CN110146726A - 用于控制探针温度的方法 - Google Patents

用于控制探针温度的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110146726A
CN110146726A CN201910427559.5A CN201910427559A CN110146726A CN 110146726 A CN110146726 A CN 110146726A CN 201910427559 A CN201910427559 A CN 201910427559A CN 110146726 A CN110146726 A CN 110146726A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
tip
electrode
heating
heating electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910427559.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110146726B (zh
Inventor
杨晓峰
胡绘钧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ji Hua Shiyanshi
Original Assignee
Ji Hua Shiyanshi
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ji Hua Shiyanshi filed Critical Ji Hua Shiyanshi
Priority to CN201910427559.5A priority Critical patent/CN110146726B/zh
Publication of CN110146726A publication Critical patent/CN110146726A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110146726B publication Critical patent/CN110146726B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • G01Q70/02Probe holders
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • G01Q70/08Probe characteristics
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q80/00Applications, other than SPM, of scanning-probe techniques

Abstract

本申请公开了一种用于控制探针温度的方法。探针包括悬臂部分、尖端以及控制器。尖端位于悬臂部分末端并从悬臂部分突出。尖端包括底座、针尖部和从底座延伸的多个支撑臂,各支撑臂在远离底座的端部连接至针尖部。底座内设有多个电极,多个电极包括加热电极和感测电极。本发明的方法,通过精确控制探针的温度,能够进行钝化层的无掩模图形化、高效快速、成本低、且工艺简化。

Description

用于控制探针温度的方法
技术领域
本发明涉及衬底材料的钝化层上的图形加工,具体是用于控制在衬底材料上钝化层上形成三维图形结构的探针温度的方法。
背景技术
随着微电子工艺的快速发展,器件的小型化发展的难度也日益增大。由于三维纳米结构的广泛应用,故三维器件的构造也成为提高器件集成度的一个重要途径。
目前,常见的制备三维结构的方法主要有双光子干涉曝光工艺、激光干涉曝光工艺、灰度曝光工艺、离子束刻蚀工艺及沉积工艺。但是,这些工艺均存在种种缺陷,比如,利用双光子干涉曝光工艺或激光干涉曝光工艺制备三维图形时,图形尺寸受光斑大小的影响很大,且制备得出的三维图形的最小尺寸都在微米或亚微米量级,很难达到纳米级的尺度精度。
因此本领域需要一种三维微纳米结构或图形的制作方法,特别是一种基于高精度的无掩模图形化方法,取代传统的使用图形化掩膜版的光学光刻技术。实现高精度二维或者三维微纳结构图形直写和操纵,用以制备三维微纳米功能结构与器件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在衬底材料的钝化层上制备三维图形结构的探针温度控制方法,通过对扫描探针进行加热到所需温度,对图形化目标进行高精度的材料汽化。探针沿衬底平面运动或形成一定夹角运动从而形成三维立体结构,实现真正意义上三维结构的制备,为三维器件的加工提供新技术。此外,由于通过探针扫描对钝化材料进行汽化,探针运动阻力小,能够实现进行高精度的运动控制,从而能够通过该方法形成具有微纳米级别尺寸精度的三维立体结构。
为达到上述目的,本发明提供一种用于控制探针温度的方法,所述探针包括:悬臂部分;尖端,所述尖端位于所述悬臂部分末端并从所述悬臂部分突出;以及控制器;其中所述尖端包括底座、针尖部和从所述底座延伸的多个支撑臂,各所述支撑臂在远离所述底座的端部连接至所述针尖部;其中所述底座内设有多个电极,所述多个电极包括加热电极和感测电极;
所述方法包括:
通过所述加热电极加热所述尖端;
通过所述感测电极感测所述尖端的温度;
通过所述控制器将所述感测电极测得的温度与预定温度比较,并根据比较结果调节所述加热电极。
在一较佳实施例中,调节所述加热电极包括当所述感测电机测得的温度高于所述预定温度时,则降低所述加热电极的功率;而当所述感测电机测得的温度低于所述预定温度时,则增加所述加热电极的功率。
在一较佳实施例中,调节所述加热电极包括当所述感测电机测得的温度高于所述预定温度时,则停止所述加热电极的运行;而当所述感测电机测得的温度低于所述预定温度时,则开启所述加热电极的运行。
在一较佳实施例中,所述加热电极包括多个加热电极,调节所述加热电极包括当所述感测电机测得的温度高于所述预定温度时,则减少正在运行的所述加热电极的数量;而当所述感测电机测得的温度低于所述预定温度时,则减少正在运行的所述加热电极的数量。
在一较佳实施例中,调节所述加热电极包括当所述感测电机测得的温度高于或低于所述预定温度时,则选择不同的加热电极组合来减少或增加正在运行的所述加热电极的总功率。
在一较佳实施例中,所述支撑臂内设有导线,所述导线用于将所述多个电极与所述针尖部连接。
根据本发明的方法,通过精确控制探针的温度,能够进行钝化层的无掩模图形化、高效快速、成本低、且工艺简化;形成的结构尺寸精度可达到微纳米级;不仅可形成二维结构,也可形成三维结构。
附图说明
图1为使用根据本发明方法的衬底材料的俯视示意图;
图2为图1所示的衬底材料的主视示意图;
图3为探针位于衬底材料的钝化层上方的示意图;
图4为通过探针在衬底材料的钝化层上形成二维图形的示意图;
图5为通过探针在衬底材料的钝化层上形成三维图形的示意图;
图6A为探针的示意图,而图6B为探针尖端的放大示意图;
图7为衬底材料的钝化层为氧化层的示意图;
图8为衬底材料的钝化层为氧化层上设有光刻胶的复合结构;
图9为探针的支撑臂的第一实施例的示意图;
图10为探针的支撑臂的第二实施例的示意图;
图11为探针的支撑臂的第三实施例的示意图;
图12为探针的支撑臂的第四实施例的示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的较佳实施例进行详细说明,以便更清楚理解本发明的目的、特点和优点。应理解的是,附图所示的实施例并不是对本发明范围的限制,而只是为了说明本发明技术方案的实质精神。
在下文的描述中,出于说明各种公开的实施例的目的阐述了某些具体细节以提供对各种公开实施例的透彻理解。但是,相关领域技术人员将认识到可在无这些具体细节中的一个或多个细节的情况来实践实施例。在其它情形下,与本申请相关联的熟知的装置、结构和技术可能并未详细地示出或描述从而避免不必要地混淆实施例的描述。
除非语境有其它需要,在整个说明书和权利要求中,词语“包括”和其变型,诸如“包含”和“具有”应被理解为开放的、包含的含义,即应解释为“包括,但不限于”。
在整个说明书中对“一个实施例”或“一实施例”的提及表示结合实施例所描述的特定特点、结构或特征包括于至少一个实施例中。因此,在整个说明书的各个位置“在一个实施例中”或“在一实施例”中的出现无需全都指相同实施例。另外,特定特点、结构或特征可在一个或多个实施例中以任何方式组合。
如该说明书和所附权利要求中所用的单数形式“一”和“所述”包括复数指代物,除非文中清楚地另外规定。应当指出的是术语“或”通常以其包括“和/或”的含义使用,除非文中清楚地另外规定。
在以下描述中,为了清楚展示本发明的结构及工作方式,将借助诸多方向性词语进行描述,但是应当将“前”、“后”、“左”、“右”、“外”、“内”、“向外”、“向内”、“上”、“下”等词语理解为方便用语,而不应当理解为限定性词语。
本发明涉及一种在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法。参见图1,示出了可适用本发明方法的各种衬底材料例如衬底材料1和衬底材料2,它们放置在载物台3上。图1中所示衬底材料2呈方形和圆形,但应理解,衬底材料2也可呈矩形、椭圆形或其他不规则形状。衬底材料2可以是硅片、玻璃片或陶瓷片等。图2示出其侧视图。首先在例如衬底材料2的干净衬底材料上制备钝化层5。较佳地,在制备钝化层5之前,对衬底材料2进行清洗。具体的清洗方法和清洗步骤根据衬底材料2的材料来选择。例如,在衬底材料2是硅片的情况下,清洗步骤包括加热、煮沸、冲洗。去除衬底材料2上的表面杂质、氧化物或其他非衬底材质的杂质,以避免衬底材料2上的表面杂质、氧化物或其他非衬底材质的杂质影响钝化层5的形成以及形成的钝化层5的致密性、坚固性、耐腐蚀性和耐刻蚀性。在清洗完成之后制备钝化层5。钝化层5可以通过氧化、气相沉积、或者涂覆等来形成。钝化层5可以是单层,例如是光刻胶层,或者是氧化硅、氮化硅或金属层,也可以是复合层,例如在氧化硅、氮化硅或金属层上设有光刻胶的复合层。在使用上述复合层时,较佳地通过旋涂的方式将光刻胶涂覆在位于其下方的氧化硅、氮化硅或金属层上。该涂覆方法方便快捷,且涂覆形成的光刻胶层13的均匀性好。在具体实施时,可根据需要选择不同的钝化层。
接着,提供探针4,探针4包括悬臂部分41和位于悬臂部分41末端并从悬臂部分41突出的尖端42,如图6所示。如图3所示,将用于扫描汽化的探针4置于衬底材料2的钝化层5上方,然后将探针4的尖端42靠近钝化层5。
然后加热探针4,具体是加热探针4的尖端42,将其加热至能将钝化层5汽化的温度。具体地,将尖端42加热至钝化层5上表面的材料能够汽化的温度。对于不同结构的钝化层,该加热温度也不相同,例如,在钝化层5为光刻胶层的情况下,加热温度为200℃-500℃,更通常是在300-400℃。而在钝化层5为金属层的情况下,加热温度可高达1000℃。
当探针4的尖端42被加热至使得钝化层5能够汽化的温度时,将探针4,具体是尖端42在钝化层5上方移动。尖端42在钝化层5上方移动的方式类似于扫描式移动,其移动根据预定的三维图形通过控制***进行。控制***能够接收图纸输入,并将其转换为相应的动作信号,从而引导探针进行扫描式移动。在尖端42扫描经过之处,钝化层5汽化,从而在钝化层5上形成三维图形。具体地,是的尖端42在钝化层5移动至预定的竖直位置,并在该竖直位置所在的水平平面内水平移动。在进行完一个竖直位置的水平平面内的扫描移动之后,尖端42移动至下一竖直位置,并在该下一竖直位置所在的水平平面内水平移动,如此重复,直至将预定的三维图形形成在钝化层5上。由于尖端42的移动几乎没有阻力,通过精确控制,尖端42从一个竖直位置到下一竖直位置之间的距离可达到1纳米。
通过上述方法既能够在钝化层5上形成二维图形(见图4)也能在钝化层5上形成三维图形(见图5)。这里,二维图形是指形成的图形在不同的竖直位置截面相同,而三维图形是指形成的图形在不同的竖直位置截面不同。
在钝化层5上形成三维图形之后,将带有图形化的钝化层5的衬底材料2放入可腐蚀钝化层5的化学溶液中,去除钝化层5。在钝化层5是光刻胶和氧化硅、氮化硅或金属层形成的复合层的情况下,首先去除光刻胶层,再去除氧化硅、氮化硅或金属层。再之后利用后续工艺,比如扩散工艺、薄膜工艺、牺牲层工艺、互连工艺、湿法腐蚀工艺、干法刻蚀工艺、蒸镀工艺以及溅射工艺等对衬底材料进行加工,即可在衬底材料上形成三维纳米结构或图形。
如上文所述,探针4包括悬臂部分41和位于悬臂部分41末端并从悬臂部分41突出的尖端42。图6B中还示出了尖端42的放大图。尖端42包括底座421,该底座421与悬臂部分41一体形成或固定连接至悬臂部分41。在该底座421内设有多个电极425。各支撑臂423从底座421延伸并在远离底座421的端部连接至针尖部422。支撑臂422由耐高温材料制成。在支撑臂422内部可设置导线,用于连接针尖部422与底座421内的电极。较佳地,支撑臂422呈弯曲形状,从而防止支撑臂422由于触碰或高温而折断。多个电极425包括多个加热电极以及至少一个感温电极。尖端42通过各加热电极加热到所需的预定温度。感温电极用于感测尖端42的温度。感测电极可以是例如热敏电阻,通过测量随温度变化的电阻来确定感测电极的温度。
尖端42的温度控制通过控制器,例如PID控制(比例-积分-微分控制)来实现。为探针4提供控制器,通过感测电极测得尖端42的温度,并由控制器将测得的温度与预定温度比较,当测得的温度与预定温度之差达到一定数值时,则通过增加或减少工作的加热电极的数量、增大或降低加热电极的功率、以及启动或者停止各加热电极的工作来调节尖端42的温度。在各个加热电极功率不同的情况下,还可根据需要选择不同的加热电极组合来减少或增加正在运行的所述加热电极的总功率以调节尖端42的温度。
图9-12中示出了对探针2进行精确定位的结构。具体地,如图9所示,探针4由支架6支撑。支架6可构造成能够对探针4的悬臂部分进行支撑的任何结构。在图示实施例中,支架6为大致竖直延伸的支撑杆。悬臂部分的一端固定至支架6并从支架6水平延伸,尖端42设置在悬臂部分的远离支架6的一端。在该实施例中,悬臂部分包括悬臂支撑部412和悬臂驱动部413。悬臂驱动部413的远离支架6的末端设有尖端42。悬臂驱动部413与悬臂支撑部412沿竖直方向彼此紧邻并间隔开。如图7所示,在悬臂支撑部412的下侧设有电磁片416,而在悬臂驱动部413设置在悬臂支撑部412下方且在其上侧与电磁片416相应的位置设有电磁片71。在需要将悬臂支撑部412下移从而将尖端42下移时,可对电磁片416和71通电,使两者磁性相反,通过电磁片416与71之间的吸引力而使悬臂支撑部412下移,从而带动尖端42下移。在需要将悬臂支撑部412上移从而将尖端42上移时,可对电磁片416和71通电,使两者磁性相同,通过电磁片416与71之间的排斥力而使悬臂支撑部412上移,从而带动尖端42上移。在所示实施例中,悬臂驱动部413设置在悬臂支撑部412的下方,但应理解,也可将悬臂驱动部413设置在悬臂支撑部412的上方。在该情况下,则在悬臂支撑部412的上侧和悬臂驱动部413的下侧的彼此相对位置设置电磁片416和71。
此外,可在悬臂支撑部412和悬臂驱动部413上设置一组以上的电磁片。例如在图10中所示的,在悬臂支撑部412上侧和悬臂驱动部413的下侧各设置有三组电磁片。
此外,还应理解,也可将每组电磁片416和71中的一个设置为永磁体片,而另一个为电磁片。
采用上述方式来实现尖端42沿竖直方向的位移,能够通过精确调整通往电磁片的电流来调整悬臂支撑部412与悬臂驱动部413之间吸引力或排斥力的大小,从而使得尖端42沿竖直方向的位移精度能够显著提高,甚至达到1纳米。
图11示出了另一实施例。在该实施例中,在悬臂部分上设有沿其长度布置的一个应变段417。该应变段417由多层复合材料制成。多层复合材料中的各层具有不同的热膨胀系数,当温度变化时,各层材料发生不同程度的膨胀或收缩变形。例如,应变段417可由两种不同材料层复合而成。通过控制应变段417的温度,使得应变段417发生向上或向下的弯曲,由此带动悬臂部分整体上移或下移,进而带动实现尖端42上移或下移。此外,可在悬臂部分上设置一个以上的应变段417。例如在图12中示出的,悬臂部分上设置有三个应变段417。
通过采用上述方式来实现尖端42沿竖直方向的位移,可通过控精确制应变段417的温度变化来控制应变段417的弯曲,从而使得尖端42沿竖直方向的位移精度能够显著提高,甚至达到1纳米。
上述实施例中示出了采用电磁片和应变段来实现悬臂部分上的尖端42沿竖直方向移动的实施例。但应理解,也可在悬臂部分上组合采用电磁片和应变段来实现悬臂部分的上移和下移。
以上已详细描述了本发明的较佳实施例,但应理解到,若需要,能修改实施例的方面来采用各种专利、申请和出版物的方面、特征和构思来提供另外的实施例。
考虑到上文的详细描述,能对实施例做出这些和其它变化。一般而言,在权利要求中,所用的术语不应被认为限制在说明书和权利要求中公开的具体实施例,而是应被理解为包括所有可能的实施例连同这些权利要求所享有的全部等同范围。

Claims (6)

1.一种用于控制探针温度的方法,所述探针包括:悬臂部分;尖端,所述尖端位于所述悬臂部分末端并从所述悬臂部分突出;以及控制器;其中所述尖端包括底座、针尖部和从所述底座延伸的多个支撑臂,各所述支撑臂在远离所述底座的端部连接至所述针尖部;其中所述底座内设有多个电极,所述多个电极包括加热电极和感测电极;
所述方法包括:
通过所述加热电极加热所述尖端;
通过所述感测电极感测所述尖端的温度;
通过所述控制器将所述感测电极测得的温度与预定温度比较,并根据比较结果调节所述加热电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
调节所述加热电极包括当所述感测电机测得的温度高于所述预定温度时,则降低所述加热电极的功率;而当所述感测电机测得的温度低于所述预定温度时,则增加所述加热电极的功率。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
调节所述加热电极包括当所述感测电机测得的温度高于所述预定温度时,则停止所述加热电极的运行;而当所述感测电机测得的温度低于所述预定温度时,则开启所述加热电极的运行。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述加热电极包括多个加热电极,调节所述加热电极包括当所述感测电机测得的温度高于所述预定温度时,则减少正在运行的所述加热电极的数量;而当所述感测电机测得的温度低于所述预定温度时,则减少正在运行的所述加热电极的数量。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,调节所述加热电极包括当所述感测电机测得的温度高于或低于所述预定温度时,则选择不同的加热电极组合来减少或增加正在运行的所述加热电极的总功率。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述支撑臂内设有导线,所述导线用于将所述多个电极与所述针尖部连接。
CN201910427559.5A 2019-05-22 2019-05-22 用于控制探针温度的方法 Active CN110146726B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910427559.5A CN110146726B (zh) 2019-05-22 2019-05-22 用于控制探针温度的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910427559.5A CN110146726B (zh) 2019-05-22 2019-05-22 用于控制探针温度的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110146726A true CN110146726A (zh) 2019-08-20
CN110146726B CN110146726B (zh) 2022-06-14

Family

ID=67592529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910427559.5A Active CN110146726B (zh) 2019-05-22 2019-05-22 用于控制探针温度的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110146726B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111812357A (zh) * 2020-07-10 2020-10-23 浙江大学 一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针

Citations (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB430223A (en) * 1933-12-16 1935-06-14 Achille Ernest Gaba Improvements in and relating to variable pitch airscrews
JPH08129875A (ja) * 1994-10-28 1996-05-21 Hewlett Packard Co <Hp> 導電性針の位置ずれを低減したプローブ装置
US6185992B1 (en) * 1999-07-15 2001-02-13 Veeco Instruments Inc. Method and system for increasing the accuracy of a probe-based instrument measuring a heated sample
EP1209689A2 (de) * 2000-11-21 2002-05-29 Forschungszentrum Rossendorf e.V. Verfahren zur Herstellung von integrierten Abtastsonden
US7073937B2 (en) * 2001-02-13 2006-07-11 Yoshikaza Nakayama Heat emitting probe and heat emitting probe apparatus
US20070051887A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-08 Kishio Hidaka Cantilever and inspecting apparatus
JP2007147371A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Konica Minolta Opto Inc 光学素子測定用治具、並びに、光学素子形状測定装置及び方法
CN101158629A (zh) * 2007-10-26 2008-04-09 北京工业大学 扫描电镜电子背散射衍射原位拉伸装置及测量的方法
US7439501B2 (en) * 2005-08-30 2008-10-21 Georgia Tech Reasearch Corporation Direct write nanolithography using heated tip
JP2009281754A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 走査型プローブ顕微鏡用ナノチューブプローブとその製造方法および走査型プローブ顕微鏡
TW201012656A (en) * 2008-09-23 2010-04-01 Sdi Corp Film transfer printing appliance
CN102175894A (zh) * 2010-12-24 2011-09-07 北京大学 一种扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法
CN102564623A (zh) * 2011-12-29 2012-07-11 东南大学 一种垂直结构场发射微机械温度传感器结构
JP2013004473A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Molex Inc カード用コネクタ
CN103306694A (zh) * 2013-05-20 2013-09-18 四川省华蓥山煤业股份有限公司李子垭南煤矿 急倾斜松软煤层煤巷掘进前探支护方法及装置
CN104764905A (zh) * 2015-03-24 2015-07-08 清华大学深圳研究生院 一种原子力显微镜扫描热探针及其制备方法
CN204882608U (zh) * 2015-06-02 2015-12-16 常州朗道科学仪器有限公司 超高真空自旋极化扫描隧道显微镜探针制备用的专用装置
CN105193532A (zh) * 2015-10-30 2015-12-30 加奇生物科技(上海)有限公司苏州分公司 颈动脉支架***
CN106332328A (zh) * 2016-08-18 2017-01-11 常州二维碳素科技股份有限公司 一种加热层及加热膜
CN107064565A (zh) * 2017-05-27 2017-08-18 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 磁‑电‑热多参量耦合显微镜探针、其制备方法与探测方法
CN107454691A (zh) * 2017-08-08 2017-12-08 湖南源创高科工业技术有限公司 一种发热体
CN206848304U (zh) * 2017-05-27 2018-01-05 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 磁‑电‑热多参量耦合显微镜探针
CN107650542A (zh) * 2017-08-26 2018-02-02 上海曼斐电器贸易有限公司 一种钢笔
CN108156679A (zh) * 2018-01-18 2018-06-12 无锡恒业电热电器有限公司 一种组合式土壤环境修复电加热器
US20180180644A1 (en) * 2015-06-15 2018-06-28 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Thermal probe
CN109743803A (zh) * 2019-01-02 2019-05-10 合肥京东方光电科技有限公司 除水装置、除水***以及除水方法
CN110127588A (zh) * 2019-05-22 2019-08-16 季华实验室 用于加工衬底材料的钝化层的探针
CN110127589A (zh) * 2019-05-22 2019-08-16 季华实验室 用于加工衬底材料的钝化层的探针
CN110143568A (zh) * 2019-05-22 2019-08-20 季华实验室 在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法

Patent Citations (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB430223A (en) * 1933-12-16 1935-06-14 Achille Ernest Gaba Improvements in and relating to variable pitch airscrews
JPH08129875A (ja) * 1994-10-28 1996-05-21 Hewlett Packard Co <Hp> 導電性針の位置ずれを低減したプローブ装置
US6185992B1 (en) * 1999-07-15 2001-02-13 Veeco Instruments Inc. Method and system for increasing the accuracy of a probe-based instrument measuring a heated sample
EP1209689A2 (de) * 2000-11-21 2002-05-29 Forschungszentrum Rossendorf e.V. Verfahren zur Herstellung von integrierten Abtastsonden
US7073937B2 (en) * 2001-02-13 2006-07-11 Yoshikaza Nakayama Heat emitting probe and heat emitting probe apparatus
US7439501B2 (en) * 2005-08-30 2008-10-21 Georgia Tech Reasearch Corporation Direct write nanolithography using heated tip
US20070051887A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-08 Kishio Hidaka Cantilever and inspecting apparatus
JP2007147371A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Konica Minolta Opto Inc 光学素子測定用治具、並びに、光学素子形状測定装置及び方法
CN101158629A (zh) * 2007-10-26 2008-04-09 北京工业大学 扫描电镜电子背散射衍射原位拉伸装置及测量的方法
JP2009281754A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 走査型プローブ顕微鏡用ナノチューブプローブとその製造方法および走査型プローブ顕微鏡
TW201012656A (en) * 2008-09-23 2010-04-01 Sdi Corp Film transfer printing appliance
CN102175894A (zh) * 2010-12-24 2011-09-07 北京大学 一种扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法
JP2013004473A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Molex Inc カード用コネクタ
CN102564623A (zh) * 2011-12-29 2012-07-11 东南大学 一种垂直结构场发射微机械温度传感器结构
CN103306694A (zh) * 2013-05-20 2013-09-18 四川省华蓥山煤业股份有限公司李子垭南煤矿 急倾斜松软煤层煤巷掘进前探支护方法及装置
CN104764905A (zh) * 2015-03-24 2015-07-08 清华大学深圳研究生院 一种原子力显微镜扫描热探针及其制备方法
CN204882608U (zh) * 2015-06-02 2015-12-16 常州朗道科学仪器有限公司 超高真空自旋极化扫描隧道显微镜探针制备用的专用装置
US20180180644A1 (en) * 2015-06-15 2018-06-28 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Thermal probe
CN105193532A (zh) * 2015-10-30 2015-12-30 加奇生物科技(上海)有限公司苏州分公司 颈动脉支架***
CN106332328A (zh) * 2016-08-18 2017-01-11 常州二维碳素科技股份有限公司 一种加热层及加热膜
CN206848304U (zh) * 2017-05-27 2018-01-05 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 磁‑电‑热多参量耦合显微镜探针
CN107064565A (zh) * 2017-05-27 2017-08-18 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 磁‑电‑热多参量耦合显微镜探针、其制备方法与探测方法
CN107454691A (zh) * 2017-08-08 2017-12-08 湖南源创高科工业技术有限公司 一种发热体
CN107650542A (zh) * 2017-08-26 2018-02-02 上海曼斐电器贸易有限公司 一种钢笔
CN108156679A (zh) * 2018-01-18 2018-06-12 无锡恒业电热电器有限公司 一种组合式土壤环境修复电加热器
CN109743803A (zh) * 2019-01-02 2019-05-10 合肥京东方光电科技有限公司 除水装置、除水***以及除水方法
CN110127588A (zh) * 2019-05-22 2019-08-16 季华实验室 用于加工衬底材料的钝化层的探针
CN110127589A (zh) * 2019-05-22 2019-08-16 季华实验室 用于加工衬底材料的钝化层的探针
CN110143568A (zh) * 2019-05-22 2019-08-20 季华实验室 在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SIMONE LEE等: "《Asymmetric Dielectric Trilayer Cantilever Probe for Calorimetric High-Frequency Field Imaging》", 《JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS》 *
郭明浩: "《可弯曲空心探针设计研制及应用》", 《中国医药导报》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111812357A (zh) * 2020-07-10 2020-10-23 浙江大学 一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针
CN111812357B (zh) * 2020-07-10 2021-05-25 浙江大学 一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针

Also Published As

Publication number Publication date
CN110146726B (zh) 2022-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4398519B2 (ja) 試料走査用の二重ステージ装置
Bullen et al. Electrostatically actuated dip pen nanolithography probe arrays
TWI656347B (zh) 檢查樣品表面的掃描探針顯微鏡及方法
JP2010521325A (ja) ビューポートを用いたナノリソグラフィ
WO2009099619A2 (en) Array and cantilever array leveling
CN110143568A (zh) 在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法
Ganjeh et al. A platform to parallelize planar surfaces and control their spatial separation with nanometer resolution
JP2015029134A (ja) 基板加工およびアライメント
CN110146726A (zh) 用于控制探针温度的方法
CN110127589A (zh) 用于加工衬底材料的钝化层的探针
US20100227063A1 (en) Large area, homogeneous array fabrication including substrate temperature control
CN110127588A (zh) 用于加工衬底材料的钝化层的探针
US20100251439A1 (en) Large area, homogeneous array fabrication including leveling with use of bright spots
US20100229264A1 (en) Large area, homogeneous array fabrication including controlled tip loading vapor deposition
KR20110124214A (ko) 균일한 기판을 포함하는 넓은 면적의 균일한 어레이 제작
CN110133779A (zh) 用于形成闪耀光栅的方法
JP2599897B2 (ja) 微細加工方法
KR102102637B1 (ko) 토포그래피 신호 및 옵션 신호 획득 방법, 장치 및 이를 구비하는 원자 현미경
CN110146947A (zh) 具有法布里珀罗腔的闪耀光栅及其制造方法
KR102084975B1 (ko) 원자 현미경용 마이크로 캔틸레버 구조체 및 그 제작방법
Haenssler et al. Test standard for light, electron and microwave microscopy to enable robotic processes
CN117110345A (zh) 一种薄膜表面纳米图案的显影装置及其使用方法
Bullen Scanning probe array development for dip pen nanolithography
JP2002228817A (ja) 超平滑グレーティングの製造装置及び製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant