CN110364361A - 一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制备方法 - Google Patents

一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110364361A
CN110364361A CN201810311306.7A CN201810311306A CN110364361A CN 110364361 A CN110364361 A CN 110364361A CN 201810311306 A CN201810311306 A CN 201810311306A CN 110364361 A CN110364361 A CN 110364361A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
boundary layer
carbon nitride
phase carbon
conductive glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810311306.7A
Other languages
English (en)
Inventor
王立群
侯兴刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Tianjin Normal University
Original Assignee
Tianjin Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin Normal University filed Critical Tianjin Normal University
Priority to CN201810311306.7A priority Critical patent/CN110364361A/zh
Publication of CN110364361A publication Critical patent/CN110364361A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/204—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising zinc oxides, e.g. ZnO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制备方法。该电池由导电玻璃、石墨相氮化碳界面层、氧化物多孔膜、量子点光敏化剂、电解液和对电极组成。将导电玻璃在含氮有机单体和2，6‑二氨基吡啶的混合溶液中进行水热处理；将由含氮有机单体、单质硫和苯酚组成的混合物粉末于导电玻璃表面并在氨气中进行热处理，混合物粉末在高温下发生热解反应，在导电玻璃表面生成石墨相氮化碳界面层，用氨水超声的方法去除杂，获得高质量的石墨相氮化碳界面层，再制备氧化物多孔膜，并经量子点敏化‑电池组装等工艺即可。在本发明中石墨相氮化碳界面层的设置，用以抑制量子点敏化太阳电池中的背传输反应，提高光电转换效率。

Description

一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制 备方法
技术领域
本发明涉及一种量子点敏化太阳电池及其制备方法，具体地讲，涉及一种在导电玻璃和氧化物多孔膜之间设置一个由石墨相氮化碳构成的界面层，用以阻止导电玻璃和电解液的接触，从而抑制背传输反应，提高光电转换效率的量子点敏化太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。
背景技术
太阳能由于具有“储量巨大、时间长久、环境友好、适用广泛”等特点，最有可能替代化石燃料，成为人类未来的理想能源形式。目前，人们利用太阳能的主要方法是制造太阳电池，将太阳能转化成电能加以利用。在种类繁多的太阳电池中，量子点敏化太阳电池由于具有光电转换效率高、制备工艺简单、原材料价格便宜等诸多优势，受到了各国研究人员的普遍关注。
虽然量子点敏化太阳电池具有上述的许多优势，但是其光电转换效率和商业应用标准相比还有一定差距。影响其效率进一步提高的原因之一是电池内部存在的背传输反应。具体来讲，量子点敏化太阳电池一般是由导电玻璃、氧化物多孔膜、量子点光敏化剂、电解液和对电极组成。而其中的电解液可以通过氧化物多孔膜中的孔隙渗透到导电玻璃处，并且和导电玻璃上的光生电子发生复合，形成所谓的背传输反应。以量子点敏化太阳电池中最为常用的多硫电解液(硫化钠和单质硫的混合溶液)为例，背传输反应的方程式为[(2x-2)e-+Sx 2-→xS2-]，反应机制如图1所示。背传输反应大大降低了光生电子的有效输出，严重影响了电池的光电转换效率。
由此可见，阻止电解液和导电玻璃的接触，可以有效降低光生电子和电解液的复合，抑制背传输反应，提高量子点敏化太阳电池的光电转换效率。利用在导电玻璃和氧化物多孔膜之间设置一个界面层的方法可以达到上述效果，但是其中界面层材料的选择对于最终电池性能的影响至关重要。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中量子点敏化太阳电池由于背传输反应降低其光电性能的问题，提供一种具有较高光电转换效率的量子点敏化太阳电池及其制备方法。
本发明的目的通过下述技术方案予以实现：
一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池，自下而上由导电玻璃、石墨相氮化碳界面层、氧化物多孔膜、量子点光敏化剂、电解液和对电极组成。
所述导电玻璃为铟锡氧化物导电玻璃或者氟锡氧化物导电玻璃中的一种。
所述石墨相氮化碳界面层设置在导电玻璃和氧化物多孔膜之间，厚度为50-150nm，石墨相氮化碳界面层由石墨相氮化碳纳米片组成，厚度优选60—100nm。
所述氧化物多孔膜为二氧化钛多孔膜、二氧化锡多孔膜、氧化锌多孔膜、二氧化锆多孔膜或者五氧化二钽多孔膜中的一种。
所述量子点光敏化剂为硒化镉量子点、硫化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化锌量子点、碲化锌量子点、硒化铅量子点、硫化铅量子点或者碲化铅量子点中的一种。
所述电解液为硫化钠和单质硫的溶液，其中溶剂为甲醇和水的混合溶液，甲醇和水的体积比为(1:3)-(3:1)，硫化钠的摩尔浓度为0.1-0.5mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.3-0.7mol·L-1，即将硫化钠和单质硫均匀分散在混合溶液中，硫化钠的摩尔浓度(均匀分散在混合溶液中的硫化钠浓度)为0.1-0.5mol·L-1，单质硫的摩尔浓度(均匀分散在混合溶液中的单质硫浓度)为0.3-0.7mol·L-1。
所述对电极为镀铂的铟锡氧化物导电玻璃或者镀铂的氟锡氧化物导电玻璃中的一种。
制备具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池的方法，按照下述步骤进行：
步骤1，将导电玻璃置于装有混合溶液的高压反应釜底部且保持其导电面朝上，密封后置于100—160摄氏度下进行反应，其中混合溶液为含氮有机单体、2,6-二氨基吡啶均匀分散在醇类有机溶剂中制备而得，含氮有机单体为10—50质量份，2,6-二氨基吡啶为50—90质量份，醇类有机溶剂为100—120体积份，含氮有机单体为三聚氰胺、氨腈、双氰胺、尿素或者硫脲中的一种；
在步骤1中，醇类有机溶剂为常温20—25摄氏度下呈液态的醇类有机溶剂，如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙三醇、异丙醇或者异丁醇中的一种。
在步骤1中，含氮有机单体为20—35质量份，2,6-二氨基吡啶为70—80质量份，醇类有机溶剂为100—120体积份，每一质量份为1mg，每一体积份为1ml。
在步骤1中，将含氮有机单体、2,6-二氨基吡啶均匀分散在醇类有机溶剂中，于30-50℃下超声混合6-10h。
在步骤1中，所述导电玻璃为铟锡氧化物导电玻璃或者氟锡氧化物导电玻璃中的一种。
在步骤1中，反应温度为120—150摄氏度，反应时间为1—5小时，优选3—5小时。
在步骤1中，待反应结束后将导电玻璃取出，并用去离子水清洗3—5遍。
步骤2，将经过步骤1处理的导电玻璃置于陶瓷坩埚底部并保持其导电面朝上，将混合粉末平铺于导电面上，再将陶瓷坩埚置于管式气氛炉中，在氨气气氛中进行热解反应，自室温20—25摄氏度以5-25℃·min-1的升温速率升温至400-600℃并保温1—6小时，随炉冷却至室温20—25摄氏度，其中混合粉末由50-130质量份含氮有机单体、20-40质量份单质硫和5-25质量份苯酚组成，含氮有机单体为三聚氰胺、氨腈、双氰胺、尿素或者硫脲中的一种；
在步骤2中，自室温20—25摄氏度以5-10℃·min-1的升温速率升温至460—550℃并保温2—4小时，随炉冷却至室温20—25摄氏度。
在步骤2中，混合粉末由60-120质量份含氮有机单体、25-35质量份单质硫和10-20质量份苯酚组成，每一质量份为1mg。
在步骤2中，将混合粉末平铺于导电面上，厚度为1—3mm。
步骤3，将经过步骤2处理的导电玻璃置于氨水中进行超声清洗，以在导电玻璃表面制得石墨相氮化碳界面层；
在步骤3中，氨水中氨的质量浓度为100-300mg·ml-1，超声清洗1-5min。
步骤4，将含有氧化物粉末的浆料涂覆在经过步骤3处理的带有石墨相氮化碳界面层的导电玻璃表面，待浆料干燥后经烧结得到氧化物多孔膜，在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(1:5)-(5:1)，自室温20—25摄氏度以10-30℃·min-1的升温速率升温至300-400℃并保温30-120min，随炉冷却至室温20—25摄氏度；
在步骤4中，所述氧化物粉末为二氧化钛粉末、二氧化锡粉末、氧化锌粉末、二氧化锆粉末或者五氧化二钽粉末中的一种。
在步骤4中，在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(1:3)-(3:1)，自室温20—25摄氏度以10-20℃·min-1的升温速率升温至340-380℃并保温40-80min，随炉冷却至室温20—25摄氏度。
步骤5，将经过步骤4处理得到的带有石墨相氮化碳界面层和氧化物多孔膜的导电玻璃浸入量子点光敏化剂分散液中于避光条件下进行量子点敏化，制得光阳极；
在步骤5中，敏化后用乙醇清洗3—5遍。
在步骤5中，量子点光敏化剂分散液中的量子点光敏化剂为硒化镉量子点、硫化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化锌量子点、碲化锌量子点、硒化铅量子点、硫化铅量子点或者碲化铅量子点中的一种，溶剂为正己烷，量子点的质量浓度为5-30mg·ml-1溶剂。在步骤5中，在量子点光敏化剂分散液中于避光条件下进行量子点敏化保持4-6h。
步骤6，将步骤5中制得的光阳极和电解液、对电极一起进行封装，最终制成具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池。
在步骤6中，电解液为硫化钠和单质硫的溶液，其中溶剂为甲醇和水的混合溶液，甲醇和水的体积比为(1:3)-(3:1)，硫化钠的摩尔浓度为0.1-0.5mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.3-0.7mol·L-1。
在步骤6中，对电极为镀铂的铟锡氧化物导电玻璃或者镀铂的氟锡氧化物导电玻璃中的一种。
通过本发明所提供的制备方法能够在导电玻璃表面形成一个完整、致密的石墨相氮化碳界面层。以实施例1为例，经场发射扫描电子显微镜(日本公司，S4800型)观察发现：所制备的石墨相氮化碳界面层由致密颗粒组成(附图3b)，其表面形貌明显区别于氧化铟锡导电玻璃(附图3a)。经过原子力显微镜(美国Asylum Research公司，MFP-3D-SA型)测量得到：所制备的石墨相氮化碳界面层的厚度为50nm。经X射线衍射仪(日本Tokyo公司，RigakuD/max 2500v/pc型)测试发现：所制备的界面层在衍射角度为13.1°和27.3°处出现两个特征衍射峰，分别对应于石墨相氮化碳的(100)和(002)晶面，进一步确认了该界面层由石墨相氮化碳组成，如附图4所示。
本发明利用的石墨相氮化碳纳米片是近年发展起来的一种新型二维纳米材料，具有理想的二维纳米结构、优异的光学性能、丰富的表面官能团。将其作为界面层材料引入透明导电基底和氧化物薄膜之间能够形成较为完整且导电性能良好的界面层(即原位制备设置)，可以有效降低光生电子与电解液的复合(即有效阻止电解液和导电基底的接触)，抑制背传输反应，从而可以有效降低量子点敏化太阳电池的背传输反应，提高量子点敏化太阳电池的光电转化性能，提高其光电转换效率，其作用机理如图2所示，即石墨相氮化碳界面层在量子点敏化太阳电池中的应用，光电转换效率为原先的1.5—2.2倍。
附图说明
图1是量子点敏化太阳电池背传输反应机理示意图，其中1：导电玻璃；2：光生电子；3：吸附量子点光敏化剂的氧化物多孔膜；4：电解液中的Sx 2-离子；5：电解液中的S2-离子。
图2是石墨相氮化碳界面层抑制量子点敏化太阳电池中背传输反应的机理示意图，其中1：导电玻璃；2：光生电子；3：石墨相氮化碳界面层；4：吸附量子点光敏化剂的氧化物多孔膜；5：电解液中的Sx 2-离子；6：电解液中的S2-离子。
图3是铟锡氧化物导电玻璃和石墨相氮化碳界面层表面形貌的SEM照片，其中a：铟锡氧化物导电玻璃；b：石墨相氮化碳界面层。
图4是石墨相氮化碳界面层的X射线衍射谱线图。
图5是硫化镉量子点的场发射透射电子显微镜照片。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步说明本发明的技术方案。
参考实施例
本发明所采用的量子点是通过溶剂热反应制备的，下面以硫化镉量子点为例进行说明：
(1)将0.114g氯化镉、0.2g三辛基氧化膦放入一个50ml的三颈烧瓶，在氩气保护下加热至220℃并保温30min，在此过程中保持磁力搅拌，形成无色透明的镉前驱体。
(2)将0.16g单质硫、5ml三辛基膦放入一个10ml的带有橡胶塞的玻璃瓶中。混合物在氩气保护下超声10min后形成淡黄色的硫前驱体。
(3)将硫前驱体快速注入到镉前驱体中，并将反应体系的温度升至300℃，保温1h。
(4)待反应结束后，将20ml乙醇加入到反应液中使硫化镉量子点沉淀，产生的沉淀经离心分离、干燥后制得粉末状硫化镉量子点，备用。
采用场发射透射电子显微镜观察发现：所制备的硫化镉量子点结晶度高、分散性好、粒径均匀(约为5nm)，如附图5所示。
在使用时称取所需质量的粉末状量子点溶于正己烷中，即可得到量子点光敏化剂分散液。
实施例1
(1)将10mg的三聚氰胺和50mg的2,6-二氨基吡啶共同溶解于100ml的甲醇中，并将体系于30℃下超声混合6h。
(2)将步骤(1)得到的混合溶液转移至一个容积为150ml的高压釜中，随后将一片铟锡氧化物导电玻璃放入该高压釜底部，并保持其导电面朝上。将高压釜密封后，置于100℃的温度下进行反应，时间为3h。待反应结束后将导电玻璃取出，并用去离子水清洗三遍。
(3)将经过步骤(2)处理的铟锡氧化物导电玻璃平放于一个陶瓷坩埚底部，并保持其导电面朝上。随后，将由50mg三聚氰胺、20mg单质硫和5mg苯酚组成的混合物粉末平铺于铟锡氧化物导电玻璃表面。再后，将陶瓷坩埚放置于一个管式气氛炉的中间位置，在氨气气氛中进行热解反应，升温速率为5℃·min-1，反应温度为400℃，保温时间为2h。
(4)待步骤(3)中的反应结束后将铟锡氧化物导电玻璃取出，然后放置于质量浓度为100mg·ml-1的氨水中进行超声清洗1min，最终在导电玻璃表面制得石墨相氮化碳界面层。经过原子力显微镜(美国Asylum Research公司，MFP-3D-SA型)测量得到：所制备的石墨相氮化碳界面层的厚度为50nm。
(5)将1.5g二氧化钛粉末、0.5g聚乙二醇(数均分子量20000)和50ml去离子水共同放入玛瑙研钵中，研磨30min后得到二氧化钛浆料。随后，利用刮膜法将二氧化钛浆料涂覆在带有石墨相氮化碳界面层的铟锡氧化物导电玻璃表面，待浆料干燥后，经烧结得到二氧化钛多孔膜。在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(1:5)，升温速率为10℃·min-1，烧结温度为300℃，保温时间为30min。
(6)将步骤(5)制得的带有石墨相氮化碳界面层和二氧化钛多孔膜的铟锡氧化物导电玻璃浸入质量浓度为5mg·ml-1的硒化镉量子点的正己烷分散液中，并于避光条件下保持4h，取出后用乙醇清洗三遍，制得光阳极。
(7)将步骤(6)中制得的光阳极和电解液、对电极一起进行封装，最终制成具有石墨相氮化碳界面层的硒化镉量子点敏化太阳电池。其中，电解液为硫化钠和单质硫的甲醇/水溶液，甲醇和水的体积比为(1:3)，硫化钠的摩尔浓度为0.1mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.3mol·L-1，对电极为镀铂的铟锡氧化物导电玻璃。
在AM1.5(能量密度为100mW·cm-2)的模拟太阳光下测试，该电池的光电转换效率为13.4％，而同等条件下制得的无石墨相氮化碳界面层的硒化镉量子点敏化太阳电池的光电转换效率仅为6.7％。
实施例2
(1)将20mg的氨腈和60mg的2,6-二氨基吡啶共同溶解于100ml的乙醇中，并将体系于35℃下超声混合7h。
(2)将步骤(1)得到的混合溶液转移至一个容积为150ml的高压釜中，随后将一片氟锡氧化物导电玻璃放入该高压釜底部，并保持其导电面朝上。将高压釜密封后，置于110℃的温度下进行反应，时间为3.5h。待反应结束后将导电玻璃取出，并用去离子水清洗三遍。
(3)将经过步骤(2)处理的氟锡氧化物导电玻璃平放于一个陶瓷坩埚底部，并保持其导电面朝上。随后，将由70mg氨腈、25mg单质硫和10mg苯酚组成的混合物粉末平铺于氟锡氧化物导电玻璃表面。再后，将陶瓷坩埚放置于一个管式气氛炉的中间位置，在氨气气氛中进行热解反应，升温速率为10℃·min-1，反应温度为450℃，保温时间为2.5h。
(4)待步骤(3)中的反应结束后将氟锡氧化物导电玻璃取出，然后放置于质量浓度为150mg·ml-1的氨水中进行超声清洗2min，最终在导电玻璃表面制得石墨相氮化碳界面层。经过原子力显微镜(美国Asylum Research公司，MFP-3D-SA型)测量得到：所制备的石墨相氮化碳界面层的厚度为80nm。
(5)将1.5g二氧化锡粉末、0.5g聚乙二醇(数均分子量20000)和50ml去离子水共同放入玛瑙研钵中，研磨30min后得到二氧化锡浆料。随后，利用刮膜法将二氧化锡浆料涂覆在带有石墨相氮化碳界面层的氟锡氧化物导电玻璃表面，待浆料干燥后，经烧结得到二氧化锡多孔膜。在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(1:3)，升温速率为15℃·min-1，烧结温度为325℃，保温时间为40min。
(6)将步骤(5)制得的带有石墨相氮化碳界面层和二氧化锡多孔膜的氟锡氧化物导电玻璃浸入质量浓度为10mg·ml-1的硫化镉量子点的正己烷分散液中，并于避光条件下保持4.5h，取出后用乙醇清洗三遍，制得光阳极。
(7)将步骤(6)中制得的光阳极和电解液、对电极一起进行封装，最终制成具有石墨相氮化碳界面层的硫化镉量子点敏化太阳电池。其中，电解液为硫化钠和单质硫的甲醇/水溶液，甲醇和水的体积比为(1:2)，硫化钠的摩尔浓度为0.2mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.4mol·L-1，对电极为镀铂的氟锡氧化物导电玻璃。
在AM1.5(能量密度为100mW·cm-2)的模拟太阳光下测试，该电池的光电转换效率为13.8％，而同等条件下制得的无石墨相氮化碳界面层的硫化镉量子点敏化太阳电池的光电转换效率仅为7.1％。
实施例3
(1)将30mg的双氰胺和70mg的2,6-二氨基吡啶共同溶解于100ml的丙醇中，并将体系于40℃下超声混合8h。
(2)将步骤(1)得到的混合溶液转移至一个容积为150ml的高压釜中，随后将一片氟锡氧化物导电玻璃放入该高压釜底部，并保持其导电面朝上。将高压釜密封后，置于120℃的温度下进行反应，时间为4h。待反应结束后将导电玻璃取出，并用去离子水清洗三遍。
(3)将经过步骤(2)处理的氟锡氧化物导电玻璃平放于一个陶瓷坩埚底部，并保持其导电面朝上。随后，将由90mg双氰胺、30mg单质硫和15mg苯酚组成的混合物粉末平铺于氟锡氧化物导电玻璃表面。再后，将陶瓷坩埚放置于一个管式气氛炉的中间位置，在氨气气氛中进行热解反应，升温速率为15℃·min-1，反应温度为500℃，保温时间为3h。
(4)待步骤(3)中的反应结束后将氟锡氧化物导电玻璃取出，然后放置于质量浓度为200mg·ml-1的氨水中进行超声清洗3min，最终在导电玻璃表面制得石墨相氮化碳界面层。经过原子力显微镜(美国Asylum Research公司，MFP-3D-SA型)测量得到：所制备的石墨相氮化碳界面层的厚度为110nm。
(5)将1.5g氧化锌粉末、0.5g聚乙二醇(数均分子量20000)和50ml去离子水共同放入玛瑙研钵中，研磨30min后得到氧化锌浆料。随后，利用刮膜法将氧化锌浆料涂覆在带有石墨相氮化碳界面层的氟锡氧化物导电玻璃表面，待浆料干燥后，经烧结得到氧化锌多孔膜。在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(1:1)，升温速率为20℃·min-1，烧结温度为350℃，保温时间为50min。
(6)将步骤(5)制得的带有石墨相氮化碳界面层和氧化锌多孔膜的氟锡氧化物导电玻璃浸入质量浓度为15mg·ml-1的碲化镉量子点的正己烷分散液中，并于避光条件下保持5h，取出后用乙醇清洗三遍，制得光阳极。
(7)将步骤(6)中制得的光阳极和电解液、对电极一起进行封装，最终制成具有石墨相氮化碳界面层的碲化镉量子点敏化太阳电池。其中，电解液为硫化钠和单质硫的甲醇/水溶液，甲醇和水的体积比为(1:1)，硫化钠的摩尔浓度为0.3mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.5mol·L-1，对电极为镀铂的氟锡氧化物导电玻璃。
在AM1.5(能量密度为100mW·cm-2)的模拟太阳光下测试，该电池的光电转换效率为12.2％，而同等条件下制得的无石墨相氮化碳界面层的碲化镉量子点敏化太阳电池的光电转换效率仅为6.5％。
实施例4
(1)将40mg的尿素和80mg的2,6-二氨基吡啶共同溶解于100ml的丁醇中，并将体系于45℃下超声混合9h。
(2)将步骤(1)得到的混合溶液转移至一个容积为150ml的高压釜中，随后将一片氟锡氧化物导电玻璃放入该高压釜底部，并保持其导电面朝上。将高压釜密封后，置于130℃的温度下进行反应，时间为4.5h。待反应结束后将导电玻璃取出，并用去离子水清洗三遍。
(3)将经过步骤(2)处理的氟锡氧化物导电玻璃平放于一个陶瓷坩埚底部，并保持其导电面朝上。随后，将由110mg硫脲、35mg单质硫和20mg苯酚组成的混合物粉末平铺于氟锡氧化物导电玻璃表面。再后，将陶瓷坩埚放置于一个管式气氛炉的中间位置，在氨气气氛中进行热解反应，升温速率为20℃·min-1，反应温度为550℃，保温时间为3.5h。
(4)待步骤(3)中的反应结束后将氟锡氧化物导电玻璃取出，然后放置于质量浓度为250mg·ml-1的氨水中进行超声清洗4min，最终在导电玻璃表面制得石墨相氮化碳界面层。经过原子力显微镜(美国Asylum Research公司，MFP-3D-SA型)测量得到：所制备的石墨相氮化碳界面层的厚度为150nm。
(5)将1.5g二氧化锆粉末、0.5g聚乙二醇(数均分子量20000)和50ml去离子水共同放入玛瑙研钵中，研磨30min后得到二氧化锆浆料。随后，利用刮膜法将二氧化锆浆料涂覆在带有石墨相氮化碳界面层的氟锡氧化物导电玻璃表面，待浆料干燥后，经烧结得到二氧化锆多孔膜。在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(3:1)，升温速率为25℃·min-1，烧结温度为375℃，保温时间为60min。
(6)将步骤(5)制得的带有石墨相氮化碳界面层和二氧化锆多孔膜的氟锡氧化物导电玻璃浸入质量浓度为20mg·ml-1的硒化锌量子点的正己烷分散液中，并于避光条件下保持5.5h，取出后用乙醇清洗三遍，制得光阳极。
(7)将步骤(6)中制得的光阳极和电解液、对电极一起进行封装，最终制成具有石墨相氮化碳界面层的硒化锌量子点敏化太阳电池。其中，电解液为硫化钠和单质硫的甲醇/水溶液，甲醇和水的体积比为(2:1)，硫化钠的摩尔浓度为0.4mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.6mol·L-1，对电极为镀铂的氟锡氧化物导电玻璃。
在AM1.5(能量密度为100mW·cm-2)的模拟太阳光下测试，该电池的光电转换效率为16.2％，而同等条件下制得的无石墨相氮化碳界面层的硒化锌量子点敏化太阳电池的光电转换效率仅为7.1％。
实施例5
(1)将50mg的硫脲和90mg的2,6-二氨基吡啶共同溶解于100ml的乙二醇中，并将体系于50℃下超声混合10h。
(2)将步骤(1)得到的混合溶液转移至一个容积为150ml的高压釜中，随后将一片氟锡氧化物导电玻璃放入该高压釜底部，并保持其导电面朝上。将高压釜密封后，置于140℃的温度下进行反应，时间为5h。待反应结束后将导电玻璃取出，并用去离子水清洗三遍。
(3)将经过步骤(2)处理的氟锡氧化物导电玻璃平放于一个陶瓷坩埚底部，并保持其导电面朝上。随后，将由130mg尿素、40mg单质硫和25mg苯酚组成的混合物粉末平铺于氟锡氧化物导电玻璃表面。再后，将陶瓷坩埚放置于一个管式气氛炉的中间位置，在氨气气氛中进行热解反应，升温速率为25℃·min-1，反应温度为600℃，保温时间为4h。
(4)待步骤(3)中的反应结束后将氟锡氧化物导电玻璃取出，然后放置于质量浓度为300mg·ml-1的氨水中进行超声清洗5min，最终在导电玻璃表面制得石墨相氮化碳界面层。经过原子力显微镜(美国Asylum Research公司，MFP-3D-SA型)测量得到：所制备的石墨相氮化碳界面层的厚度为90nm。
(5)将1.5g五氧化二钽粉末、0.5g聚乙二醇(数均分子量20000)和50ml去离子水共同放入玛瑙研钵中，研磨30min后得到二氧化锆浆料。随后，利用刮膜法将五氧化二钽浆料涂覆在带有石墨相氮化碳界面层的氟锡氧化物导电玻璃表面，待浆料干燥后，经烧结得到五氧化二钽多孔膜。在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(5:1)，升温速率为30℃·min-1，烧结温度为400℃，保温时间为70min。
(6)将步骤(5)制得的带有石墨相氮化碳界面层和五氧化二钽多孔膜的氟锡氧化物导电玻璃浸入质量浓度为25mg·ml-1的硫化锌量子点的正己烷分散液中，并于避光条件下保持6h，取出后用乙醇清洗三遍，制得光阳极。
(7)将步骤(6)中制得的光阳极和电解液、对电极一起进行封装，最终制成具有石墨相氮化碳界面层的硫化锌量子点敏化太阳电池。其中，电解液为硫化钠和单质硫的甲醇/水溶液，甲醇和水的体积比为(3:1)，硫化钠的摩尔浓度为0.5mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.7mol·L-1，对电极为镀铂的氟锡氧化物导电玻璃。
在AM1.5(能量密度为100mW·cm-2)的模拟太阳光下测试，该电池的光电转换效率为11.2％，而同等条件下制得的无石墨相氮化碳界面层的硫化锌量子点敏化太阳电池的光电转换效率仅为5.8％。
实施例6
(1)将10mg的三聚氰胺和50mg的2,6-二氨基吡啶共同溶解于100ml的甲醇中，并将体系于30℃下超声混合6h。
(2)将步骤(1)得到的混合溶液转移至一个容积为150ml的高压釜中，随后将一片氟锡氧化物导电玻璃放入该高压釜底部，并保持其导电面朝上。将高压釜密封后，置于100℃的温度下进行反应，时间为3h。待反应结束后将导电玻璃取出，并用去离子水清洗三遍。
(3)将经过步骤(2)处理的氟锡氧化物导电玻璃平放于一个陶瓷坩埚底部，并保持其导电面朝上。随后，将由110mg尿素、35mg单质硫和20mg苯酚组成的混合物粉末平铺于氟锡氧化物导电玻璃表面。再后，将陶瓷坩埚放置于一个管式气氛炉的中间位置，在氨气气氛中进行热解反应，升温速率为5℃·min-1，反应温度为400℃，保温时间为2h。
(4)待步骤(3)中的反应结束后将氟锡氧化物导电玻璃取出，然后放置于质量浓度为100mg·ml-1的氨水中进行超声清洗1min，最终在导电玻璃表面制得石墨相氮化碳界面层。经过原子力显微镜(美国Asylum Research公司，MFP-3D-SA型)测量得到：所制备的石墨相氮化碳界面层的厚度为65nm。
(5)将1.5g二氧化钛粉末、0.5g聚乙二醇(数均分子量20000)和50ml去离子水共同放入玛瑙研钵中，研磨30min后得到二氧化钛浆料。随后，利用刮膜法将二氧化钛浆料涂覆在带有石墨相氮化碳界面层的氟锡氧化物导电玻璃表面，待浆料干燥后，经烧结得到二氧化钛多孔膜。在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(1:5)，升温速率为10℃·min-1，烧结温度为300℃，保温时间为30min。
(6)将步骤(5)制得的带有石墨相氮化碳界面层和二氧化钛多孔膜的氟锡氧化物导电玻璃浸入质量浓度为5mg·ml-1的硒化镉量子点的正己烷分散液中，并于避光条件下保持4h，取出后用乙醇清洗三遍，制得光阳极。
(7)将步骤(6)中制得的光阳极和电解液、对电极一起进行封装，最终制成具有石墨相氮化碳界面层的硒化镉量子点敏化太阳电池。其中，电解液为硫化钠和单质硫的甲醇/水溶液，甲醇和水的体积比为(1:3)，硫化钠的摩尔浓度为0.1mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.3mol·L-1，对电极为镀铂的氟锡氧化物导电玻璃。
在AM1.5(能量密度为100mW·cm-2)的模拟太阳光下测试，该电池的光电转换效率为11.4％，而同等条件下制得的无石墨相氮化碳界面层的硒化镉量子点敏化太阳电池的光电转换效率仅为6.9％。
根据本发明内容进行工艺参数的调整，均可实现本发明太阳电池的制备，且表现出与实施例基本一致的性能。以上对本发明做了示例性的描述，应该说明的是，在不脱离本发明的核心的情况下，任何简单的变形、修改或者其他本领域技术人员能够不花费创造性劳动的等同替换均落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池，其特征在于，自下而上由导电玻璃、石墨相氮化碳界面层、氧化物多孔膜、量子点光敏化剂、电解液和对电极组成；所述石墨相氮化碳界面层设置在导电玻璃和氧化物多孔膜之间，厚度为50-150nm，石墨相氮化碳界面层由石墨相氮化碳纳米片组成；氧化物多孔膜为二氧化钛多孔膜、二氧化锡多孔膜、氧化锌多孔膜、二氧化锆多孔膜或者五氧化二钽多孔膜中的一种；量子点光敏化剂为硒化镉量子点、硫化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化锌量子点、碲化锌量子点、硒化铅量子点、硫化铅量子点或者碲化铅量子点中的一种；所述电解液为硫化钠和单质硫的溶液，其中溶剂为甲醇和水的混合溶液，甲醇和水的体积比为(1:3)-(3:1)，硫化钠的摩尔浓度为0.1-0.5mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.3-0.7mol·L-1。
2.根据权利要求1所述的一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池，其特征在于，石墨相氮化碳界面层厚度优选60—100nm。
3.根据权利要求1或者2所述的一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池，其特征在于，所述导电玻璃为铟锡氧化物导电玻璃或者氟锡氧化物导电玻璃中的一种。
4.根据权利要求1或者2所述的一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池，其特征在于，对电极为镀铂的铟锡氧化物导电玻璃或者镀铂的氟锡氧化物导电玻璃中的一种。
5.一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：
步骤1，将导电玻璃置于装有混合溶液的高压反应釜底部且保持其导电面朝上，密封后置于100—160摄氏度下进行反应，其中混合溶液为含氮有机单体、2,6-二氨基吡啶均匀分散在醇类有机溶剂中制备而得，含氮有机单体为10—50质量份，2,6-二氨基吡啶为50—90质量份，醇类有机溶剂为100—120体积份，含氮有机单体为三聚氰胺、氨腈、双氰胺、尿素或者硫脲中的一种；
步骤2，将经过步骤1处理的导电玻璃置于陶瓷坩埚底部并保持其导电面朝上，将混合粉末平铺于导电面上，再将陶瓷坩埚置于管式气氛炉中，在氨气气氛中进行热解反应，自室温20—25摄氏度以5-25℃·min-1的升温速率升温至400-600℃并保温1—6小时，随炉冷却至室温20—25摄氏度，其中混合粉末由50-130质量份含氮有机单体、20-40质量份单质硫和5-25质量份苯酚组成，含氮有机单体为三聚氰胺、氨腈、双氰胺、尿素或者硫脲中的一种；
步骤3，将经过步骤2处理的导电玻璃置于氨水中进行超声清洗，以在导电玻璃表面制得石墨相氮化碳界面层；
步骤4，将含有氧化物粉末的浆料涂覆在经过步骤3处理的带有石墨相氮化碳界面层的导电玻璃表面，待浆料干燥后经烧结得到氧化物多孔膜，在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(1:5)-(5:1)，自室温20—25摄氏度以10-30℃·min-1的升温速率升温至300-400℃并保温30-120min，随炉冷却至室温20—25摄氏度；
步骤5，将经过步骤4处理得到的带有石墨相氮化碳界面层和氧化物多孔膜的导电玻璃浸入量子点光敏化剂分散液中于避光条件下进行量子点敏化，制得光阳极；
步骤6，将步骤5中制得的光阳极和电解液、对电极一起进行封装，最终制成具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池。
6.根据权利要求5所述的一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤1中，醇类有机溶剂为常温20—25摄氏度下呈液态的醇类有机溶剂，如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙三醇、异丙醇或者异丁醇中的一种；含氮有机单体为20—35质量份，2,6-二氨基吡啶为70—80质量份，醇类有机溶剂为100—120体积份；将含氮有机单体、2,6-二氨基吡啶均匀分散在醇类有机溶剂中，于30-50℃下超声混合6-10h；导电玻璃为铟锡氧化物导电玻璃或者氟锡氧化物导电玻璃中的一种；反应温度为120—150摄氏度，反应时间为1—5小时，优选3—5小时。
7.根据权利要求5所述的一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤2中，自室温20—25摄氏度以5-10℃·min-1的升温速率升温至460—550℃并保温2—4小时，随炉冷却至室温20—25摄氏度；混合粉末由60-120质量份含氮有机单体、25-35质量份单质硫和10-20质量份苯酚组成，将混合粉末平铺于导电面上，厚度为1—3mm；在步骤3中，氨水中氨的质量浓度为100-300mg·ml-1，超声清洗1-5min。
8.根据权利要求5所述的一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤4中，所述氧化物粉末为二氧化钛粉末、二氧化锡粉末、氧化锌粉末、二氧化锆粉末或者五氧化二钽粉末中的一种；在烧结过程中，所用气氛为氧气和氮气的混合气体，氧气和氮气的摩尔比为(1:3)-(3:1)，自室温20—25摄氏度以10-20℃·min-1的升温速率升温至340-380℃并保温40-80min，随炉冷却至室温20—25摄氏度；在步骤5中，量子点光敏化剂分散液中的量子点光敏化剂为硒化镉量子点、硫化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化锌量子点、碲化锌量子点、硒化铅量子点、硫化铅量子点或者碲化铅量子点中的一种，溶剂为正己烷，量子点的质量浓度为5-30mg·ml-1溶剂，在量子点光敏化剂分散液中于避光条件下进行量子点敏化保持4-6h。
9.根据权利要求5所述的一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池的制备方法，其特征在于，在步骤6中，电解液为硫化钠和单质硫的溶液，其中溶剂为甲醇和水的混合溶液，甲醇和水的体积比为(1:3)-(3:1)，硫化钠的摩尔浓度为0.1-0.5mol·L-1，单质硫的摩尔浓度为0.3-0.7mol·L-1，对电极为镀铂的铟锡氧化物导电玻璃或者镀铂的氟锡氧化物导电玻璃中的一种。
10.石墨相氮化碳界面层在量子点敏化太阳电池中的应用，其特征在于，降低光生电子与电解液的复合，抑制背传输反应，提高光电转换效率为原先的1.5—2.2倍。
CN201810311306.7A 2018-04-09 2018-04-09 一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制备方法 Pending CN110364361A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810311306.7A CN110364361A (zh) 2018-04-09 2018-04-09 一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810311306.7A CN110364361A (zh) 2018-04-09 2018-04-09 一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110364361A true CN110364361A (zh) 2019-10-22

Family

ID=68212034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810311306.7A Pending CN110364361A (zh) 2018-04-09 2018-04-09 一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110364361A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111370233A (zh) * 2020-03-13 2020-07-03 长江师范学院 一种硒化铅/氧化锡锑复合对电极的制备方法
CN112563036A (zh) * 2019-11-28 2021-03-26 长江师范学院 一种双层硫化锌钝化硒化镉量子点敏化太阳电池的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142317A (zh) * 2011-01-14 2011-08-03 天津师范大学 一种具有石墨烯界面层的太阳电池及其制备方法
CN102592840A (zh) * 2012-03-19 2012-07-18 天津师范大学 量子点敏化氧化物/碳纳米管复合纤维太阳电池光阳极
CN102629520A (zh) * 2012-05-03 2012-08-08 天津师范大学 一种双粒径量子点共敏化太阳电池及其制备方法与应用
CN104362412A (zh) * 2014-09-22 2015-02-18 广州大学 一种ZnO/g-C3N4纳米复合材料及其制备方法
CN107134369A (zh) * 2016-10-09 2017-09-05 天津师范大学 一种空心‑实心量子点共敏化太阳电池及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142317A (zh) * 2011-01-14 2011-08-03 天津师范大学 一种具有石墨烯界面层的太阳电池及其制备方法
CN102592840A (zh) * 2012-03-19 2012-07-18 天津师范大学 量子点敏化氧化物/碳纳米管复合纤维太阳电池光阳极
CN102629520A (zh) * 2012-05-03 2012-08-08 天津师范大学 一种双粒径量子点共敏化太阳电池及其制备方法与应用
CN104362412A (zh) * 2014-09-22 2015-02-18 广州大学 一种ZnO/g-C3N4纳米复合材料及其制备方法
CN107134369A (zh) * 2016-10-09 2017-09-05 天津师范大学 一种空心‑实心量子点共敏化太阳电池及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112563036A (zh) * 2019-11-28 2021-03-26 长江师范学院 一种双层硫化锌钝化硒化镉量子点敏化太阳电池的制备方法
CN111370233A (zh) * 2020-03-13 2020-07-03 长江师范学院 一种硒化铅/氧化锡锑复合对电极的制备方法
CN111370233B (zh) * 2020-03-13 2021-10-26 长江师范学院 一种硒化铅/氧化锡锑复合对电极的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kostopoulou et al. Perovskite nanostructures for photovoltaic and energy storage devices
CN107887592B (zh) 碳包覆ZnO纳米线及其制备方法和应用
US11453952B2 (en) Photoelectrochemical cells
US10431759B2 (en) Electron transport layer for flexible perovskite solar cell and flexible perovskite solar cell including the same
JP2002518822A (ja) 光電池用二酸化チタンフィルム
Deng et al. Highly bright Li (Gd, Y) F4: Yb, Er upconverting nanocrystals incorporated hole transport layer for efficient perovskite solar cells
Theerthagiri et al. Synthesis of α-Mo2C by carburization of α-MoO3 nanowires and its electrocatalytic activity towards tri-iodide reduction for dye-sensitized solar cells
CN110364361A (zh) 一种具有石墨相氮化碳界面层的量子点敏化太阳电池及其制备方法
CN108448104A (zh) 一种五氧化二铌/碳双量子点纳米复合材料及其制备方法和应用
Ren et al. Near-infrared heavy-metal-free SnSe/ZnSe quantum dots for efficient photoelectrochemical hydrogen generation
Majumder et al. S, N co-doped graphene quantum dots decorated C-doped ZnO nanotaper photoanodes for solar cells applications
Asemi et al. Controllable growth of vertically aligned Bi-doped TiO 2 nanorod arrays for all-oxide solid-state DSSCs
Esmaeili-Zare et al. Influence of deposition parameters on surface morphology and application of CuInS2 thin films in solar cell and photocatalysis
CN111653750A (zh) 氮化碳改性二硫化钼锂离子电池负极材料的制备方法
CN107799316A (zh) 一种PbS量子点敏化TiO2薄膜的制备方法及其应用
Tonejc et al. Transmission electron microscopy studies of nanophase TiO2
CN109502545B (zh) 硒化锗基太阳光分解水产氢电子器件、电极***及其制备方法
CN109037669A (zh) 一种改性镍钴铝酸锂正极材料及其制备方法和应用
CN107017403A (zh) 一种电池负极材料及其制备方法及其应用
CN108511197B (zh) 基于三层TiO2复合薄膜的染料电池
CN108878658B (zh) 一种基于金属离子掺杂二氧化钛间隔层的光稳定钙钛矿太阳电池及其制备方法
Gao et al. Carbon nanoparticle template assisted formation of mesoporous TiO 2 photoanodes for quantum dot-sensitized solar cells
CN106882840A (zh) 一种有着可见光响应的TiO2分级结构及其制备方法
CN112408556B (zh) 一种用于水氧化的分散型内建电场钨铋基阵列及其制备方法
CN113707461A (zh) 基于锌锡类水滑石的CdS/CdSe量子点敏化太阳能电池光阳极、电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191022