CN110234188A - Led驱动芯片的自动换挡调节电路 - Google Patents

Led驱动芯片的自动换挡调节电路 Download PDF

Info

Publication number
CN110234188A
CN110234188A CN201910381588.2A CN201910381588A CN110234188A CN 110234188 A CN110234188 A CN 110234188A CN 201910381588 A CN201910381588 A CN 201910381588A CN 110234188 A CN110234188 A CN 110234188A
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxide
metal
semiconductor
circuit
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910381588.2A
Other languages
English (en)
Inventor
刘宝生
胡渊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Limited Co Of Fu Man Electronics Group Of Shenzhen
Original Assignee
Limited Co Of Fu Man Electronics Group Of Shenzhen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Limited Co Of Fu Man Electronics Group Of Shenzhen filed Critical Limited Co Of Fu Man Electronics Group Of Shenzhen
Priority to CN201910381588.2A priority Critical patent/CN110234188A/zh
Publication of CN110234188A publication Critical patent/CN110234188A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/10—Controlling the intensity of the light

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明提供的LED驱动芯片的自动换挡调节电路，包括双比较器子电路、逻辑子电路和自动换挡驱动MOS管子电路；其中，所述双比较器子电路的输入端连接自动换挡驱动MOS管子电路中驱动MOS管的栅极，所述双比较器子电路的输出端连接所述逻辑子电路的输入端，所述逻辑子电路的输出端接所述自动换挡驱动MOS管子电路。该电路在很宽的LED输出电流范围内提高了输出电流的一致性。

Description

LED驱动芯片的自动换挡调节电路
技术领域
本发明属于电子电路技术领域，具体涉及LED驱动芯片的自动换挡调节电路。
背景技术
在现有LED显示屏驱动芯片技术中，通常一块LED驱动模组中有多颗LED驱动芯片，同时一颗LED驱动芯片有多个通道用于驱动多颗LED灯珠。通过LED灯珠的电流大小决定了LED灯珠的亮暗程度，通过预设LED驱动芯片的驱动电流来达到预期的显示效果。
对于LED显示屏，为了达到尽量好的显示效果，通常要求同一块模组中不同芯片间电流误差，以及同一颗芯片的不同通道间电流误差都要求尽量小。而且，对于不同材质的LED灯珠(比如红灯、绿灯、蓝灯)，为了达到理想的显示效果，需要的驱动电流也存在较大差异。这样，要求LED驱动芯片能够在宽的电流输出范围内确保输出电流具有较佳的一致性。
现有实现方案中，通常有两种实现方案，一种实现方案是芯片中恒流输出的驱动MOS管设计多组不同尺寸的驱动MOS器件，对于不同的应用***(比如红灯、绿灯、蓝灯)，通过软件配置不同的寄存器值来预设不同尺寸的驱动MOS管。对于不同的LED显示屏***，该实现方式需要配置不同的软件代码，可移植性较差。
现有实现方案的另外一种方式是采用一电流感应电路，该电流感应电路检测流过驱动MOS管的电流大小，与预设的转换点电流比较，若输入电流与转换点相比较后符合切换条件，则由电流感应电路输出一切换信号而适当调整各级驱动MOS管。该技术方案的缺点是电流检测的精度较差，LED灯珠亮灭的瞬间电流变化的毛刺容易导致电流比较电路的误判断，抗干扰性较差。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供了一种LED驱动芯片的自动换挡调节电路，在很宽的LED输出电流范围内提高了输出电流的一致性。
一种LED驱动芯片的自动换挡调节电路，包括双比较器子电路、逻辑子电路和自动换挡驱动MOS管子电路；
其中，所述双比较器子电路的输入端连接自动换挡驱动MOS管子电路中驱动MOS管的栅极，所述双比较器子电路的输出端连接所述逻辑子电路的输入端，所述逻辑子电路的输出端接所述自动换挡驱动MOS管子电路。
优选地，所述双比较器子电路包括第一比较器和第二比较器；
其中，第一比较器的输入端接参考电压负极；第一比较器的参考电压端接第二比较器的参考电压端，形成参考端，所述参考端接所述自动换挡驱动MOS管子电路中驱动MOS管的栅极；第一比较器的输出端形成第一输出端，接所述逻辑子电路的第一输入端；
第二比较器的输入端接参考电压正极，第二比较器的输出端形成第二输出端，接所述逻辑子电路的第二输入端。
优选地，所述逻辑子电路为数字电路，包括两个输入端和若干个输出端；
所述两个输入端包括第一输入端和第二输入端；
优选地，所述自动换挡驱动MOS管子电路包括第一放大器OP1、第二放大器OP2、恒流源l1、驱动MOS管MB和二极管LED；
所述驱动MOS管包括相互并联的若干组选择MOS管；选择MOS管包括第一MOS管和第二MOS管；第一MOS管和第二MOS管的栅极均连接一电子开关的静触点，电子开关的第一动触点接地，电子开关的第二动触点连接至第一放大器OP1的输出端；第一MOS管和第二MOS管的源极均接地；第一MOS管的漏级接第一放大器OP1的正极输入端，第二MOS管的漏级接第二放大器OP2的负极输入端；所有第一MOS管和第二MOS管的栅极相互连接，且连接所述双比较器子电路的输入端；
所述逻辑子电路的输出端与所述电子开关的控制端连接；
第一放大器OP1的正极输入端连接第二放大器OP2的正极输入端；第一放大器OP1的负极输入端接恒压源，第二放大器OP2的输出端接MOS管MB的栅极，MOS管MB的源极接第二放大器OP2的负极输入端，MOS管MB的漏级通过依次反接二极管LED、串联恒流源接第一放大器OP1的正极输入端。
优选地，所述逻辑子电路的每个输出端均连接至每组选择MOS管中电子开关的控制端。
优选地，所述驱动MOS管还包括一组默认MOS管；
默认MOS管包括第三MOS管和第四MOS管；第三MOS管和第四MOS管的栅极均连接至第一放大器OP1的输出端；第三MOS管和第四MOS管的源极均接地；第三MOS管的漏级接第一放大器OP1的正极输入端，第四MOS管的漏级接第二放大器OP2的负极输入端；所有第三MOS管和第四MOS管的栅极相互连接，且连接所述双比较器子电路的输入端。
优选地，所述选择MOS管为三组。
本发明实施例提供的LED驱动芯片的自动换挡调节电路，在很宽的LED输出电流范围内提高了输出电流的一致性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
图1为本发明实施例提供的自动换挡调节电路的模块框图。
图2为本发明实施例提供的一种双比较器子电路的电路图。
图3为本发明实施例提供的一种自动换挡驱动MOS管子电路的电路图。
图4为本发明实施例提供的逻辑子电路的一种状态图。
图5为本发明实施例提供的输出电流增益与VG关系曲线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
实施例：
一种LED驱动芯片的自动换挡调节电路，参见图1，包括双比较器子电路、逻辑子电路和自动换挡驱动MOS管子电路；
其中，所述双比较器子电路的输入端连接自动换挡驱动MOS管子电路中驱动MOS管的栅极，所述双比较器子电路的输出端连接所述逻辑子电路的输入端，所述逻辑子电路的输出端接所述自动换挡驱动MOS管子电路。
该电路实时检测驱动MOS管栅极电压，根据栅极电压的大小，在三帧画面周期内逐渐判断所需的驱动MOS管数目。解决现有LED驱动芯片中要求在很宽的电流输出范围内同时确保输出电流较佳的一致性问题。
参见图2，所述双比较器子电路包括第一比较器和第二比较器；
其中，第一比较器的输入端接参考电压负极；第一比较器的参考电压端接第二比较器的参考电压端，形成参考端，所述参考端接所述自动换挡驱动MOS管子电路中驱动MOS管的栅极；第一比较器的输出端形成第一输出端，接所述逻辑子电路的第一输入端；
第二比较器的输入端接参考电压正极，第二比较器的输出端形成第二输出端，接所述逻辑子电路的第二输入端。
具体地，双比较器子电路用于将驱动MOS管的栅端电压VG分别与第一比较器的参考电压VG+和第二比较器的参考电压VG-比较。VG+和VG-用于设定自定换挡的驱动MOS管的栅极电压范围，预设的VG范围为：VG-<VG<VG+。双比较器输出比较结果vds_H和vds_L，输入到所述逻辑子电路。
参见图3，所述自动换挡驱动MOS管子电路包括第一放大器OP1、第二放大器OP2、恒流源l1、驱动MOS管MB和二极管LED；
所述驱动MOS管包括相互并联的若干组选择MOS管；选择MOS管包括第一MOS管和第二MOS管；第一MOS管和第二MOS管的栅极均连接一电子开关的静触点，电子开关的第一动触点接地，电子开关的第二动触点连接至第一放大器OP1的输出端；第一MOS管和第二MOS管的源极均接地；第一MOS管的漏级接第一放大器OP1的正极输入端，第二MOS管的漏级接第二放大器OP2的负极输入端；所有第一MOS管和第二MOS管的栅极相互连接，且连接所述双比较器子电路的输入端；
所述逻辑子电路的输出端与所述电子开关的控制端连接；
第一放大器OP1的正极输入端连接第二放大器OP2的正极输入端；第一放大器OP1的负极输入端接恒压源，第二放大器OP2的输出端接MOS管MB的栅极，MOS管MB的源极接第二放大器OP2的负极输入端，MOS管MB的漏级通过依次反接二极管LED、串联恒流源接第一放大器OP1的正极输入端。
具体地，例如图3的自动换挡驱动MOS管子电路包括三组选择MOS管。该自动换挡驱动MOS管子电路根据输入的自动换挡控制信号，自动调节驱动MOS管电路。
优选地，所述逻辑子电路的每个输出端均连接至每组选择MOS管中电子开关的控制端。具体地，逻辑子电路的一个输出端同时控制一组选择MOS管中所有电子开关断开或闭合。
优选地，所述驱动MOS管还包括一组默认MOS管；
默认MOS管包括第三MOS管和第四MOS管；第三MOS管和第四MOS管的栅极均连接至第一放大器OP1的输出端；第三MOS管和第四MOS管的源极均接地；第三MOS管的漏级接第一放大器OP1的正极输入端，第四MOS管的漏级接第二放大器OP2的负极输入端；所有第三MOS管和第四MOS管的栅极相互连接，且连接所述双比较器子电路的输入端。
具体地，第一放大器OP1的输出端直接连接默认MOS管中的第三MOS管和第四MOS管，即表示不管栅极电压的大小是多少，都会默认驱动第三MOS管和第四MOS管。第三MOS管和第四MOS管不受逻辑子电路控制。
图3为本发明的自动换挡驱动MOS管子电路。I1为恒流源，用于输出电流驱动LED灯珠。第一放大器OP1用于箝位输入驱动MOS管的源漏端电压，第二放大器OP2用于箝位输出驱动MOS管的源漏端电压。
图3共四组驱动MOS管，该四组驱动MOS管器件fingers比例分别为1:1:2:4,即默认MOS管中第三MOS管M0_0和第四MOS管M1_0的finger数为fingers＝1，第一组选择MOS管中第一MOS管M0_1和第二MOS管M1_1的finger数为fingers＝1，第二组选择MOS管中第一MOS管M0_2和第二MOS管M1_2的finger数为fingers＝2，第三组选择MOS管中第一MOS管M0_3和第二MOS管M1_3的finger数为fingers＝4。默认MOS管中M0_0和M1_0常导通。第一MOS管和第二MOS管的导通逻辑可以设定为：当en_1为“1”时，第一组选择MOS管中M0_1和M1_1导通；当en_2为“1”时，第二组选择MOS管中M0_2和M1_2导通；当en_4为“1”时，第三组选择MOS管中M0_3和M1_3导通。
优选地，所述逻辑子电路为数字电路，包括两个输入端和若干个输出端；
所述两个输入端包括第一输入端和第二输入端；
具体地，图4为本发明的逻辑子电路的一种状态图。逻辑子电路启动后，进入状态0(默认状态)，{en_4,en_2,en_1}＝{0,0,0}，默认MOS管M0_0和M1_0的finger数为fingers＝1。此时VG电压送入到双比较器子电路，如果VG-<VG<VG+，则vds_H＝0，vds_L＝0，维持导通的驱动MOS管数目不变。
如果VG>VG+，则vds_H＝1，vds_L＝0，进入状态1，即
{en_4,en_2,en_1}＝{0,0,1}，第一组选择MOS管导通，由于导通的MOS管数目增大一倍，VG电压又重新下降到预设区间，即VG-<VG<VG+。
继续增大LED驱动电流，VG增大，如果VG>VG+，则vds_H＝1，vds_L＝0，进入状态2，{en_4,en_2,en_1}＝{0,1,1}，第一组选择MOS管和第二组选择MOS管导通。
继续增大LED驱动电流，VG增大，如果VG>VG+，则vds_H＝1，vds_L＝0，进入状态3，{en_4,en_2,en_1}＝{1,1,1}，第一组选择MOS管、第二组选择MOS管和第三组选择MOS管均导通。
图5为本发明的输出电流增益与VG关系曲线。Igain为LED驱动电流，预设的VG>VG-，逐渐增大LED驱动电流，VG电压不断增大，当VG电压达到VG+时，切换驱动MOS管档位，使得逐次切换驱动MOS管档位，共四个档位区间，分别为0<Igain≤Igain1、Igain1<Igain≤Igain2、Igain2<Igain≤Igain3、Igain>Igain3。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。

Claims (7)

1.一种LED驱动芯片的自动换挡调节电路，其特征在于，包括双比较器子电路、逻辑子电路和自动换挡驱动MOS管子电路；
其中，所述双比较器子电路的输入端连接自动换挡驱动MOS管子电路中驱动MOS管的栅极，所述双比较器子电路的输出端连接所述逻辑子电路的输入端，所述逻辑子电路的输出端接所述自动换挡驱动MOS管子电路。
2.根据权利要求1所述LED驱动芯片的自动换挡调节电路，其特征在于，
所述双比较器子电路包括第一比较器和第二比较器；
其中，第一比较器的输入端接参考电压负极；第一比较器的参考电压端接第二比较器的参考电压端，形成参考端，所述参考端接所述自动换挡驱动MOS管子电路中驱动MOS管的栅极；第一比较器的输出端形成第一输出端，接所述逻辑子电路的第一输入端；
第二比较器的输入端接参考电压正极，第二比较器的输出端形成第二输出端，接所述逻辑子电路的第二输入端。
3.根据权利要求2所述LED驱动芯片的自动换挡调节电路，其特征在于，
所述逻辑子电路为数字电路，包括两个输入端和若干个输出端；
所述两个输入端包括第一输入端和第二输入端。
4.根据权利要求3所述LED驱动芯片的自动换挡调节电路，其特征在于，
所述自动换挡驱动MOS管子电路包括第一放大器OP1、第二放大器OP2、恒流源l1、驱动MOS管MB和二极管LED；
所述驱动MOS管包括相互并联的若干组选择MOS管；选择MOS管包括第一MOS管和第二MOS管；第一MOS管和第二MOS管的栅极均连接一电子开关的静触点，电子开关的第一动触点接地，电子开关的第二动触点连接至第一放大器OP1的输出端；第一MOS管和第二MOS管的源极均接地；第一MOS管的漏级接第一放大器OP1的正极输入端，第二MOS管的漏级接第二放大器OP2的负极输入端；所有第一MOS管和第二MOS管的栅极相互连接，且连接所述双比较器子电路的输入端；
所述逻辑子电路的输出端与所述电子开关的控制端连接；
第一放大器OP1的正极输入端连接第二放大器OP2的正极输入端；第一放大器OP1的负极输入端接恒压源，第二放大器OP2的输出端接MOS管MB的栅极，MOS管MB的源极接第二放大器OP2的负极输入端，MOS管MB的漏级通过依次反接二极管LED、串联恒流源接第一放大器OP1的正极输入端。
5.根据权利要求4所述LED驱动芯片的自动换挡调节电路，其特征在于，
所述逻辑子电路的每个输出端均连接至每组选择MOS管中电子开关的控制端。
6.根据权利要求4所述LED驱动芯片的自动换挡调节电路，其特征在于，
所述驱动MOS管还包括一组默认MOS管；
默认MOS管包括第三MOS管和第四MOS管；第三MOS管和第四MOS管的栅极均连接至第一放大器OP1的输出端；第三MOS管和第四MOS管的源极均接地；第三MOS管的漏级接第一放大器OP1的正极输入端，第四MOS管的漏级接第二放大器OP2的负极输入端；所有第三MOS管和第四MOS管的栅极相互连接，且连接所述双比较器子电路的输入端。
7.根据权利要求4所述LED驱动芯片的自动换挡调节电路，其特征在于，
所述选择MOS管为三组。
CN201910381588.2A 2019-05-08 2019-05-08 Led驱动芯片的自动换挡调节电路 Pending CN110234188A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910381588.2A CN110234188A (zh) 2019-05-08 2019-05-08 Led驱动芯片的自动换挡调节电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910381588.2A CN110234188A (zh) 2019-05-08 2019-05-08 Led驱动芯片的自动换挡调节电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110234188A true CN110234188A (zh) 2019-09-13

Family

ID=67860455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910381588.2A Pending CN110234188A (zh) 2019-05-08 2019-05-08 Led驱动芯片的自动换挡调节电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110234188A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022127468A1 (zh) * 2020-12-17 2022-06-23 北京集创北方科技股份有限公司 供电电路、驱动芯片以及显示装置

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2921917Y (zh) * 2006-06-16 2007-07-11 普诚科技股份有限公司 电流镜以及使用该电流镜的发光装置
CN101893910A (zh) * 2010-07-28 2010-11-24 苏州日月成科技有限公司 一种自适应电流镜
CN201765527U (zh) * 2010-07-28 2011-03-16 苏州日月成科技有限公司 一种自适应电流镜
CN102523664A (zh) * 2012-01-09 2012-06-27 广州南科集成电子有限公司 一种窄电压led灯的调光器
CN102881251A (zh) * 2012-08-20 2013-01-16 深圳市易事达电子股份有限公司 电流驱动电路
CN103150990A (zh) * 2011-09-28 2013-06-12 合肥工业大学 具有多种镜像比的led显示屏恒流驱动电路
CN103220855A (zh) * 2012-04-10 2013-07-24 成都芯源***有限公司 Led电路及其驱动电路和驱动方法
CN103345903A (zh) * 2013-07-15 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种led背光***及显示装置
CN103632635A (zh) * 2013-11-08 2014-03-12 电子科技大学 功率管分组混合驱动电路
CA2918101A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Sichuan Sunfor Light Co., Ltd. Led lighting drive circuit
EP2911477A1 (de) * 2014-02-25 2015-08-26 Pintsch Bamag Antriebs- und Verkehrstechnik GmbH Vorrichtung und deren Verwendung zur Überwachung von LED-Leuchten
CN104883780A (zh) * 2015-05-19 2015-09-02 深圳创维－Rgb电子有限公司 多通道双模式数字控制led驱动电路及led灯
CN104965560A (zh) * 2015-07-13 2015-10-07 深圳市富满电子集团股份有限公司 一种高精度宽电流范围电流镜
CN105243996A (zh) * 2015-11-09 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 采用外部补偿的amoled驱动电路架构
CN106505847A (zh) * 2016-12-02 2017-03-15 西安电子科技大学 适用于升压型dc‑dc的分段软启动电路
CN206237638U (zh) * 2016-11-17 2017-06-09 重庆市嘉凌新科技有限公司 一种led驱动芯片
CN107046748A (zh) * 2017-03-02 2017-08-15 上海灿瑞科技股份有限公司 一种提高对可控硅调光器兼容性的led驱动芯片及电路
CN209914139U (zh) * 2019-05-08 2020-01-07 深圳市富满电子集团股份有限公司 Led驱动芯片的自动换挡调节电路

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2921917Y (zh) * 2006-06-16 2007-07-11 普诚科技股份有限公司 电流镜以及使用该电流镜的发光装置
CN101893910A (zh) * 2010-07-28 2010-11-24 苏州日月成科技有限公司 一种自适应电流镜
CN201765527U (zh) * 2010-07-28 2011-03-16 苏州日月成科技有限公司 一种自适应电流镜
CN103150990A (zh) * 2011-09-28 2013-06-12 合肥工业大学 具有多种镜像比的led显示屏恒流驱动电路
CN102523664A (zh) * 2012-01-09 2012-06-27 广州南科集成电子有限公司 一种窄电压led灯的调光器
CN103220855A (zh) * 2012-04-10 2013-07-24 成都芯源***有限公司 Led电路及其驱动电路和驱动方法
CN102881251A (zh) * 2012-08-20 2013-01-16 深圳市易事达电子股份有限公司 电流驱动电路
CN103345903A (zh) * 2013-07-15 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种led背光***及显示装置
CA2918101A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Sichuan Sunfor Light Co., Ltd. Led lighting drive circuit
CN103632635A (zh) * 2013-11-08 2014-03-12 电子科技大学 功率管分组混合驱动电路
EP2911477A1 (de) * 2014-02-25 2015-08-26 Pintsch Bamag Antriebs- und Verkehrstechnik GmbH Vorrichtung und deren Verwendung zur Überwachung von LED-Leuchten
CN104883780A (zh) * 2015-05-19 2015-09-02 深圳创维－Rgb电子有限公司 多通道双模式数字控制led驱动电路及led灯
WO2016184169A1 (zh) * 2015-05-19 2016-11-24 深圳创维－Rgb电子有限公司 多通道双模式数字控制led驱动电路及led灯
CN104965560A (zh) * 2015-07-13 2015-10-07 深圳市富满电子集团股份有限公司 一种高精度宽电流范围电流镜
CN105243996A (zh) * 2015-11-09 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 采用外部补偿的amoled驱动电路架构
CN206237638U (zh) * 2016-11-17 2017-06-09 重庆市嘉凌新科技有限公司 一种led驱动芯片
CN106505847A (zh) * 2016-12-02 2017-03-15 西安电子科技大学 适用于升压型dc‑dc的分段软启动电路
CN107046748A (zh) * 2017-03-02 2017-08-15 上海灿瑞科技股份有限公司 一种提高对可控硅调光器兼容性的led驱动芯片及电路
CN209914139U (zh) * 2019-05-08 2020-01-07 深圳市富满电子集团股份有限公司 Led驱动芯片的自动换挡调节电路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022127468A1 (zh) * 2020-12-17 2022-06-23 北京集创北方科技股份有限公司 供电电路、驱动芯片以及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107529241B (zh) 一种单段线性恒功率led驱动电路及方法
CN102682721B (zh) 一种led背光***及显示装置
CN206922420U (zh) 一种过压欠压保护电路
CN107493635A (zh) 一种led多像素点驱动***
CN106101591B (zh) 液晶电视及其背光驱动电压的调整方法、装置
CN106251811A (zh) 一种led调光方法
CN205490115U (zh) 一种开关电源电路
CN203134330U (zh) Led显示屏背光亮度调节电路及led电视
CN110288956B (zh) 显示装置
CN110234188A (zh) Led驱动芯片的自动换挡调节电路
CN105185093B (zh) 遥控器实现方法及装置
CN107221293A (zh) 占空比调节电路及led背光亮度调节电路
CN209914139U (zh) Led驱动芯片的自动换挡调节电路
CN107071967B (zh) 一种led调光控制电路及调光控制方法
CN105934026A (zh) 一种双端恒流led驱动芯片
CN105099567B (zh) 一种基于白光led的可见光通信***的发射装置
CN209514447U (zh) 驱动电路和显示装置
CN201927327U (zh) Led驱动电路及其输出电路
CN207321594U (zh) 一种led多像素点驱动***
CN106847191A (zh) 一种亮度调节电路及显示设备
CN208317072U (zh) 一种pwm调光装置及其短路保护电路
CN107172763A (zh) 开关调色控制电路、芯片、方法及开关调色led驱动***
CN203691707U (zh) 一种led负载电压检测电路
CN206698466U (zh) 一种led调光控制电路
CN207367576U (zh) 一种pwm调光电路、背光模组、液晶显示模组及终端

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 1701, building 1, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant after: Fuman microelectronics Group Co.,Ltd.

Address before: 518000, 18 floor, west corner, Nong Yuan Road Times Technology Building, Xiangmi Lake street, Shenzhen, Guangdong, Futian District

Applicant before: FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO.,LTD.

CB02 Change of applicant information
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190913

RJ01 Rejection of invention patent application after publication