CN110007254B - 传感器***、传感器模块和传感器***的安装方法 - Google Patents

传感器***、传感器模块和传感器***的安装方法 Download PDF

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Abstract

本发明的一种实施方式的传感器***，具备：物理量分布发生源，产生物理量分布；以及多个传感器封装件，各自具有检测物理量的传感器芯片。在包含多个传感器封装件的面内，各个传感器芯片的中心位置在从传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置；从物理量分布的中心位置到多个传感器封装件的各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。

Description

传感器***、传感器模块和传感器***的安装方法
技术领域
本发明涉及一种具备各自具有传感器芯片的多个传感器封装件的传感器***和传感器模块，以及传感器***的安装方法。
背景技术
近些年，伴随车辆等的自动操作化，对于搭载在该车辆等上的传感器***，除了故障检出之外，还探讨着用于实现传感器***整体的功能继续的冗余化(redundancy)。例如在专利文献1中，公开了具有2个传感器元件的磁检测装置。另外，在专利文献2中，公开了使用2个巨大磁阻效应(GMR)传感器的旋转角检测装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-88182号公报
专利文献2：日本特开2014-163876号公报
发明内容
然而最近，对于谋求了这样的冗余化的传感器模块、传感器***，也要求提高其检测精度和小型化。
因此，期望提供一种既能够小型化又能够发挥更优异的检测精度的传感器***、传感器模块和该传感器***的安装方法。
本发明的一种实施方式的传感器***，具备：物理量分布发生源，产生物理量分布；以及多个传感器封装件，各自具有检测物理量的传感器芯片。在包含多个传感器封装件的面内，各个传感器芯片的中心位置在从传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置，从物理量分布的中心位置到多个传感器封装件的各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。
本发明的另一种实施方式的传感器***，具备：物理量分布发生源，产生物理量分布；以及多个传感器封装件，各自具有检测物理量的传感器芯片。在包含多个传感器封装件的面内，多个传感器芯片的中心位置彼此的芯片中心间距比多个传感器封装件的中心位置彼此的封装件中心间距短，从物理量分布的中心位置到多个传感器芯片各自的中心位置的距离实质上相等。
本发明的一种实施方式的传感器模块，具备：第一传感器封装件，具有检测物理量的第一传感器芯片；以及第二传感器封装件，具有检测物理量的第二传感器芯片。在包含第一传感器封装件和第二传感器封装件的面内，第一传感器芯片的中心位置在从第一传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置，并且第二传感器芯片的中心位置在从第二传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置；从物理量分布的中心位置到第一传感器芯片的中心位置的距离，与从物理量分布的中心位置到第二传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。
本发明的另一种实施方式的传感器模块，具备：第一传感器封装件，具有检测物理量的第一传感器芯片；以及第二传感器封装件，具有检测物理量的第二传感器芯片。在包含第一传感器封装件和第二传感器封装件的面内，第一传感器芯片的中心位置与第二传感器芯片的中心位置的芯片中心间距比第一传感器封装件的中心位置与第二传感器封装件的中心位置的封装件中心间距短；从物理量分布的中心位置到第一传感器芯片的中心位置的距离，与从物理量分布的中心位置到第二传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。
本发明的一种实施方式的传感器***的安装方法，包括：准备产生物理量分布的物理量分布发生源，和各自具有检测物理量的传感器芯片的多个传感器封装件；以及对物理量分布发生源，配置多个传感器封装件。在包含多个传感器封装件的面内，使各个传感器芯片的中心位置成为从各个传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置，使从物理量分布的中心位置到多个传感器封装件的各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。
本发明的另一种实施方式的传感器***的安装方法，包括：准备产生物理量分布的物理量分布发生源，和各自具有检测物理量的传感器芯片的多个传感器封装件；以及对物理量分布发生源，配置多个传感器封装件。在包含多个传感器封装件的面内，使多个传感器芯片的中心位置彼此的芯片中心间距比多个传感器封装件的中心位置彼此的封装件中心间距短，使从物理量分布的中心位置到多个传感器芯片各自的中心位置的距离实质上相等。
附图说明
图1A是表示本发明的一种实施方式的传感器***的外观的概略结构例子的立体图。
图1B是表示图1A所示的传感器***的概略结构例子的平面图。
图2是表示作为第一变形例的传感器***的概略结构例子的平面图。
图3是表示作为第二变形例的传感器***的概略结构例子的平面图。
图4是表示作为第三变形例的传感器***的概略结构例子的平面图。
图5A是表示作为第一参考例子的传感器***的概略结构例子的平面图。
图5B是表示作为第二参考例子的传感器***的概略结构例子的平面图。
符号的说明
1、2、2A、3 传感器***
10、40 传感器模块
11～14、41～43 传感器封装件
111、121 模制部
112、122 导体
31～34 传感器芯片
20 永久磁体
21 轴
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式全都表示本发明所优选的一个具体例子。因此，在以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等，仅仅是一个例子，并不旨在限定本发明。因此，对以下的实施方式的构成要素中的、在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。再有，各个附图仅是示意图，图示并不一定严密。另外，在各个附图中，对实质上同一的结构附加同一的符号，并且省略或简化重复的说明。再有，说明按以下的顺序进行。
1.实施方式(具有各自埋设有传感器芯片的2个传感器封装件的传感器***的例子。)
1.1传感器***的整体结构
1.2传感器***的安装方法
1.3传感器***的作用效果
2.变形例(第一～第三变形例)
2.1第一变形例(3个传感器封装件配设在同一面内的传感器***的例子。)
2.2第二变形例(3个传感器封装件配设在同一面内的其他传感器***的例子。)
2.3第三变形例(4个传感器封装件配设在同一面内的传感器***的例子。)
<1.实施方式>
[1.1传感器***1的整体结构]
图1A是本发明的一种实施方式的具备传感器模块10的传感器***1的外观的概略结构例子的示意立体图。另外，图1B是从上方看图1A所示的传感器***1时的概略结构例子的示意平面图。
如图1A和图1B所示，传感器***1具备：传感器模块10，以及配置在该传感器模块10附近的永久磁体20。
永久磁体20是例如以Z轴方向为高度方向且在XY面内扩展的圆盘状强磁性体，并且安装于在Z轴方向上延伸的大致圆柱状的轴21的前端。永久磁体20和轴21设置成：可以以在Z轴方向上延伸的旋转轴J为中心，沿着旋转方向R20一起旋转。如图1A所示，永久磁体20在旋转方向R20上交替包含N极部分20N与S极部分20S。再有，在图1A中，例示了永久磁体20整体中的被2等分的一方为N极部分20N而被2等分的另一方为S极部分20S的情况。然而，在永久磁体20中，也可以包含多个N极部分20N和多个S极部分20S，并且这些N极部分20N和S极部分20S沿着旋转方向R20交替配置。这样的永久磁体20通过以旋转轴J为中心旋转，在永久磁体20的附近产生极性周期性变化的磁场分布。另外，该磁场分布对应于本发明的“物理量分布”的一个具体例子，永久磁体20对应于本发明的“物理量分布发生源”的一个具体例子。
传感器模块10具有2个传感器封装件11、12，该2个传感器封装件11、12检测伴随永久磁体20的旋转而在永久磁体20的附近产生的磁场分布。传感器封装件11和传感器封装件12配置成：在与旋转轴J正交的XY面内，夹着处于旋转轴J的延长线上的磁场分布的中心位置CP在X轴方向上对置且互相分开。这些传感器封装件11、12对应于本发明的“传感器封装件”的一个具体例子。
传感器封装件11的结构与传感器封装件12的结构实质上相同。也就是说，传感器封装件11的构成要素及其配置状态和传感器封装件11的整体形状和大小，与传感器封装件12的构成要素及其配置状态和传感器封装件12的整体形状和大小实质上相同。具体地说，传感器封装件11具有模制部111，以及从该模制部111的一端面导出的向-X方向延伸的导体112；传感器封装件12具有模制部121，以及从该模制部121的一端面导出的向+X方向延伸的导体122。模制部111在XY面内呈例如五角形，在例如环氧树脂等的模制树脂的内部埋设传感器芯片31而形成。同样，模制部121在XY面内呈例如五角形，在例如环氧树脂等的模制树脂的内部埋设传感器芯片32而形成。传感器芯片31、32是例如对应在永久磁体20附近产生的磁场的强度而电阻产生变化的磁阻效应元件。
这里在XY面内，传感器芯片31的中心位置C31与传感器芯片32的中心位置C32的距离即芯片中心间距DC，比传感器封装件11的中心位置C11与传感器封装件12的中心位置C12的距离即封装件中心间距DP短。因此，在本实施方式中，从传感器芯片31的中心位置C31到磁场分布的中心位置CP的距离L31，比从传感器封装件11的中心位置C11到磁场分布的中心位置CP的距离L11短。也就是说，传感器芯片31的中心位置C31在从传感器封装件11的中心位置C11向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。同样，在XY面内，从传感器芯片32的中心位置C32到磁场分布的中心位置CP的距离L32，比从传感器封装件12的中心位置C12到磁场分布的中心位置CP的距离L12短。也就是说，传感器芯片32的中心位置C32在从传感器封装件12的中心位置C12向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。
再有，传感器封装件11的中心位置C11是指XY面内的模制部111的几何重心的位置，传感器封装件12的中心位置C12是指XY面内的模制部121的几何重心的位置。另外，传感器芯片31的中心位置C31是指XY面内的传感器芯片31的几何重心的位置，传感器芯片32的中心位置C32是指XY面内的传感器芯片32的几何重心的位置。
并且，在XY面内，从磁场分布的中心位置CP到传感器封装件11的传感器芯片31的中心位置C31的距离L31优选地，与从磁场分布的中心位置CP到传感器封装件12的传感器芯片32的中心位置C32的距离L32实质上相等(图1B)。例如，传感器封装件11的传感器芯片31与传感器封装件12的传感器芯片32可以配置成：以磁场分布的中心位置CP为对称点，实质上互相旋转对称的位置。这是为了避免传感器芯片31的磁场强度的检出值与传感器芯片32的磁场强度的检出值的起因于配置位置不同的偏差。
[1.2传感器***1的安装方法]
其次，参照图1A和图1B，对传感器***1的安装方法进行说明。
在传感器***1的安装方法中，首先，准备：作为物理量分布发生源的永久磁体20，以及分别具有传感器芯片31、32的传感器封装件11、12。该物理量分布发生源产生作为物理量的磁场的分布，该传感器芯片31、32检测该磁场的分布。
其次，将传感器封装件11、12配置在离开永久磁体20的所定的位置。这时，在包含传感器封装件11、12的XY面内，使传感器芯片31、32的中心位置C31、C32彼此的芯片中心间距DC比传感器封装件11、12的中心位置C11、C12彼此的封装件中心间距DP短。具体地说，在XY面内，使传感器芯片31的中心位置C31成为从传感器封装件11的中心位置C11向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。同样，使传感器芯片32的中心位置C32成为从传感器封装件12的中心位置C12向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。
并且，在XY面内，优选地，使从磁场分布的中心位置CP到传感器封装件11的传感器芯片31的中心位置C31的距离L31，与从磁场分布的中心位置CP到传感器封装件12的传感器芯片32的中心位置C32的距离L32实质上相等(图1B)。例如，可以将传感器封装件11的传感器芯片31与传感器封装件12的传感器芯片32配置成：以磁场分布的中心位置CP为对称点，实质上互相旋转对称的位置。这是为了避免传感器芯片31的磁场强度的检出值与传感器芯片32的磁场强度的检出值的起因于配置位置不同的偏差。
[1.3传感器***1的作用效果]
如上所述，在搭载于车辆等的传感器***中，因为除了故障检出之外，还要高度实现传感器***整体的功能继续、功能安全，所以要求传感器芯片的多重化。为了谋求传感器芯片的多重化，多个传感器芯片搭载于1个传感器***中。例如在检出永久磁体的旋转的磁传感器***中，优选地，在该永久磁体所形成的磁场分布中的能够获得强度充分高的磁场的区域即最有效位置(Sweet spot)，配设多个传感器芯片。特别是，优选地，各个传感器芯片的中心位置尽可能接近永久磁体所形成的磁场分布的中心位置，并且，各个传感器芯片的中心位置与永久磁体所形成的磁场分布的中心位置的距离的偏差尽可能小。这是因为这样做，能够提高各个传感器芯片的磁场的检测精度。为了更加降低多个传感器芯片彼此的检出值的偏差，优选地，波及各个传感器芯片的磁场大小的偏差小。因此，在这样的磁传感器***中，优选地在更狭小的区域配设多个传感器芯片。
在这里，作为如图5A的第一参考例子的传感器***101A所示，可以考虑在一个传感器封装件中设置多个传感器芯片的方法。在该传感器***101A中，将1个传感器封装件110配设在永久磁体220的附近，传感器封装件110具有埋设有3个传感器芯片231～233的模制部211和导体212。在该传感器***101A中，容易在由永久磁体220形成的以中心位置CP为中心的磁场分布中的最有效位置，全部收纳3个传感器芯片231～233的中心位置C231～C233。
像这样，在同一的传感器封装件110内埋设有多个传感器芯片231～233的样态的传感器***101A中，可以有效地使用永久磁体220的最有效位置。然而，由于多个传感器芯片231～233共有同一的传感器封装件110的关系，也共有起因于模制部211的构成材料的模制树脂、冲模垫(Die pad)等共用部件的故障因子。因此，例如在分别具有传感器芯片231～233的3个***中的1个***烧坏、受到过度的静电放电的情况下，可能给没有受到损伤的传感器芯片带来热、高电场等影响，从而失去传感器芯片的多重化的意义。
在这里，作为如图5B的第二参考例子的传感器***101B所示，可以考虑在永久磁体220的附近排列多个传感器封装件的方法，并且每个传感器封装件仅包含一个传感器芯片。在该传感器***101B中，将分别埋设有传感器芯片231～233的传感器封装件110A～110C，在永久磁体220的附近配设成一列。在该传感器***101B中，不易在由永久磁体220形成的以中心位置CP为中心的磁场分布中的最有效位置，全部收纳传感器芯片231～233的中心位置C231～C233。这是因为传感器芯片231～233的中心位置C231～C233设置在与模制部211A～211C的中心位置大致一致的位置。
对此，在本实施方式的传感器***1及其安装方法中，在包含传感器封装件11、12的XY面内，传感器芯片31、32的中心位置C31、C32彼此的芯片中心间距DC比传感器封装件11、12的中心位置C11、C12彼此的封装件中心间距DP短。具体地说，各个传感器芯片31、32的中心位置C31、C32在从传感器封装件11、12的中心位置C11、C12向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。因此，能够在磁场分布中的更加狭窄的区域内配置各个传感器芯片31、32的中心位置C31、C32。
并且，在本实施方式的传感器***1中，从磁场分布的中心位置CP到传感器芯片31的中心位置C31的距离L31，与从磁场分布的中心位置CP到传感器芯片32的中心位置C32的距离L32实质上相等。因此，可以降低在各个传感器芯片31、32中检出的磁场强度的数值的偏差。
另外，在本实施方式的传感器***1中，传感器封装件11与传感器封装件12互相分开配设。因此，排除了共有故障因子，从而即使在传感器封装件11和传感器封装件12中的例如传感器封装件11过热、受到过度的静电放电而传感器芯片31损伤的情况下，也能够降低给另一个传感器封装件12的传感器芯片32带来热、高电场等影响的可能性。也就是说，通过传感器芯片31、32的多重化，可以高度实现传感器***1的整体的功能继续、功能安全。
进一步说，在本实施方式的传感器***1中，传感器封装件11的传感器芯片31与传感器封装件12的传感器芯片32，配置在以中心位置CP为对称点实质上互相旋转对称的位置。因此，能够避免传感器芯片31的磁场强度的检出值与传感器芯片32的磁场强度的检出值的起因于配置位置不同的偏差。因此，能够获得传感器***1的磁场强度的高检测精度。
像这样，根据本实施方式的传感器***1、传感器模块10和传感器***1的安装方法，既能够小型化又能够发挥更优异的检测精度。
<2.变形例>
以上，虽然列举实施方式对本发明进行了说明，但是本发明并不限定于该实施方式，可以做出各种变化。
例如，虽然具体举例说明了传感器***1的各个构成要素的结构例子(形状、配置、个数等)，但是它们并不限定于上述实施方式所述，也可以是其他的形状、配置、个数等。
[2.1第一变形例]
图2是表示作为本发明的第一变形例的传感器***2的概略结构例子的平面图。传感器***2具备配设在永久磁体20附近的传感器模块40，传感器模块40具有3个传感器封装件41～43。传感器封装件41具有模制部411和从其一端面延伸的多个导体412，传感器封装件42具有模制部421和从其一端面延伸的多个导体422，传感器封装件43具有模制部431和从其一端面延伸的多个导体432。并且，在传感器封装件41的模制部411中埋设有传感器芯片51，在传感器封装件42的模制部421中埋设有传感器芯片52，在传感器封装件43的模制部431中埋设有传感器芯片53。
传感器芯片51的中心位置C51在从传感器封装件41的中心位置C41向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。也就是说，传感器芯片51的中心位置C51与传感器芯片52的中心位置C52的芯片中心间距，比传感器封装件41的中心位置C41与传感器封装件42的中心位置C42的封装件中心间距短。同样，传感器芯片52的中心位置C52在从传感器封装件42的中心位置C42向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置，传感器芯片53的中心位置C53在从传感器封装件43的中心位置C43向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。也就是说，传感器芯片52的中心位置C52与传感器芯片53的中心位置C53的芯片中心间距，比传感器封装件42的中心位置C42与传感器封装件43的中心位置C43的封装件中心间距短。并且，传感器芯片53的中心位置C53与传感器芯片51的中心位置C51的芯片中心间距，比传感器封装件43的中心位置C43与传感器封装件41的中心位置C41的封装件中心间距短。
再有，传感器封装件41的中心位置C41是指XY面内的模制部411的几何重心的位置，传感器封装件42的中心位置C42是指XY面内的模制部421的几何重心的位置，传感器封装件43的中心位置C43是指XY面内的模制部431的几何重心的位置。另外，传感器芯片51的中心位置C51是指XY面内的传感器芯片51的几何重心的位置，传感器芯片52的中心位置C52是指XY面内的传感器芯片52的几何重心的位置，传感器芯片53的中心位置C53是指XY面内的传感器芯片53的几何重心的位置。
传感器封装件41～43的模制部411、421、431全都包含尺寸减小部分，在该尺寸减小部分中，与磁场分布的中心位置CP和各个传感器芯片51、52、53的中心位置C51、C52、C53连接的方向正交的方向W41、W42、W43的尺寸，随着接近磁场分布的中心位置CP而减小。在图2中，模制部411、421、431各自具有将长度短的底边朝着中心位置CP的梯形的平面形状。另外，这些传感器封装件41～43各自的尺寸减小部分邻接配置。在图2中，模制部411、421、431彼此实质上等间距即以中心位置CP为旋转中心、约120°的间隔相邻配置。
像这样，在作为第一变形例的传感器***2中，各个传感器芯片51～53的中心位置C51～C53在从传感器封装件41～43的中心位置C41～C43向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。因此，能够在磁场分布中的更加狭窄的区域内配置各个传感器芯片51～53的中心位置C51～C53。
并且，在作为第一变形例的传感器***2中，如果使从磁场分布的中心位置CP到传感器芯片51～53的中心位置C51～C53的各个距离彼此实质上相等，那么也能够降低在各个传感器芯片51～53中检出的磁场强度的数值的偏差。
另外，在作为第一变形例的传感器***2中，传感器封装件41～43互相分开配设。因此，排除了共有故障因子，从而即使在传感器封装件41～43中的任意1个或2个由于热、高电场等影响而出现故障的情况下，也能够降低给其他正常的传感器封装件的传感器芯片带来热、高电场等影响的可能性。也就是说，通过传感器芯片51～53的多重化，可以高度实现传感器***2的整体的功能继续、功能安全。
另外，在作为第一变形例的传感器***2中，传感器封装件41～43的传感器芯片51～53彼此也配置在以中心位置CP为对称点实质上互相旋转对称的位置。因此，能够避免传感器芯片51～53各自的磁场强度的检出值的起因于配置位置不同的偏差。因此，能够获得传感器***2的磁场强度的高检测精度。
进一步说，在作为第一变形例的传感器***2中，模制部411、421、431在XY面内全都具有梯形的平面形状，并且模制部411、421、431的方向W41、W42、W43的尺寸随着接近磁场分布的中心位置CP而减小。因此，能够更加接近配置传感器封装件41～43，从而能够将传感器芯片51～53的中心位置C51～C53配置在磁场分布的中心位置CP附近的更加狭窄的区域内。
像这样，根据作为第一变形例的传感器***2和传感器模块40，既能够小型化又能够发挥更优异的检测精度。
[2.2第二变形例]
图3是表示作为本发明的第二变形例的传感器***2A的概略结构例子的平面图。传感器***2A具备配设在永久磁体20附近的传感器模块40A，传感器模块40A具有3个传感器封装件41～43。在传感器***2A的传感器模块40A中，传感器封装件41～43没有在磁场分布的中心位置CP的周围均等配置，而是传感器封装件41～43彼此更加紧密配置。传感器***2A除了上述不同点之外，其他具有与传感器***2实质上相同的结构。
根据传感器***2A，与传感器***2相比，能够在更加狭窄的区域内收纳传感器封装件41～43。
[2.3第三变形例]
图4是表示作为本发明的第三变形例的传感器***3的概略结构例子的平面图。传感器***3具有配设在永久磁体20附近的4个传感器封装件11～14。在传感器***3中，4个传感器封装件11～14在磁场分布的中心位置CP的周围以实质上90°的间隔均等配置。传感器***3除了上述不同点之外，其他具有与传感器***1实质上相同的结构。
在作为第三变形例的传感器***3中，传感器封装件11～14分别具有模制部111、121、131、141和从其一端面延伸的多个导体112、122、132、142。并且，在模制部111、121、131、141中分别埋设有传感器芯片31、32、33、34。在传感器***3中，各个传感器芯片31～34的中心位置C31～C34也在从传感器封装件11～14的中心位置C11～C14向接近磁场分布的中心位置CP的方向移动的位置。因此，能够在磁场分布中的更加狭窄的区域内配置各个传感器芯片31～34的中心位置C31～C34。
另外，在上述实施方式和变形例中，虽然作为物理量分布，举例说明了通过永久磁体的旋转产生的磁场分布，并且作为传感器芯片，举例说明了对应在永久磁体附近产生的磁场的强度而电阻产生变化的磁阻效应元件；但是本发明并不限定于此。例如只要是检测作为物理量的磁场，也可以使用霍尔元件。并且，也可以使用检测作为物理量的磁场以外的东西(具体地说，是热、湿度、歪斜、气体等)的传感器芯片。具体地说，可以列举：温度传感器、湿度传感器、压电传感器、氧传感器等。
在本发明的一种实施方式的传感器***中，因为在包含多个传感器封装件的面内，各个传感器芯片的中心位置在从传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置；所以能够在物理量分布中的更加狭窄的区域内配置各个传感器芯片的中心位置。并且，在本发明的第一实施方式的传感器***中，因为从物理量分布的中心位置到多个传感器封装件的各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等，所以能够降低在各个传感器芯片中检出的物理量的数值的偏差。
在本发明的另一种实施方式的传感器***中，因为在包含多个传感器封装件的面内，多个传感器芯片的中心位置彼此的芯片中心间距比多个传感器封装件的中心位置彼此的封装件中心间距短；所以能够在物理量分布中的更加狭窄的区域内配置各个传感器芯片的中心位置。并且，在本发明的第二实施方式的传感器***中，因为在包含多个传感器封装件的面内，从物理量分布的中心位置到多个传感器芯片各自的中心位置的距离实质上相等；所以能够降低在各个传感器芯片中检出的物理量的数值的偏差。
在本发明的一种实施方式的传感器模块中，在包含第一传感器封装件和第二传感器封装件的面内，第一传感器芯片的中心位置在从第一传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置，并且第二传感器芯片的中心位置在从第二传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置。因此，能够在物理量分布中的更加狭窄的区域内配置第一传感器芯片的中心位置和第二传感器芯片的中心位置。并且，在本发明的第一实施方式的传感器模块中，因为从物理量分布的中心位置到第一传感器芯片的中心位置的距离，与从物理量分布的中心位置到第二传感器芯片的中心位置的距离实质上相等；所以能够降低在第一传感器芯片中检出的物理量的数值与在第二传感器芯片中检出的物理量的数值之差。
在本发明的另一种实施方式的传感器模块中，因为在包含第一传感器封装件和第二传感器封装件的面内，第一传感器芯片的中心位置与第二传感器芯片的中心位置的芯片中心间距比第一传感器封装件的中心位置与第二传感器封装件的中心位置的封装件中心间距短；所以能够在物理量分布中的更加狭窄的区域内配置第一传感器芯片的中心位置和第二传感器芯片的中心位置。并且，在本发明的第二实施方式的传感器模块中，因为在包含第一传感器封装件和第二传感器封装件的面内，从物理量分布的中心位置到第一传感器芯片的中心位置的距离，与从物理量分布的中心位置到第二传感器芯片的中心位置的距离实质上相等；所以能够降低在第一传感器芯片中检出的物理量的数值与在第二传感器芯片中检出的物理量的数值之差。
在本发明的一种实施方式的传感器***的安装方法中，因为在包含多个传感器封装件的面内，使各个传感器芯片的中心位置成为了从各个传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置；所以能够在物理量分布中的更加狭窄的区域内配置各个传感器芯片的中心位置。并且，在本发明的第一实施方式的传感器***的安装方法中，因为使从物理量分布的中心位置到多个传感器封装件的各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等，所以能够降低在各个传感器芯片中检出的物理量的数值的偏差。
在本发明的另一种实施方式的传感器***的安装方法中，因为在包含多个传感器封装件的面内，使多个传感器芯片的中心位置彼此的芯片中心间距比多个传感器封装件的中心位置彼此的封装件中心间距短；所以能够在物理量分布中的更加狭窄的区域内配置各个传感器芯片的中心位置。并且，在本发明的第二实施方式的传感器***的安装方法中，因为在包含多个传感器封装件的面内，使从物理量分布的中心位置到多个传感器芯片各自的中心位置的距离实质上相等，所以能够降低在各个传感器芯片中检出的物理量的数值的偏差。
根据本发明的一种或另一种实施方式的传感器***、传感器模块和传感器***的安装方法，既能够小型化又能够发挥更优异的检测精度。
再有，本说明书所记载的效果仅仅是例示，并不限定于此，另外，也可以有其他效果。
再有，本发明也能够采用以下结构。
(1)
一种传感器***，具备：
物理量分布发生源，产生物理量分布；以及
多个传感器封装件，各自具有检测所述物理量的传感器芯片，
在包含所述多个传感器封装件的面内，各个所述传感器芯片的中心位置在从所述传感器封装件的中心位置向接近所述物理量分布的中心位置的方向移动的位置，从所述物理量分布的中心位置到所述多个传感器封装件的所述各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。
(2)
一种传感器***，具备：
物理量分布发生源，产生物理量分布；以及
多个传感器封装件，各自具有检测所述物理量的传感器芯片，
在包含所述多个传感器封装件的面内，多个所述传感器芯片的中心位置彼此的芯片中心间距比所述多个传感器封装件的中心位置彼此的封装件中心间距短，从所述物理量分布的中心位置到所述多个传感器芯片各自的中心位置的距离实质上相等。
(3)
所述(1)或所述(2)所述的传感器***，其中，
所述多个传感器封装件的多个所述传感器芯片，配置在实质上互相旋转对称的位置。
(4)
所述(1)至所述(3)中的任一项所述的传感器***，其中，
所述多个传感器封装件包含尺寸减小部分，
在所述尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和各个所述传感器芯片的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小。
(5)
所述(4)所述的传感器***，其中，
所述多个传感器封装件以各自的所述尺寸减小部分相邻的方式配置。
(6)
所述(1)至所述(5)中的任一项所述的传感器***，其中，
所述多个传感器封装件以互相分开的方式配设。
(7)
一种传感器模块，具备：
第一传感器封装件，具有检测物理量的第一传感器芯片；以及
第二传感器封装件，具有检测所述物理量的第二传感器芯片，
在包含所述第一传感器封装件和所述第二传感器封装件的面内，所述第一传感器芯片的中心位置在从所述第一传感器封装件的中心位置向接近所述物理量分布的中心位置的方向移动的位置，并且所述第二传感器芯片的中心位置在从所述第二传感器封装件的中心位置向接近所述物理量分布的中心位置的方向移动的位置；从所述物理量分布的中心位置到所述第一传感器芯片的中心位置的距离，与从所述物理量分布的中心位置到所述第二传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。
(8)
一种传感器模块，具备：
第一传感器封装件，具有检测物理量的第一传感器芯片；以及
第二传感器封装件，具有检测所述物理量的第二传感器芯片，
在包含所述第一传感器封装件和所述第二传感器封装件的面内，所述第一传感器芯片的中心位置与所述第二传感器芯片的中心位置的芯片中心间距比所述第一传感器封装件的中心位置与所述第二传感器封装件的中心位置的封装件中心间距短；从所述物理量分布的中心位置到所述第一传感器芯片的中心位置的距离，与从所述物理量分布的中心位置到所述第二传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。
(9)
一种传感器***的安装方法，包括：
准备产生物理量分布的物理量分布发生源，和各自具有检测所述物理量的传感器芯片的多个传感器封装件；以及
对所述物理量分布发生源，配置所述多个传感器封装件，
在包含所述多个传感器封装件的面内，使各个所述传感器芯片的中心位置成为从各个所述传感器封装件的中心位置向接近所述物理量分布的中心位置的方向移动的位置，使从所述物理量分布的中心位置到所述多个传感器封装件的所述各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。
(10)
一种传感器***的安装方法，包括：
准备产生物理量分布的物理量分布发生源，和各自具有检测所述物理量的传感器芯片的多个传感器封装件；以及
对所述物理量分布发生源，配置所述多个传感器封装件，
在包含所述多个传感器封装件的面内，使多个所述传感器芯片的中心位置彼此的芯片中心间距比所述多个传感器封装件的中心位置彼此的封装件中心间距短，使从所述物理量分布的中心位置到所述多个传感器芯片各自的中心位置的距离实质上相等。
本公开含有涉及在2017年11月27日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2017-226929中公开的主旨，其全部内容包含在此，以供参考。
本领域的技术人员应该理解，虽然根据设计要求和其他因素可能出现各种修改，组合，子组合和可替换项，但是它们均包含在附加的权利要求或它的等同物的范围内。

Claims (9)

1.一种传感器***，具备：
物理量分布发生源，产生物理量分布；以及
多个传感器封装件，各自具有检测所述物理量的传感器芯片，
在包含所述多个传感器封装件的面内，各个所述传感器芯片的中心位置在从所述传感器封装件的中心位置向接近所述物理量分布的中心位置的方向移动的位置，从所述物理量分布的中心位置到所述多个传感器封装件的所述各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等，
所述多个传感器封装件分别包含尺寸减小部分，在所述尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和所述多个传感器芯片各自的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小，
所述多个传感器封装件各自中的所述传感器芯片设置于所述多个传感器封装件各自中的所述尺寸减小部分。
2.根据权利要求1所述的传感器***，其中，
所述多个传感器封装件的多个所述传感器芯片，配置在实质上互相旋转对称的位置。
3.根据权利要求1所述的传感器***，其中，
所述多个传感器封装件以多个所述尺寸减小部分相邻的方式配置。
4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的传感器***，其中，
所述多个传感器封装件以互相分开的方式配设。
5.一种传感器***，具备：
物理量分布发生源，产生物理量分布；以及
多个传感器封装件，各自具有检测所述物理量的传感器芯片，
在包含所述多个传感器封装件的面内，多个所述传感器芯片的中心位置彼此的芯片中心间距比所述多个传感器封装件的中心位置彼此的封装件中心间距短，从所述物理量分布的中心位置到所述多个传感器芯片各自的中心位置的距离实质上相等，
所述多个传感器封装件分别包含尺寸减小部分，在所述尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和所述多个传感器芯片各自的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小，
所述多个传感器封装件各自中的所述传感器芯片设置于所述多个传感器封装件各自中的所述尺寸减小部分。
6.一种传感器模块，具备：
第一传感器封装件，具有检测物理量的第一传感器芯片；以及
第二传感器封装件，具有检测所述物理量的第二传感器芯片，
在包含所述第一传感器封装件和所述第二传感器封装件的面内，所述第一传感器芯片的中心位置在从所述第一传感器封装件的中心位置向接近所述物理量分布的中心位置的方向移动的位置，并且所述第二传感器芯片的中心位置在从所述第二传感器封装件的中心位置向接近所述物理量分布的中心位置的方向移动的位置；从所述物理量分布的中心位置到所述第一传感器芯片的中心位置的距离，与从所述物理量分布的中心位置到所述第二传感器芯片的中心位置的距离实质上相等，
所述第一传感器封装件包含第一尺寸减小部分，在所述第一尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和所述第一传感器芯片的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小，
所述第二传感器封装件包含第二尺寸减小部分，在所述第二尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和所述第二传感器芯片的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小，
所述第一传感器芯片设置于所述第一尺寸减小部分，
所述第二传感器芯片设置于所述第二尺寸减小部分。
7.一种传感器模块，具备：
第一传感器封装件，具有检测物理量的第一传感器芯片；以及
第二传感器封装件，具有检测所述物理量的第二传感器芯片，
在包含所述第一传感器封装件和所述第二传感器封装件的面内，所述第一传感器芯片的中心位置与所述第二传感器芯片的中心位置的芯片中心间距比所述第一传感器封装件的中心位置与所述第二传感器封装件的中心位置的封装件中心间距短；从所述物理量分布的中心位置到所述第一传感器芯片的中心位置的距离，与从所述物理量分布的中心位置到所述第二传感器芯片的中心位置的距离实质上相等，
所述第一传感器封装件包含第一尺寸减小部分，在所述第一尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和所述第一传感器芯片的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小，
所述第二传感器封装件包含第二尺寸减小部分，在所述第二尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和所述第二传感器芯片的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小，
所述第一传感器芯片设置于所述第一尺寸减小部分，
所述第二传感器芯片设置于所述第二尺寸减小部分。
8.一种传感器***的安装方法，包括：
准备产生物理量分布的物理量分布发生源，和各自具有检测所述物理量的传感器芯片的多个传感器封装件；以及
对所述物理量分布发生源，配置所述多个传感器封装件，
在包含所述多个传感器封装件的面内，使各个所述传感器芯片的中心位置成为从各个所述传感器封装件的中心位置向接近所述物理量分布的中心位置的方向移动的位置，使从所述物理量分布的中心位置到所述多个传感器封装件的所述各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等，
使所述多个传感器封装件分别包含尺寸减小部分，在所述尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和所述多个传感器芯片各自的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小，
使所述多个传感器芯片设置于所述多个尺寸减小部分。
9.一种传感器***的安装方法，包括：
准备产生物理量分布的物理量分布发生源，和各自具有检测所述物理量的传感器芯片的多个传感器封装件；以及
对所述物理量分布发生源，配置所述多个传感器封装件，
在包含所述多个传感器封装件的面内，使多个所述传感器芯片的中心位置彼此的芯片中心间距比所述多个传感器封装件的中心位置彼此的封装件中心间距短，使从所述物理量分布的中心位置到所述多个传感器芯片各自的中心位置的距离实质上相等，
使所述多个传感器封装件分别包含尺寸减小部分，在所述尺寸减小部分中，与所述物理量分布的中心位置和所述多个传感器芯片各自的中心位置连接的方向正交的方向的尺寸，随着接近所述物理量分布的中心位置而减小，
使所述多个传感器芯片设置于所述多个尺寸减小部分。
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