CN110326510A - 霍山石斛棚内栽培方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种霍山石斛棚内栽培方法,过程包括:炼苗:把生有3~4片叶、2~3个以上根的组培苗放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中,等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求;移栽:将炼好的瓶苗取出,放在盛有23℃左右的温水中,浸泡,洗净附着在根部的培养基,再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净,控水后浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右,捞出摊开,晾至根部发白;栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上;栽培植料选用比例为1:3~5的碎石子和松鳞皮,碎石子用高锰酸钾溶液消毒,松鳞皮用高温堆闷法杀菌;栽后管理:将栽植好的霍山石斛幼苗,放置在大棚内,给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥,做好病虫害防治。
Description
技术领域
本发明涉及一种霍山石斛种植方法,尤其是涉及一种霍山石斛棚内栽培优化技术。
背景技术
霍山石斛,俗称米斛,属兰科石斛属的多年生草本植物,分布区域狭窄,主要分布于安徽霍山,河南伏牛山南召也有分布。若说石斛是养生仙草,而霍山石斛就是这个养生皇冠上最闪亮的一颗宝珠。霍山石斛含有丰富的多糖、氨基酸、生物碱等物质,并含镁、锌、钠、钙、钾、铁、硒、铜、锰、镍、铬等元素,具有抗肿瘤、降血压、增强抗衰老、消除疲劳等功效,因此,具有较好的药用及保健养生价值。
天然霍山石斛多生在向北背阴、悬崖峭壁的凹隙中及树荫下。在自然条件下,授粉结实率低,种子细小无胚乳,自然萌发率极低,又加之霍山石斛对生境要求苛刻、生长极缓,故而资源稀少。因其自然繁殖率低,分布范围狭窄,加之其重要的药用价值,又因药效显著而致商品价格昂贵,导致霍山石斛野生资源被过度采挖而近于灭绝。
当前,霍山石斛人工栽培产业在全国范围内刚刚起步,有采用扦插、分株苗在林下或深山岩石上进行种植的,但这些方法都存在着温湿度、光照强度无法掌控,扩繁系数低,成活率低,产量低等缺陷,极大地制约了霍山石斛大规模的产业化发展。
发明内容
本发明针对现有技术不足,提出一种霍山石斛棚内栽培方法,把霍山石斛无菌苗在棚内开放栽培,炼苗成活率高;植料普通易获取,栽培成活率高;生长快而管理简单易行。
本发明采用的技术方案:
一种霍山石斛棚内栽培方法,其过程包括:
步骤一,把生有3~4片叶、2~3个以上根的组培苗称为合格苗,把合格率为90%以上的苗瓶不开盖放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中,让未接受过阳光的瓶苗,克服角质层不发达,表皮毛少,气孔多而大、易失水等弱点。温度设置在24~28 ℃之间,放置10~15 d,开盖3~4 d,等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求;
步骤二,移栽:把炼好的组培苗洗净、消毒,栽植在盛有特制植料的容器或苗床上。具体为,将炼好的瓶苗取出,放在常温下的水中浸泡20~30分钟,小心洗净附着在根部的培养基,再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净,捞出控水,再浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右,捞出摊开,晾至根部发白;消毒后,栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上。最好在气温高于15℃的春、秋两季进行。规模化生产的栽培植料主要选用碎石子和松鳞皮,其比例为1: 3~5;栽植前,碎石子用0.5%的高锰酸钾溶液消毒;松鳞皮用高温堆闷法杀菌,具体方法如下:把松鳞皮紧凑地堆放在一起,向堆料表面泼洒适量的清水,用透明塑料薄膜遮盖严实,闷晒7-10日;
步骤三,栽后管理:将栽植好的霍山石斛幼苗,放置在大棚内,给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥,做好病虫害防治。
步骤二中,栽培容器的选择与操作:(a)10cmx10cm白色透明营养钵;(b)15孔的穴盘内;(c)铺10cm厚植料、高0.7m、宽1.5m的苗床;栽种时,把组培苗按大小、质量进行分类栽培,3-5棵为一丛,栽入相应的容器内,苗床上的株、行距为10cm;次年把苗转栽入直径为12~14cm的硬质盆中,植料全部用高温闷晒过的大号松鳞皮。
栽植7 d后,喷洒一次0.3%尿素叶面肥,栽后9天喷洒一次50%多菌灵1000倍液;移栽后,棚内的幼苗用75%的遮阳网遮光,棚内空气湿度在85%左右。
由于霍山石斛的适宜生长温度为20~28℃,故大棚内的温度需要进行人工调节,在夏天,可开水帘、风机及经常早、晚雾化喷淋,进行温度调节,把温度调控在合适范围。冬季可以通过加热、覆盖多层透明薄膜、调节遮阳网的遮光率进行升温,防止冻害发生。
发明有益效果:
1、本发明霍山石斛棚内栽培方法,弥补了当前霍山石斛产业生产中,炼苗难、移栽死亡率高、易患病、生长迟缓等缺陷,以极大程度地满足了市场上对霍山石斛日益增长的需求。把霍山石斛无菌苗在棚内开放栽培,以低成本、易操作管理,结合喷、施低毒农药、环保肥料,从而达到投入少,见效快,获高产之目的,克服了当前霍山石斛人工栽培存在的成活率低,产量和质量低,成本高等缺陷,为挽救濒临灭绝的珍稀药材—霍山石斛,提供了规模化、标准化、产业化生产的先进科学技术。
2、本发明霍山石斛棚内栽培方法,炼苗成活率高;植料普通易获取,栽培成活率高;生长快而管理简单易行。本发明公开的霍山石斛棚内栽培技术,采用优化的高成活率炼苗技术,科学的栽培方法,简单易行的栽后管理,低成本的投入,可获得优质、高产的霍山石斛回报,对霍山石斛的大规模生产化具有重要的技术指导意义。
具体实施方式
下面通过具体实施方式,对本发明技术方案做进一步的详细描述。
实施例1
本发明霍山石斛棚内栽培方法,过程包括:
步骤一,炼苗:把生有3~4片叶、2~3个以上根的组培苗称为合格苗,把合格率为90%以上的苗瓶不开盖放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中,温度设置在24~28 ℃之间,放置10~15 d,开盖3~4 d,等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求;让未接受过阳光照射的瓶苗,在干燥、清洁且有散射阳光的环境中接收阳光照射,以弥补幼苗角质层不发达,表皮毛少,气孔多而大、易失水等弱点。
步骤二,移栽:将炼好的瓶苗取出,放在23℃左右的水中浸泡30分钟左右,洗净附着在根部的培养基,再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净,捞出控水,再浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右,捞出摊开,晾至根部发白;把炼好的组培苗洗净、消毒后,栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上;最好在气温高于15℃的春、秋两季进行;规模化生产的栽培植料主要选用碎石子和松鳞皮,其比例为1: 4;栽植前,碎石子用0.5%的高锰酸钾溶液消毒;松鳞皮用高温堆闷法杀菌,具体方法如下:把松鳞皮紧凑地堆放在一起,向堆料表面泼洒适量的清水,用透明塑料薄膜遮盖严实,闷晒7-10日;
步骤三,栽后管理:将栽植好的霍山石斛幼苗,放置在大棚内,给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥,做好病虫害防治。
实施例2
本实施例的霍山石斛棚内栽培方法,和实施例1的不同之处在于:步骤二中,栽培容器的选择与操作:(a)10cmx10cm白色透明营养钵;(b)15孔的穴盘内;(c)铺10cm厚植料、高0.7m、宽1.5m的苗床;栽种时,把组培苗按大小、质量进行分类栽培,3-5棵为一丛,栽入相应的容器内,苗床上的株、行距为10cm;次年把苗转栽入直径为12~14cm的硬质盆中,植料全部用高温闷晒过的大号松鳞皮。栽植7 d后,喷洒一次0.3%尿素叶面肥,栽后9天喷洒一次50%多菌灵1000倍液;移栽后,棚内的幼苗用75%的遮阳网遮光,棚内空气湿度在85%左右,大棚内的温度控制20~28℃。
实施例3
本实施例的霍山石斛棚内栽培方法,和实施例1或实施例2的不同之处在于:栽后管理包括合理的水肥管理以及病虫害防治。
合理的水肥管理:植料的含水量对霍山石斛的生长起重要作用,过干,生长缓慢,甚至干枯致死;过湿,缺氧沤根,易生病害。经常观察基质干湿程度,以植料表层1cm以下湿润为适含水量,浇水时,以缓喷、巧喷、小而勤喷为宜。
病虫害防治:自幼苗栽种1个月后,必需要进行病虫害防治。首先进行场地预处理、清理场地周围的杂物、棚内外严格隔离。防虫措施:幼苗上部挂黄色粘虫板诱捕害虫,悬挂高度应高于幼苗 15 厘米左右。对于霍山石斛的病害,遵循防大于治原则。每隔7~10天,喷一次杀菌剂,以下几种药物交替使用:80%代森锰锌可湿性粉剂800倍液、80%甲基托布津可湿性粉剂800倍液、50%多菌灵1000倍和75%百菌清可湿性粉剂700~800倍。操作时把叶面喷湿润即可,不同季节最佳喷药时段也不同:夏季是早晨或傍晚;冬季是上午10点后至16点。喷药后第2天再向小苗细雾喷少量清水,以叶表面喷湿润不流淌为准,以提高杀菌剂的吸收率。日常管理中,注重棚内通风,以免闷苗沤根、滋生杂菌。在深秋、寒冬及早春,棚温低于10℃时,霍山石斛进入了休眠期,停止喷药。
实施例4
本实施例的霍山石斛棚内栽培方法,和前述各实施例的不同之处在于:栽后管理的合理施肥管理:幼苗栽植1个月、7个月后,各施一次美国进口奥绿肥5号固体肥做基肥。自第二个月开始,就进入了正常的根外施肥的管理程序。操作时,遵循少而勤的原则。7~10天喷一次叶面肥,0.1%的花多多1号、0.25% 的磷酸二氢钾溶液和0.25% 的尿素交替使用。肥与药不能混合喷施、以免产生沉淀而降低肥效、药效,二者喷施的间隔时间为2天以上。操作时,把叶的表面喷湿润即可。不同季节最佳喷肥时段不同:夏季是早晨或傍晚;冬季是10点后至16点前。喷肥后第2天再向小苗细雾喷少量清水,以叶表面喷湿润不流淌为准,进一步提高叶面肥的吸收率。在深秋、寒冬及早春,棚温低于10℃时,霍山石斛进入了休眠期,停止喷施叶面肥。
实施例5
本实施例的霍山石斛棚内栽培方法,包括以下三大步骤:
步骤一、炼苗:把生有3~4片叶、2~3个以上根的组培苗称为合格苗,把合格率为90%以上的苗瓶不开盖放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中,使未接受过阳光的瓶苗,克服角质层不发达,表皮毛少,气孔多而大、易失水等弱点。温度设置在24~28 ℃之间,放置10~15 d,开盖3~4 d,等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求。本实施例在气温高于15度的春季进行。选用了900棵瓶苗做供试材料,成活率为100%。
步骤二、移栽:把炼好的组培苗洗净、消毒,栽植在盛有特制植料的容器或苗床上。具体过程如下:
用镊子小心将炼好的瓶苗取出,放在盛有23℃左右的温水中,浸泡30分钟,小心洗净附着在根部的培养基,再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净,捞出控水,再浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右,捞出摊开,晾至根部发白。
根据霍山石斛的生长特性要求,栽培基质保水性良好、不易霉变又疏松透气,因此,栽培植料选用碎石和松鳞皮,其比例为1:4。栽植前,碎石子用0.5%的高锰酸钾溶液消毒。松鳞皮用高温堆闷法杀菌。高温堆闷法杀菌在春、夏、秋季的晴朗天气均可进行:把松鳞皮紧凑地堆放在一起,向堆料表面泼洒适量的清水,用透明塑料薄膜遮盖严实,闷晒7~10日。由于受强光的暴晒,在堆料表面产生大量高温蒸汽,可起到杀菌作用。
栽培容器的选择与操作:(a)10cmx10cm白色透明营养钵; (b)15孔的穴盘内; (c)铺10cm厚植料、高0.7m、宽1.5m的苗床。
栽种时,把组培苗按大小、质量进行分类栽培,方便管理,以提高成活率。3-5棵为一丛,栽入相应的容器内;苗床上的株、行距为10cm。经观察统计,成活率达到99%。次年把苗移栽入直径为12~14cm的硬质盆中,植料全部用高温闷晒过的大号松鳞皮,此种植料耐沤、保水性强、透气性好,持续缓慢释放营养,可连续3年勿需换盆换料;栽植7 d后,喷洒一次0.3%尿素叶面肥,栽后9天喷洒一次50%多菌灵1000倍液。
步骤三、栽后管理:将栽植好的霍山石斛幼苗,放置在大棚内,给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥,做好病虫害防治。具体过程如实施例3、实施例4所述。移栽后,棚内的幼苗用75%的遮阳网遮光,棚内空气湿度在85%左右。由于霍山石斛的适宜生长温度为20~28℃,故大棚内的温度需要进行人工调节,在夏天,可开水帘、风机及经常早、晚雾化喷淋,进行温度调节,把温度调控在适宜范围。冬季可以通过加热、覆盖多层透明薄膜、调节遮阳网的遮光率进行升温,防止冻害发生。
本发明提供的霍山石斛棚内栽培技术,在低毒、少肥料、操作简便、低成本的条件下,不仅能有效减少植株患病率,还能提高移栽霍山石斛的成活率,提高霍山石斛产量,以满足市场上对霍山石斛日益增长的需求。实施例5中,一年以上的大苗,遵照步骤三的方法管理,三年生的全株鲜重亩产量可高达800斤。
以上对本发明提供的霍山石斛棚内栽培技术,进行了详细介绍。具体实施的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出,对于技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (6)
1.一种霍山石斛棚内栽培方法,其过程包括:
步骤一,炼苗:
把生有3~4片叶、2~3个以上根的组培苗称为合格苗,把合格率为90%以上的苗瓶不开盖放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中,等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时即达到炼苗要求;
步骤二,移栽:
将炼好的瓶苗取出,放在常温下的水中浸泡20~30分钟,洗净附着在根部的培养基,再用同温清水漂洗干净,控水后浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中3~6分钟,捞出摊开,晾至根部发白;
把炼好的组培苗洗净、消毒后,栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上;环境气温高于15℃;
栽培植料主要选用消毒和杀菌处理后的碎石子和松鳞皮,其比例为1: 3~5;
步骤三,栽后管理:
将栽植好的霍山石斛幼苗,放置在大棚内,给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥,做好病虫害防治。
2.根据权利要求1所述的霍山石斛棚内栽培方法,其特征在于:炼苗过程中,温度控制在24~28 ℃之间,放置10~15 d,开盖3~4 d,让未接受过阳光照射的瓶苗,在干燥、清洁且有散射阳光的环境中接收阳光照射,以弥补幼苗角质层不发达,表皮毛少,气孔多而大、易失水的弱点。
3.根据权利要求1或2所述的霍山石斛棚内栽培方法,其特征在于:步骤二中,栽培容器的选择与操作:(a)10cmx10cm白色透明营养钵;(b)15孔的穴盘内;(c)铺10cm厚植料、高0.7m、宽1.5m的苗床;栽种时,把组培苗按大小、质量进行分类栽培,3-5棵为一丛,栽入相应的容器内,苗床上的株、行距为10cm;次年把苗转栽入直径为12~14cm的硬质盆中,植料全部用高温闷晒过的大号松鳞皮。
4.根据权利要求3所述的霍山石斛棚内栽培方法,其特征在于:栽植7 d后,喷洒一次0.3%尿素叶面肥,栽后9天喷洒一次50%多菌灵1000倍液;移栽后,棚内的幼苗用75%的遮阳网遮光,棚内空气湿度在85%左右,大棚内的温度控制20~28℃。
5.根据权利要求1、2或4所述的霍山石斛棚内栽培方法,其特征在于:栽后管理包括合理的水肥管理以及病虫害防治:观察基质干湿程度,以植料表层1cm以下湿润为适含水量;幼苗栽种1个月后,进行病虫害防治:每隔7~12天,喷一次杀菌剂,以下几种药物交替使用:80%代森锰锌可湿性粉剂800倍液、80%甲基托布津可湿性粉剂800倍液、50%多菌灵1000倍和75%百菌清可湿性粉剂700~800倍;喷药后第2天再向小苗细雾喷少量清水,以叶表面喷湿润不流淌为准,以提高杀菌剂的吸收率;日常管理中,注重棚内通风,以免闷苗沤根、滋生杂菌;在深秋、寒冬及早春,棚温低于10℃时,霍山石斛进入了休眠期,停止喷药。
6.根据权利要求1、2或4所述的霍山石斛棚内栽培方法,其特征在于:栽后管理还包括合理施肥管理:幼苗栽植1个月、7个月后,各施一次美国进口奥绿肥5号固体肥做基肥;自第二个月开始,就进入了正常的根外施肥的管理程序,操作时,遵循少而勤的原则:每7~12天喷一次叶面肥,0.1%的花多多1号、0.25% 的磷酸二氢钾溶液和0.25% 的尿素交替使用;肥与药不能混合喷施、以免产生沉淀而降低肥效、药效,二者喷施的间隔时间为2天以上,操作时,把叶的表面喷湿润即可;喷肥后第2天再向小苗细雾喷少量清水,以叶表面喷湿润不流淌为准,进一步提高叶面肥的吸收率,在深秋、寒冬及早春,棚温低于10℃时,霍山石斛进入了休眠期,停止喷施叶面肥。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20191015 |
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