CN109980105B - 一种qled器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其在，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1‑3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。通过在发光层中引入单带差超晶格结构提高量子点的复合效率和器件的发光纯度，避免量子点层电荷的累积。

Description

一种QLED器件
技术领域
本发明涉及QLED器件技术领域，尤其涉及一种QLED器件。
背景技术
胶体量子点因其荧光效率高、单色性好，发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管（量子点发光二极管，Quantum dotlight-emitting diode,QLED）具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。
白光量子点发光二极管器件报导的比较少，主要结构一种是采用三基色量子点发光，即选用红、绿、蓝量子点作为三基色混合发光为白色；第二种采用蓝色荧光粉作为基底，结合黄色量子点发光，与蓝色荧光粉激发共同作用产生白光。而目前白光量子点发光二极管器件使用的电子传输层材料的电子注入能力普遍强于空穴传输层材料的空穴注入能力，导致过量的电子注入引起器件功能层如空穴传输层的自发光，从而影响量子点发光器件的发光纯度和复合效率。另外，如果过量注入的电子在量子点发光层中输运受阻，会使得电荷在量子点发光层累积，严重影响量子点的发光特性。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，通过在发光层中引入单带差超晶格结构，不仅可以将器件注入的过多电子限制在量子点发光层中，避免过量电子注入空穴功能层从而提高量子点的复合效率和器件的发光纯度，而且对注入量子点发光层中的电子而言，其输运虽然相对受限，但在单带差超晶格结构中仍可以通过共振隧穿效应输运，并与不受输运限制的空穴及时复合形成两种以上的发光复合形成白光，避免量子点层电荷的累积。
本发明的技术方案如下：
一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其中，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1-3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。
本发明提供的量子点发光器件，其中，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n叠层方式形成如附图1和附图2所示的单带差超晶格结构。所述单带差超晶格结构中两种材料的价带差为0，此时空穴在发光层中的输运不受势垒的散射，可及时与电子复合发光，避免电荷的累积。所述单带差超晶格结构中蓝色发光量子点材料的导带能级比黄色发光量子点材料的导带能级高至少0.5eV，以保证发光层对电子输运的束缚作用。组成的所述单带差超晶格结构可产生两种以上的发光，利用其在可见光范围内所发出的蓝色发光和黄色发光复合形成白光。
附图说明
图1为本发明的一种QLED器件较佳实施例的结构示意图。
图2为本发明的一种QLED器件另一较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种QLED器件及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明的发光层可应用于多种现有QLED器件结构。具体的，图1为本发明的一种QLED器件较佳实施例的结构示意图，如图1所示，本发明实施例以正型QLED器件为例，所述QLED器件从下至上依次包括阳极基板101、空穴功能层102、发光层103、电子功能层104、阴极层105，及封装层106，其中所述发光层103由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1-3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。
具体地，本发明提供的量子点发光器件，其中，所述发光层103由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n叠层方式形成如附图1和附图2所示的单带差超晶格结构。所述单带差超晶格结构中两种材料的价带差为0，此时空穴在发光层中的输运不受势垒的散射，可及时与电子复合发光，避免电荷的累积。所述单带差超晶格结构中蓝色发光量子点材料的导带能级比黄色发光量子点材料的导带能级高至少0.5eV，以保证发光层对电子输运的束缚作用。组成的所述单带差超晶格结构可产生两种以上的发光，利用其在可见光范围内所发出的蓝色发光和黄色发光复合形成白光。
进一步，如图1所示，所述发光层103的结构为蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成的发光层103，其中n为1-3，优选地，所述发光层103中n为2。
进一步，在本发明中，所述蓝光量子点材料选取发光光谱峰值在蓝色发光区间420nm~520nm的II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单质中的一种或多种。优选的，所述蓝光量子点材料选自ZnS或ZnSe。
进一步，在本发明中，所述黄光量子点材料选取发光光谱峰值在黄色发光区间520nm~630nm的II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单质中的一种或多种。优选的，所述黄光量子点材料选自CdSe或CdS。
本发明发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物；所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III- VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。
进一步，所述发光层的总厚度为12-165nm，其中单个[ABA]复合层结构的厚度为12-55nm。对组成所述单带差超晶格结构的发光层的蓝光量子点材料层A，为保证超晶格结构的形成，其厚度不宜过厚，优选的，蓝光量子点材料层A的厚度为1-5nm，过厚的蓝光量子点材料层A将不利于超晶格结构的形成，并且会造成器件的电阻过大，降低器件性能。所述黄光量子点材料层B的厚度为10-25nm，其可以依照发光层的厚度灵活调整。
进一步，在本发明中，所述阳极基板101材料可选自铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）中的一种或多种；所述的空穴注入层为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、非掺杂过渡金属氧化物、掺杂过渡金属氧化物、金属硫化物、掺杂金属硫化物中的一种或多种。
进一步，在本发明中，所述的空穴功能层102材料可选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二 苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（poly- TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三 苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联 苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、掺杂石墨 烯、非掺杂石墨烯、C60或它们的混合物；所述的空穴功能层材料还可选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的NiO、WO3、MoO3、CuO或它们的混合物；
进一步，在本发明中所述的电子功能层104材料为n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3三(8-羟 基喹啉)铝、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种；优选地，所述电子功能层为n型ZnO、n型 TiO2；所述的阴极为Al或Ag；
进一步，在上述实施方式中，所述空穴功能层可以为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一种或者多种。
进一步，在上述实施方式中，所述电子功能层可以为电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的一种或者多种。
应当注意，所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层都不是必需的，可以根据实际情况增加或者减少。
基于上述一种复合量子点发光二极管器件，结合本发明的具体实施方式，还提供一种QLED器件的制备方法，其中，包括步骤：
S10在阳极基板101表面沉积空穴功能层102；
S20在空穴功能层102表面沉积发光层103；
S30在发光层103表面沉积电子功能层104；
S40在电子功能层104表面沉积阴极层105，得到所述QLED器件。
具体地，当制备如图1所述的复合量子点发光二极管器件时，以磁控溅射法为例，则所述步骤S20具体包括：衬底为已经沉积ITO和空穴功能层的透明玻璃。靶材是纯度99.99%的蓝光量子点材料A如ZnS圆靶和纯度99.9%的黄光量子点材料B如CdS靶。取出衬底，用真空干燥箱或红外灯烘干后放入溅射装置中。先开启电离电源，将衬底对准清洗棒清洗12min，除去衬底表面附着的粒子。靶与衬底间的距离为4.5~5cm，Ar气流量为25.0ml/min，射沉积气压为0.5~0.6Pa，有效射频功率约为100W。在一个周期里，按照所需厚度选择CdS和ZnS的射频溅射时间，重复溅射几个周期，就制得了ZnS/CdS超晶格薄膜的发光层。
进一步，在本发明中，所述的各层沉积方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
下面通过具体实施例，对本发明方案作进一步的讲解：
实施例1
本实施例QLED器件的结构为：在玻璃衬底依次层叠形成的ITO阳极层、PEDOT:PSS空穴注入层、TFB空穴传输层、[ZnSCdSZnS]发光层、ZnO电子传输层和Al阴极层。
本实施例QLED器件的制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
b.在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB薄膜作为空穴传输层；
c. 通过磁控溅射法沉积一层基于单带差超晶格结构的量子点发光层，其中，量子点发光层为三层单带差超晶格能级结构功能层，包括依次设置的ZnSCdSZnS，厚度为50nm，其中，两侧ZnS厚度都是5nm，中间CdS 的厚度为40nm；
d.接着，在量子点发光层上旋涂一层ZnO薄膜作为电子传输层；
e. 最后，在ZnO上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例2
本实施例QLED器件的结构为：在玻璃衬底依次层叠形成的ITO阳极层、PEDOT:PSS空穴注入层、TFB空穴传输层、[ZnSCdSZnS]2发光层、ZnO电子传输层和Al阴极层。
本实施例QLED器件的制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
b.在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB薄膜作为空穴传输层；
c. 通过磁控溅射法沉积一层基于单带差超晶格结构的量子点发光层，其中，量子点发光层为六层单带差超晶格能级结构功能层，包括依次设置的[ZnSCdSZnS]2，厚度为40nm，其中，两侧ZnS厚度都是5nm，中间CdS 的厚度为10nm；
d.接着，在量子点发光层上旋涂一层ZnO薄膜作为电子传输层；
e. 最后，在ZnO上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例3
本实施例QLED器件的结构为：在玻璃衬底依次层叠形成的ITO阳极层、PEDOT:PSS空穴注入层、TFB空穴传输层、[ZnSCdSZnS]2发光层、ZnO电子传输层和Al阴极层。
本实施例QLED器件的制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
b.在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB薄膜作为空穴传输层；
c. 通过磁控溅射法沉积一层基于单带差超晶格结构的量子点发光层，其中，量子点发光层为六层单带差超晶格能级结构功能层，包括依次设置的[ZnSCdSZnS]2，厚度为36nm，其中，两侧ZnS厚度都是4nm，中间CdS 的厚度为10nm；
d.接着，在量子点发光层上旋涂一层ZnO薄膜作为电子传输层；
e. 最后，在ZnO上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
综上所述，本发明提供的一种QLED器件及其制备方法，其中，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n叠层方式形成的单带差超晶格结构，其中n为叠层的层数。所述单带差超晶格结构中两种材料的价带差为0，此时空穴在发光层中的输运不受势垒的散射，可及时与电子复合发光，避免电荷的累积。所述单带差超晶格结构中蓝色发光量子点材料的导带能级比黄色发光量子点材料的导带能级高至少0.5eV，以保证发光层对电子输运的束缚作用。组成的所述单带差超晶格结构可产生两种以上的发光，利用其在可见光范围内所发出的蓝色发光和黄色发光复合形成白光。

Claims (10)

1.一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其特征在于，所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成，n为1-3，其中，所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0，所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，n为2。
3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述蓝光量子点材料的发光光谱波峰为420nm~520nm；和/或所述黄光量子点材料的发光光谱波峰为520nm~630nm。
4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述蓝光量子点材料和所述黄光量子点材料独立地选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、 II-IV-VI族化合物和IV族单质中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述蓝光量子点材料选自ZnS或ZnSe；和/或所述黄光量子点材料选自CdSe或CdS。
6.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述发光层的总厚度为12-165nm。
7.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，单个[ABA]复合层结构的厚度为12-55nm。
8.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，蓝光量子点材料层A的厚度为1-5nm；和/或所述黄光量子点材料层B的厚度为10-25nm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的所述发光层，其中，在所述阴极和所述发光层之间还设置有电子功能层。
10.根据权利要求1-8任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的所述发光层，其中，在所述阳极和所述发光层之间还设置有空穴功能层。
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