CN110168714A - 改进工艺均匀性的衬底支撑件 - Google Patents

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Abstract

一种用于在衬底处理***中支撑衬底的衬底支撑件包括基板和布置在所述基板上方的陶瓷层。所述陶瓷层的外周边被边缘环包围。所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的外边缘在所述边缘环下方延伸。

Description

改进工艺均匀性的衬底支撑件
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年1月5日提交的美国专利申请No.15/399,244的优先权。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及衬底处理***中的衬底支撑件。
背景技术
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。目前所命名的发明人的工作，在该背景技术部分以及本说明书的在申请时不会以其他方式被认为是现有技术的方面中描述的程度上，既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。
衬底处理***可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上进行的示例性工艺包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻、电介质蚀刻和/或其它蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理***的处理室中的衬底支撑件(例如基座，静电卡盘(ESC)等)上。在蚀刻期间，包括一种或多种前体的气体混合物可以被引入到处理室中，并且可以使用等离子体来引发化学反应。
衬底支撑件可以包括配置成支撑衬底的陶瓷层。例如，在处理期间，衬底可以被夹持到陶瓷层。衬底支撑件可包括边缘环，该边缘环布置成围绕陶瓷层的外周边和衬底，以获得最佳的边缘性能和产量。
发明内容
一种用于在衬底处理***中支撑衬底的衬底支撑件包括：基板和布置在所述基板上方的陶瓷层。所述陶瓷层的外周边被边缘环包围。所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的外边缘在所述边缘环下方延伸。在其他特征中，所述陶瓷层包括布置在所述衬底的上表面中的环形凹槽和布置在所述环形凹槽中的***件。
一种衬底处理方法包括：提供基板；在所述基板上方布置陶瓷层；以及在所述陶瓷层的外周边的周围布置边缘环。所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的外边缘在所述边缘环下方延伸。所述陶瓷层包括布置在所述衬底的上表面中的环形凹槽和布置在所述环形凹槽中的***件。所述方法还包括在所述陶瓷层上布置衬底；以及在所述衬底上执行至少一个处理步骤。
本公开的其它适用范围将根据详细说明书、权利要求书和附图变得显而易见。详细描述和具体实施例仅仅是为了说明的目的，并不意图限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更全面地理解本公开，其中：
图1是示例性衬底支撑件；
图2是根据本公开的示例处理室的功能框图；
图3是根据本发明的原理的包括陶瓷层的示例性衬底支撑件；
图4是根据本发明的原理的包括陶瓷层的示例性衬底支撑件的平面图；
图5是根据本发明的原理的示例性陶瓷层的平面图；
图6是根据本发明的原理的包括陶瓷层的另一示例性衬底支撑件；以及
图7示出了根据本发明的原理的示例性衬底处理方法的步骤。
在附图中，附图标记可以重复使用以标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
现在参考图1，示出了示例性衬底支撑件10，例如静电卡盘(ESC)。衬底支撑件10包括支撑陶瓷层18的导电基板14。热阻层22(例如，结合层)可以布置在陶瓷层18和基板14之间。衬底26布置在衬底支撑件10的陶瓷层上。衬底支撑件10可包括围绕衬底26的外周边的边缘组件30。在一些示例中，边缘组件30可包括内边缘环34和外绝缘环38。可以在衬底26的外周边和边缘环34之间限定间隙42。衬底支撑件10可以包括围绕基板14并支撑边缘环34的一个或多个附加环形结构48、附加环形结构52、附加环形结构56、附加环形结构60。可以提供结构48、结构52、结构56和结构60以实现与工艺均匀性相关的特性，例如期望的导热率、期望的电耦合或RF耦合等。
与衬底26和/或衬底支撑件10的部件相关的制造公差可能导致工艺不均匀。例如，边缘环34的内半径可以选择为足够大以适应在衬底支撑件10上处理的衬底的外半径的变化。因此，不同的衬底可以在衬底26的外半径与边缘环34的内半径之间具有不同的间隙42。在一些示例中(如图所示)，衬底26的外半径可以与边缘环34的内半径重叠，并且可以大于陶瓷层18的外半径，以用于所需的处理性能。
间隙42的宽度的变化可能导致与多个衬底的处理相关联的不均匀性。例如，衬底26的外边缘与边缘环34和/或陶瓷层18之间的位置关系(例如，距离、相对高度等)会由于温度不均匀性、电场不均匀性等而使得衬底26的外边缘的处理不同于衬底26的内部。结果，衬底26会在其边缘具有不均匀的蚀刻深度、不均匀的沉积材料量等。此外，间隙42可增加电弧放电的可能性并增加陶瓷层26的暴露于工艺气体和等离子体的部分的腐蚀。腐蚀和电弧放电等潜在影响可能会限制施加在衬底支撑件上的功率，可能会导致维护停机时间增加等。
衬底处理***可以被配置为补偿与特定衬底支撑件和/或处理室相关联的已知工艺不均匀性。然而，当衬底26的外半径以及因此衬底26和边缘环34之间的关系变化时，补偿这些不均匀性可能是困难的。根据本公开的原理的***和方法实现了被配置为减少与衬底处理相关联的不均匀性的衬底支撑件。例如，衬底支撑件的陶瓷层相对于边缘环和在衬底支撑件上处理的衬底具有增大的直径，并且可包括可替换(例如，牺牲或消耗性)***件。
现在参考图2，示出了示例性衬底处理***100。仅作为示例，衬底处理***100可以用于使用RF等离子体进行蚀刻和/或其它合适的衬底处理。衬底处理***100包括处理室102，其包围衬底***100的其它部件并且包含RF等离子体。衬底处理室102包括上电极104和衬底支撑件106(例如静电卡盘(ESC))。在操作期间，衬底108布置在衬底支撑件106上。尽管示出了特定衬底处理***100和室102作为示例，但本公开的原理可以应用于其他类型的衬底处理***和室，例如原位产生等离子体的衬底处理***、能够实现远程等离子体产生和传输(例如使用等离子体管、微波管)的衬底处理***等。
仅作为示例，上电极104可以包括引入和分配工艺气体的诸如喷头109之类的气体分配装置。喷头109可以包括杆部，该杆部包括连接到处理室的顶表面的一端。基部大致为圆柱形，并且在与处理室的顶表面间隔开的位置处从杆部的相对端径向向外延伸。喷头的基部的面向衬底的表面或面板包括多个孔，工艺气体或净化气体通过这些孔流过。替代地，上电极104可以包括导电板，并且可以以另一种方式引入工艺气体。
衬底支撑件106包括用作下电极的导电基板110。基板110支撑陶瓷层112。在一些示例中，陶瓷层112可包括加热层，例如陶瓷多区加热板。热阻层114(例如，结合层)可以布置在陶瓷层112和基板110之间。基板110可以包括一个或多个冷却剂通道116，其用于使冷却剂流过基板110。衬底支撑件106可以包括被布置成围绕衬底108的外周边的边缘环118。
RF发生***120产生RF电压并将RF电压输出到上电极104和/或下电极(例如，衬底支撑件106的基板110)中的一者。上电极104和基板110中的另一者可以是直流接地、RF接地或浮动。仅举例而言，RF发生***120可以包括RF电压发生器122，其产生由匹配和分配网络124馈送到上电极104或基板110的RF电压。在其他示例中，可以感应地或远程地产生等离子体。尽管如示例所示，RF发生***120对应于电容耦合等离子体(CCP)***，但是本公开的原理也可以在其他合适的***中实现，其他合适的***仅举例而言，例如，变压器耦合等离子体(TCP)***、CCP阴极***、远程微波等离子体发生和传送***等。
气体输送***130包括一个或多个气体源132-1、132-2、...和132-N(统称为气体源132)，其中N是大于零的整数。气体源提供一种或多种前体及其混合物。气体源也可以供应净化气体。也可以使用汽化前体。气体源132通过阀134-1、134-2、...和134-N(统称为阀134)和质量流量控制器136-1、136-2、...和136-N(统称为质量流量控制器)连接到歧管140。歧管140的输出被馈送到处理室102。仅举例而言，歧管140的输出被馈送到喷头109。
温度控制器142可以连接到布置在陶瓷层112中的多个加热元件上，例如连接到热控制元件(TCE)144上。例如，加热元件144可以包括但不限于：对应于多区域加热板中的各个区域的大型加热元件和/或跨越多区域加热板的多个区域布置的微型加热元件阵列。温度控制器142可以用于控制多个加热元件144以控制衬底支撑件106和衬底108的温度。根据本公开的原理的每个加热元件144可以包括具有正TCR的第一材料和具有负TCR的第二材料，如下面更详细地描述的。
温度控制器142可与冷却剂组件146连通以控制通过通道116的冷却剂流。例如，冷却剂组件146可包括冷却剂泵和贮存器。温度控制器142操作冷却剂组件146以选择性地使冷却剂流过通道116以冷却衬底支撑件106。
阀150和泵152可用于从处理室102排出反应物。***控制器160可用于控制衬底处理***100的部件。机械手170可用于将衬底输送到衬底支撑件106上，并且可以从衬底支撑件106移除衬底。例如，机械手170可以在衬底支撑件106和装载锁172之间传送衬底。尽管示出为单独的控制器，但温度控制器142可以在***控制器160内实现。在一些示例中，可以在陶瓷层112和基板110之间的结合层114的周边周围提供保护性密封176。
根据本公开的原理的衬底支撑件106的陶瓷层112和边缘环118相对于衬底108具有增大的外直径，如下面更详细地描述的。此外，陶瓷层112的外半径可以大于边缘环118的内半径，使得陶瓷层112在边缘环118下方延伸。陶瓷层112可以包括可替换的***件(图2中未示出)，如下面图3、4、5和6中所述。
现在参考图3和4，示出了示例性衬底支撑件300。衬底支撑件300在图3中以横截面视图示出并且在图4中以平面图示出。衬底支撑件300包括支撑陶瓷层308的导电基板304。接合层312可以布置在陶瓷层308和基板304之间。衬底316布置在陶瓷层308上。衬底支撑件300包括布置在衬底316的外周边的边缘组件320。在一些示例中，边缘组件320可包括内边缘环324和外绝缘环328。为简单起见，外绝缘环328未在图4中示出。
陶瓷层308的直径和外半径(以及相应地，外边缘332)以及边缘环320的内半径相对于在衬底支撑件300上处理的衬底而增大。可以增加衬底316和边缘环324之间的间隙336的宽度。例如，陶瓷层308的外半径可以比衬底支撑件300上处理的最大可能衬底的外半径大预定的最小偏移量。仅作为示例，对于300mm衬底(即，具有150mm半径)，衬底的制造偏差可以高达1mm，导致外半径为150.5mm。因此，陶瓷层308的外半径可以是150.5mm加上偏移量。在一些示例中，偏移量至少为1mm。在其他示例中，偏移量至少为2mm。这样，对于用于处理300mm衬底的衬底支撑件，陶瓷层308的外半径可以是151.5mm，以提供1mm的偏移量。类似地，对于用于处理450mm衬底的衬底支撑件，陶瓷层308的外半径可以是226.1mm，以提供1mm的偏移量。仅举例而言，在用于处理具有直径d(例如，d mm)和制造偏差v mm的衬底的配置中，陶瓷层可具有大于或等于(d+v)/2和预定的偏移量的总和的外半径。
尽管例如仅提供了1mm和2mm的偏移量，但是偏移可以具有足以使陶瓷层308在边缘环324下方延伸的任何量。例如，陶瓷层308可以具有比边缘环324的内半径大最小量的外半径。例如，陶瓷层308的外半径可以比边缘环324的内半径大1mm、2mm、3mm等。因此，陶瓷层308在边缘环324下方延伸，并且陶瓷层308的外边缘332布置在边缘环324下方(即，边缘环324与陶瓷层308的外边缘332重叠)。
因为陶瓷层308在边缘环324下方延伸并且比衬底316大，所以陶瓷层308的一部分未被衬底316或边缘环324覆盖。因此，陶瓷层308可以包括可替换***件340。例如，***件340是环形的并且布置在陶瓷层308的在边缘环324下方的上表面中的环形缝隙或凹槽344中。仅举例而言，***件340布置在陶瓷层308的在边缘环324下方的一部分和陶瓷层308的暴露于工艺气体和等离子体的一部分之间的界面(即，陶瓷层308的未被衬底316覆盖，也未被边缘环324覆盖的部分)处。陶瓷层308的对应于***物340的该部分可能经历增加的对工艺气体(例如，等离子体)的暴露，并因此增加磨损和腐蚀。因此，在没有可替换***件340的情况下，由间隙336引起的对等离子体的暴露的增加将导致对陶瓷层308的腐蚀增加，并且陶瓷层308将需要频繁更换。
相反，可以以更低成本、更少***停机时间以及更有效地拆卸和重新组装衬底支撑件300的部件来替换可更换***件340。例如，可以通过移除边缘环组件320的内边缘环324并且接着移除***件340来替换***件340。仅举例而言，***件340可以包括与陶瓷层308的材料相同的材料(例如，任何合适的陶瓷)。因此，暴露于工艺气体可能导致***件340的腐蚀。这样，***物340可以被表征为牺牲品或消耗品。
在一些示例中，衬底支撑件300可以消除和/或简化诸如如图1所示的环形结构48、环形结构52、环形结构56和环形结构60之类的结构。例如，由于相对于衬底316的外半径增大陶瓷层308改善了衬底316边缘处的工艺均匀性，因此可能不需要为改善工艺均匀性而提供附加的结构。仅举例而言，在图1中位于边缘环34的正下方的环形结构52、56和60在图3的示例中去除了。
现在参考图5，示出了具有可替换***件340的陶瓷层308的示例。在一些示例中，***件340可包括一个或多个螺孔(例如，带螺纹的螺孔)348，以用于将***件340附接到陶瓷层308。陶瓷层308可包括一个或多个切口352，以便于从陶瓷层308的凹槽344中移除***件340。例如，切口352可以构造成接收被配置成用于从凹槽344撬动***件340的工具。
现在参考图6，示出了衬底支撑件320的另一示例。在该示例中，***件340比图3所示的示例宽。因此，***件340从边缘环324的下方延伸到间隙336中，并且延伸到衬底316的外边缘下方。换句话说，***件340占据陶瓷层308的暴露于在间隙336中的工艺气体的整个部分。
现在参考图7，示例性衬底处理方法700开始于704。在708处，提供包括陶瓷层的衬底支撑件。衬底支撑件被配置用于处理具有标准尺寸(例如200mm、300mm、450mm等)的衬底(即，晶片)。如上所述，陶瓷层的外半径大于将在衬底支撑件上进行处理的衬底的外半径。例如，如果衬底支撑件被配置用于处理具有直径d和制造偏差v的标准衬底，则陶瓷层的外半径可以大于或等于(d+v)/2和预定的偏移量的总和。在712处，将衬底布置在陶瓷层上。在716处，在衬底上执行一个或多个衬底处理步骤。方法700在720处结束。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，尽管本公开包括特定示例，但本公开的真实范围不应当如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方式在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方式描述的那些特征中的任何一个或多个可以在任何其它实施方式中实现和/或与任何其它实施方式的特征组合，即使该组合没有明确描述也如此。换句话说，所描述的实施方式不是相互排斥的，并且一个或多个实施方式彼此的交换保持在本公开的范围内。
元件之间(例如，模块，电路元件，半导体层等之间)的空间和功能关系使用包括“连接”、“接合”、“联接”、“相邻”、“邻近”、“在...上”、“上方”、“下方”和“设置”之类的各种术语进行描述。当在上述公开中描述第一和第二元件之间的关系时，除非明确地描述为“直接”，否则这种关系可以是其中没有其他中间元件存在于所述第一和第二元件之间的直接的关系，但也可以是其中一个或多个中间元件(或者在空间上或功能上)存在于所述第一和第二元件之间的间接的关系。如本文所使用的，短语A、B和C中的至少一个应该被解释为指使用非排他性的逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，且不应该被解释为指“A中的至少一个，B中的至少一个，和C中的至少一个”。
在一些实施方案中，控制器是***的一部分，该***的一部分可以是上述实施方式的一部分。这样的***可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个加工工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定的处理部件(晶片基座、气体流动***等)。这些***可与电子器件集成，以便在半导体晶片或衬底的处理之前、期间或之后控制这些***的操作。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个***的各种组件或子部分。根据处理要求和/或***的类型，控制器可以被编程，以控制本发明所公开的工艺中的任何一些，包括控制工艺气体的输送、温度的设置(例如，加热和/或冷却)、压力的设置、真空的设置、功率的设置、射频(RF)产生器的设置、RF匹配电路的设置、频率的设置，流率的设置、流体输送的设置、位置和操作的设置、晶片的进出工具和其他输送工具和/或连接到特定***的或与特定***接口的装载锁的传送。
从广义上讲，控制器可以被定义为接收指令、发出指令、控制操作、使能清洁操作、使能终点测量等的具有各种集成电路、逻辑、存储器、和/或软件的电子器件。这些集成电路可以包括固件形式的存储程序指令的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单个的设置(或程序文件)形式传输到控制器或***的指令，所述设置(或程序文件)定义在半导体晶片上或针对半导体晶片进行特定处理的操作参数。在一些实施方式中，所述操作参数可以是由工艺工程师定义的以完成晶片的一个或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或管芯的制造过程中的一个或多个处理步骤的配方的一部分。
在一些实施方案中，控制器可以是与***集成、耦接或者说是通过网络连接***或它们的组合的计算机的一部分或者与该计算机耦接。例如，控制器可以在“云端”或者是晶片厂(fab)主机***的全部或一部分，它们可以允许远程访问晶片处理。计算机可以启用对***的远程访问以监测制造操作的当前处理，检查过去的制造操作的历史，检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数，设置处理步骤以跟随当前的处理或者开始新的工艺。在一些实例中，远程计算机(例如，服务器)可以通过网络给***提供工艺配方，网络可以包括本地网络或互联网。远程计算机可以包括允许输入或编程参数和/或设置的用户界面，这些输入或编程的参数和/或设置然后从远程计算机传送到***。在一些实例中，控制器接收数据形式的指令，这些指令指明在一个或多个操作期间将要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，这些参数可以针对将要执行的工艺类型以及工具类型，控制器被配置成连接或控制该工具类型。因此，如上所述，控制器可以例如通过包括一个或多个分立的控制器而分布，这些分立的控制器通过网络连接在一起并且朝着共同的目标(例如，本发明所述的工艺和控制)工作。用于这些目的的分布式控制器的实例可以是与一个或多个远程集成电路(例如，在平台水平或作为远程计算机的一部分)通信的室内的一个或多个集成电路，它们结合以控制室内工艺。
示例的***可以包括但不限于，等离子体蚀刻室或模块(使用感应或电容耦合等离子体)、沉积室或模块、旋转冲洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及在半导体晶片的制备和/或制造中可以关联上或使用的任何其他的半导体处理***。
如上所述，根据工具将要执行的一个或多个工艺步骤，控制器可以与一个或多个其他的工具电路或模块、其他工具组件、组合工具、其他工具界面、相邻的工具、邻接工具、位于整个工厂中的工具、主机、另一个控制器、或者在将晶片的容器往来于半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口搬运的材料搬运中使用的工具通信。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种用于在衬底处理***中支撑衬底的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：
基板；和
布置在所述基板上方的陶瓷层，所述陶瓷层的外周边被边缘环包围；
其中所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的最上面的表面的外边缘在所述边缘环下方延伸。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述陶瓷层包括(i)布置在所述陶瓷层的所述最上面的表面中的环形凹槽和(ii)布置在所述环形凹槽中的***件。
3.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中所述***件包含陶瓷。
4.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中，所述***件至少部分地定位在所述边缘环下方。
5.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中，所述***件从所述边缘环下方延伸到所述陶瓷层的被布置成支撑衬底的部分。
6.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑300mm的衬底，并且其中所述陶瓷层具有至少151.5mm的外半径。
7.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑450mm的衬底，并且其中所述陶瓷层具有至少226.5mm的外半径。
8.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑具有直径为dmm的衬底，其中与所述衬底相关联的制造偏差为v mm，并且其中所述陶瓷层具有大于或等于(d+v)/2和预定的偏移量的总和的外半径。
9.一种用于在衬底处理***中支撑衬底的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：
基板；
布置在所述基板上方的陶瓷层；和
布置在所述陶瓷层的外周边的边缘环；
其中所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的最上面的表面的外边缘在所述边缘环下方延伸，并且
其中所述陶瓷层包括(i)布置在所述陶瓷层的所述最上面的表面中的环形凹槽和(ii)布置在所述环形凹槽中的***件。
10.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述***件包含陶瓷。
11.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中，所述***件至少部分地定位在所述边缘环下方。
12.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中，所述***件从所述边缘环下方延伸到所述陶瓷层的被布置成支撑衬底的部分。
13.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑300mm的衬底，并且其中所述陶瓷层具有至少151.5mm的外半径。
14.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑450mm的衬底，并且其中所述陶瓷层具有至少226.5mm的外半径。
15.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑具有直径为d mm的衬底，其中与所述衬底相关联的制造偏差为v mm，并且其中所述陶瓷层具有大于或等于(d+v)/2和预定的偏移量的总和的外半径。
16.一种衬底处理方法，其包括：
提供基板；
在所述基板上方布置陶瓷层；
在所述陶瓷层的外周边的周围布置边缘环，
其中所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的最上面的表面的外边缘在所述边缘环下方延伸，并且
其中所述陶瓷层包括(i)布置在所述陶瓷层的所述最上面的表面中的环形凹槽和(ii)布置在所述环形凹槽中的***件；
在所述陶瓷层上布置衬底；以及
在所述衬底上执行至少一个处理步骤。

Claims (16)

1.一种用于在衬底处理***中支撑衬底的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：
基板；和
布置在所述基板上方的陶瓷层，所述陶瓷层的外周边被边缘环包围；
其中所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的外边缘在所述边缘环下方延伸。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述陶瓷层包括(i)布置在所述衬底的上表面中的环形凹槽和(ii)布置在所述环形凹槽中的***件。
3.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中所述***件包含陶瓷。
4.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中，所述***件至少部分地定位在所述边缘环下方。
5.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中，所述***件从所述边缘环下方延伸到所述陶瓷层的被布置成支撑衬底的部分。
6.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑300mm的衬底，并且其中所述陶瓷层具有至少151.5mm的外半径。
7.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑450mm的衬底，并且其中所述陶瓷层具有至少226.5mm的外半径。
8.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑具有直径为dmm的衬底，其中与所述衬底相关联的制造偏差为v mm，并且其中所述陶瓷层具有大于或等于(d+v)/2和预定的偏移量的总和的外半径。
9.一种用于在衬底处理***中支撑衬底的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：
基板；
布置在所述基板上方的陶瓷层；和
布置在所述陶瓷层的外周边的边缘环；
其中所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的外边缘在所述边缘环下方延伸，并且
其中所述陶瓷层包括(i)布置在所述衬底的上表面中的环形凹槽和(ii)布置在所述环形凹槽中的***件。
10.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述***件包含陶瓷。
11.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中，所述***件至少部分地定位在所述边缘环下方。
12.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中，所述***件从所述边缘环下方延伸到所述陶瓷层的被布置成支撑衬底的部分。
13.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑300mm的衬底，并且其中所述陶瓷层具有至少151.5mm的外半径。
14.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑450mm的衬底，并且其中所述陶瓷层具有至少226.5mm的外半径。
15.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述衬底支撑件被配置为支撑具有直径为d mm的衬底，其中与所述衬底相关联的制造偏差为v mm，并且其中所述陶瓷层具有大于或等于(d+v)/2和预定的偏移量的总和的外半径。
16.一种衬底处理方法，其包括：
提供基板；
在所述基板上方布置陶瓷层；
在所述陶瓷层的外周边的周围布置边缘环，
其中所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的外边缘在所述边缘环下方延伸，并且
其中所述陶瓷层包括(i)布置在所述衬底的上表面中的环形凹槽和(ii)布置在所述环形凹槽中的***件；
在所述陶瓷层上布置衬底；以及
在所述衬底上执行至少一个处理步骤。
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