP和VON不相等,因此通过两个电阻求得VOP和VON的平均值VCM2。
2)MP7/IBP5/IBN3组成输出共模参考电压的设立,其中VCMO为输入的目标参考电压值,一般是AVDD/2,但也可以是其他的电压值。IBP5和IBN3这两个电流源的电流在设计上应该相等,实际制造当中也会有部分偏差,这部分偏差的电流将由VCMO输入信号源吸收。如果VCMO信号源的电流能力比较强,IBP5 也可以删掉。如图5所示。
3)MP5/MP6/IBP4组成共模控制电路的第一级的部分电路,R1/R2电阻所得到的共模电压VCM2送到MP5/MP6的源极,MP5/MP6/MP7的栅极连到一起,同时连接至MP7的漏极和IBN3的输入端。由于MP7的源极接的是VCMO,则MP5/MP6/MP7 的栅极电压是VCMO-Vgsmp7,通过设计IBP4和IBN3电流源电流的大小,可以使得MP5/MP6的Vgs等于MP7的Vgs,因此稳态状态下,VCM2=VCMO。
MP5/MP6的漏极输出连至两级运放第一级电路中,具体来说是MN1/MN2的源极,与MP1/MP2/MP3/MP4/MN1/MN2/IBN1/IBN2一起,形成了折叠cascode的结构。VCM2信号的变化将被折叠cascode电路放大,作用到运放第一级输出 VOP1/VON1的共模电压VCM1上。
由于有MP5/MP6的电流补充,此时几个电流源的关系应改为:
IBP1+IBP4=IBN1+IBN2
4)共模控制电路还有第二级电路,第二级电路是完全利用运放本身的第二级放大电路,即IBP2/IBP3/MN3/MN4。VCM1经第二级电路放大后,变为VOP/VON 信号,重新回到电阻R1/R2组成的共模求值电路,形成一个完整的控制闭环。
5)可以看到,这种输出共模控制电路的结构也是两级放大器结构,因此同样存在不稳定问题,需要通过密勒补偿以提供稳定性。好处在于通过精巧的设计,这种输出共模控制电路的部分第一级电路,以及全部的第二级电路和主运放的放大器重合,因此密勒补偿电容也可以完全借用主运放的密勒电容C1/C2。
6)工作原理分析:假设因为器件失配问题,导致运放第一级放大器电路的输出共模VCM1偏高于正常值,则经过第二级放大器作用后,VCM2将低于VCMO的值。由于MP5/MP6的栅极电压是固定的,那么MP5/MP6的Vgs也将下降,从而 MP5/MP6的漏端流出电流下降。此时IBN1+IBN2的电流就过多了,为平衡这一电流,VOP1/VON1的电压将下降,使得MN1/MN2/IBN1/IBN2进入线性区以降低电流,从而将因为失配而偏高的VCM1拉回到正常值,从而恢复整个电路的平衡。
当VCM1因失配偏低于正常值时,也可通过同样的分析,共模稳定电路会将 VCM1往上提升。另外,VCM2因IBP2/IBP3/MN3/MN4的失配而偏离正常值时,都会通过同样的机制恢复平衡。
实施例2
图4是输入MOS类型为PMOS的结构,如果输入MOS为NMOS的结构,则该电路的镜像结构将如图6所示。同样的,如果VCMO的电流能力比较强,IBN5可以去掉。
实施例3
对于三级以上(假设为N级)的运放结构,可以应用同样的设计电路来满足多级运放的输出共模稳定功能,并且相比传统结构的N级共模稳定电路,在面积和功耗上的优势更大。
举例来说,对于一个三级运放,采用本发明电路后的电路结构如图7所示,还增加包括第三级运放电路,具体为:第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的栅极分别连接到第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的漏极,第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的漏极分别连接第三级放大P型电流源IBP4、第三级放大P型电流源IBP5的输出端,第三级放大P型电流源IBP4和第三级放大P 型电流源IBP5的输入端接电源电压;第三级放大N型场效应管MN5自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C3,第三级放大N型场效应管MN6自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C4,第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的源极接地;第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的漏极分别作为三级差分运放的第三级放大输出端,也作为两级差分运放的正、负差分输出信号VOP、VON。
图7中MN5/MN6/IBP4/IBP5构成运放的第三级放大电路,C1/C2/C3/C4为密勒补偿电容。
上述具体实施中,P型电流源的结构可以是Cascode结构,也可以是单PMOS 管结构,如图2所示,分别为cascode结构和单管结构。
N型电流源的结构可以是Cascode结构,也可以是单NMOS管结构,如图 3所示,分别为cascode结构和单管结构。
由此,本发明提出的这一精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路,结构精巧地利用了主放大器信号通路上的各级放大器器件,仅需增加几个简单的电路元件(仅需2个电阻、3个MOS和3个电流源即可),就能实现多级差分运放输出共模电压稳定,增强稳定性。
Claims (5)
1.一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路,包括第一级放大P型场效应管MP1/MP2/MP3/MP4、第一级放大N型场效应管MN1/MN2、第一级放大N型电流源IBN1/IBN2、第一级放大P型电流源IBP1、第一级放大N型电流源IBN1/IBN2、第二级放大N型场效应管MN3/MN4、第二级放大P型电流源IBP2/IBP3、两级运放密勒补偿电容C1/C2;正、负差分输入信号VIP、VIN分别输入到第一级放大P型场效应管MP2、第一级放大P型场效应管MP1的栅极,第一级放大P型场效应管MP1、第一级放大P型场效应管MP2的源极均和第一级放大P型电流源IBP1的输出端连接,第一级放大P型电流源IBP1的输入端接电源电压;第一级放大P型场效应管MP1、第一级放大P型场效应管MP2的漏极分别和第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管MP4的源极连接,第一级放大P型场效应管MP3和第一级放大P型场效应管MP4的栅极串联到一起后连接到偏置电压VBP;第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管MP4的漏极分别和第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的漏极连接,第一级放大N型场效应管MN1和第一级放大N型场效应管MN2的栅极串联到一起后连接到偏置电压VBN;第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的源极分别连接第一级放大N型电流源IBN1、第一级放大N型电流源IBN2的输入端,第一级放大N型电流源IBN1、第一级放大N型电流源IBN2的输出端接地;第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的栅极分别连接到第一级放大P型场效应管MP3、第一级放大P型场效应管MP4的漏极,第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的漏极分别连接第二级放大P型电流源IBP2、第二级放大P型电流源IBP3的输出端,第二级放大P型电流源IBP2和第二级放大P型电流源IBP3的输入端接电源电压;第二级放大N型场效应管MN3自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C1,第二级放大N型场效应管MN4自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C2,第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的源极接地;第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的漏极分别作为两级差分运放的第二级放大输出端,也作为两级差分运放的正、负差分输出信号VOP、VON;
其特征在于:还包括稳压电阻R1、稳压电阻R2、稳压P型场效应管MP5~MP7、稳压P型电流源IBP4/IBP5、稳压N型电流源IBN3;稳压P型场效应管MP5和稳压P型场效应管MP6的漏极分别连接到第一级放大N型场效应管MN1、第一级放大N型场效应管MN2的源极,稳压P型场效应管MP5~MP7的栅极以及稳压P型场效应管MP7的漏极均连接到稳压N型电流源IBN3的输入端,稳压N型电流源IBN3的输出端连接到地;稳压P型场效应管MP5、稳压P型场效应管MP6的源极串接后分别经稳压电阻R1、稳压电阻R2连接到第二级放大N型场效应管MN4、第二级放大N型场效应管MN3的漏极,稳压P型场效应管MP5、稳压P型场效应管MP6的源极串接后连接到稳压P型电流源IBP4的输出端,稳压P型电流源IBP4的输入端接电源电压;稳压P型场效应管MP7的源极连接到稳压P型电流源IBP5的输出端,稳压P型电流源IBP5的输入端接电源电压;稳压P型场效应管MP7的源极接参考共模电压VCMO。
2.根据权利要求1所述的一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路,其特征在于:所述的P型电流源的结构为两个单PMOS管串联构成的Cascode结构或者单PMOS管结构。
3.根据权利要求1所述的一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路,其特征在于:所述的N型电流源的结构为两个单NMOS管串联构成的Cascode结构或者单NMOS管结构。
4.根据权利要求1所述的一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路,其特征在于:所述的稳压P型电流源IBP5去掉,稳压P型场效应管MP7的源极直接连接到参考共模电压VCMO。
5.根据权利要求1所述的一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路,其特征在于:还包括第三级运放电路,具体为:第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的栅极分别连接到第二级放大N型场效应管MN3、第二级放大N型场效应管MN4的漏极,第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的漏极分别连接第三级放大P型电流源IBP4、第三级放大P型电流源IBP5的输出端,第三级放大P型电流源IBP4和第三级放大P型电流源IBP5的输入端接电源电压;第三级放大N型场效应管MN5自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C3,第三级放大N型场效应管MN6自身的栅极和漏极之间串接密勒补偿电容C4,第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的源极接地;第三级放大N型场效应管MN5、第三级放大N型场效应管MN6的漏极分别作为三级差分运放的第三级放大输出端,也作为两级差分运放的正、负差分输出信号VOP、VON。
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