CN110326510A - 霍山石斛棚内栽培方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种霍山石斛棚内栽培方法，过程包括：炼苗：把生有3～4片叶、2～3个以上根的组培苗放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中，等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求；移栽：将炼好的瓶苗取出，放在盛有23℃左右的温水中，浸泡，洗净附着在根部的培养基，再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净，控水后浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右，捞出摊开，晾至根部发白；栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上；栽培植料选用比例为1:3～5的碎石子和松鳞皮，碎石子用高锰酸钾溶液消毒，松鳞皮用高温堆闷法杀菌；栽后管理：将栽植好的霍山石斛幼苗，放置在大棚内，给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥，做好病虫害防治。

Description

霍山石斛棚内栽培方法

技术领域

本发明涉及一种霍山石斛种植方法，尤其是涉及一种霍山石斛棚内栽培优化技术。

背景技术

霍山石斛，俗称米斛，属兰科石斛属的多年生草本植物，分布区域狭窄，主要分布于安徽霍山，河南伏牛山南召也有分布。若说石斛是养生仙草，而霍山石斛就是这个养生皇冠上最闪亮的一颗宝珠。霍山石斛含有丰富的多糖、氨基酸、生物碱等物质，并含镁、锌、钠、钙、钾、铁、硒、铜、锰、镍、铬等元素，具有抗肿瘤、降血压、增强抗衰老、消除疲劳等功效，因此，具有较好的药用及保健养生价值。

天然霍山石斛多生在向北背阴、悬崖峭壁的凹隙中及树荫下。在自然条件下，授粉结实率低，种子细小无胚乳，自然萌发率极低，又加之霍山石斛对生境要求苛刻、生长极缓，故而资源稀少。因其自然繁殖率低，分布范围狭窄，加之其重要的药用价值，又因药效显著而致商品价格昂贵，导致霍山石斛野生资源被过度采挖而近于灭绝。

当前，霍山石斛人工栽培产业在全国范围内刚刚起步，有采用扦插、分株苗在林下或深山岩石上进行种植的，但这些方法都存在着温湿度、光照强度无法掌控，扩繁系数低，成活率低，产量低等缺陷，极大地制约了霍山石斛大规模的产业化发展。

发明内容

本发明针对现有技术不足，提出一种霍山石斛棚内栽培方法，把霍山石斛无菌苗在棚内开放栽培，炼苗成活率高；植料普通易获取，栽培成活率高；生长快而管理简单易行。

本发明采用的技术方案：

一种霍山石斛棚内栽培方法，其过程包括：

步骤一，把生有3～4片叶、2～3个以上根的组培苗称为合格苗，把合格率为９０％以上的苗瓶不开盖放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中，让未接受过阳光的瓶苗，克服角质层不发达，表皮毛少，气孔多而大、易失水等弱点。温度设置在24～28 ℃之间，放置10～15 d，开盖3～4 d，等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求；

步骤二，移栽：把炼好的组培苗洗净、消毒，栽植在盛有特制植料的容器或苗床上。具体为，将炼好的瓶苗取出，放在常温下的水中浸泡20～30分钟，小心洗净附着在根部的培养基，再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净，捞出控水，再浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右，捞出摊开，晾至根部发白；消毒后，栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上。最好在气温高于15℃的春、秋两季进行。规模化生产的栽培植料主要选用碎石子和松鳞皮，其比例为1: 3～5；栽植前，碎石子用0.5%的高锰酸钾溶液消毒；松鳞皮用高温堆闷法杀菌，具体方法如下：把松鳞皮紧凑地堆放在一起，向堆料表面泼洒适量的清水，用透明塑料薄膜遮盖严实，闷晒7-10日；

步骤三，栽后管理：将栽植好的霍山石斛幼苗，放置在大棚内，给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥，做好病虫害防治。

步骤二中，栽培容器的选择与操作：（a）10cmx10cm白色透明营养钵；（b）15孔的穴盘内；（c）铺10cm厚植料、高0.7m、宽1.5m的苗床；栽种时，把组培苗按大小、质量进行分类栽培，3-5棵为一丛，栽入相应的容器内，苗床上的株、行距为10cm；次年把苗转栽入直径为12～14cm的硬质盆中，植料全部用高温闷晒过的大号松鳞皮。

栽植7 d后，喷洒一次0.3%尿素叶面肥，栽后9天喷洒一次50%多菌灵1000倍液；移栽后，棚内的幼苗用75％的遮阳网遮光，棚内空气湿度在85％左右。

由于霍山石斛的适宜生长温度为20～28℃，故大棚内的温度需要进行人工调节，在夏天，可开水帘、风机及经常早、晚雾化喷淋，进行温度调节，把温度调控在合适范围。冬季可以通过加热、覆盖多层透明薄膜、调节遮阳网的遮光率进行升温，防止冻害发生。

发明有益效果：

1、本发明霍山石斛棚内栽培方法，弥补了当前霍山石斛产业生产中，炼苗难、移栽死亡率高、易患病、生长迟缓等缺陷，以极大程度地满足了市场上对霍山石斛日益增长的需求。把霍山石斛无菌苗在棚内开放栽培，以低成本、易操作管理，结合喷、施低毒农药、环保肥料，从而达到投入少，见效快，获高产之目的，克服了当前霍山石斛人工栽培存在的成活率低，产量和质量低，成本高等缺陷，为挽救濒临灭绝的珍稀药材—霍山石斛，提供了规模化、标准化、产业化生产的先进科学技术。

2、本发明霍山石斛棚内栽培方法，炼苗成活率高；植料普通易获取，栽培成活率高；生长快而管理简单易行。本发明公开的霍山石斛棚内栽培技术，采用优化的高成活率炼苗技术，科学的栽培方法，简单易行的栽后管理，低成本的投入，可获得优质、高产的霍山石斛回报，对霍山石斛的大规模生产化具有重要的技术指导意义。

具体实施方式

下面通过具体实施方式，对本发明技术方案做进一步的详细描述。

实施例1

本发明霍山石斛棚内栽培方法，过程包括：

步骤一，炼苗：把生有3～4片叶、2～3个以上根的组培苗称为合格苗，把合格率为９０％以上的苗瓶不开盖放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中，温度设置在24～28 ℃之间，放置10～15 d，开盖3～4 d，等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求；让未接受过阳光照射的瓶苗，在干燥、清洁且有散射阳光的环境中接收阳光照射，以弥补幼苗角质层不发达，表皮毛少，气孔多而大、易失水等弱点。

步骤二，移栽：将炼好的瓶苗取出，放在23℃左右的水中浸泡30分钟左右，洗净附着在根部的培养基，再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净，捞出控水，再浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右，捞出摊开，晾至根部发白；把炼好的组培苗洗净、消毒后，栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上；最好在气温高于15℃的春、秋两季进行；规模化生产的栽培植料主要选用碎石子和松鳞皮，其比例为1: 4；栽植前，碎石子用0.5%的高锰酸钾溶液消毒；松鳞皮用高温堆闷法杀菌，具体方法如下：把松鳞皮紧凑地堆放在一起，向堆料表面泼洒适量的清水，用透明塑料薄膜遮盖严实，闷晒7-10日；

步骤三，栽后管理：将栽植好的霍山石斛幼苗，放置在大棚内，给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥，做好病虫害防治。

实施例2

本实施例的霍山石斛棚内栽培方法，和实施例1的不同之处在于：步骤二中，栽培容器的选择与操作：（a）10cmx10cm白色透明营养钵；（b）15孔的穴盘内；（c）铺10cm厚植料、高0.7m、宽1.5m的苗床；栽种时，把组培苗按大小、质量进行分类栽培，3-5棵为一丛，栽入相应的容器内，苗床上的株、行距为10cm；次年把苗转栽入直径为12～14cm的硬质盆中，植料全部用高温闷晒过的大号松鳞皮。栽植7 d后，喷洒一次0.3%尿素叶面肥，栽后9天喷洒一次50%多菌灵1000倍液；移栽后，棚内的幼苗用75％的遮阳网遮光，棚内空气湿度在85％左右，大棚内的温度控制20～28℃。

实施例3

本实施例的霍山石斛棚内栽培方法，和实施例1或实施例2的不同之处在于：栽后管理包括合理的水肥管理以及病虫害防治。

合理的水肥管理：植料的含水量对霍山石斛的生长起重要作用，过干，生长缓慢，甚至干枯致死；过湿，缺氧沤根，易生病害。经常观察基质干湿程度，以植料表层1cm以下湿润为适含水量，浇水时，以缓喷、巧喷、小而勤喷为宜。

病虫害防治：自幼苗栽种1个月后，必需要进行病虫害防治。首先进行场地预处理、清理场地周围的杂物、棚内外严格隔离。防虫措施：幼苗上部挂黄色粘虫板诱捕害虫，悬挂高度应高于幼苗 15 厘米左右。对于霍山石斛的病害，遵循防大于治原则。每隔7～10天，喷一次杀菌剂，以下几种药物交替使用：80%代森锰锌可湿性粉剂800倍液、80％甲基托布津可湿性粉剂800倍液、50%多菌灵1000倍和75%百菌清可湿性粉剂700～800倍。操作时把叶面喷湿润即可，不同季节最佳喷药时段也不同：夏季是早晨或傍晚；冬季是上午10点后至16点。喷药后第2天再向小苗细雾喷少量清水，以叶表面喷湿润不流淌为准，以提高杀菌剂的吸收率。日常管理中，注重棚内通风，以免闷苗沤根、滋生杂菌。在深秋、寒冬及早春，棚温低于10℃时，霍山石斛进入了休眠期，停止喷药。

实施例4

本实施例的霍山石斛棚内栽培方法，和前述各实施例的不同之处在于：栽后管理的合理施肥管理：幼苗栽植1个月、7个月后，各施一次美国进口奥绿肥5号固体肥做基肥。自第二个月开始，就进入了正常的根外施肥的管理程序。操作时，遵循少而勤的原则。7～10天喷一次叶面肥，0.1%的花多多1号、0.25% 的磷酸二氢钾溶液和0.25% 的尿素交替使用。肥与药不能混合喷施、以免产生沉淀而降低肥效、药效，二者喷施的间隔时间为2天以上。操作时，把叶的表面喷湿润即可。不同季节最佳喷肥时段不同：夏季是早晨或傍晚；冬季是10点后至16点前。喷肥后第2天再向小苗细雾喷少量清水，以叶表面喷湿润不流淌为准，进一步提高叶面肥的吸收率。在深秋、寒冬及早春，棚温低于10℃时，霍山石斛进入了休眠期，停止喷施叶面肥。

实施例5

本实施例的霍山石斛棚内栽培方法，包括以下三大步骤：

步骤一、炼苗：把生有3～4片叶、2～3个以上根的组培苗称为合格苗，把合格率为９０％以上的苗瓶不开盖放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中，使未接受过阳光的瓶苗，克服角质层不发达，表皮毛少，气孔多而大、易失水等弱点。温度设置在24～28 ℃之间，放置10～15 d，开盖3～4 d，等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时达到炼苗要求。本实施例在气温高于15度的春季进行。选用了900棵瓶苗做供试材料，成活率为100%。

步骤二、移栽：把炼好的组培苗洗净、消毒，栽植在盛有特制植料的容器或苗床上。具体过程如下：

用镊子小心将炼好的瓶苗取出，放在盛有23℃左右的温水中，浸泡30分钟，小心洗净附着在根部的培养基，再用另一盆同温清水轻轻地漂洗干净，捞出控水，再浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中5分钟左右，捞出摊开，晾至根部发白。

根据霍山石斛的生长特性要求，栽培基质保水性良好、不易霉变又疏松透气，因此，栽培植料选用碎石和松鳞皮，其比例为1：4。栽植前，碎石子用0.5%的高锰酸钾溶液消毒。松鳞皮用高温堆闷法杀菌。高温堆闷法杀菌在春、夏、秋季的晴朗天气均可进行：把松鳞皮紧凑地堆放在一起，向堆料表面泼洒适量的清水，用透明塑料薄膜遮盖严实，闷晒7～10日。由于受强光的暴晒，在堆料表面产生大量高温蒸汽，可起到杀菌作用。

栽培容器的选择与操作：（a）10cmx10cm白色透明营养钵; （b）15孔的穴盘内; （c）铺10cm厚植料、高0.7m、宽1.5m的苗床。

栽种时，把组培苗按大小、质量进行分类栽培，方便管理，以提高成活率。3-5棵为一丛，栽入相应的容器内；苗床上的株、行距为10cm。经观察统计，成活率达到99%。次年把苗移栽入直径为12～14cm的硬质盆中，植料全部用高温闷晒过的大号松鳞皮，此种植料耐沤、保水性强、透气性好，持续缓慢释放营养，可连续3年勿需换盆换料；栽植7 d后，喷洒一次0.3%尿素叶面肥，栽后9天喷洒一次50%多菌灵1000倍液。

步骤三、栽后管理：将栽植好的霍山石斛幼苗，放置在大棚内，给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥，做好病虫害防治。具体过程如实施例3、实施例4所述。移栽后，棚内的幼苗用75％的遮阳网遮光，棚内空气湿度在85％左右。由于霍山石斛的适宜生长温度为20～28℃，故大棚内的温度需要进行人工调节，在夏天，可开水帘、风机及经常早、晚雾化喷淋，进行温度调节，把温度调控在适宜范围。冬季可以通过加热、覆盖多层透明薄膜、调节遮阳网的遮光率进行升温，防止冻害发生。

本发明提供的霍山石斛棚内栽培技术，在低毒、少肥料、操作简便、低成本的条件下，不仅能有效减少植株患病率，还能提高移栽霍山石斛的成活率，提高霍山石斛产量，以满足市场上对霍山石斛日益增长的需求。实施例5中，一年以上的大苗，遵照步骤三的方法管理，三年生的全株鲜重亩产量可高达800斤。

以上对本发明提供的霍山石斛棚内栽培技术，进行了详细介绍。具体实施的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (6)

1.一种霍山石斛棚内栽培方法，其过程包括：

步骤一，炼苗：

把生有3～4片叶、2～3个以上根的组培苗称为合格苗，把合格率为９０％以上的苗瓶不开盖放置在干燥、清洁且有散射阳光的环境中，等瓶苗叶色深绿、根系粗壮时即达到炼苗要求；

步骤二，移栽：

将炼好的瓶苗取出，放在常温下的水中浸泡20～30分钟，洗净附着在根部的培养基，再用同温清水漂洗干净，控水后浸入80%代森锰锌可湿性粉剂1000倍液中3～6分钟，捞出摊开，晾至根部发白；

把炼好的组培苗洗净、消毒后，栽植在盛有栽培植料的容器或苗床上；环境气温高于15℃；

栽培植料主要选用消毒和杀菌处理后的碎石子和松鳞皮，其比例为1: 3～5；

步骤三，栽后管理：

将栽植好的霍山石斛幼苗，放置在大棚内，给予适宜的温湿度、光照及合理地喷、施肥，做好病虫害防治。

2.根据权利要求1所述的霍山石斛棚内栽培方法，其特征在于：炼苗过程中，温度控制在24～28 ℃之间，放置10～15 d，开盖3～4 d，让未接受过阳光照射的瓶苗，在干燥、清洁且有散射阳光的环境中接收阳光照射，以弥补幼苗角质层不发达，表皮毛少，气孔多而大、易失水的弱点。

3.根据权利要求1或2所述的霍山石斛棚内栽培方法，其特征在于：步骤二中，栽培容器的选择与操作：（a）10cmx10cm白色透明营养钵；（b）15孔的穴盘内；（c）铺10cm厚植料、高0.7m、宽1.5m的苗床；栽种时，把组培苗按大小、质量进行分类栽培，3-5棵为一丛，栽入相应的容器内，苗床上的株、行距为10cm；次年把苗转栽入直径为12～14cm的硬质盆中，植料全部用高温闷晒过的大号松鳞皮。

4.根据权利要求3所述的霍山石斛棚内栽培方法，其特征在于：栽植7 d后，喷洒一次0.3%尿素叶面肥，栽后9天喷洒一次50%多菌灵1000倍液；移栽后，棚内的幼苗用75％的遮阳网遮光，棚内空气湿度在85％左右，大棚内的温度控制20～28℃。

5.根据权利要求1、2或4所述的霍山石斛棚内栽培方法，其特征在于：栽后管理包括合理的水肥管理以及病虫害防治：观察基质干湿程度，以植料表层1cm以下湿润为适含水量；幼苗栽种1个月后，进行病虫害防治：每隔7～12天，喷一次杀菌剂，以下几种药物交替使用：80%代森锰锌可湿性粉剂800倍液、80％甲基托布津可湿性粉剂800倍液、50%多菌灵1000倍和75%百菌清可湿性粉剂700～800倍；喷药后第2天再向小苗细雾喷少量清水，以叶表面喷湿润不流淌为准，以提高杀菌剂的吸收率；日常管理中，注重棚内通风，以免闷苗沤根、滋生杂菌；在深秋、寒冬及早春，棚温低于10℃时，霍山石斛进入了休眠期，停止喷药。

6.根据权利要求1、2或4所述的霍山石斛棚内栽培方法，其特征在于：栽后管理还包括合理施肥管理：幼苗栽植1个月、7个月后，各施一次美国进口奥绿肥5号固体肥做基肥；自第二个月开始，就进入了正常的根外施肥的管理程序，操作时，遵循少而勤的原则：每7～12天喷一次叶面肥，0.1%的花多多1号、0.25% 的磷酸二氢钾溶液和0.25% 的尿素交替使用；肥与药不能混合喷施、以免产生沉淀而降低肥效、药效，二者喷施的间隔时间为2天以上，操作时，把叶的表面喷湿润即可；喷肥后第2天再向小苗细雾喷少量清水，以叶表面喷湿润不流淌为准，进一步提高叶面肥的吸收率，在深秋、寒冬及早春，棚温低于10℃时，霍山石斛进入了休眠期，停止喷施叶面肥。