CN110148594A - 智能功率模块及空调器 - Google Patents
智能功率模块及空调器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110148594A CN110148594A CN201910468337.8A CN201910468337A CN110148594A CN 110148594 A CN110148594 A CN 110148594A CN 201910468337 A CN201910468337 A CN 201910468337A CN 110148594 A CN110148594 A CN 110148594A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bridge arm
- phase
- power module
- arm circuit
- intelligent power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种智能功率模块及空调器,该智能功率模块包括:第一控制信号接收端及第二控制信号接收端,接收主控制器输出的控制信号;三相上桥臂电路,三相上桥臂电路的受控端与第一控制信号接收端连接,三相上桥臂电路中的每一相上桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管;三相下桥臂电路,其受控端与信号接收端连接,三相下桥臂电路中的每一相下桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管。本发明简化了桥臂驱动电路的内部结构和电路结构,有利于智能功率模块空间利用率,以及缩小智能功率模块的体积,降低智能功率模块在电控板上的占用面积。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种智能功率模块及空调器。
背景技术
智能功率模块,即IPM(Intelligent Power Module)以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场。智能功率模块中通常集成有驱动IC和功率器件,工作时,驱动IC将主控制器输出的逻辑信号进行放大后输出至功率器件,以驱动功率器件工作。然而,将驱动IC集成于智能功率模块中,使得智能功率模块的体积增大。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种智能功率模块及空调器,旨在缩小智能功率模块的体积,降低智能功率模块在电控板上的占用面积。
为实现上述目的,本发明提出一种智能功率模块,所述智能功率模块包括:
第一控制信号接收端及第二控制信号接收端,接收主控制器输出的控制信号;
三相上桥臂电路,所述三相上桥臂电路的受控端与所述第一控制信号接收端连接,所述三相上桥臂电路中的每一相上桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管;
三相下桥臂电路,所述三相下桥臂电路的受控端与所述第二控制信号接收端连接,所述三相下桥臂电路中的每一相下桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管。
可选地,所述智能功率模块还包括PFC功率开关模块及用于接收主控制器输出的控制信号的第三控制信号接收端,所述PFC功率开关模块包括氮化镓型HEMT管,所述氮化镓型HEMT管的基极与所述第三控制信号接收端连接。
可选地,所述智能功率模块还包括安装基板,所述安装基板的一侧表面设置有第一安装位、和多个第二安装位;
所述PFC功率开关模块设置于所述第一安装位上,三相上桥臂电路和三相下桥臂电路设置于对应的所述第二安装位上。
可选地,所述安装基板包括:
散热基板;
电路布线层,设置于所述散热基板的一侧表面,所述电路布线层形成有供所述PFC功率开关模块安装的第一安装位,以及供所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路安装的第二安装位。
可选地,所述智能功率模块还包括绝缘层,所述绝缘层夹设于所述电路布线层与所述散热基板之间。
可选地,所述智能功率模块还包括引脚,所述引脚设置于所述电路布线层上,所述引脚通过金属线和电路布线层与所述PFC功率开关模块、所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路电连接。
可选地,所述智能功率模块还包括对所述PFC功率开关模块、所述安装基板、所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路进行封装的封装壳体。
可选地,所述智能功率模块还包括散热器,所述散热器设置于所述安装基板背离所述PFC功率开关模块、所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路的一侧。
可选地,所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路构成压缩机功率模块;
或者,所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路构成风机功率模块。
本发明还提出一种空调器,包括如上所述的智能功率模块;所述智能功率模块包括第一控制信号接收端及第二控制信号接收端,接收主控制器输出的控制信号;三相上桥臂电路,其受控端与所述第一控制信号接收端连接,所述三相上桥臂电路中的每一相上桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管;三相下桥臂电路,其受控端与所述第二控制信号接收端连接,所述三相下桥臂电路中的每一相下桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管。
本发明通过将三相上桥臂电路和三相下桥臂电路集成于同一封装中以形成智能功率模块,三相上桥臂电路和三相下桥臂电路中每一相桥臂驱动电路均采用氮化镓型HEMT管来实现,氮化镓型HEMT管直接受控于主控制器,无需设置驱动IC来将主控制器的控制信号进行放大或者逻辑转换等处理,有利于提高三相上桥臂电路和三相下桥臂电路的响应速度。并且无需设置驱动IC,因此可以简化桥臂驱动电路的内部结构和电路结构,从而可以降低智能功率模块的体积以及设计难度,同时还可以降低智能功率模块中的各个器件的排布及布线的难度,有利于智能功率模块空间利用率,以及缩小智能功率模块的体积,降低智能功率模块在电控板上的占用面积。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明智能功率模块一实施例的电路结构示意图;
图2为本发明智能功率模块另一实施例的电路结构示意图;
图3为本发明智能功率模块一实施例的结构示意图;
图4为本发明智能功率模块另一实施例的结构示意图。
附图标号说明:
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提出一种智能功率模块。
该智能功率模块,即IPM(Intelligent Power Module)适用于驱动电机的变频器及各种逆变电源中,以实现变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动等功能。尤其适用于驱动空调、冰箱等压缩机的电机工作。在应用于变频空调中时,由于变频驱动大多数情况下其算法基本已经固化,为了节省体积、提高抗干扰能力、减轻***电控版设计工作量,会将功率器件集成到一线路板上,形成智能功率模块,与传统分立方案相比,智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场。功率模块工作时,由于功率器件大多采用IGNT、MOS管来实现,其驱动电压一般为12V,或者15V,因此在主控制器和功率模块之间通常还串接有桥臂驱动电路,以驱动功率器件工作。在一些高集成智能功率模块中,通常还会将PFC电路的功率器件或者二极管等一起集成于智能功率模块中。
然而,在集成有PFC功率器件的智能功率模块中,通常也会将驱动PFC功率器件工作的功能集成于桥臂驱动电路,例如HVIC芯片中,因此HVIC芯片要同时驱动逆变桥电路和PFC功率开关模块的驱动信号,这使得HVIC芯片的内部硬件电路结构和软件算法程序都较为复杂。并且,通过HVIC来将接收到控制信号进行升压等处理,会增加控制信号的响应时间,而降低各开关管的响应速度。此外,HVIC芯片的体积也需要增大,不利于智能功率模块中的各个器件的排布及布线,空间利用率低,进而使得智能功率模块的体积偏大,容易增大智能功率模块在电控板上的占用面积。
为了解决上述问题,参照图1,在本发明一实施例中,该智能功率模块包括:
第一控制信号接收端及第二控制信号接收端,接收主控制器100输出的控制信号;
三相上桥臂电路10,三相上桥臂电路10的受控端与所述第一控制信号接收端连接,所述三相上桥臂电路10中的每一相上桥臂电路均包括氮化镓(GaN)型HEMT管(高电子迁移率晶体管),也即GaN HEMT;
三相下桥臂电路20,三相下桥臂电路20的受控端与所述第二控制信号接收端连接,所述三相下桥臂电路20中的每一相下桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管。
本实施例中,第一控制信号接收端的数量为三个,分别为HO1、HO2、HO3,第一控制信号接收端HO1、HO2、HO3分别接收到主控制器100的第一控制端UHIN、VHIN、WHIN输出的逻辑输入信号,也即控制信号;第二控制信号接收端的数量也为三个,分别为LO1、LO2、LO3,第二控制信号接收端HO1、HO2、HO3分别接收到主控制器100的第二控制端ULIN、VLIN、WLIN输出的逻辑输入信号,也即控制信号。在一些实施例中,智能功率模块还包括第三控制信号接收端PFCOUT,第三控制信号接收端PFCOUT与PFC功率开关模块30连接。
三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20中每一相桥臂电路,也即桥臂开关管均采用氮化镓型HEMT管来实现,在同等导通电阻的情况下,氮化镓(GaN)晶体管,尤其是GaNHEMT的终端电容较低,且没有体二极管所导致的反向恢复损耗,可以减小开关损耗。此外,氮化镓晶体管的开关速度比硅基开关管的开关速度快,因此的总体开关性能要优于硅基开关管,可以实现更高的开关频率,从而在保持合理开关损耗的同时,提升功率密度和瞬态性能。由于三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20使用GaN HEMT作为开关元器件,GaN HEMT的二维电子气特性,GaN HEMT不需要并联FRD,并且GaN HEMT栅极电荷远少于IGBT所以不用栅极不用连接电阻进行保护。
三相上桥臂电路10中,U相上桥臂HEMT管1121的栅极与第一控制信号接收端HO1连接;V相上桥臂HEMT管1122的栅极与第一控制信号接收端HO2;W相上桥臂HEMT管1123的栅极与第一控制信号接收端HO3。所述HEMT管1121的漏极、所述HEMT管1122的漏极、所述HEMT管1123的漏极相连,并作为所述智能功率模块200的高电压输入端P,P一般接300V。三相下桥臂电路20,U相下桥臂HEMT管2124的栅极与第二控制信号接收端LO1端;V相下桥臂HEMT管2125的栅极与第二控制信号接收端LO2端;W相下桥臂HEMT管2126的栅极与第二控制信号接收端LO3端。所述HEMT管2124的源极作为所述智能功率模块200的U相低电压参考端UN;所述HEMT管2125的源极作为所述智能功率模块200的V相低电压参考端VN;所述HEMT管2126的射极作为所述智能功率模块200的W相低电压参考端WN。U相上桥臂HEMT管2121和U相下桥臂HEMT管2124的公共端为U相高压区的输出端,V相上桥臂HEMT管2122和V相下桥臂HEMT管2125的公共端为V相高压区的输出端V,W相上桥臂HEMT管2123和V相下桥臂HEMT管2126的公共端为V相高压区的输出端V。
主控制器100即为MCU,MCU中集成有逻辑控制器、存储器、数据处理器等,以及存储在所述存储器上并可在所述数据处理器上运行的软件程序和/或模块,MCU通过运行或执行存储在存储器内的软件程序和/或模块,以及调用存储在存储器内的数据,输出相应的控制信号至三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20,使得三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20中的氮化镓型HEMT管根据接收到的控制信号导通/关断,以驱动风机、压缩机等负载工作。
可以理解的是,GaN HEMT的驱动电压较小,可以直接使用主控制器100的控制信号作为GaN HMET的驱动,也即三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20直接受控于主控制器100,而无需为设置桥臂驱动电路,例如HVIC芯片,可以缩短桥臂电路与主控制器100的线路距离,进而可以提高桥臂电路中各GaN HEMT对主控制器100输出的控制信号的响应速度,并且线路的缩短,还可以减少线路上的干扰信号对桥臂电路工作的影响。
本实施例的主控制器100独立于智能功率模块200至外,在实际应用时,主控制器100和智能功率模块200设置于电控板上,并通过电路布线或者导线实现电连接。当然在其他实施例中,主控制器100可以集成于智能功率模块200中,以提高智能功率模块的集成度。三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20中的各单体裸芯片,可以分别集成于一独立的芯片后,并进行二次封装,再一体化设置制得高集成智能功率模块。
本发明通过将三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20集成于同一封装中以形成智能功率模块,三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20中每一相桥臂驱动电路均采用氮化镓型HEMT管来实现,氮化镓型HEMT管直接受控于主控制器100,无需设置驱动IC来将主控制器100的控制信号进行放大或者逻辑转换等处理,有利于提高三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20的响应速度,从而提高智能功率模块的工作效率。并且无需设置驱动IC,因此可以简化桥臂驱动电路的内部结构和电路结构,从而可以降低智能功率模块的体积以及设计难度,同时还可以降低智能功率模块中的各个器件的排布及布线的难度,有利于智能功率模块空间利用率,以及缩小智能功率模块的体积,降低智能功率模块在电控板上的占用面积。
参照图2,在一实施例中,所述智能功率模块还包括PFC功率开关模块30及用于接收所述主控制器100输出的控制信号的第三控制信号接收端PFCOUT,所述PFC功率开关模块30包括氮化镓型HEMT管,所述氮化镓型HEMT管的基极与所述第三控制信号接收端PFCOUT连接。
本实施例中,PFC功率开关模块30中,可以仅将氮化镓型HEMT管集成于智能功率模块中,也可以将二极管、电感等其他元器件组成的PFC电路均集成于智能功率模块中。PFC电路可以是升压型PFC电路,或者降压型PFC电路,或者升降压型PFC电路。PFC电路将直流电进行功率因素调整,调整后的直流电输出至逆变桥电路电源输入端,以使各功率模块驱动相应的负载工作。调整后的直流电还可以产生5V等控制芯片的工作电压,以为主控制器100等电路模块提供工作电压。由于PFC功率开关模块30使用GaN HEMT管3127作为开关元器件,GaN HEMT的二维电子气特性,GaN HEMT不需要并联FRD,并且GaN HEMT栅极电荷远少于IGBT所以不用栅极不用连接电阻进行保护。GaN HEMT的驱动电压较小,可以直接使用主控制器100的控制信号作为GaN HMET的驱动,也即PFC功率开关模块30可以直接受控于主控制器100,而无需为PFC功率开关模块30设置驱动电路。如此设置,可以缩短PFC功率开关模块30与主控制器100的线路距离,进而可以提高PFC功率开关模块30的GaN HEMT管3127对主控制器100输出的控制信号的响应速度,并且线路的缩短,还可以减少线路上的干扰信号对PFC功率开关模块30的GaN HEMT工作的影响。其中,PFC功率开关模块30使用GaN HEMT管3127的源极PFC和漏极-VP用于接入PFC电感。
需要说明的是,PFC功率开关模块30的开关频率远高于桥臂电路的开关频率,例如在实际应用时,PFC功率开关模块30的开关频率是桥臂电路各开关管开关频率的两倍,若在驱动芯片中集成PFC功率开关模块30的驱动信号,PFC功率开关模块30容易给桥臂电路带来严重的电磁干扰,而影响桥臂电路的正常工作,本实施例的PFC功率开关模块30和三相桥臂电路直接受控于主控制器100,还可以减小PFC功率开关模块30对三相桥臂电路的干扰。
参照图3或图4,在一实施例中,所述智能功率模块还包括安装基板40,所述安装基板40的一侧表面设置有第一安装位和多个第二安装位;
所述PFC功率开关模块30设置于所述第一安装位上,三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20设置于对应的所述第二安装位上。
本实施例中,安装基板40上设置有电路布线层41,电路布线层41根据智能功率模块的电路设计,在安装基板40上形成对应的线路以及对应供功率器件中的各电子元件安装的安装位,即焊盘。具体地,在安装基板40上设置好绝缘层42后,将铜箔铺设在绝缘层42上,并按照预设的电路设计蚀刻所述铜箔,从而形成电路布线层41。在将功率器件中各电路模块的电子元件集成于安装基板40上的电路布线层41后,还可以通过金属绑线实现各电路模块之间的电气连接。
当安装基板40在采用氮化铝陶瓷基板来实现时,氮化铝陶瓷基板包括绝缘散热层及形成于所述绝缘散热层上的电路布线层41。在采用金属材质制成的基板时,基板包括金属散热层、铺设在金属散热层上的绝缘层42及形成于绝缘层42上的电路布线层41。本实施例中,安装基板40可选为单面布线板。所述绝缘层42夹设于所述电路布线层41与所述金属安装基板40之间。该绝缘层42用于实现电路布线层41与金属安装基板40之间的电气隔离以及电磁屏蔽,以及对外部电磁干扰进行反射,从而避免外部电磁辐射干扰功率器件正常工作,降低周围环境中的电磁辐射对智能功率模块中的电子元件的干扰影响。
在一些实施例中,安装基板40上还可以根据安装基板40的材质设置绝缘层42,例如在安装基板40采用铝材或者铜材等具有导电性能的材质来实现时,绝缘层42可选采用热塑性胶或者热固性胶等材料制成,以实现安装基板40与电路布线层41之间的固定连接且绝缘。绝缘层42可以采用环氧树脂、氧化铝、高导热填充材料一种或多种材质混合实现的高导热绝缘层42来实现。
可以理解的是,由于本实施例的智能功率模块无需设置驱动IC,在制作安装基板和电路布线层时,无需考虑功率器件对驱动IC的电磁干扰,因此可以降低电路布线层的布线难度。并且,驱动IC为非功率器件,其产生的热量也小于功率器件,在无需设置驱动IC时,也无需考虑驱动IC与功率器件之间的隔热设置。
参照图3或图4,在一实施例中,所述智能功率模块还包括引脚50,所述引脚50设置于所述电路布线层41上,且通过金属线和电路布线层41与所述PFC功率开关模块30、三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20电连接。
本实施例中,引脚50可以采用鸥翼型引脚50或者直插型引脚50来实现,本实施例优选为直插型引脚50,引脚50焊接在低导热绝缘基板上,电路布线层41对应的安装位上的焊盘位置,并通过金属线60与功率组件10实现电气连接。
在另一实施例中,各个引脚50的一端固定于所述安装基板40上,引脚50的另一端朝远离所述安装基板40的方向延伸,引脚50的延伸方向与所述安装基板40所在的平面平行。
相较于鸥翼型的引脚50,本实施例引脚50与安装基板40平行设置,也即引脚50呈平铺结构。如此设置,使得在安装基板40的散热层110嵌设于空调器中的电控板中,安装基板40的绝缘层42与电控板贴合时。智能功率模块的引脚50通过焊锡、导电胶固定于电控板上,引脚50的延伸段与电控板贴合,进而可以防止电控板在跌落时,导致引脚50断裂。并且安装基板40部分嵌设于电控板内,使得智能功率模块安装于电控板上,智能功率模块与电控板的紧固性更好,进而防止智能功率模块与电控板在搬运或者跌落的过程中,智能功率模块与电控板发生相对运动而使电控板不能正常工作,或者导致智能功率模块断裂而损坏智能功率模块。
可以理解的是,本实施例无需设置驱动IC,不需要进行对主控制器100输出的控制信号进行升压处理,无需设置自举电路、滤波电容等,本实施智能功率模块的引脚也适应性的减少,可以解决因为引脚之间的安规距离,而导致安装基板的面积较大的问题,可以进一步地缩小智能功率模块的面积。
参照图3或图4,在一实施例中,所述智能功率模块还包括对所述PFC功率开关模块30、安装基板40、三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20进行封装的封装壳体60。
本实施例中,封装壳体60可以采用环氧树脂、氧化铝、导热填充材料等材料制成,其中,导热填充材料可以是氮化硼、氮化铝材质,氮化铝和氮化硼的绝缘性较好,且导热率较高,耐热性及热传导性较佳,使得氮化铝和氮化硼有较高的传热能力。在制作封装壳体60时,可以将环氧树脂、氧化铝、氮化硼或者氮化铝等材料进行混料,然后将混合好的封装材料进行加热;待冷却后,粉碎所述封装材料,再以锭粒成型工艺将封装壳体60材料进行轧制成形,以形成封装壳体60后将PFC功率开关模块30、三相桥臂电路和桥臂驱动电路封装在封装壳体60内。或者通过注塑工艺将PFC功率开关模块30、三相桥臂电路和桥臂驱动电路封装在封装壳体60内。
智能功率模块中,可以将所述封装壳体60罩设于所述安装基板40及所述功率组件上。使得铝基板的下表面裸露在封装件外,而加速功率元件的散热。若智能功率模块还设置有散热器70来给功率器件散热,则可以将封装壳体60包裹于所述安装基板40及所述功率组件的外周,以使功率模块与安装基板40及功率组件一体成型设置。
参照图4,在一实施例中,所述智能功率模块还包括散热器70,所述散热器70设置于所述安装基板40背离所述PFC功率开关模块30、三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20的一侧。
本实施例中,散热器70可以采用铝质、铝合金等散热效果较好的高导热材料制得,以使得三相桥臂电路中的功率器件产生的热量通过安装基板40传导至散热器70上,进一步增大功率器件产生的热量与空气的接触面积,提高散热速率。所述散热器70还可意设置有散热器70本体及多个散热叶片,多个所述散热叶片间隔设置于所述散热器70本体的一侧。如此设置,可以增加散热器70与空气的接触面积,也即在散热器70工作时,增加散热器70上的热量与空气的接触面积,以加快散热器70的散热速率。同时还可以减少散热器70的物料,避免散热片因材料应用过多,造成成本过高。
参照图3或图4,在一实施例中,所述三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20构成压缩机功率模块;
或者,所述三相上桥臂电路10和三相下桥臂电路20构成风机功率模块。
本实施例中,压缩机功率模块及风机功率模块中均集成了多个功率器件,多个功率器件组成驱动逆变电路,例如可以由六个功率器件组成三相逆变桥电路,或者由四个功率器件组成两相逆变器桥电路。其中,各功率器件可以采用MOS管或者IGBT来实现。多个功率器件组成功率逆变桥电路,用于驱动风机、压缩机等负载工作,各个功率器件设置在电路布线层41对应的安装位上后,可通过焊锡等导电材料与电路布线层41实现电连接,并形成电流回路。各功率器件还可以通过倒装的工艺贴设于电路布线层41对应的安装位上,并通过电路布线层41及金属绑线与各电路元件之间形成电流回路。
参照图1至图4,在一实施例中,智能功率模块中还集成有过流、过压、过热等故障保护电路(图未示出)。故障保护电路可以通过检测风机的输出电流来判断风机是否过流,并将过流保护信号反馈至主控制器100,以使主控制器100根据故障保护电路输出的过流保护信号驱动智能功率模块工作。上述实施例中,故障保护电路还可以通过检测直流母线电压来实现对压缩机的过压保护,通过检测智能功率模块的温度来实现对智能功率模块的过热保护,过压保护、过温保护的电路可以采用电压传感器、温度传感器、电阻、比较器等电子元件来构成上述保护电路。
本发明还提出一种空调器,所述空调器包括如上所述的智能功率模块。该智能功率模块的详细结构可参照上述实施例,此处不再赘述;可以理解的是,由于在本发明空调器中使用了上述智能功率模块,因此,本发明空调器的实施例包括上述智能功率模块全部实施例的全部技术方案,且所达到的技术效果也完全相同,在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的可选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块包括:
第一控制信号接收端及第二控制信号接收端,接收主控制器输出的控制信号;
三相上桥臂电路,所述三相上桥臂电路的受控端与所述第一控制信号接收端连接,所述三相上桥臂电路中的每一相上桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管;
三相下桥臂电路,所述三相下桥臂电路的受控端与所述第二控制信号接收端连接,所述三相下桥臂电路中的每一相下桥臂电路均包括氮化镓型HEMT管。
2.如权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括PFC功率开关模块及用于接收主控制器输出的控制信号的第三控制信号接收端,所述PFC功率开关模块包括氮化镓型HEMT管,所述氮化镓型HEMT管的基极与所述第三控制信号接收端连接。
3.如权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括安装基板,所述安装基板的一侧表面设置有第一安装位、和多个第二安装位;
所述PFC功率开关模块设置于所述第一安装位上,所述三相上桥臂电路和三相下桥臂电路设置于对应的所述第二安装位上。
4.如权利要求3所述的智能功率模块,其特征在于,所述安装基板包括:
散热基板;
电路布线层,设置于所述散热基板的一侧表面,所述电路布线层形成有供所述PFC功率开关模块安装的第一安装位,以及供所述三相上桥臂电路和三相下桥臂电路安装的第二安装位。
5.如权利要求4所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括绝缘层,所述绝缘层夹设于所述电路布线层与所述散热基板之间。
6.如权利要求4所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括引脚,所述引脚设置于所述电路布线层上,所述引脚通过金属线和电路布线层与所述PFC功率开关模块、三相上桥臂电路和三相下桥臂电路电连接。
7.如权利要求3所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括对所述PFC功率开关模块、所述安装基板、所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路进行封装的封装壳体。
8.如权利要求3所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括散热器,所述散热器设置于所述安装基板背离所述PFC功率开关模块、所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路的一侧。
9.如权利要求1至8任意一项所述的智能功率模块,其特征在于,所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路构成压缩机功率模块;
或者,所述三相上桥臂电路和所述三相下桥臂电路构成风机功率模块。
10.一种空调器,其特征在于,包括如权利要求1至9任意一项所述的智能功率模块。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910468337.8A CN110148594B (zh) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | 智能功率模块及空调器 |
PCT/CN2019/111578 WO2020237978A1 (zh) | 2019-05-30 | 2019-10-17 | 智能功率模块及空调器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910468337.8A CN110148594B (zh) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | 智能功率模块及空调器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110148594A true CN110148594A (zh) | 2019-08-20 |
CN110148594B CN110148594B (zh) | 2021-05-25 |
Family
ID=67590107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910468337.8A Active CN110148594B (zh) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | 智能功率模块及空调器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110148594B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020237978A1 (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及空调器 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101916992A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-12-15 | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 | pHEMT射频开关静电保护装置及包含该装置的射频前端模块 |
CN107924938A (zh) * | 2015-06-16 | 2018-04-17 | 泰戈尔技术股份有限公司 | 高性能射频开关 |
CN108091619A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-29 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及其制造方法、空调器 |
CN208240659U (zh) * | 2018-06-13 | 2018-12-14 | 广东美的制冷设备有限公司 | 高集成智能功率模块及空调器 |
CN109462388A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-03-12 | 京信通信***(中国)有限公司 | GaN HEMT控制电路 |
CN109546871A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-29 | 广东美的制冷设备有限公司 | 用于空调器的功率集成模块及其制造方法 |
CN109560693A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-02 | 广东美的制冷设备有限公司 | 电器、功率器件及其形成方法 |
CN109713912A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-03 | 广东美的制冷设备有限公司 | 用于空调器的功率集成模块及其制造方法 |
CN109728736A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-07 | 广东美的制冷设备有限公司 | 电器、功率器件及其形成方法 |
-
2019
- 2019-05-30 CN CN201910468337.8A patent/CN110148594B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101916992A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-12-15 | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 | pHEMT射频开关静电保护装置及包含该装置的射频前端模块 |
CN107924938A (zh) * | 2015-06-16 | 2018-04-17 | 泰戈尔技术股份有限公司 | 高性能射频开关 |
CN108091619A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-29 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及其制造方法、空调器 |
CN208240659U (zh) * | 2018-06-13 | 2018-12-14 | 广东美的制冷设备有限公司 | 高集成智能功率模块及空调器 |
CN109462388A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-03-12 | 京信通信***(中国)有限公司 | GaN HEMT控制电路 |
CN109546871A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-29 | 广东美的制冷设备有限公司 | 用于空调器的功率集成模块及其制造方法 |
CN109560693A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-02 | 广东美的制冷设备有限公司 | 电器、功率器件及其形成方法 |
CN109713912A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-03 | 广东美的制冷设备有限公司 | 用于空调器的功率集成模块及其制造方法 |
CN109728736A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-07 | 广东美的制冷设备有限公司 | 电器、功率器件及其形成方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020237978A1 (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及空调器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110148594B (zh) | 2021-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110138249B (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN208240659U (zh) | 高集成智能功率模块及空调器 | |
CN108091619A (zh) | 智能功率模块及其制造方法、空调器 | |
CN110085581A (zh) | 高集成智能功率模块及空调器 | |
CN208257678U (zh) | 高集成智能功率模块及电器设备 | |
CN110112111A (zh) | 智能功率模块、电控板及空调器 | |
CN208240660U (zh) | 高集成智能功率模块及空调器 | |
CN110838712A (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN209607738U (zh) | 高集成智能功率模块及空调器 | |
CN110148594A (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN211182190U (zh) | 绝缘栅双极型晶体管、智能功率模块及空调器 | |
CN108054148A (zh) | 智能功率模块及其制造方法、空调器 | |
CN110911357A (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN110176852B (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN208596669U (zh) | 高集成智能功率模块及空调器 | |
CN209823637U (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN110940069B (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN110868086B (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN208596668U (zh) | 高集成智能功率模块及空调器 | |
CN213716875U (zh) | 智能功率模块、变频器及空调器 | |
CN110867835B (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN213717862U (zh) | 智能功率模块、变频器及空调器 | |
CN112087151A (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
CN207690784U (zh) | 功率模块及空调器 | |
CN114695333A (zh) | 智能功率模块及其制作方法、变频器以及空调器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230118 Address after: 400064 plant 1, No. 70, Meijia Road, Nan'an District, Chongqing Patentee after: Meiken Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 528311 Lingang Road, Beijiao Town, Shunde District, Foshan, Guangdong Patentee before: GD MIDEA AIR-CONDITIONING EQUIPMENT Co.,Ltd. Patentee before: MIDEA GROUP Co.,Ltd. |
|
TR01 | Transfer of patent right |