JP5989388B2 - パッケージ及びパッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
発光素子が搭載されるパッケージとパッケージの製造方法に関する。
従来、発光素子（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode））のパッケージは、例えば、樹脂製のハウジングと、発光素子に接続されるリード電極を有している（例えば、特許文献１，２参照）。パッケージの概要を説明する。ハウジングには凹部（キャビティ）が形成されている。凹部は、互いに一端が対向するように配置された２つのリード電極を露出する。一方のリード電極には発光素子が搭載され、他方のリード電極は、ワイヤにより発光素子と接続されている。リード電極は、パッケージの搭載方法に応じて屈曲形成されている。例えば、基板等に表面実装されるパッケージのリード電極の先端は、凹部と反対側の面において互いに対向するように折り曲げられている。このようなパッケージは、リード電極が形成されたリードフレームを金型内に配置し、その金型内に溶融した樹脂を注入し、樹脂を硬化して形成される。
ところで、近年、高輝度の発光素子が用いられる。発光素子は、供給する電流量に応じて発熱量が大きくなる。しかしながら、上記のようなリード電極では、発光素子の熱を外部へ効率よく導くことは困難であった。このため、放熱性のよいパッケージが求められている。
本発明の一観点によれば、発光素子が搭載されるパッケージであって、上面と下面を有するハウジングと、下面が前記ハウジングの下面から露出し、上面に前記発光素子を搭載する搭載部を有する平板状の電極と、前記電極の周縁部上面に設けられた絶縁部材と、前記絶縁部材の上面に接続された環状の素子接続部と、前記素子接続部から前記ハウジングの上面まで延出する筒状の反射部と、前記ハウジングの上面に配置され前記反射部と接続された環状の基部と、前記ハウジングの側面に配置され、前記基部に接続された端子部と、前記電極上面、前記素子接続部、及び前記反射部により、前記ハウジングの上部に形成された前記発光素子を搭載する凹部と、を有し、前記電極の側面と前記反射部の外側側面は前記ハウジングにより覆われており、前記端子部は、上端が前記基部と接続され、前記ハウジングの下面まで延びる側壁部と、前記側壁部と接続され、前記ハウジングの下面から露出する接続端子とを有する。
本発明によれば、放熱性のよいパッケージを提供することができる。
以下、本発明を具体化した一実施形態を添付図面に従って説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさ、比率を表していない。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、パッケージ１０は、概略矩形板状に形成されている。図３に示すように、パッケージ１０は、ハウジング２０、第１電極３０、絶縁シート４０、第２電極５０、レジスト膜６０を有している。図１（ｂ）に示すように、第１電極３０、絶縁シート４０、第２電極５０、レジスト膜６０が積層されている。第１電極３０の側面、絶縁シート４０の側面、第２電極５０（基部５１，反射部５３，素子接続部５４）の外側側面は、ハウジング２０により覆われている。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、パッケージ１０は、概略矩形板状に形成されている。図３に示すように、パッケージ１０は、ハウジング２０、第１電極３０、絶縁シート４０、第２電極５０、レジスト膜６０を有している。図１（ｂ）に示すように、第１電極３０、絶縁シート４０、第２電極５０、レジスト膜６０が積層されている。第１電極３０の側面、絶縁シート４０の側面、第２電極５０（基部５１，反射部５３，素子接続部５４）の外側側面は、ハウジング２０により覆われている。
ハウジング２０は、矩形枠状に形成されている。なお、ハウジング２０は、第１電極３０、絶縁シート４０及び第２電極５０をモールドし、個片化により矩形状に形成される。ハウジング２０の材料は、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂やシリコーン樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。また、ハウジング２０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることもできる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂にＴｉＯ2又はＢａＳＯ4などの白色フィラーや白色顔料を含有した樹脂材を用いることができる。
第１電極３０は、略矩形板状に形成されている。また、第１電極３０は、矩形の角部が所定半径の円弧状に面取りされている。第１電極３０の厚みは、例えば０．２〜０．３ｍｍ（ミリメートル）である。図４（ａ）に示すように、この第１電極３０の上面３１には、発光素子７０が搭載される。従って、第１電極３０の上面３１は、発光素子７０を搭載する搭載部として機能する。発光素子７０は、例えば高輝度発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、上面と下面とにそれぞれ電極を有している。図４（ｂ）に示すように、発光素子７０は、例えばはんだ７２により第１電極３０の上面３１に接続される。このため、この第１電極３０は、導電性を有する材料により形成されている。第１電極３０の大きさ，厚みは、搭載される発光素子７０の形状や特性（入力電流等）に応じて設定される。
図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、第１電極３０の下面３２は、ハウジング２０の下面２１と略面一となるように形成されている。つまり、第１電極３０の下面３２は、パッケージ１０の下面において露出している。この露出した第１電極３０から、発光素子７０に対して給電される。また、この露出した第１電極は、搭載される発光素子７０の熱を放熱する。このため、第１電極３０は、熱伝導性の良い材料により形成されている。このような第１電極３０の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金である。この第１電極３０は、例えば金属板をエッチング加工又はプレス加工することにより得られる。また、この第１電極３０は、全体または部分的にめっきされている。めっきされる部分は、例えば、発光素子７０が搭載される領域、電気的に接続される下面３２、等である。
第１電極３０の周縁部上面は、矩形枠状に形成された絶縁シート４０を介して第２電極５０に接続されている。絶縁シート４０の材料は、例えばポリイミド等の樹脂からなる高絶縁素材が好ましい。
第２電極５０は、矩形枠状に形成された基部５１を有している。基部５１の中心側に形成された略矩形状の開口５２は、角部が所定半径の円弧状に形成されている。第２電極５０は、開口５２の端部から第１電極３０に向って延びる反射部５３を有している。反射部５３は、開口５２の形状に対応する略矩形筒状に形成されている。図１（ｂ）に示すように、反射部５３は、その上端（開口５２の端部）から下方に向うほど内側寸法が短くなるテーパ状に形成されている。従って、反射部５３の内側側面は、基部５１の開口に向って傾いている。
反射部５３の下端には、素子接続部５４が形成されている。素子接続部５４は、基部５１と平行に延びる略矩形枠状に形成されている。また、この素子接続部５４は、第１電極３０の上面３１と平行に延びるように形成されている。そして、この素子接続部５４は、絶縁シート４０を介して第１電極３０の周縁部上面に接続されている。このように、反射部５３，素子接続部５４、及び素子接続部５４に接続された第１電極３０は、パッケージ１０の上面に凹部１１を形成する。この凹部１１は、図４（ａ）に示すように、発光素子７０を搭載するキャビティである。
図４（ａ）に示すように、素子接続部５４の上面には、ワイヤ７１の一端が接続され、ワイヤ７１の他端は発光素子７０上面の電極に接続される。つまり、素子接続部５４は、ワイヤ７１を介して発光素子７０と電気的に接続される。
また、第２電極５０は、端子部５５を有している。この端子部５５は、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すように、パッケージ１０の１つの辺において略中央に形成されている。
端子部５５は、半円状に形成された側壁部５６と、側壁部５６の下端に接続された略半円状の接続端子５７を有している。図１（ｂ）に示すように、側壁部５６は、パッケージ１０の上面から下面まで延びるように形成されている。図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、接続端子５７の下面５８は、第１電極３０と同様に、ハウジング２０の下面２１と略面一となるように形成されている。つまり、接続端子５７の下面５８は、パッケージ１０の下面において露出している。この露出した接続端子５７から、第２電極５０とワイヤ７１（図４（ａ）参照）を介して発光素子７０に対して給電される。
端子部５５は、半円状に形成された側壁部５６と、側壁部５６の下端に接続された略半円状の接続端子５７を有している。図１（ｂ）に示すように、側壁部５６は、パッケージ１０の上面から下面まで延びるように形成されている。図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、接続端子５７の下面５８は、第１電極３０と同様に、ハウジング２０の下面２１と略面一となるように形成されている。つまり、接続端子５７の下面５８は、パッケージ１０の下面において露出している。この露出した接続端子５７から、第２電極５０とワイヤ７１（図４（ａ）参照）を介して発光素子７０に対して給電される。
なお、第２電極５０の基部５１には、複数のスリット５９ａ〜５９ｅが形成されている。第２電極５０は、例えば、所定の板厚（例えば、０．１ｍｍ）の金属板をプレス加工（絞り加工）することにより得られる。従って、基部５１、反射部５３、素子接続部５４及び端子部５５は、一体の金属板からなる。
第２電極５０は、導電性を有し、加工性のよい材料により形成されている。このような第２電極５０の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金である。また、この第２電極５０は、全体または部分的にめっきされている。めっきされる部分は、例えば、反射部５３の内側側面、素子接続部５４の上面、接続端子５７の下面５８、等である。めっきは、銀めっき、ニッケルめっきと銀めっきを金属板上にこの順で積層しためっき、ニッケルめっきとパラジウムめっきと銀メッキを金属板上にこの順で積層しためっき、等の各種のめっきである。銀めっき、積層した複数のめっきの最上層に銀めっきを形成することは、発光素子７０から出射される光に対する反射率を高くするうえで有効である。
スリット５９ａ〜５９ｄは、第２電極５０の加工において、反射部５３や素子接続部５４に歪み等が生じないように形成されている。同様に、スリット５９ｅは、加工において端子部５５に歪み等が生じないように形成されている。なお、各スリット５９ａ〜５９ｅ内には、ハウジングを形成する樹脂が充填されている。このように、各スリット５９ａ〜５９ｅ内の樹脂部２２は、ハウジング２０と第２電極５０の密着性を向上する。
レジスト膜６０は、ハウジング２０の上面及び第２電極５０の上面を略覆うように形成されている。レジスト膜６０は、例えば白色の絶縁性樹脂である。白色のレジスト膜６０は、反射膜として機能する。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂にＴｉＯ2又はＢａＳＯ4などの白色フィラーや白色顔料を含有した樹脂材を用いることができる。
このパッケージ１０の作用を説明する。
図４（ｂ）に示すように、パッケージ１０には、発光素子７０が搭載される。発光素子７０は、例えば高輝度発光ダイオード（ＬＥＤ）である。発光素子７０は、第１電極３０の上面３１に搭載され、第１電極３０と例えばはんだ７２により電気的に接続される。はんだの材料として、例えば、鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、発光素子７０を第１電極３０に接続する材料には、銀ペースト等の導電性ペースト、導電性樹脂、等を用いることができる。
図４（ｂ）に示すように、パッケージ１０には、発光素子７０が搭載される。発光素子７０は、例えば高輝度発光ダイオード（ＬＥＤ）である。発光素子７０は、第１電極３０の上面３１に搭載され、第１電極３０と例えばはんだ７２により電気的に接続される。はんだの材料として、例えば、鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、発光素子７０を第１電極３０に接続する材料には、銀ペースト等の導電性ペースト、導電性樹脂、等を用いることができる。
第１電極３０は、発光素子７０の面積よりも大きく露出した上面３１を有する板状に形成されている。従って、第１電極３０の上面３１と発光素子７０の下面を低抵抗により接続することができる。また、発光素子７０の下面全体が第１電極３０の上面に接続される。従って、発光素子７０の熱は、発光素子７０の下面全体から第１電極３０へと伝達される。そして、第１電極３０は、所定厚さの板状に形成されている。従って、第１電極３０は、発光素子７０の熱を、上面から下面に向って効率的に伝達する。従って、第１電極３０は、上面に搭載される発光素子７０による熱の放熱性が良い。
発光素子７０の上面にはワイヤ７１の一端が接続され、ワイヤ７１の他端は第２電極５０の素子接続部５４の上面に接続される。ワイヤ７１は、例えば金（Ａｕ）線である。素子接続部５４は、枠状に形成されている。従って、ワイヤ７１は、発光素子７０に対して任意の方向に延びるように形成することができる。つまり、ワイヤ７１の接続方向に制限を受けることがない。このことは、ワイヤ７１を接続するボンディング装置における制約（パッケージ１０や発光素子７０の方向、等）を低減する。
パッケージ１０の凹部１１（キャビティ）に搭載された発光素子７０は、キャビティに充填された透光性を有する樹脂７３により被覆される。この樹脂７３には、例えば蛍光体が含まれる。なお、図４（ａ），図５，図６，図１１では、樹脂７３が省略されている。なお、パッケージ１０上にレンズ等が搭載されてもよい。
上記のように、発光素子７０が搭載されたパッケージ１０は、図５に示すように、基板８０に実装される。基板８０には、給電用パッド８１，８２と、それら給電用パッド８１，８２に接続された配線パターン８３が形成されている。図６に示すように、基板８０にはパッケージ１０の第１電極３０が接続される略矩形状の接続パッド８４と、パッケージ１０の端子部５５（接続端子５７）が接続される接続パッド８５が、形成されている。図５に示すパッケージ１０には、給電用パッド８１，８２と配線パターン８３を介して、駆動のための電流が供給される。
上記のように接続された発光素子７０は、供給される電流により発光する。発光素子７０の出射光の一部は、反射部５３により反射される。従って、傾斜して形成された反射部５３は、発光素子７０の出射光の一部を、パッケージ１０の上方に向って反射する。また、パッケージ１０の上面に形成された白色のレジスト膜６０は、光をパッケージの上方に向って反射する。これにより、発光素子７０の出射光を効率よく利用することができる。
次に、上記のパッケージ１０の製造工程を説明する。
先ず、図７（ａ）に示すように、所定厚さの金属板１００を用意する。この金属板１００の板厚は、例えば０．１ｍｍである。
先ず、図７（ａ）に示すように、所定厚さの金属板１００を用意する。この金属板１００の板厚は、例えば０．１ｍｍである。
次いで、図７（ｂ）に示すように、金属板１００に、例えばエッチングやプレス加工により、金属板１００の表裏を貫通する貫通孔１０１を形成する。この貫通孔１０１の大きさは、図１（ａ）に示すように、素子接続部５４の内側開口５４ａの大きさに対応する。そして、この貫通孔１０１の大きさは、図４（ａ）に示すように、搭載する発光素子７０の大きさに対応する。なお、図示しないが、図１（ａ）に示すスリット５９ａ〜５９ｅは、貫通孔１０１と同時に形成することができる。
次いで、図７（ｃ）に示すように、金属板１００の表面全体にめっき１０２を形成する。次いで、金属板１００をプレス加工（絞り加工）し、図７（ｄ）に示す第２電極５０を形成する。なお、プレス加工（絞り加工）の後にめっき１０２を形成してもよい。
なお、図７（ａ）〜（ｄ）は、１つの第２電極５０について示した。上記の工程において、複数の第２電極５０を同時に形成する。即ち、図８（ａ）に示すように、１枚の金属板に対して複数の貫通孔１０１及びスリット５９ａ〜５９ｅを形成する。次いで、図８（ｂ）に示すように、プレス加工（絞り加工）により反射部５３，素子接続部５４，端子部５５を有する複数の第２電極５０が接続されたリードフレーム１０５を形成する。
また、図９（ａ）に示すように、所定厚さの金属板１１０を用意する。この金属板１１０の板厚は、例えば０．２ｍｍである。
次いで、図９（ｂ）に示すように、金属板１１０の表面全体にめっき１１１を形成し、第１電極３０を形成する。
次いで、図９（ｂ）に示すように、金属板１１０の表面全体にめっき１１１を形成し、第１電極３０を形成する。
次いで、図１０（ａ）に示すように、接着剤等が塗布された絶縁シート４０を用意し、絶縁シート４０を介して第１電極３０の上面３１に、第２電極５０を接続する。第１電極３０を、図８（ａ）に示すリードフレーム１０５に含まれる第２電極５０に接続する。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、図８（ｂ）に示すリードフレーム１０５（第２電極５０）の上面にモールドテープ１２０を貼付する。このモールドテープ１２０は、第２電極５０の開口５２、つまり反射部５３の内側面、素子接続部５４、第１電極３０の上面３１の中央部を被覆する。なお、図１０（ｂ）では、端子部５５の側方（図面右側）が覆われていないが、第２電極５０は、図８（ｂ）に示すように、連続的に形成されているため、図１０（ｂ）に示すモールドテープ１２０により、端子部５５を形成するための円錐台状の凹部は覆われている。
次いで、図１０（ｃ）に示すように、金型１３０に第１電極３０等をセットし、金型１３０内に樹脂１４０を注入する。尚、図１０（ｃ）では、金型１３０は、１組の第１電極３０及び第２電極５０を収容するように示しているが、図８（ｂ）に示すリードフレーム１０５と、このリードフレーム１０５の第２電極５０に絶縁シート４０を介して接続された第１電極３０を収容可能に形成されている。
金型１３０は、直方体状に形成されている。また、金型１３０の内側高さは、第１電極３０の下面３２から第２電極５０の上面までの高さにほぼ等しい。従って、第１電極３０の下面３２は、型閉めによって金型１３０の内面と密着するため、樹脂１４０により覆われない。また、第２電極５０の素子接続部５４と第１電極３０の上面３１は、環状に形成された絶縁シート４０を介して接続されている。第２電極５０の上面はモールドテープ１２０により被覆されている。従って、第２電極５０と第１電極３０により形成される凹部１１（キャビティ）や、端子部５５の凹部には樹脂１４０が入り込まない。
金型１３０内に注入した樹脂１４０を硬化させた後、金型１３０を離型し、モールドテープ１２０を剥がす。そして、スクリーン印刷等により第２電極５０の上面に樹脂材を塗布してレジスト膜６０を形成する。その後、リードフレームを切断し個片化することにより、図１０（ｄ）に示すパッケージ１０が形成される。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）パッケージ１０は、平板状に形成された第１電極３０を有している。第１電極３０の下面３２はハウジング２０の下面２１と略面一に形成され、ハウジング２０の下面２１から露出している。第１電極３０の上面３１には発光素子７０が接続される。発光素子７０の熱は、発光素子７０の下面全体から第１電極３０へと伝達される。そして、第１電極３０は、所定厚さの板状に形成されている。従って、第１電極３０は、発光素子７０の熱を、上面から下面に向って効率的に伝達する。従って、発光素子７０による熱の放熱性が良いパッケージ１０を提供することができる。
（１）パッケージ１０は、平板状に形成された第１電極３０を有している。第１電極３０の下面３２はハウジング２０の下面２１と略面一に形成され、ハウジング２０の下面２１から露出している。第１電極３０の上面３１には発光素子７０が接続される。発光素子７０の熱は、発光素子７０の下面全体から第１電極３０へと伝達される。そして、第１電極３０は、所定厚さの板状に形成されている。従って、第１電極３０は、発光素子７０の熱を、上面から下面に向って効率的に伝達する。従って、発光素子７０による熱の放熱性が良いパッケージ１０を提供することができる。
（２）第１電極３０の周縁部上面に絶縁シート４０を介して第２電極５０の素子接続部５４を接続した。素子接続部５４は、矩形枠状に形成されている。この素子接続部５４には、発光素子７０に一端が接続されたワイヤ７１の他端が接続される。素子接続部５４は枠状に形成されているため、ワイヤ７１の接続方向を容易に変更することが可能である。このため、ワイヤ７１を接続するボンディング装置における制約（パッケージ１０や発光素子７０の方向、等）を低減することができる。
（３）反射部５３は、第２電極５０を形成する金属板を折り曲げ、パッケージ１０の上端にむかって傾いて形成されている。従って、発光素子７０から出射される光をパッケージ１０の上方に向って効率良く反射することができる。また、この金属板は、加工性を考慮した厚さである。従って、反射部５３を容易に形成することができる。また、金属板により反射部５３を形成することにより、反射部５３をめっきすることができる。このため、発光素子７０から出射される光を効率よく反射することができる。
（４）板状の第１電極３０の周縁部上面に、環状の絶縁シート４０を介して第２電極５０の素子接続部５４が接続されている。素子接続部５４は矩形枠状に形成されている。素子接続部５４の外周端部から上方に向って略矩形筒状の反射部５３が形成されている。反射部５３と素子接続部５４と第１電極３０により囲まれた凹部１１は、発光素子７０を搭載するキャビティを形成する。
従って、樹脂等によりモールド金型にてキャビティを形成する場合と比べ、金型を複雑な形状（キャビティを形成するための凸部等）にする必要が無い。即ち、略直方体状のように単純な形状の金型１３０により、キャビティを有するパッケージ１０を形成することができる。従って、キャビティを金型で形成する場合と比べ、金型に係るコストを低減することができる。
（５）キャビティをモールドのための金型により形成する必要が無いため、キャビティ等を形成するモールド金型と比べ、金型１３０から製品の離型性が良い。従って、樹脂モールドのための装置（トランスファモールド）を停止する期間が短くなり、製造性の向上を図ることができる。また、製造に係るコストの低減を図ることができる。
（６）キャビティをモールドのための金型により形成する必要が無いため、キャビティの形状を容易に変更することが可能である。そして、キャビティの変更に応じた金型を作成する必要が無いため、パッケージ１０の製造コストを低減することが可能になる。
尚、上記各実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・樹脂にてモールド後にパッケージ１０を個片化するとしたが、個々のパッケージ１０を金型のキャビティ内に形成するようにしてもよい。
・樹脂にてモールド後にパッケージ１０を個片化するとしたが、個々のパッケージ１０を金型のキャビティ内に形成するようにしてもよい。
・端子部５５は、接続端子５７の下面５８がハウジング２０の下面２１と略面一となればよく、側壁部５６が樹脂にて覆われていてもよい。
・発光素子として、面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。
・発光素子として、面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。
・例えば、図１１に示すように、パッケージ１０に発光素子７０とツェナーダイオード７５を搭載するようにしてもよい。ツェナーダイオード７５は、発光素子７０と同様に、上面と下面とにそれぞれ接続のための電極を有している。したがって、ツェナーダイオード７５は、発光素子７０と同様に、はんだ又は導電性ペーストにより第１電極３０と電気的に接続され、ワイヤ７６により素子接続部５４と電気的に接続される。なお、図１１では、発光素子７０とツェナーダイオード７５を被覆する樹脂が省略されている。
パッケージ１０に搭載する素子はツェナーダイオードに限らず、受光素子、及びそれらの半導体素子を過電圧による破壊から守る保護素子（例えば、ツェナーダイオードやコンデンサ）、あるいはそれらを組み合わせたものを搭載してもよい。また、搭載した素子が接続される素子接続部５４は枠状に形成されている。従って、搭載する素子を、発光素子７０に影響しない任意の位置に配置し、配線（ワイヤ）を素子接続部５４に接続することが可能となる。
・第１電極３０の形状を適宜変更してもよい。例えば、図１２に示すように、鍔部３３を有する形状としてもよい。鍔部３３は、例えばプレス加工又はエッチング加工により形成される。鍔部３３を有することで、第１電極３０とハウジング２０を形成する樹脂との密着性を向上させることができる。なお、第１電極３０を、上面３１の面積に対して下面３２の面積が大きな形状、例えば断面台形状に形成してもよい。
１０ パッケージ
１１ 凹部（キャビティ）
２０ ハウジング
３０ 第１電極（電極）
３１ 上面
３２ 下面
４０ 絶縁シート（絶縁部材）
５０ 第２電極
５１ 基部
５３ 反射部
５４ 素子接続部
５５ 端子部
５６ 側壁部
５７ 接続端子
５８ 下面
７０ 発光素子
７１ ワイヤ
１１ 凹部（キャビティ）
２０ ハウジング
３０ 第１電極（電極）
３１ 上面
３２ 下面
４０ 絶縁シート（絶縁部材）
５０ 第２電極
５１ 基部
５３ 反射部
５４ 素子接続部
５５ 端子部
５６ 側壁部
５７ 接続端子
５８ 下面
７０ 発光素子
７１ ワイヤ
Claims (10)
- 発光素子が搭載されるパッケージであって、
上面と下面を有するハウジングと、
下面が前記ハウジングの下面から露出し、上面に前記発光素子を搭載する搭載部を有する平板状の電極と、
前記電極の周縁部上面に設けられた絶縁部材と、
前記絶縁部材の上面に接続された環状の素子接続部と、
前記素子接続部から前記ハウジングの上面まで延出する筒状の反射部と、
前記ハウジングの上面に配置され前記反射部と接続された環状の基部と、
前記ハウジングの側面に配置され、前記基部に接続された端子部と、
前記電極上面、前記素子接続部、及び前記反射部により、前記ハウジングの上部に形成された前記発光素子を搭載する凹部と、
を有し、
前記電極の側面と前記反射部の外側側面は前記ハウジングにより覆われており、
前記端子部は、上端が前記基部と接続され、前記ハウジングの下面まで延びる側壁部と、前記側壁部と接続され、前記ハウジングの下面から露出する接続端子とを有すること
を特徴とするパッケージ。 - 前記電極の上面と前記素子接続部は、前記発光素子の電極との接続部であることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
- 前記側壁部は、上端側ほど径が大きくなる円弧状に形成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージ。
- 前記素子接続部、前記端子部、前記反射部及び前記基部は、一体の金属板からなることを特徴とする請求項１〜３のうちの何れか一項に記載のパッケージ。
- 前記電極は、前記素子接続部及び前記反射部より厚い金属板からなる、
ことを特徴とする請求項１〜４のうちの何れか一項に記載のパッケージ。 - 前記反射部は、前記素子接続部から前記ハウジングの上面にかけて開口径が拡大する筒状であることを特徴とする請求項１〜５のうちの何れか一項に記載のパッケージ。
- 前記ハウジングが平板状であり、絶縁樹脂からなることを特徴とする請求項１〜６のうちの何れか一項に記載のパッケージ。
- 発光素子が搭載されるパッケージの製造方法であって、
第１の金属板から平板状の電極を形成する工程と、
第２の金属板に、開口と、前記開口の端部に環状の素子接続部と、前記素子接続部と接続された筒状の反射部と、前記反射部の上端と接続された環状の基部と、前記基部に接続された端子部であって、上端が前記基部と接続された側壁部と、前記側壁部と接続された接続端子とを有する前記端子部と、を形成する工程と、
環状の絶縁シートを介して前記電極の周縁部上面に前記素子接続部を接続する工程と、
前記電極と前記素子接続部と前記反射部とに囲まれた凹部を閉塞するように金型内に前記第２の金属板及び前記電極を挿入し、前記金型内に樹脂を注入し、前記反射部の外側側面と前記電極の側面を覆い、側面に前記端子部が位置し、下面から前記電極と前記接続端子が露出するハウジングを形成する工程と、
を含む、パッケージの製造方法。 - 前記第２の金属板の上面にモールドテープを被覆する工程を含み、
前記モールドテープにて被覆した前記第２の金属板及び前記電極が挿入される前記金型におけるキャビティの高さは前記電極の下面から前記モールドテープ上面までの高さと等しいこと
を特徴とする請求項８に記載のパッケージの製造方法。 - 前記側壁部を、上端側ほど径が大きくなる円弧状に形成したことを特徴とする請求項８又は９に記載のパッケージの製造方法。
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