CN110068971A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板，包括：一基板，具有一第一表面；一第一导线，设于该基板的该第一表面上，且该第一导线具有一第一斜面；以及一第二导线，设于该基板的该第一表面上，该第二导线具有一第二斜面，且该第一导线与该第二导线并排设置；其中该第一斜面或该第一斜面的一延伸面与该第一表面的夹角不同于该第二斜面或该第二斜面的一延伸面与该第一表面的夹角。

Description

显示面板
本申请是分案申请，母案的申请号：201410664896.3，申请日：2014年11月19日，名称：显示面板。
技术领域
本发明涉及一种显示面板，特别是一种能减少面板线路传递信号衰减的显示面板。
背景技术
随着显示面板技术不断进步，市场上对于显示面板画面精细度的要求不断拉高，故各个厂商均积极研发更高阶的显示面板。特别是，随着4K2K面板的兴起及手持显示设备(如，手机、平板计算机等)追求更高的PPI(每英时像素数，pixels per inch)分辨率，单位面积内需要容纳更多像素已是面板业未来的趋势。
然而，要达到高PPI分辨率的要求，若以目前相同的导线(包括扫描线或数据线)线宽设计，势必会造成因线宽导致开口率下降的问题。因此，在要同时达到高PPI分辨率的要求且不牺牲开口率的情形下，目前其中一种方法为减少导线的宽度，以在单位面积内容纳更多像素下同时保有高开口率。然而，当导线宽度缩减到一定程度时，在工艺中容易遇到线路过细容易剥离的情形，同时也因为线路过细而造成阻抗提升，进而产生数据信号衰减的问题。
有鉴于前述问题，目前亟需发展一种显示面板，其可改善前述问题，进而应用于高PPI分辨率的显示设备上。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种显示面板，通过设计面板内导线厚度或导线侧边角度，而可达到降低阻抗以减少数据信号衰减的问题。
为达成上述目的，本发明提供一显示面板，包括：一基板，具有一第一表面；一第一薄膜晶体管单元及一第二薄膜晶体管单元，设于基板的第一表面上；一第一导线，设于基板的第一表面上且电性连接第一薄膜晶体管单元，且第一导线具有一斜面；以及一第二导线，设于基板的第一表面上且电性连接第二薄膜晶体管单元，且第二导线具有另一斜面；其中第一导线的斜面或其延伸线及第二导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角不相同。
其中，第一导线与第二导线分别为一扫描线或一数据线。在本发明的一实施方式中，第一导线可为一扫描线，而第二导线可为一数据线。在此情形下，第二导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角大于第一导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角。
此外，本发明的显示面板可还包括：一第三导线及一第四导线，设于基板的第一表面上且分别具有一斜面，其中第一导线及第三导线沿一第一方向设置，第二导线及第四导线沿一第二方向设置，第一方向与第二方向交错，且第一导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角不同于第三导线或第四导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角。其中，第一导线及第三导线可分别为一扫描线，且第二导线及第四导线可分别为一数据线。在此情形下，第二导线与第四导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角角度差小于第一导线与第三导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角角度差。
其中，第一导线、第二导线、第三导线及第四导线分别为一扫描线或一数据线。在本发明的一实施方式中，第一导线及第三导线可分别为一扫描线，而第二导线及第四导线可分别为一数据线。
在本发明的一实施方式中，第一导线及第三导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角分别为θ11及θ12，且|θ11-θ12|/θ11＝1-60％。此外，第二导线及第四导线的斜面或其延伸线与第一表面的夹角分别为θ21及θ22，且|θ21-θ22|/θ21＝5-20％。同时，|θ11-θ12|/θ11≠|θ21-θ22|/θ21。
此外，本发明提供另一显示面板，包括：一基板；一第一薄膜晶体管单元及一第二薄膜晶体管单元，设于基板上；一第一导线，设于基板上且电性连接第一薄膜晶体管单元；以及一第二导线，设于基板上且电性连接第二薄膜晶体管单元；其中第一导线与第二导线的厚度不相同。
其中，第一导线与第二导线分别为一扫描线或一数据线。在本发明的一实施方式中，第一导线可为一扫描线，而第二导线可为一数据线。在此情形下，第二导线的厚度大于第一导线的厚度。
此外，本发明的显示面板可还包括：一第三导线及一第四导线，其中第一导线及第三导线沿一第一方向设置，第二导线及第四导线沿一第二方向设置，第一方向与第二方向交错，且第一导线的厚度与第三导线或第四导线的厚度不相同。其中，第一导线及第三导线可分别为一扫描线，且第二导线及第四导线可分别为一数据线。在此情形下，第二导线及第四导线的厚度变异量大于第一导线及第三导线的厚度变异量。
其中，第一导线、第二导线、第三导线及第四导线分别为一扫描线或一数据线。在本发明的一实施方式中，第一导线及第三导线可分别为一扫描线，而第二导线及第四导线可分别为一数据线。
在本发明的一实施方式中，第一导线及第三导线的厚度分别为M11及M12，且|M11-M12|/M11＝5-20％。此外，第二导线及第四导线的厚度分别为M21及M22，且|M21-M22|/M21＝5-50％。同时，|M11-M12|/M11≠|M21-M22|/M21。
此外，本发明还提供一种显示面板，其导线同时具有前述厚度及斜面或其延伸线与基板的第一表面的夹角等特征。
在本发明中，所谓的“斜面”是指连接导线的上下表面的一侧边，其中导线的上下表面分别为与基板的第一表面实质平行的表面。此外，在本发明中，所谓的“厚度”及“斜面或其延伸线与第一表面的夹角”均指导线在垂直于其长度方向上的截面的厚度及斜面或其延伸线与第一表面的夹角。
附图说明
图1是本发明实施例1的显示面板的示意图；
图2是本发明实施例的薄膜晶体管基板示意图；
图3是本发明实施例的薄膜晶体管基板的剖面示意图；
图4A是本发明实施例的薄膜晶体管基板的扫描线沿A1-A1’的剖面示意图；
图4B是本发明实施例的薄膜晶体管基板的扫描线沿A2-A2’的剖面示意图；
图5A是本发明实施例的薄膜晶体管基板的资料线的沿B1-B1’剖面示意图；
图5B是本发明实施例的薄膜晶体管基板的资料线的沿B2-B2’剖面示意图。
【附图标记说明】
1 薄膜晶体管基板 11 基板
11’ 第一表面 121、122 扫描线
121’、122’、131’、132’ 斜面
131、132 资料线
141 第一薄膜晶体管单元 1412 绝缘层
1413 半导体层 1414 源极
1415 漏极 1416 保护层
142、143 第二薄膜晶体管单元 15 像素电极
17 存储电极 2 彩色滤光片基板
3 间隔物 4 液晶层
5 框胶 M1、M2 厚度
θ1、θ2 夹角 X 第二方向
Y 第一方向
A1-A1’、A2-A2’、B1-B1’、B2-B2’、C-C’ 剖面线
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
如图1所示，其为本发明一优选实施例的液晶显示面板的示意图。本实施例的液晶显示面板包括：一薄膜晶体管基板1、一彩色滤光片基板2、多个间隔物3、一液晶层4及一框胶5。其中，薄膜晶体管基板1与彩色滤光片基板2相对设置，间隔物3与液晶层4设于薄膜晶体管基板1与彩色滤光片基板2间，且薄膜晶体管基板1与彩色滤光片基板2通过框胶5进行对组。接下来，将分别详细描述本发明的液晶显示面板的薄膜晶体管基板1上的设计。
首先，如图2所示，其为本实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的俯视示意图。本实施例薄膜晶体管基板包括：一第一基板(图未示)，上方设置有多个导线(包括：扫描线121、122及数据线131、132)、第一薄膜晶体管单元141及第二薄膜晶体管单元142、143、一像素电极15及一存储电极17。在此，以两相邻的扫描线121、122及两相邻的数据线131、132定义出一像素单元；在一像素单元中，包括一薄膜晶体管单元(即，第一薄膜晶体管单元141)、一像素电极15及一存储电极17，且像素电极15设于两相邻的扫描线121、122及两相邻的资料线131、132间。接下来，将分别详细描述本发明的液晶显示面板的扫描线121、122及数据线131、132的设计。
图3为本实施例的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的沿图2的A1-A1’、B1-B1’及C-C’剖面线的剖面示意图；在此，仅以图2的第一薄膜晶体管单元141部分作为示例，其他区域的薄膜晶体管单元亦同时以相同工艺制作。在本实施例薄膜晶体管基板的制备过程中，首先，在基板11上先形成一栅极1411及一扫描线121。而后，在基板11、栅极1411及扫描线121上形成一绝缘层1412(亦可称的为栅极绝缘层)，再在栅极1411上方形成一半导体层1413。接着，在半导体层1413上形成一源极1414及一漏极1415，并同时在绝缘层1412上形成一数据线131，则完成本实施例的数据线131、扫描线121及一第一薄膜晶体管单元141的制备。最后，依序形成保护层1416及像素电极15，则完成本实施例的薄膜晶体管基板的制备。在此，栅极1411、扫描线121、源极1414、漏极1415及数据线131可使用本技术领域常用的导电材料，如金属、合金、金属氧化物、金属氮氧化物、或其他本技术领域常用的电极材料；且优选为金属材料，但本发明不仅限于此。本案的栅极线、扫描线与电极等，不限制于为单一材料层，亦可使用多种材料堆叠的复合层结构。在本实施例中，形成栅极1411及扫描线121的金属复合层材料为由基板11侧向上依序层叠的Ti层及Cu层；而形成源极1414、漏极1415及资料线131的金属复合层材料则为由基板11侧向上依序层叠的Mo层、A1层及Mo层。然而，在其他实施例中，并不仅限于前述材料。
图4A及图4B分别为本实施例的扫描线沿图2的A1-A1’及A2-A2’的剖面示意图，而图5A及图5B分别为本实施例的数据线沿图2的B1-B1’及B2-B2’的剖面示意图；其中，为详细描述扫描线及数据线的设计，故其上方的其他层别未示于图中。如图2所示，扫描线121、122分别电性连接第一薄膜晶体管单元141及第二薄膜晶体管单元142，且扫描线121、122实质上沿一第一方向Y并排设置；且如图4所示，扫描线121、122分别具有一斜面121’、122’。此外，如图2所示，数据线131、132亦分别电性连接第一薄膜晶体管单元141及第二薄膜晶体管单元143，且数据线131、132实质上沿一第二方向X并排设置；且如图5所示，数据线131、132分别具有一斜面131’、132’。
在本实施例中，请同时参考图2、图4A及图4B，不同条扫描线121、122间具有不同厚度。更详细而言，在本实施例中，如图4A及图4B所示，电性连接第一薄膜晶体管单元141的扫描线121(第一导线)的厚度M11不同于电性连接第二薄膜晶体管单元142的扫描线122(第二导线)的厚度M12。优选为，M11及M12间的变异量符合：|M11-M12|/M11＝5-20％。
此外，在本实施例中，请同时参考图2、图5A及图5B，不同条数据线131、132间具有不同厚度。更详细而言，在本实施例中，如图5A及图5B所示，电性连接第一薄膜晶体管单元141的数据线131(第一导线)的厚度M21不同于电性连接第二薄膜晶体管单元143的数据线132(第二导线)的厚度M22。优选为，M21及M22间的变异量符合：|M21-M22|/M21＝5-50％。
再者，在本实施例中，请同时参考图2、图4A、图4B、图5A及图5B，资料线131(第二导线)的厚度M21及资料线132(第四导线)的厚度M22变异量设计成不同于扫描线121(第一导线)的厚度M11及扫描线122(第三导线)的厚度M12变异量，即符合：|M11-M12|/M11≠|M21-M22|/M21。优选为，数据线131(第二导线)及数据线132(第四导线)间的厚度M21、M22变异量设计成大于扫描线121(第一导线)及扫描线122(第三导线)间的厚度M11、M12变异量，即符合：|M11-M12|/M11＜|M21-M22|/M21。
在本实施例中，请同时参考图2、图4A、图4B、图5A及图5B，扫描线121、122及资料线131、132等多个导线，可设计成具有相同或不同厚度。其原因在于，公知为了减少阻抗，而有导线(包括扫描线及数据线)加宽的设计；然而，此设计却会面临开口率减少的缺点，而无法因应高PPI分辨率的需求。因此，在本实施例中，可因应面板传递信号负载较大处来将导线厚度加厚，以此得以减少阻抗来达成减少数据信号衰减幅度的作用，并同时达到维持高开口率的目的。优选为，数据线131、132的厚度M21、M22设计成大于扫描线121、122的厚度M11、M12。其原因在于，扫描线可通过加宽导线宽度来提高导电面积而达到降低阻抗的目的，但数据线若以加宽导线方式设计将会造成开口率降低；因此，为了避免数据线信号传递损耗但又要顾及开口率，故本实施例通过将数据线的厚度加厚，由此可在减少数据线线宽的同时达到高开口率及降低传递损耗的目的。
在本实施例所提供的显示面板中，其中部分扫描线设计成厚度分别为0.56μm、0.571μm、0.571μm、0.571μm、0.571μm、0.571μm、0.582μm、0.582lμm及0.582μm；其中前述扫描线线厚差距在0.01～0.02μm之间。此外，在本实施例所提供的显示面板中，其中部份数据线设计成厚度分别为0.615μm、0.681μm、0.637μm、0.593μm、0.626μm、0.626μm、0.648μm、0.692μm及0.659μm；其中前述数据线线厚差距在0.02～0.1μm之间。然而，在本实施例的显示面板的其他扫描线及数据线的厚度并不仅限于上述数值，只要符合前述厚度设计条件，即可达到本实施例的同时顾及开口率、减少阻抗并减少传递损耗的目的。
除了厚度设计外，在本实施例中，请同时参考图2、图4A及图4B，不同条扫描线121、122间，且其斜面121’、122’与基板11的第一表面11’的夹角θ11、θ12不相同；往后，“扫描线121的斜面121’与基板11的第一表面11’的夹角θ11”及“扫描线122的斜面122’与基板11的第一表面11’的夹角θ12”分别以“夹角θ11”及“夹角θ12”简称之。更详细而言，在本实施例中，电性连接第一薄膜晶体管单元141的扫描线121(第一导线)的夹角θ11不同于电性连接第二薄膜晶体管单元142的扫描线122(第二导线)的夹角θ12。优选为，θ11及θ12的变异量符合：|θ11-θ12|/θ11＝1-60％。
此外，在本实施例中，请同时参考图2、图5A及图5B，不同条资料线131、132间，且其斜面131’、132’的延伸线与基板11的第一表面11‘的夹角θ21、θ22不相同；往后，“数据线131的斜面131’的延伸线与基板11的第一表面11’的夹角θ21”及“数据线132的斜面132’的延伸线与基板11的第一表面11’的夹角θ22”分别以“夹角θ21”及“夹角θ22”简称的。更详细而言，在本实施例中，电性连接第一薄膜晶体管单元141的数据线131(第一导线)的夹角θ21不同于电性连接第二薄膜晶体管单元143(第二导线)的数据线132的夹角θ22。优选为，θ21及θ22间的变异量符合：|θ21-θ22|/θ21＝5-20％。
再者，在本实施例中，请同时参考图2、图4A、图4B、图5A及图5B，资料线131(第二导线)的夹角θ21及资料线132(第四导线)的夹角θ22变异量设计成不同于扫描线121(第一导线)的夹角θ11及扫描线122(第三导线)的夹角θ12变异量，即符合：|θ11-θ12|/θ11≠|θ21-θ22|/θ21。优选为，数据线131(第二导线)及数据线132(第四导线)间的夹角θ21、θ22变异量设计成小于扫描线121(第一导线)及扫描线122(第三导线)间的夹角θ11、θ12变异量，即符合：|θ11-θ12|/θ11＞|θ21-θ22|/θ21。
在本实施例中，请同时参考图2、图4A、图4B、图5A及图5B，扫描线121、122及资料线131、132等多个导线，可设计成具有相同或不同夹角。其原因在于，虽然如前述可通过在不同导线上设计成不同厚度，但若工艺上不易控制厚度时，则可通过设计成不同角度，而可达到不同阻抗值的目的。优选为，数据线131、132的夹角θ21、θ22设计成大于扫描线121、122的夹角θ11、θ12。其原因在于，通过将数据线131、132的斜面131’、132’设计成较扫描线121、122的斜面121’、122’陡时，避免因数据线131、132变窄且变厚来降低传递损耗的同时却因夹角θ21、θ22变大而无助于降低开口率。
在本实施例所提供的显示面板中，其中部分扫描线设计成夹角分别为30.96°、34.99°、21.91°、42.84°、20.72°、40.76°、36.25°、47.34°及40.56°；
其中前述扫描线夹角差距在1～26°之间。此外，在本实施例所提供的显示面板中，其中部份数据线设计成夹角分别为64.3°、69.4°及77°；其中前述数据线角差距在5～12°之间。然而，在本实施例的显示面板的其他扫描线及数据线的夹角并不仅限于上述数值，只要符合前述夹角设计条件，即可达到本实施例的同时顾及开口率、减少阻抗并减少传递损耗的目的。
在本实施例中，前述的扫描线及数据线的厚度与夹角设计，可通过本技术领域已知的图案化制成达成，如：控制蚀刻条件、或使用灰阶光罩来达成。
实施例2
本实施例的显示面板的制备及结构与实施例1相同，且薄膜晶体管基板的设计亦与实施例1相同，除了下述不同点。
其中，形成栅极1411、扫描线121、源极1414、漏极1415及资料线131的金属复合层材料则为由基板11侧向上依序层叠的Ti层及Cu层。然而，在其他实施例中，并不仅限于前述材料。
此外，在本实施例所提供的显示面板中，其中部分扫描线设计成厚度分别为0.465μm、0.482μm、0.454μm、0.448μm、0.465μm、0.442μm、0.431μm、0.459μm及0.482μm；其中前述扫描线线厚差距在0.01～0.05μm之间。此外，在本实施例所提供的显示面板中，其中部分数据线设计成厚度分别为0.478μm、0.469μm、0.496μm、0.532μm、0.514μm、0.496μm、0.487μm、0.46μm、及0.469μm；其中前述数据线线厚差距在0.01～0.07μm之间。
再者，在本实施例所提供的显示面板中，其中部分扫描线设计成夹角分别为34.42°、27.8°、24.83°、27.76°、19.83°、25.46°、18.25°、40.79°及27.51°；其中前述扫描线夹角差距在2～22°之间。此外，在本实施例所提供的显示面板中，其中部分数据线设计成夹角分别为65.56°、56.73°、60.95°、62.1°、61.26°、55.92°、60.26°、60.8°、及54.16°；其中前述数据线角差距在2～11°之间。然而，在本实施例的显示面板的其他扫描线及数据线的夹角并不仅限于上述数值。
在前述实施例1及2中，以一般的薄膜晶体管基板及彩色滤光片基板所组成的液晶显示面板作为示例；然而，其他种类的液晶显示面板(如，整合彩色滤光片阵列的薄膜晶体管基板(color on array，COA)显示面板)、有机发光二极管显示面板、等离子显示面板、或其他本技术领域已知的显示面板，均可应用前述实施例1及2所述的薄膜晶体管基板，而可达到同时顾及开口率、减少阻抗并减少传递损耗的目的。
此外，本发明所提供的显示面板，亦可应用于本技术领域已知的各种显示设备，如显示器、手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、移动导航装置、电视等。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：
一基板，具有一第一表面；
一第一导线，设于该基板的该第一表面上，且该第一导线具有一第一斜面；以及
一第二导线，设于该基板的该第一表面上，该第二导线具有一第二斜面，且该第一导线与该第二导线并排设置；
其中该第一斜面或该第一斜面的一延伸面与该第一表面的夹角不同于该第二斜面或该第二斜面的一延伸面与该第一表面的夹角。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一导线与该第二导线分别为一扫描线，或该第一导线与该第二导线分别为一数据线。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：一电极，设于该第一导线与该第二导线间，该电极为一像素电极或一存储电极。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一斜面或该第一斜面的该延伸面与该第一表面的夹角为θ11，该第二斜面或该第二斜面的该延伸面与该第一表面的夹角为θ12，且|θ11-θ12|/θ11介于1％至60％之间。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一导线或该第二导线包括一金属复合层材料，该金属复合层材料为由该基板向上依序层叠的Ti层及Cu层或由该基板向上依序层叠的Mo层、Al层及Mo层。
6.一种显示面板，包括：
一基板；
一第一导线，设于该基板上；以及
一第二导线，设于该基板上，且该第一导线与该第二导线并排设置；
其中该第一导线的厚度不同于该第二导线的厚度。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该第一导线与该第二导线分别为一扫描线，或该第一导线与该第二导线分别为一数据线。
8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括：一电极，设于该第一导线与该第二导线间，该电极为一像素电极或一存储电极。
9.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该第一导线的厚度为M21，该第二导线的厚度为M22，且|M21-M22|/M21介于5％至50％之间。
10.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该第一导线或该第二导线包括一金属复合层材料，该金属复合层材料为由该基板向上依序层叠的Ti层及Cu层或由该基板向上依序层叠的Mo层、Al层及Mo层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111583849A (zh) * 2020-05-19 2020-08-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI528074B (zh) 2014-03-28 2016-04-01 群創光電股份有限公司 顯示面板
CN105807524B (zh) * 2016-05-30 2019-04-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN208637462U (zh) * 2018-08-29 2019-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示器件的封装结构、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1624550A (zh) * 2003-12-01 2005-06-08 Nec液晶技术株式会社 液晶显示单元
CN1804709A (zh) * 2000-05-12 2006-07-19 株式会社日立制作所 液晶显示装置及其制造方法
CN1834759A (zh) * 2005-03-17 2006-09-20 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN101232029A (zh) * 2008-02-25 2008-07-30 友达光电股份有限公司 液晶显示面板及其半导体阵列基板
US20100053507A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
CN102012580A (zh) * 2009-09-07 2011-04-13 三星电子株式会社 液晶显示器

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663525A (en) 1995-03-20 1997-09-02 Newman; James R. Electrical meter box for service lateral and method of using same
US6008874A (en) * 1995-03-27 1999-12-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix liquid crystal display having alignment film with inclined surface
JPH1090702A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 液晶表示装置
US6208394B1 (en) * 1997-11-27 2001-03-27 Sharp Kabushiki Kaisha LCD device and method for fabricating the same having color filters and a resinous insulating black matrix on opposite sides of a counter electrode on the same substrate
JP4627843B2 (ja) * 1999-07-22 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR100881357B1 (ko) * 1999-09-07 2009-02-02 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6580475B2 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP3750055B2 (ja) * 2001-02-28 2006-03-01 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100404161B1 (ko) * 2001-05-03 2003-11-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 홀로그램 확산판을 가지는 투과형 액정표시장치
JP2006293343A (ja) * 2005-03-17 2006-10-26 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及び表示装置
JP4702067B2 (ja) * 2006-01-16 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器及びプロジェクタ
TWI381230B (zh) * 2008-01-31 2013-01-01 Hannstar Display Corp 液晶顯示器之畫素結構
KR101479998B1 (ko) * 2008-08-12 2015-01-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20100078433A (ko) 2008-12-30 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 사다리꼴 금속배선의 시뮬레이션을 위한 모델링 구조
KR101595818B1 (ko) * 2009-08-26 2016-02-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
TWI400540B (zh) * 2009-09-11 2013-07-01 Hannstar Display Corp 液晶顯示面板之畫素結構
US8270178B2 (en) * 2010-03-22 2012-09-18 Au Optronics Corporation Active device array substrate
US20130020574A1 (en) 2011-07-19 2013-01-24 Panasonic Corporation Display device and method of manufacturing the same
KR101914168B1 (ko) * 2011-08-10 2018-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN102709241A (zh) 2012-05-11 2012-10-03 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置
CN103454818A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 群康科技(深圳)有限公司 应用于面板的导电结构及其制造方法
TWI528074B (zh) 2014-03-28 2016-04-01 群創光電股份有限公司 顯示面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1804709A (zh) * 2000-05-12 2006-07-19 株式会社日立制作所 液晶显示装置及其制造方法
CN1624550A (zh) * 2003-12-01 2005-06-08 Nec液晶技术株式会社 液晶显示单元
CN1834759A (zh) * 2005-03-17 2006-09-20 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN101232029A (zh) * 2008-02-25 2008-07-30 友达光电股份有限公司 液晶显示面板及其半导体阵列基板
US20100053507A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
CN102012580A (zh) * 2009-09-07 2011-04-13 三星电子株式会社 液晶显示器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111583849A (zh) * 2020-05-19 2020-08-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

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CN104952878A (zh) 2015-09-30
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