CN1945968A - 表面声波器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及表面声波器件及其制造方法。该表面声波器件包括：压电基板；由设置在所述压电基板上的电极和该压电基板组成的表面声波元件；第一密封树脂部分，其设置在所述压电基板上并在所述表面声波元件上具有腔室，以及无机绝缘膜，其接触压电基板的表面以围绕所述表面声波元件。

Description

表面声波器件及其制造方法
技术领域
本发明一般涉及表面声波器件及其制造方法，更具体地，涉及一种具有密封树脂部分、该密封树脂部分带有设置在表面声波元件上部的腔室的表面声波器件及其制造方法。
背景技术
表面声波器件用于例如传输带通滤波器、接收带通滤波器、本地振荡滤波器、中频滤波器、以及FM调制器等的各种电路，这些电路用于在诸如45MHz至2GHz的频率范围内进行信号处理。近年来，上述信号处理装置越来越小型化，并出现了将这些信号处理装置中使用的电子部件(例如表面声波器件)的尺寸减小的需求。在用于表面声波器件的表面声波元件中，利用金属膜将梳齿电极(叉指换能器：IDT)和反射器形成在压电基板上。
具体地，在诸如移动电话等的便携式电子装置中，电子部件被越来越多地用作模块。为此，需要高度低且可以表面安装的表面声波器件。同时还需要在叉指换能器(其为表面声波器件的功能性部件(振荡部件))的电极指的顶部表面设置腔室以保持表面声波器件的性能。另外还需要保证该腔室的气密密封以实现表面声波元件的可靠性。
已经提出了一种方法来满足上述需求，该方法形成一种结构(即中空结构)，其包括密封树脂部分，该部分具有与表面声波元件的功能部件接触的腔室。在日本专利第3,291,046号的公开所提供的方法(常规例1)中，通过在表面声波元件上的将成为腔室的区域提供熔融树脂(meltingresin)，在熔融树脂上形成一个上板，并去除熔融树脂，而形成中空结构。在日本专利申请公报第2003-523082号的公开所提出的方法(常规例2)中，通过形成围绕电子结构元件的框架结构，在该框架结构上施加辅助膜，在其上设置树脂层，并去除该框架结构顶端部分以外的部分，从而在电子结构部件上形成腔室来形成中空结构。在日本专利第3,196,693号的公开所提供的方法(常规例3)中，通过在其上形成有多个表面声波元件的压电基板上施加树脂膜，在基板的功能部件上方对树脂膜开口，并将电路板结合在该树脂膜上而形成中空结构。在日本专利第3,225,906号的公开所提供的方法(常规例4)中，通过在其上设置有多个表面声波元件的基板上提供光敏树脂，对表面声波元件的功能部件上部的光敏树脂进行开口，对配线及基板进行组装，并通过切割进行分离，来形成中空结构。在日本专利申请公报第2004-153412号的公开所提供的方法(常规例5)中，通过形成围绕表面声波元件的保护件，并提供保护膜以覆盖该保护件和表面声波元件的功能部件而形成中空结构。
在由上述常规例1-4形成的中空结构中，树脂被提供在压电基板上，这表现为可靠性不足。在常规例5中形成的中空结构中，保护膜和压电基板通过热压或粘合剂结合在一起，也表现为可靠性不足。
发明内容
本发明鉴于上述情况作出，提供了一种表面声波器件及其制造方法，该表面声波器件在密封树脂部分中具有中空结构，可提高可靠性。
根据本发明的一个方面，提供了一种表面声波器件，该表面声波器件包括：由压电基板及设置在其上的电极组成的表面声波元件；第一密封树脂部分，其设置在所述压电基板上并具有设置在所述表面声波元件上的腔室；以及无机绝缘膜，其被设置为和所述压电基板的表面接触以围绕所述表面声波元件。压电基板和无机绝缘膜之间的结合紧密，从而提高了可靠性。
根据本发明的另一方面，提供了一种表面声波器件的制造方法，该方法包括：在压电基板上形成表面声波元件；在压电基板上形成第一密封树脂部分，其具有设置在所述表面声波元件上的腔室；以及在所述第一密封树脂部分上和围绕所述第一密封树脂部分的压电基板的表面上形成无机绝缘膜。
附图说明
以下参照附图详细说明本发明的优选示例性实施例，其中，
图1A是对比例的表面声波器件的平面图；
图1B是沿图1A中的线A-A所截取的剖面图；
图1C是沿图1A中的线B-B所截取的剖面图；
图2A和图2B示出了对比例的表面声波器件，用以解释在高压锅实验(Pressure Cooker Test：PCT)中密封树脂部分剥离的原因；
图3A是根据本发明第一示例性实施例的表面声波器件的平面图；
图3B是沿图3A中的线A-A所截取的剖面图；
图3C是沿图3A中的线B-B所截取的剖面图；
图4A到图4F是示出了根据本发明第一示例性实施例的表面声波器件的制造方法的第一剖面图；
图5A到图5D是示出了根据本发明第一示例性实施例的表面声波器件的制造方法的第二剖面图；
图6A到图6F是示出了根据本发明第一示例性实施例的表面声波器件的制造方法的第三剖面图；
图7A到图7F是示出了根据本发明第一示例性实施例的表面声波器件的制造方法的第四剖面图；
图8A到图8F是示出了根据本发明第一示例性实施例的表面声波器件的制造方法的第五剖面图；
图9A是根据本发明第二示例性实施例的表面声波器件的平面图；
图9B是沿图9A中的线A-A所截取的剖面图；
图9C是沿图9A中的线B-B所截取的剖面图；
图10A到图10F是根据本发明第二示例性实施例的表面声波器件的制造方法的第一剖面图；以及
图11A到图11F是根据本发明第二示例性实施例的表面声波器件的制造方法的第二剖面图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的示例性实施例。
(第一示例性实施例)
首先描述在密封树脂部分中具有中空结构的表面声波器件(以下简称为对比例)的作为可靠性实验的高压锅实验(PCT)的结果，以说明常规例1-5中的问题。图1A到图1C示出了上述表面声波器件，对其进行了高压锅实验。图1A是对比例的表面声波器件的平面图。图1B是沿图1A中的线A-A所截取的剖面图。图1C是沿图1A中的线B-B所截取的剖面图。此处，在图1A中示出了表面声波元件12、配线16和腔室18，第一密封树脂部分20是透明的，表面声波元件12和配线16由实线表示，而腔室18由虚线表示。参照图1A和图1B，提供了表面声波元件12和密封树脂部分20，表面声波元件12包括：由设置在压电基板10上的金属膜组成的叉指换能器；诸如反射器等的电极；以及压电基板10，密封树脂部分20具有在压电基板10上的表面声波元件12的功能部件上的腔室。
参照图1A和图1C，配线16形成在压电基板10上，并且密封树脂部分20设置在配线16上。插塞金属块(plug metal)30穿过密封树脂部分20延伸，表面声波元件12和插塞金属块30通过配线16耦合。插塞金属块30上设置有焊球32。表面声波元件12以这种方式与具有中空结构的密封树脂部分20密封在一起，并通过配线16和插塞金属块30与焊球32耦合。
在120摄氏度、100％RH的湿度和2个大气压下，对上述对比例的表面声波器件进行了暴露时间100小时的高压锅实验。实验显示出密封树脂部分20被剥离。本发明的发明人研究了剥离的原因，发现具有中空结构的密封树脂部分20在实验过程中吸湿且树脂膨胀。图2A和图2B解释了上述原因。图2A对应图1B。图2A中和图1B相同的部件和结构以相同的附图标记表示，在此不再详述。图2B是密封树脂部分20和压电基板10之间接触面的放大图，该接触面在图2A中以圆圈表示。
参照图2B，密封树脂部分20吸湿并且膨胀，由此产生了由指向右手方向的箭头表示的力。如指向左手方向的箭头所表示的，在压电基板10中产生了保持力，其位于压电基板10和密封树脂部分20之间的接触面的***。当在压电基板10和密封树脂部分20之间施加了比压电基板10和密封树脂部分20之间的粘附力大的应力时，密封树脂部分20开始剥离。随后，密封树脂部分20吸湿更多，进一步膨胀并进一步剥离。以这种方式，密封树脂部分20剥离。理想的是，压电基板10和密封树脂部分20之间彼此粘附结合的区域较小，以减小密封树脂部分20具有中空结构的装置的尺寸。然而密封树脂部分20容易剥离。如上所述，在常规例1-4的密封树脂部分直接和压电基板接触的结构中，密封树脂部分在高压锅实验中剥离。以下将参照附图说明表面声波器件的示例性实施例，该器件可以防止具有中空结构的密封树脂部分20从压电基板10上剥离，并可以提高可靠性。
(第一示例性实施例)
图3A是根据本发明第一示例性实施例的表面声波器件的平面图。图3B是沿图3A中的线A-A所截取的剖面图。图3C是沿图3A中的线B-B所截取的剖面图。图3A中示出了表面声波元件12、配线16和腔室18，第一密封树脂部分20是透明的，表面声波元件12和配线16由实线表示，而腔室18由虚线表示。此外，无机绝缘膜22和压电基板10接触的区域26由阴影线表示。参照图3A和图3B，表面声波器件包括：表面声波元件12，其包括叉指换能器，利用设置在压电基板(LiTaO3或LiNbO3)上的金属膜(如Al等)形成所述叉指换能器；电极(例如反射器等)；以及压电基板10。包括环氧树脂的第一密封树脂部分20具有腔室18，腔室18与表面声波元件12的功能件接触。两个表面声波元件12的每一个上都设置了腔室18。无机绝缘膜22设置在区域26中以覆盖第一密封树脂部分20并在第一密封树脂部分20的***与压电基板10接触。硅氧化物膜或硅氮化物膜被用于无机绝缘膜22。在无机绝缘膜22上还设置了包括环氧树脂或聚酰亚胺树脂的第二密封树脂部分24。
参照图3A和图3C，由诸如Al的金属膜制成的配线16设置在压电基板10上。如下所述，配线16连接表面声波元件12和插塞金属块30。第一密封树脂部分20设置在配线16和压电基板10上。无机绝缘膜22设置在第一密封树脂部分20的***并在插塞金属块30的***和压电基板10接触。第二密封树脂部分24设置在无机绝缘膜22上。无机绝缘膜22被设置为围绕第一密封树脂部分20。换句话说，无机绝缘膜22设置在压电基板10上的围绕表面声波元件12的区域26上。
以下参照附图4A到图8F说明第一示例性实施例中采用的表面声波器件的制造方法。图4A到图4C、图5A到图5B、图6A到图6C、图7A到图7C以及图8A到图8C是沿图3A中的线A-A所截取的剖面图，示出了该制造方法。同时，图4D到图4F、图5C到图5D、图6D到图6F、图7D到图7F以及图8D到图8F是沿图3A中的线B-B所截取的剖面图，示出了该制造方法。另外，图4A到图8F使用晶片状态的压电基板10示出了该制造方法，在晶片上存在将形成为多个表面声波器件的多个区域。下文将说明将形成一个表面声波器件的区域，而晶片包括将形成为多个表面声波器件的多个区域。附图中的芯片分离区域64是例如通过切割将晶片分离成多个表面声波器件的区域。
参照图4A到图4D，通过使用Al在压电基板10(LiTaO3或LiNbO3等)上设置金属膜，而形成表面声波元件12和配线16。电极17形成在配线16上的其中将形成插塞金属块30的区域中。参照图4B和图4E，大约20μm的具有负光敏性的环氧树脂19(其曝光部分不显影)被施加到压电基板10、表面声波元件12及配线16上，然后进行坚膜(post bake)。参照图4C和图4F，使用掩模将光敏树脂19暴露于紫外辐射(紫外线)或紫外光之下，但以下区域除外：表面声波元件12的功能部件上将形成腔室18的区域、电极17上面的区域以及用于芯片分离区64的区域。
参照图5A和图5C，将光敏树脂19显影以从那些未曝光于紫外辐射(紫外线)或紫外光之下的区域中去除光敏树脂19。由此形成了将成为光敏树脂19中的腔室的开口60、电极17***的开口62以及芯片分离区域64的开口。另外，在氮气氛下进行一小时摄氏200度的热处理以硬化光敏树脂19。参照图5B和图5D，使用诸如层合机之类的压辊50挤压覆盖在保护膜52上的膜状的负光敏树脂21，并将其贴附到光敏树脂19上。
参照图6A和图6D，电极17和芯片分离区域64上面的区域以外的区域被暴露于紫外光之下。参照图6B和图6E，去除保护膜52并进行显影以去除未暴露于紫外线或紫外光之下的区域中的光敏树脂21。随后，在氮气氛下进行一小时摄氏200度的热处理以硬化光敏树脂21。如上所述，提供了第一密封树脂部分20，其由光敏树脂19和21组成，并具有设置在表面声波元件12上的腔室18。同时提供有开口40以及芯片分离区域64中的开口，开口40在将形成插塞金属块30的区域***延伸穿过第一密封树脂部分20。参照图6C和图6F，无机绝缘膜22形成在第一密封树脂部分20上、围绕第一密封树脂部分20的区域上以及开口40中的压电基板10的表面上。通过使用四乙基原硅酸盐(TEOS)以化学气相沉积法(CVD)沉积厚度大约为1μm的硅氧化物膜而形成无机绝缘膜22。
参照图7A和图7D，在无机绝缘膜22上施加包括负光敏环氧树脂的大约10μm的第二密封树脂部分24。参照图7B和图7E，使用掩模进行紫外辐射(紫外光)或紫外光曝光以保留覆盖第一密封树脂部分20的第二密封树脂部分24，并进行显影。在氮气氛下进行一小时摄氏200度的热处理以硬化第二密封树脂部分24。这使得第二密封树脂部分24形成在无机绝缘膜22上。此时，形成开口42以及芯片分离区域64的开口，在开口42中将在第二密封树脂部分24中形成插塞金属块30。参照图7C和图7F，利用第二密封树脂部分24作为掩模以CF4和氧气的混合气体干刻蚀无机绝缘膜22。当例如以Au取代Al用于电极17时，可以使用氢氟酸溶剂来蚀刻无机绝缘膜22。这是因为Al可被氢氟酸蚀刻而Au不会被氢氟酸蚀刻。在蚀刻过程中无机绝缘膜22从开口42底部和芯片分离区域64中蚀刻掉，由此形成无机绝缘膜22，其将接触压电基板10的围绕第一密封树脂部分20(即表面声波元件12)的表面。还提供了开口42，其延伸穿过第一密封树脂部分20、第二密封树脂部分24和无机绝缘膜22。第二密封树脂部分24以这种方式设置在无机绝缘膜22上。
参照图8A和图8D，Ni、Cu、Au等以非电镀方式或电镀方式镀或喷涂在开口42中以形成导电插塞金属块30。当采用电镀时，需要连接所有的布线，随着压电基板被切割分离，这些布线电分离。另选地，插塞金属块30可通过刷印诸如银膏的导电材料并填充开口42来形成。参照图8B和图8E，提供焊球32，其与插塞金属块30相连。如所述，所提供的插塞金属块30和焊球32(耦合部分)与表面声波元件12电耦合。参照图8C和图8F，压电基板10中的芯片分离区域64以切割方式分离。由此制成表面声波器件。
第一示例性实施例中采用的表面声波器件包括无机绝缘膜22，其与压电基板10的表面接触并且作为区域26完全围绕表面声波元件12。这使得压电基板10和无机绝缘膜22紧密结合，由此和对比例不同的是可以防止高压锅实验中第一密封树脂部分20或第二密封树脂部分24的剥离。
另外，提供了无机绝缘膜22来覆盖第一密封树脂部分20。无机绝缘膜22具有比树脂低的吸湿特性和低的透湿性。因此可以防止第一密封树脂部分20吸湿。这可以防止第一密封树脂部分20膨胀，并因此与对比例不同的是可以防止第一密封树脂部分20或第二密封树脂部分24在高压锅实验中剥离。
此外，第二密封树脂部分24设置在无机绝缘膜22上。这可以保护无机绝缘膜22。还可以简便地形成插塞金属块30和焊球32。通过采用环氧树脂用于第一密封树脂部分20和采用聚酰亚胺树脂用于第二密封树脂部分24，在图8B和8E中形成焊球32之后可以使用肼(hydrazine)等将第二密封树脂部分24去除。在图7A和7D中，可以使用抗蚀剂取代树脂，在图8B和8E中可以将抗蚀剂去除。当不提供第二密封树脂部分24时，密封树脂部分的高度可以降低，并因此可以降低表面声波器件的高度。
另外还提供了与表面声波元件12电耦合的插塞金属块30和焊球(耦合部分)。插塞金属块30(耦合部分)被提供为延伸穿过无机绝缘膜22和第二密封树脂部分24。以提供通过无机绝缘膜22和第二密封树脂部分24与表面声波元件12的表面电耦合的耦合部分的方式，使得可以进行表面安装。提供的插塞金属块30(耦合部分)延伸穿过第一密封树脂部分20。
可以将包括硅氧化物或硅氮化物的膜用于无机绝缘膜22。使用硅氧化物膜或硅氮化物膜可以改进压电基板10和无机绝缘膜22之间的结合特性。覆盖性可以通过使用硅氧化物膜得以改进。使用硅氮化物膜比使用硅氧化物膜更能改进吸湿特性，但硅氮化物膜的覆盖性比硅氧化物膜的覆盖性要低。无机绝缘膜22可以通过化学气相沉积法沉积。这使得所沉积的无机绝缘膜22具有和压电基板10的良好的结合特性。根据第一示例性实施例，应用TEOS-CVD法来沉积硅氧化物膜，由此提供了具有良好覆盖性的无机绝缘膜22。具有低吸湿特性的硅氮化物膜可以通过化学气相沉积法沉积硅氮化物膜来形成。
包括环氧树脂或聚酰亚胺树脂的树脂可以用于第一密封树脂部分20和第二密封树脂部分24。通过包含上述树脂，可以方便地形成密封树脂部分的中空结构。环氧树脂通常具有比聚酰亚胺树脂低的吸湿特性和低的抗热性。应该考虑上面提到的诸种特性来决定使用何种树脂。
在图7C和图7F中，从压电基板10上的芯片分离区域64去除无机绝缘膜22。在图8C和图8F中，在芯片分离区域64处分离压电基板10。大多数情况下，通过切割来分离压电基板10。在切割过程中使用水，湿气轻易地被密封树脂部分吸收。在第一示例性实施例中，在切割过程之前形成无机绝缘膜22可以防止第一密封树脂部分20吸收湿气。
(第二示例性实施例)
图9A是根据本发明第二示例性实施例的表面声波器件的平面图。图9B是沿图9A中的线A-A所截取的剖面图。图9C是沿图9A中的线B-B所截取的剖面图。和图3A到图3C相比，第一密封树脂部分20形成在腔室18的***，而插塞金属块30不延伸穿过第一密封树脂部分20。图9A到图9C中，其他结构和图3A到图3C中的相同，与图3A到图3C中采用的部件和结构相同的部件和结构以相同的附图标记表示，在此不再详述。
现在参照图10A到图11F来说明本发明第二示例性实施例中采用的表面声波器件的制造方法。图10A到图10C以及图11A到图11C是沿图9A中的线A-A所截取的剖面图，示出了制造方法。同时，图10D到图10F以及图11D到图11F是沿图9A中的线B-B所截取的剖面图，示出了制造方法。
参照图10A和图10D，与图4A到图4F、图5A到图5D、图6A、图6B、图6D以及图6E所示的一样的方式，将第一密封树脂部分20形成在压电基板10上。第一密封树脂部分20具有与表面声波元件12的功能部件接触的腔室18。参照图10B和图10E，无机绝缘膜22设置在第一密封树脂部分20上和压电基板10的表面区域(围绕第一密封树脂部分20的区域)中。参照图10C和图10F，以与第一示例性实施例一样的方式，将大约10μm的第二密封树脂部分24施加在无机绝缘膜22上。参照图11A和图11D，以与第一示例性实施例一样的方式，去除其中将形成插塞金属块30的开口48和芯片分离区域64的开口中的第二密封树脂部分24。参照图11B和图11E，使用第二密封树脂部分24作为掩模蚀刻掉无机绝缘膜22。这样，无机绝缘膜22被形成为接触压电基板10的表面并围绕第一密封树脂部分20，即表面声波元件12。开口48也延伸穿过第二密封树脂部分24和无机绝缘膜22。
参照图11C和图11F，插塞金属块30设置在开口48中。焊球32设置在插塞金属块30上以和插塞金属块30相连。通过切割来分离压电基板10中的芯片分离区域64。如上所述，第二示例性实施例中采用的表面声波器件制造完成。
根据第二示例性实施例，第一密封树脂部分20不设置在插塞金属块30或焊球32的***。因此，和插塞金属块30以及焊球32(耦合部分)相连的第二密封树脂部分24的顶部表面比表面声波元件12上面的第二密封树脂部分24的顶部表面低了高度H，如图11C和图11F所示。因此，和第一示例性实施例相比，可以降低第二示例性实施例中采用的表面声波器件的高度。在第二示例性实施例中，可以使表面声波元件12上面的第二密封树脂部分24的顶部表面距压电基板10的高度为大约50μm，而使和插塞金属块30以及焊球32(耦合部分)相连的第二密封树脂部分24的顶部表面距压电基板10的高度为大约30μm。
在第一和第二示例性实施例中，设置了两个表面声波元件12和两个腔室18。但本发明不限于上述数量，也可以设置一个或更多个表面声波元件。另外，已经说明了用作耦合部分的插塞金属块30和焊球32。但是可以使用具有使表面声波元件12与外部相电耦合的功能的任何耦合部分。此外，已经说明了将硅氧化物膜或硅氮化物膜用于无机绝缘膜22。但无机绝缘膜22不限于此，还可以使用任何与压电基板10具有强粘附力的膜。例如可以使用氮氧化硅膜或氧化铝膜。已经描述了将环氧树脂或聚酰亚胺树脂用于第一密封树脂部分20和第二密封树脂部分24。但本发明不限于此。可以使用能够保护表面声波元件12的任何树脂。
最后就本发明的各个方面做如下总结。
根据本发明的第一方面，提供了一种表面声波器件，该表面声波器件包括：压电基板；表面声波元件，由多个设置在压电基板上的电极和该压电基板组成；第一密封树脂部分，其设置在压电基板上并具有设置在表面声波元件上的腔室；以及无机绝缘膜，其接触压电基板的表面以围绕所述表面声波元件。
在上述表面声波器件中，可以提供无机绝缘膜以覆盖第一密封树脂部分。其可以防止第一密封树脂部分吸湿，并由此进一步提高可靠性。
上述表面声波器件还包括第二密封树脂部分，其设置在无机绝缘膜上。该第二密封树脂部分能够保护无机绝缘膜。
上述表面声波器件还可以包括电耦合到表面声波元件的耦合部分，该耦合部分被提供为延伸穿过无机绝缘膜和第二密封树脂部分。该耦合部分使得表面安装成为可能。
在上述表面声波器件中，耦合部分可以延伸穿过第一密封树脂部分。
在上述表面声波器件中，和耦合部分相连的第二密封树脂部分的顶部表面可以比表面声波元件上面的第二密封树脂部分的顶部表面低。这可以降低表面声波器件的高度。
在上述表面声波器件中，无机绝缘膜可以包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一个。这可以增进压电基板和无机绝缘膜之间的结合。
在上述表面声波器件中，第一密封树脂部分和第二密封树脂部分可以包括环氧树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一个。这可以使得方便地形成密封树脂部分的中空结构。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造表面声波器件的方法，包括：在压电基板上形成表面声波元件；在该压电基板上形成第一密封树脂部分，其具有设置在该表面声波元件上的腔室；以及在该第一密封树脂部分上和围绕该第一密封树脂部分的压电基板的表面上形成无机绝缘膜。
上述方法还可以包括在无机绝缘膜上形成第二密封树脂部分。该第二密封树脂部分能够保护该无机绝缘膜。
上述方法还可以包括：形成延伸穿过无机绝缘膜和第一密封树脂部分的开口；以及在该开口中形成电耦合到所述表面声波元件的耦合部分。该耦合部分使得可以进行表面安装。
在上述制造方法中，形成无机绝缘膜可以包括以四乙基原硅酸盐-化学气相沉积法形成硅氧化物膜的步骤和以化学气相沉积法形成硅氮化物膜的步骤中的至少一个。这可以改善压电基板和无机绝缘膜之间的结合。
在上述制造方法中，形成第一密封树脂部分包括：在压电基板上形成光敏树脂层；以及通过将该光敏树脂层暴露于光线之下来形成所述腔室。这可以方便地在密封树脂部分中形成腔室。
上述制造方法还可以包括在芯片分离区域分离压电基板。在切割过程中无机绝缘膜能够阻止第一密封树脂部分吸湿。
本发明基于2005年10月4日提交的日本专利申请第2005-290969号，在此通过引用并入其全部公开。

Claims (14)

1、一种表面声波器件，该表面声波器件包括：
表面声波元件，该表面声波元件由压电基板和设置在所述压电基板上的电极组成；
第一密封树脂部分，该第一密封树脂部分设置在所述压电基板上并且具有在所述表面声波元件上的腔室；以及
无机绝缘膜，该无机绝缘膜被设置为与所述压电基板的表面接触以围绕所述表面声波元件。
2、根据权利要求1所述的表面声波器件，其中所述无机绝缘膜被提供为覆盖所述第一密封树脂部分。
3、根据权利要求1所述的表面声波器件，所述表面声波器件还包括设置在所述无机绝缘膜上的第二密封树脂部分。
4、根据权利要求3所述的表面声波器件，所述表面声波器件还包括电耦合到所述表面声波元件的耦合部分，该耦合部分被设置为延伸穿过所述无机绝缘膜和所述第二密封树脂部分。
5、根据权利要求4所述的表面声波器件，其中所述耦合部分被提供为延伸穿过所述第一密封树脂部分。
6、根据权利要求3所述的表面声波器件，其中和所述耦合部分相连的所述第二密封树脂部分的顶部表面比所述表面声波元件上面的所述第二密封树脂部分的顶部表面低。
7、根据权利要求1所述的表面声波器件，其中所述无机绝缘膜包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
8、根据权利要求3所述的表面声波器件，其中所述第一密封树脂部分和所述第二密封树脂部分包括环氧树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
9、一种制造表面声波器件的方法，该方法包括：
在压电基板上形成表面声波元件；
在所述压电基板上形成第一密封树脂部分，所述第一密封树脂部分具有在所述表面声波元件上的腔室；以及
在所述第一密封树脂部分上和压电基板的围绕所述第一密封树脂部分的表面上形成无机绝缘膜。
10、根据权利要求9所述的制造方法，所述方法还包括在所述无机绝缘膜上形成第二密封树脂部分。
11、根据权利要求9所述的制造方法，所述方法还包括：
形成延伸穿过所述无机绝缘膜和所述第一密封树脂部分的开口；以及
在所述开口中形成电耦合到所述表面声波元件的耦合部分。
12、根据权利要求9所述的制造方法，其中形成所述无机绝缘膜包括以四乙基原硅酸盐-化学气相沉积法形成硅氧化物膜的步骤和以化学气相沉积法形成硅氮化物膜的步骤中的至少一个步骤。
13、根据权利要求9所述的制造方法，其中形成所述第一密封树脂部分包括：
在所述压电基板上形成光敏树脂层；以及
通过将该光敏树脂层暴露于光线之下来形成所述腔室。
14、根据权利要求9所述的制造方法，所述方法还包括在芯片分离区分离所述压电基板。
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