CN109952647B - 成像元件、制造方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种能够实现更好特性的成像元件、制造方法和电子设备。所述成像元件包括：传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；密封树脂，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和增强树脂，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比密封树脂更高的刚性。在所述外周区域中的密封树脂和增强树脂的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的密封树脂的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。本技术可以适用于例如WCSP的CMOS图像传感器。

Description

成像元件、制造方法和电子设备
技术领域
本公开涉及一种成像元件、制造方法和电子设备，特别地，涉及能够实现更好特性的成像元件、制造方法和电子设备。
背景技术
作为用于制造固态成像元件的常规技术之一，已经建立了晶片级芯片尺寸封装(WCSP)。在WCSP中，在端子的形成、配线等之后切割晶片。此外，当通过WCSP制造固态成像元件时，执行将硅基板和玻璃基板接合的处理。在该处理中，必须适当地形成接合结构。
例如，专利文献1公开了一种具有以下结构的光学器件，其中为了提高防湿性，将比固态成像元件小的透明构件经由透明粘合剂接合到固态成像元件的光接收面侧，并且透明粘合剂和透明构件的最外周用密封树脂密封。
另外，专利文献2公开了一种具有以下结构的图像拾取装置。为了提高耐湿性，将比成像芯片大的玻璃晶片经由粘合剂粘合到成像芯片的光接收面侧，并且成像芯片和粘合剂的最外周用密封构件密封。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开No.2008-219854
专利文献2：WO 13/179766A
发明内容
发明要解决的问题
顺便提及的是，如专利文献1和2中所公开的，关于其中硅基板和玻璃基板接合的构成，已经开发了各种常规技术。另一方面，需要开发能够进一步改善特性的技术。
鉴于这种情况做出了本公开，并且本公开旨在实现更好的特性。
解决问题的方案
根据本公开的一个方面的成像元件包括：传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。
根据本公开的一个方面的制造方法是一种制造成像元件的方法，所述成像元件包括：传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。所述方法包括：形成在所述传感器基板或所述密封构件的外周区域中具有不连续部分的第二粘合构件；在除了形成有第二粘合构件的区域之外的整个表面上形成第一粘合构件；和用第一粘合构件和第二粘合构件将所述传感器基板和所述密封构件接合。可选择地，所述方法包括：在所述成像元件被分成单独片之前的晶片级，形成第二粘合构件，使得第二粘合构件配置在除了将要形成所述成像元件的芯片边缘的部分之外的外周区域中；在除了形成有第二粘合构件的区域之外的整个表面上形成第一粘合构件；用第一粘合构件和第二粘合构件将所述传感器基板和所述密封构件接合；和在将要形成所述成像元件的芯片边缘的部分处进行切割。
根据本公开的一个方面的电子设备包括成像元件，所述成像元件包括：传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。
在本公开的一个方面，包括：传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性。在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。
发明效果
根据本公开的一个方面，可以实现更好的特性。
附图说明
图1是示出本技术适用的成像元件的第一实施方案的构成例的图。
图2是用于说明制造成像元件的第一方法的图。
图3是示出成像元件的变形例的图。
图4是用于说明制造成像元件的第二方法的图。
图5是示出成像元件的第二构成例的图。
图6是用于说明制造成像元件的方法的图。
图7是示出成像元件的变形例的图。
图8是示出具有形成为锥形形状的侧表面的成像元件的图。
图9是示出成像元件的第三构成例的图。
图10是示出被挖掘部的其他结构的图。
图11是示出截面形状的变形例的图。
图12是用于说明制造图9所示的成像元件的方法的图。
图13是示出图9所示的成像元件的变形例的图。
图14是用于说明制造图13所示的成像元件的方法的图。
图15是用于说明剪切强度改善的图。
图16是示出成像元件的第四构成例的图。
图17是示出图16所示的成像元件的第一变形例的图。
图18是示出图17所示的成像元件的平面构成例的图。
图19是用于说明制造图17所示的成像元件的方法的图。
图20是用于说明制造图17所示的成像元件的方法的图。
图21是示出图16所示的成像元件的第二变形例的图。
图22是示出成像元件的第五构成例的图。
图23是焊盘开口部的放大图。
图24是用于说明制造图22所示的成像元件的方法的图。
图25是示出图22所示的成像元件的变形例的图。
图26是用于说明制造图25所示的成像元件的方法的图。
图27是示出焊盘开口部的断面变形例的图。
图28是示出焊盘开口部的平面形状的变形例的图。
图29是示出焊盘开口部附近的部分的变形例的图。
图30是示出图像拾取装置的构成例的框图。
图31是示出图像传感器的使用例的图。
具体实施方式
下面将参照附图详细说明本技术适用的具体实施方案。
<成像元件的第一构成例>
图1是示出本技术适用的成像元件的第一实施方案的构成例的图。在图1的A中示出了成像元件11的构成例的平面图，并且在图1的B中示出了成像元件11的构成例的断面图。
如图1的B所示，成像元件11从底部起依次包括层叠的支撑基板12；传感器基板13；密封树脂14和增强树脂15；和密封玻璃16。例如，成像元件11是背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中用光照射有效像素区域17。有效像素区域17设置在面对与包含在传感器基板13中的半导体层的表面相对的那侧的背面(图1的B中的上侧的表面)。
支撑基板12接合到被处理以在背面侧形成薄膜的传感器基板13的表面，并且支撑传感器基板13。例如，处理从传感器基板13输出的像素信号的信号处理电路可以形成在支撑基板12上。
在传感器基板13上形成包括光电二极管、晶体管等的像素，并且在有效像素区域17中以阵列状布置多个像素。例如，传感器基板13的有效像素区域17是其中当由成像元件11拍摄图像时布置有用于构建图像的有效像素的区域。
密封树脂14是在至少包括有效像素区域17的区域中用于将传感器基板13和密封玻璃16接合的粘合构件。例如，优先考虑光学特性(折射率、消光系数等)使得有效像素区域17可以令人满意地接收入射在成像元件11上的光，从而选择树脂材料用于密封树脂14。
如图1的A所示，增强树脂15是在成像元件11的平面图中在位于有效像素区域17外侧的外部区域中用于将传感器基板13和密封玻璃16接合的粘合构件。例如，选择刚性高于密封树脂14的树脂材料用于增强树脂15，以增强传感器基板13和密封玻璃16的接合强度。
这里，外部区域是位于有效像素区域17外侧的区域，并且延伸到包含成像元件11的芯片边缘。然后，如图1的A所示，增强树脂15-1和15-2配置在外部区域中的包含成像元件11的芯片边缘的区域中，并且形成为不连续部分。即，如图所示，增强树脂15-1和15-2-2沿着成像元件11的平面图中的两个相对边单独形成(从而是不连续的)。
请注意，例如，可以使用硅氧烷系树脂、丙烯酸系树脂或环氧系树脂作为密封树脂14和增强树脂15。可选择地，可以采用其中代替使用源自有机材料的树脂而使用氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)等无机膜作为密封树脂14和增强树脂15以接合传感器基板13和密封玻璃16的构成。此外，在这种情况下，可以仅用无机膜代替密封树脂14，或者可以仅用无机膜代替增强树脂15。可选择地，密封树脂14和增强树脂15都可以用无机膜代替。
密封玻璃16是用于密封和气密性模制传感器基板13的有效像素区域17的透明构件。请注意，透射光的构件可以用作密封玻璃16，并且还可以采用玻璃之外的透明材料作为密封构件。
在如上所述构成的成像元件11中，密封树脂14和增强树脂15-1和15-2形成为使得在外周区域中的密封树脂14和增强树脂15-1和15-2的每单位面积的粘合强度与在外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在有效像素区域17中的密封树脂14的每单位面积的粘合强度与在有效像素区域17中接合的部分的面积的乘积。结果，在成像元件11中，可以用密封树脂14和增强树脂15-1和15-2将传感器基板13和密封玻璃16令人满意地接合。
此外，在成像元件11中，通过优先考虑光学特性而选择树脂材料作为密封树脂14，并且通过优先考虑抗剥离强度而选择树脂材料作为增强树脂15，可以消除密封树脂14的特性与增强树脂15的特性之间的折衷，从而便于选择它们各自的树脂材料。然后，通过以这种方式进行选择，可以使传感器基板13的有效像素区域17令人满意地接收光，并且还可以确保防止密封玻璃16从传感器基板13上剥离。换句话说，就光接收特性和剥离特性而言，可以允许成像元件11具有比常规装置更好的特性。结果，成像元件11实现了更高的成像能力和可靠性。
此外，成像元件11包括不连续形成的增强树脂15-1和15-2。因此，与例如其中连续形成增强树脂15的构成相比，可以减轻密封树脂14的涂布时的不均匀性。结果，可以进一步改善成像元件11的特性。
例如，在连续形成增强树脂15的构成中，担心密封树脂14的形状的不均匀性以在由包围的区域中形成凸形状或凹形状的方式发生。增强树脂15，导致空隙缺陷，使产量劣化。相比而言，成像元件11可以避免使密封树脂14呈凸形状或凹形状，因此可以提高产量。
此外，已经不连续地形成的增强树脂15-1和15-2允许成像元件11具有能够容易地排出在例如制造过程中进入内部的水的结构。因此，可以改善结露耐性。
将参照图2说明制造成像元件11的第一方法。
在第一步骤中，将作为增强树脂15的树脂材料涂布到传感器基板13的有效像素区域17侧的整个表面上。
在第二步骤中，增强树脂15-1和15-2以在成像元件11的外部区域中不连续的方式图案化。换句话说，将光致抗蚀剂涂布到已涂布到传感器基板13的整个表面的树脂材料上。可选择地，执行光致抗蚀剂的涂布和干蚀刻。因此，除去树脂材料的不需要的部分以形成增强树脂15-1和15-2。
在第三步骤中，将作为密封树脂14的树脂材料涂布到传感器基板13的有效像素区域17的除了已形成增强树脂15-1和15-2的部分之外的整个表面上。此时，以少量涂布作为密封树脂14的树脂材料。之后，进行化学机械抛光(CMP)。因此，密封树脂14和增强树脂15-1和15-2的表面被平坦化。
然后，将密封玻璃16贴合到密封树脂14和增强树脂15-1和15-2上。结果，传感器基板13和密封玻璃16彼此接合以形成如图1所示的成像元件11。
以这种方式，可以通过执行包括在形成增强树脂15-1和15-2之后涂布密封树脂14并且将传感器基板13和密封玻璃16用密封树脂14和增强树脂15-1和15-2接合的制造过程来制造成像元件11。
请注意，参照图2，已经说明了其中将密封树脂14和增强树脂15涂布到传感器基板13上以将密封玻璃16与其接合的制造过程。另一方面，例如，密封树脂14和增强树脂15可以涂布到密封玻璃16上，以将传感器基板13与其接合。
此外，成像元件11的构成不限于图1所示的构成，只要增强树脂15不是沿着成像元件11的芯片的外周连续形成，即，只要不连续地形成增强树脂15。
将参照图3说明成像元件11的变形例。成像元件11的第一变形例在图3的A中示出，并且成像元件11的第二变形例在图3的B中示出。
如图3的A所示，成像元件11-a包括在成像元件11-a的外周区域的包含芯片边缘的区域中沿着成像元件11-a的芯片的相对两边在整个两边上形成的增强树脂15-1和15-2。即，在图1所示的成像元件11中，增强树脂15-1和15-2形成在成像元件11-a的芯片的相对两边的中央区域中。另一方面，在成像元件11-a中，增强树脂15-1和15-2形成在整个两边上。
如图3的B所示，在成像元件11-b中，在成像元件11-b的芯片的外周区域的包含芯片边缘的区域中沿着成像元件11-b的芯片的外周以分散方式形成多个增强树脂15。
在具有这种构造的成像元件11-a和成像元件11-b中，增强树脂15在外周边区域中不连续地形成。因此，成像元件11-a和成像元件11-b可以实现更好的特性，如同图1所示的成像元件11那样。此外，密封树脂14和增强树脂15的粘合强度和接合部分的面积也在成像元件11-a和成像元件11-b中以与图1所示的成像元件11类似的方式设定。因此，可以令人满意地将传感器基板13和密封玻璃16接合。
将参照图4说明制造成像元件11的第二方法。
在第一步骤中，在将晶片切割成多个成像元件11之前的晶片级，即，在图4所示的示例中的在将晶片切割成三个成像元件11-1～11-3之前的晶片级，晶片的存在支撑基板12的一侧贴合到粘合片51上。此外，如图所示，在切割晶片之前的晶片级，成像元件11-1～11-3包括层叠的支撑基板12、传感器基板13、密封树脂14和密封玻璃16，每个都是连续层。
在第二步骤中，通过形成为阶梯形状的切割刀片52在成像元件11-1～11-3中的每相邻两个之间形成切口。在这种情况下，作为切割刀片52，使用具有能够形成使得相邻成像元件11之间的距离在密封树脂14和密封玻璃16处比在支撑基板12和传感器基板13处更大的切口的形状的切割刀片。因此，在成像元件11-1～11-3中，在成像元件11-1～11-3之间形成切口，其形状使得密封树脂14和密封玻璃16的宽度小于支撑基板12和传感器基板13的宽度。
在第三步骤中，将作为增强树脂15的树脂材料涂布到整个表面上，并且在成像元件11-1～11-3之间形成的切口也填充有作为增强树脂15的树脂材料。
在第四步骤中，通过切割刀片53切割晶片以形成各成像元件11-1～11-3。在这种情况下，作为切割刀片53，使用具有宽度对应于在相邻成像元件11的支撑基板12和传感器基板13之间的距离的形状的切割刀片。因此，在各成像元件11-1～11-3中，树脂材料未从密封树脂14和密封玻璃16的侧表面移除，由此形成增强树脂15-1和15-2。换句话说，在如图3的A所示的成像元件11的平面图中，增强树脂15-1和15-2形成在密封树脂14和密封玻璃16的两个侧表面上，使得增强树脂15-1和15-2沿着芯片的相对两边形成。
然后，通过干蚀刻或CMP去除残留在成像元件11-1～11-3的表面上的树脂材料，并且从粘合片51拾取成像元件11-1～11-3。
如上所述，可以通过执行其中在拾取成像元件11之前形成增强树脂15的制造过程来制造成像元件11。此外，通过在晶片级制造成像元件11，可以以低成本和高精度地制造成像元件11。
<成像元件的第二构成例>
图5是示出成像元件11的第二构成例的图。在图5的A中示出了成像元件11A的构成例的平面图，并且在图5的B中示出了成像元件11A的构成例的断面图。请注意，在成像元件11A中，与图1所示的成像元件11共同采用的构成由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
如图5的B所示，如同图1所示的成像元件11那样，成像元件11A从底部起依次包括层叠的支撑基板12；传感器基板13；密封树脂14和增强树脂15A；和密封玻璃16。
然而，如图5的A所示，在成像元件11A中，增强树脂15A-1和15A-2形成在成像元件11A的不包含芯片边缘的区域中，即，形成在位于成像元件11A的芯片边缘内侧的区域中。此外，如同图1所示的增强树脂15-1和15-2那样，增强树脂15A-1和15A-2沿着成像元件11A的芯片的相对两边以不连续的方式形成。
因此，通过以上述方式在成像元件11A的不包含芯片边缘的区域中形成增强树脂15A-1和15A-2，可以容易地执行例如在成像元件11A的制造过程中的单片化处理。换句话说，在增强树脂15形成在包含芯片边缘的区域中的情况下，担心在其中成像元件以晶片级制造的制造过程的切割中可能发生断裂缺陷，导致产量劣化。
另一方面，在成像元件11A中，在其中成像元件11A以晶片级制造的制造过程的切割中，对刚性低于增强树脂15A的密封树脂14执行处理。因此，可以防止断裂缺陷的发生，并提高产量。此外，作为上述的结果，可以以更高的精度执行处理。
此外，密封树脂14和增强树脂15A的粘合强度和接合部分的面积也在成像元件11A中以与图1所示的成像元件11类似的方式设定。因此，可以令人满意地将传感器基板13和密封玻璃16接合。
将参照图6说明制造成像元件11A的方法。
在第一步骤中，在将晶片切割成多个成像元件11A之前的晶片级，即，在图6所示的示例中的在将晶片切割成三个成像元件11A-1～11A-3之前的晶片级，将作为增强树脂15A的树脂材料涂布到晶片的传感器基板13的有效像素区域17侧的整个表面上。
在第二步骤中，增强树脂15A-1和15A-2以在成像元件11A的外部区域中不连续的方式图案化。换句话说，将光致抗蚀剂涂布到已涂布到传感器基板13的整个表面的树脂材料上。可选择地，执行光致抗蚀剂的涂布和干蚀刻。因此，除去树脂材料的不需要的部分以形成增强树脂15A-1和15A-2。
在第三步骤中，将作为密封树脂14的树脂材料涂布到传感器基板13的有效像素区域17的除了已形成增强树脂15A-1和15A-2的部分之外的整个表面上。此时，以少量涂布作为密封树脂14的树脂材料。之后，进行CMP。因此，密封树脂14和增强树脂15A-1和15A-2的表面被平坦化。
在第四步骤中，将密封玻璃16以晶片级贴合到密封树脂14和增强树脂15A-1和15A-2上。
在第五步骤中，通过使用切割刀片切割晶片以形成各成像元件11A-1～11A-3。此时，在成像元件11A中，不是对增强树脂15A-1和15A-2进行处理，而是对密封树脂14进行处理，使得成像元件11A可以被分成单独的片。
以这种方式，可以通过执行其中在以晶片级形成密封树脂14和增强树脂15A-1和15A-2以接合传感器基板13和密封玻璃16之后，将成像元件11A分成单独的片的制造过程来制造成像元件11A。于是，当成像元件11A被分成单独的片时，可以避免对增强树脂15A-1和15A-2进行处理。
将参照图7说明成像元件11A的变形例。成像元件11A的第一变形例在图7的A中示出，并且成像元件11A的第二变形例在图7的B中示出。
如图7的A所示，成像元件11A-a包括在成像元件11A-a的外周区域的不包含芯片边缘的区域中以包围有效像素区域17的方式连续形成的增强树脂15A。换句话说，在增强树脂15A形成在成像元件11A-a的外周区域的不包含芯片边缘的区域中的情况下，成像元件11A-a可以实现容易地执行上述单片化处理的效果。
如图7的B所示，成像元件11A-b包括在成像元件11A-b的外周区域的不包含芯片边缘的区域中沿着成像元件11A-b的芯片的外周以分散方式形成的多个增强树脂15A。
在具有这种构造的成像元件11A-a和成像元件11A-b中，增强树脂15形成在不包含芯片边缘的区域中。因此，成像元件11A-a和成像元件11A-b可以实现更好的特性，如同图5所示的成像元件11A那样。此外，密封树脂14和增强树脂15A的粘合强度和接合部分的面积也在成像元件11A-a和成像元件11A-b中以与图5所示的成像元件11A类似的方式设定。因此，可以令人满意地将传感器基板13和密封玻璃16接合。
请注意，例如，成像元件11和成像元件11A可以形成为使得其侧表面具有锥形形状。
换句话说，如图8所示，可以通过使用具有朝向尖端逐渐变细的形状的切割刀片54将成像元件11A的侧表面形成为锥形形状。例如，图8的A示出了通过利用切割刀片54从成像元件11A的光接收面侧切割使得成像元件11A的宽度朝向其光接收面减小而形成为锥形形状的成像元件11A。另外，图8的B示出了通过利用切割刀片54从与成像元件11A的光接收面相对的一侧切割使得成像元件11A的宽度朝向其光接收面增加而形成为锥形形状的成像元件11A。
通过如此形成锥形形状的成像元件11A的侧表面，例如，可以防止由于在芯片的端面上反射的光引起的闪光并且可以实现芯片组的小型化。
如上所述，上述成像元件11在光接收特性和剥离特性方面可以实现比常规更好的特性。此外，可以容易地选择用于密封树脂14和增强树脂15的材料。此外，如上所述可以采用各种制造方法。因此，可以提高批量生产的能力。
<成像元件的第三构成例>
图9是示出成像元件11的第三构成例的图。在图9的A中示出了成像元件11C的构成例的平面图，并且在图9的B中示出了沿着图9的A中示出的线a-b截取的断面图。请注意，在图9所示的成像元件11C中，与图1所示的成像元件11共同采用的构成由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
成像元件11C从底部起依次包括层叠的传感器基板13、密封树脂14和密封玻璃16。然后，如图9的A所示，成像元件11C包括形成在位于有效像素区域17的外侧的外周区域中的四个角附近的四个位置处的被挖掘部101-1～101-4。请注意，每个被挖掘部101-1～101-4形成有类似的断面形状，因此在下文中，在不需要区分它们的情况下简称为被挖掘部101。
如图9的B所示，被挖掘部101具有其中密封树脂14埋在以挖掘传感器基板13的方式形成的沉孔部102中的结构。
成像元件11C包括设置在外周区域的多个位置(图9的A中所示的示例中的四个位置)处的被挖掘部101。这实现了在传感器基板13和密封树脂14接合的部分上具有良好的抗横向应力的结构。因此，可以提高传感器基板13和密封树脂14接合的部分的剪切强度。
请注意，被挖掘部101的结构不限于其中传感器基板13设置有如图9所示的沉孔部102的结构，并且还可以采用其他结构。
例如，图10的A示出了具有其中密封树脂14埋在以挖掘密封玻璃16的方式形成的沉孔部103中的结构的被挖掘部101A。此外，图10的B示出了具有其中密封树脂14既埋在设置在传感器基板13中的沉孔部102中又埋在设置在密封玻璃16中的沉孔部103中的结构的被挖掘部101B。
通过采用如图10所示的被挖掘部101A和被挖掘部101B，也可以提高成像元件11C的剪切强度。
请注意，包含在被挖掘部101中的沉孔部102的断面形状不限于具有宽度随着传感器基板13被向下挖掘而减小的锥形面的梯形凹陷形状，如图9的B所示，并且还可以采用其他的断面形状。
例如，图11的A示出了形成为具有宽度随着传感器基板13被向下挖掘而增加的锥形面的梯形凹陷形状的断面的沉孔部102a。此外，图11的B示出了具有形成为凹曲面形状的断面的沉孔部102b。另外，图11的C示出了具有形成为具有带有顶点的锥形面的凹陷形状的截面的沉孔部102c。此外，图11的D示出了具有形成为侧表面基本垂直于传感器基板13的表面的凹陷形状的断面的沉孔部102d。
以这种方式，成像元件11C可以设置形成有具有各种断面形状的沉孔部102a～102d的被挖掘部101。
将参照图12说明制造成像元件11C的方法。请注意，在图12中提供了关于沿着图9的A中所示的线a-b截取的断面部分的说明，而制造其他部分的方法类似于常规方法。
在第一步骤中，如图9的A所示的有效像素区域17形成在传感器基板13的中央区域中。
在第二步骤中，在传感器基板13的外周区域中除了将要形成被挖掘部101的部分(在图9的A中示出的示例中的四个部分)之外的区域，传感器基板13用光致抗蚀剂111图案化，使得其中将要形成被挖掘部101的部分形成开口。
在第三步骤中，例如，执行干蚀刻以在光致抗蚀剂111的开口处在传感器基板13中形成沉孔部102。
在第四步骤中，将作为密封树脂14的树脂材料涂布到传感器基板13的整个表面上。此时，涂布树脂材料使得沉孔部102也填充有树脂材料。
在第五步骤中，将密封玻璃16以晶片级贴合到密封树脂14上，然后切割晶片。因此，可以制造设置有被挖掘部101的成像元件11C。请注意，即使成像元件具有其中设置有如图10所示的被挖掘部101A和被挖掘部101B的结构，也可以在类似的制造过程中制造这种成像元件。
将参照图13说明成像元件11C的变形例。成像元件11C-a的构成例的平面图在图13的A中示出，并且沿着图13的A中所示的线a-b截取的断面图在图13的B中示出。请注意，在成像元件11C-a中，与图9所示的成像元件11C共同采用的构成由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
如图13的A所示，在成像元件11C-a中，如同图9所示的成像元件11C那样，形成被挖掘部101-1～101-4，另外，形成增强树脂15-1～15-4。例如，选择刚性高于密封树脂14的树脂材料用于增强树脂15-1～15-4，以增强传感器基板13和密封玻璃16的接合强度。
增强树脂15-1～15-4例如形成在位于有效像素区域17的外侧的外周区域中的四边附近的四个位置处。此外，如图13的B所示，形成增强树脂15-1以将传感器基板13和密封玻璃16接合，尽管未示出，增强树脂15-3～15-4也以类似于增强树脂15-1的方式形成。
在如此形成的成像元件11C-a中，可以令人满意地将传感器基板13和密封玻璃16接合，并且可以提高其接合强度。
将参照图14说明制造成像元件11C-a的方法。请注意，在图14中提供了关于沿着图13的A中所示的线a-b截取的断面部分的说明，而制造其他部分的方法类似于常规方法。
在第一步骤中，如图13的A所示的有效像素区域17形成在传感器基板13的中央区域中。
在第二步骤中，在传感器基板13的外周区域中除了将要形成被挖掘部101的部分(在图9的A中示出的示例中的四个部分)之外的区域，传感器基板13用光致抗蚀剂111图案化，使得其中将要形成被挖掘部101的部分形成开口。
在第三步骤中，例如，执行干蚀刻以在光致抗蚀剂111的开口处在传感器基板13中形成沉孔部102。
在第四步骤中，形成增强树脂15-1～15-4。例如，将作为增强树脂15的树脂材料涂布在传感器基板13的有效像素区域17侧的整个表面上。然后，将光致抗蚀剂涂布到树脂材料上。可选择地，执行光致抗蚀剂的涂布和干蚀刻。因此，除去树脂材料的不需要的部分以形成增强树脂15-1～15-4。
在第五步骤中，将作为密封树脂14的树脂材料涂布到传感器基板13的有效像素区域17的除了已形成增强树脂15-1～15-4的部分之外的整个表面上。此时，以少量涂布作为密封树脂14的树脂材料。之后，进行化学机械抛光(CMP)。因此，密封树脂14和增强树脂15-1～15-4的表面被平坦化。
在第六步骤中，将密封玻璃16贴合到密封树脂14和增强树脂15-1～15-4上。因此，可以制造设置有被挖掘部101和增强树脂15-1～15-4的成像元件11C-a。请注意，即使成像元件具有其中设置有如图10所示的被挖掘部101A和被挖掘部101B的结构，也可以在类似的制造过程中制造这种成像元件。
如上所述，设置有被挖掘部101的成像元件11C和设置有被挖掘部101和增强树脂15-1～15-4的成像元件11C-a与既不包含被挖掘部也不包含增强树脂的常规技术相比可以实现剪切强度改善，例如，如图15所示。
<成像元件的第四构成例>
图16是示出成像元件11的第四构成例的图。请注意，在图16所示的成像元件11D中，与图1所示的成像元件11共同采用的构成由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
图16示出了成像元件11D的断面构成例，其中成像元件11D通过使用焊球122连接到电路板121。
成像元件11D形成为使得传感器基板13的中央区域在断面图中凹入。因此，外周壁13a以包围传感器基板13的外周的方式形成，并且有效像素区域17形成在由外周壁13a包围的凹部13b中。然后，沿着传感器基板13的外周壁13a和凹部13b的表面形成密封树脂14。另外，在其上放置密封玻璃16，使得它们层叠。密封玻璃16设置有根据凹部13b的形状形成为凸出形状的凸出部分16a。
如上所述，成像元件11D具有其中密封玻璃16的凸出部分16a嵌在传感器基板13的凹部13b中的构成。因此，在成像元件11D中，可以防止例如由于传感器基板13和密封玻璃16之间的应力差异而发生热剥离以及由于不充分的粘合而在边界面处发生剥离。
此外，成像元件11D包括形成在传感器基板13的凹部13b中的有效像素区域17以及以包围外周的方式设置的外周壁13a。因此，利用外周壁13a，可以防止杂散光进入有效像素区域17。
将参照图17说明成像元件11D的变形例。请注意，在图17所示的成像元件11D-a中，与图16所示的成像元件11D共同采用的构成由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
如图17所示，成像元件11D-a具有以下结构。如同图16所示的成像元件11D那样，密封玻璃16的凸出部分16a以嵌在传感器基板13的凹部13b中的方式形成。此外，形成增强树脂15和锚固构件123。
在成像元件11D-a中，增强树脂15以沿着传感器基板13的外周壁13a将传感器基板13和密封玻璃16接合的方式形成。
锚固构件123形成为加强传感器基板13和密封玻璃16的固定，使得在成像元件11D-a的外周边区域中锚固构件123从传感器基板13侧贯通增强树脂15以到达密封玻璃16。例如，锚固构件123如下形成。形成从传感器基板13侧贯通增强树脂15以到达密封玻璃16的凹槽。然后，将具有比增强树脂15更高强度的材料埋在凹槽中。
例如，在成像元件11D-a中，可以在四个角附近的四个位置处形成锚固构件123-1～123-4，如图18的A所示。此外，在成像元件11D中，可以以包围有效像素区域17的方式在有效像素区域17的外周形成锚固构件123，如图18的B所示。
在如上所述构造的成像元件11D-a中，可以增强对于由于传感器基板13和密封玻璃16之间的应力差异而导致的热剥离以及由于不充分的粘合而在边界面处的剥离的耐性，使得耐性变得高于图16所示的成像元件11D。此外，在成像元件11D-a中，可以防止杂散光进入有效像素区域17，如同图16所示的成像元件11D那样。
将参照图19和图20说明制造成像元件11D-a的方法。请注意，在图19和图20中提供了关于类似于图17所示的断面部分的说明，而制造其他部分的方法类似于常规方法。
首先，在第一步骤中，在传感器基板13的中央区域中除了将要形成凹部13b的部分之外的区域，传感器基板13用光致抗蚀剂124图案化，使得其中将要形成凹部13b的部分形成开口，如图19所示。
在第二步骤中，例如，执行干蚀刻以在光致抗蚀剂124的开口处在传感器基板13中形成凹部13b。之后，去除光致抗蚀剂124以在凹部13b的中央区域中形成有效像素区域17。
在第三步骤中，将密封树脂14和增强树脂15涂布到传感器基板13的表面上。
在第四步骤中，将密封玻璃16贴合到传感器基板13上，使得凸出部分16a嵌在传感器基板13的凹部13b中。
随后，在第五步骤中，在传感器基板13的外周区域中除了将要形成锚固构件123的部分之外的区域，传感器基板13用光致抗蚀剂125图案化，使得其中将要形成锚固构件123的部分形成开口，如图20所示。
在第六步骤中，例如，执行干蚀刻以在光致抗蚀剂125的开口处在传感器基板13中形成凹槽126。之后，去除光致抗蚀剂125。
在第七步骤中，例如，将铜埋在传感器基板13的凹槽126中以形成锚固构件123。
在第八步骤中，切割晶片。因此，可以制造其中密封玻璃16的凸出部分16a嵌在传感器基板13的凹部13b中并且设置有锚固构件123的成像元件11D-a。
图21是示出成像元件11D的第二变形例的图。请注意，在图21所示的成像元件11D-b中，与图16所示的成像元件11D共同采用的构成由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
如图21所示，成像元件11D-b在传感器基板13的中央区域中设置有以断面视图中的凸出形状形成的凸出部分13c。此外，有效像素区域17形成在凸出部分13c上。然后，在成像元件11D-b中，外周壁16b以包围密封玻璃16的外周的方式形成，并且密封玻璃16和传感器基板13层叠成使得凸出部分13c嵌在由外周壁16b包围的凹部16c中。
即，在传感器基板13和密封玻璃16之间的凹凸关系方面，成像元件11D-b具有与图16所示的成像元件11D的构成相反的构成。因此，在成像元件11D-b中，可以防止例如由于传感器基板13和密封玻璃16之间的应力差异而发生热剥离以及由于不充分的粘合而在边界面处发生剥离，如同图16所示的成像元件11D那样。
请注意，成像元件11D-b也可以设置有增强树脂15和锚固构件123，如同图17所示的成像元件11D-a那样。
<成像元件的第五构成例>
图22是示出成像元件11的第五构成例的图。在图22的A中示出了成像元件11E的构成例的平面图，并且在图22的B中示出了设置在成像元件11E中的焊盘开口区域131的放大图。请注意，在图22所示的成像元件11E中，与图1所示的成像元件11共同采用的构成由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
如图22的A所示，成像元件11E包括沿着位于有效像素区域17的外侧的外周区域的一边设置的焊盘开口区域131。焊盘开口区域131包括形成为用于通过利用例如接合线将成像元件11E连接到外部的焊盘开口的焊盘开口部132，如图22的B所示。
图23示出了在成像元件11E中形成的焊盘开口部132的断面构成例。
如图23所示，焊盘开口部132以挖掘传感器基板13的方式形成。然后，在图23所示的构成例中，薄膜133形成在其中已经形成焊盘开口部132的传感器基板13的表面上，并且密封树脂14经由薄膜133层叠在传感器基板13上。
例如，在执行蚀刻以在传感器基板13中形成焊盘开口部132的情况下，设置有焊盘开口部132的台阶部以锐角形成。然后，如图23的放大图所示，通过形成在传感器基板13上的薄膜133减小在台阶部处形成的角度的锐度。换句话说，薄膜133形成为使得形成曲面。如上所述，通过利用薄膜133在焊盘开口部132的台阶部处提供圆度，因此可以防止例如在其中密封树脂14直接层叠在焊盘开口部132的台阶部上的构成中假想的局部应力的发生。
因此，在成像元件11E中，通过在传感器基板13上形成薄膜133，可以避免应力集中在焊盘开口部132的台阶部上并且可以防止局部应力。结果，可以防止密封树脂14断裂。
将参照图24说明制造成像元件11E的方法。请注意，在图24中提供了关于图23中所示的断面部分的说明，而制造其他部分的方法类似于常规方法。
在第一步骤中，通过干蚀刻等在传感器基板13中形成作为焊盘开口部132的凹部。
在第二步骤中，薄膜133形成在传感器基板13上。结果，作为焊盘开口部132的凹部的台阶部形成为曲面。
在第三步骤中，涂布作为密封树脂14的树脂材料，并且在第四步骤中，将密封玻璃16贴合到其上。
通过上述步骤，可以制造其中在焊盘开口部132的台阶部处形成的角度的锐度减小的成像元件11E。
将参照图25说明成像元件11E的变形例。如同图23那样，图25示出了在成像元件11E-a中形成的焊盘开口部132的断面构成例。请注意，在成像元件11E-a中，与图22和图23所示的成像元件11E共同采用的构成由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
如图25所示，在成像元件11E-a中，焊盘开口部132的侧面134形成有低于图22和图23所示的成像元件11E的梯度θ。结果，可以减小在设置成像元件11E-a的焊盘开口部132的台阶部处形成的角度的锐度。因此，也可以防止在成像元件11E-a中局部应力的发生，如同图22和图23所示的成像元件11E那样。
例如，如图23的放大图所示，设置在成像元件11E-a中的焊盘开口部132的侧面134被处理和形成为使得在其上形成多个台阶。因此，尽管形成有多个台阶的侧表面的每个台阶的倾斜度与图23所示的成像元件11E的焊盘开口部132的倾斜度类似，但是如图所示，通过处理和形成具有多个台阶的侧表面可以整体上减小侧面134的梯度θ。
因此，在成像元件11E中，通过减小焊盘开口部132的侧面134的梯度θ，可以避免应力集中在焊盘开口部132的台阶部上并且可以防止局部应力。结果，即使当成像元件11E-a具有其中密封树脂14直接放置在传感器基板13上使得它们层叠的结构时，也可以防止密封树脂14的断裂。
将参照图26说明制造成像元件11E-a的方法。请注意，在图26中提供了关于图25中所示的断面部分的说明，而制造其他部分的方法类似于常规方法。
在第一步骤至第三步骤中，通过干蚀刻等在传感器基板13中形成具有多个台阶的作为焊盘开口部132的凹部。结果，可以形成具有较低梯度θ的侧面134。请注意，这里说明了在侧面134上形成三个台阶的示例，但是侧面134形成有多个台阶，使得形成三个或更多个台阶。
在第四步骤中，涂布作为密封树脂14的树脂材料，并且在第五步骤中，将密封玻璃16贴合到其上。
通过上述步骤，可以制造其中通过以较低的梯度形成焊盘开口部132的侧面134来减小在台阶部处形成的角度的锐度的成像元件11E-a。
在如上所述构造的成像元件11E和成像元件11E-a中，还可以避免由于当进行热冲击试验时的温度变化引起的例如由密封树脂14的膨胀、收缩等造成的应力集中。结果，可以防止发生断裂。
将参照图27说明焊盘开口部132的断面的变形例。
在图27的A所示的焊盘开口部132a中，在焊盘开口部132中设置气隙135。换句话说，焊盘开口部132a形成为使得焊盘开口部132a是中空的并且没有填充密封树脂14。作为设置具有这种构造的焊盘开口部132a的结果，在密封树脂14上不形成台阶。因此，可以避免密封树脂14发生断裂。
在图27的B所示的焊盘开口部132b中，作为焊盘开口部132b的被挖掘部填充有增强树脂15，使得增强树脂15具有与传感器基板13的表面处于同一平面的平坦表面。然后，在传感器基板13和增强树脂15的表面上以平面方式形成密封树脂14。作为以这种方式用增强树脂15填充焊盘开口部132b的结果，在密封树脂14上不形成台阶。因此，可以避免密封树脂14发生断裂。
在图27的C所示的焊盘开口部132c中，作为焊盘开口部132c的被挖掘部填充有密封树脂14，使得密封树脂14具有与传感器基板13的表面处于同一平面的平坦表面。然后，在传感器基板13和密封树脂14的表面上以平面方式形成增强树脂15。作为以这种方式用密封树脂14填充焊盘开口部132c的结果，在密封树脂14上不形成台阶。因此，可以避免密封树脂14发生断裂。
在图27的D所示的焊盘开口部132d中，形成增强树脂15，使得增强树脂15从作为焊盘开口部132d的被挖掘部延伸到密封玻璃16，并且在增强树脂15的周围形成密封树脂14。换句话说，在平面图中，仅在形成焊盘开口部132d的区域中形成增强树脂15，使得密封树脂14不进入焊盘开口部132d。在具有这种构造的焊盘开口部132d中，作为防止在密封树脂14上形成台阶的结果，可以避免密封树脂14发生断裂。
在图27的E所示的焊盘开口部132e中，形成密封树脂14，使得密封树脂14从作为焊盘开口部132e的被挖掘部延伸到密封玻璃16，并且在密封树脂14的周围形成增强树脂15。换句话说，在平面图中，仅在形成焊盘开口部132e的区域中形成密封树脂14，使得密封树脂14不形成在焊盘开口部132e的台阶部处。在具有这种构造的焊盘开口部132e中，作为防止在密封树脂14上形成台阶的结果，可以避免密封树脂14发生断裂。
如参照图27说明的，通过采用避免在焊盘开口部132a～132e的台阶部处在密封树脂14上形成台阶的结构，可以避免由于当进行热冲击试验时的温度变化引起的例如由密封树脂14的膨胀、收缩等造成的密封树脂14的断裂的发生。
将参照图28说明焊盘开口部132的平面的变形例。
如图28的A所示，可以形成焊盘开口部132A，使得其平面形状为圆形，开口在平面图中形成为圆形，并且对台阶的角部进行倒角。通过具有这种形状的焊盘开口部132A也可以防止密封树脂14的断裂。
如图28的B所示，可以提供形成为大形状的焊盘开口部132B，以减少开口的数量，并且对台阶的角部进行倒角。通过具有这种形状的焊盘开口部132B也可以防止密封树脂14的断裂。
将参照图29说明焊盘开口部132附近的部分的变形例。
如图29所示，以包围焊盘开口部132C的方式形成增强树脂15，使得可以将填充焊盘开口部132C并在其附近形成的密封树脂14与形成在其他区域的密封树脂14分离。结果，即使由例如焊盘开口部132C的台阶部上的应力集中引起密封树脂14的断裂，利用增强树脂15包围焊盘开口部132C，也可以避免密封树脂14的断裂延伸到其他区域。
请注意，还可以通过设置气隙代替增强树脂15或者通过设置增强树脂15和气隙来将焊盘开口部132C与周围分离。
请注意，如上所述的成像元件11适用于各种电子设备。各种电子设备的示例包括诸如数字静态照相机和数字摄像机等图像拾取***、具有成像功能的移动电话以及具有成像功能的其他设备。
<图像拾取装置的构成例>
图30是示出将要安装在电子设备上的图像拾取装置的构成例的框图。
如图30所示，图像拾取装置201包括光学***202、成像元件203、信号处理电路204、监视器205和存储器206。图像拾取装置201能够拍摄静止图像和运动图像。
光学***202包括一个或多个透镜，并且将来自被写体的光(入射光)引导到成像元件203，以使图像形成在成像元件203的光接收面(传感器单元)上。
作为成像元件203，采用上述的成像元件11。根据经由光学***202在光接收面上形成的图像，电子在成像元件203中累积一段时间。然后，对应于在成像元件203中累积的电子的信号被供给到信号处理电路204。
信号处理电路204对从成像元件203输出的像素信号执行各种信号处理。通过信号处理电路204执行的信号处理获得的图像(图像数据)被供给到监视器205以进行显示，或者供给到存储器206以进行存储(记录)。
在如上所述构造的图像拾取装置201中，作为例如成像元件11的特性改善的结果，可以通过采用上述成像元件11来执行更好的成像。
<图像传感器的使用例>
图31是示出使用上述图像传感器的示例的图。
例如，上述的图像传感器(成像元件11)可以在各种情况下用于感测诸如可见光、红外光、紫外光和X射线等光，如下所述。
·用于拍摄将要提供用于鉴赏的图像的装置，例如，数码相机和具有相机功能的便携式机器。
·用于交通的装置，例如，用于拍摄车辆的前方、后方、周围、内部等的车载传感器，例如为了包括自动停止等的安全驾驶并且识别驾驶员的状况，用于监视行驶车辆和道路的监视相机，以及用于测量车辆之间的距离的距离测量传感器等。
·用于家用电器的装置，例如，电视机、冰箱和空调，以便拍摄用户手势的图像并根据手势操作装置。
·用于医疗保健的装置，例如，内窥镜和通过接收红外光进行血管造影的装置。
·用于安全的装置，例如，用于防止犯罪目的的监视相机和用于人物认证的相机。
·用于美容目的的装置，例如，用于拍摄皮肤的皮肤测量仪器和用于拍摄头皮的显微镜。
·用于运动的装置，例如，运动相机和用于运动用途的可穿戴相机等。
·用于农业的装置，例如，用于监视田地和农作物状况的相机。
请注意，本技术还可以采用以下构成。
(1)一种成像元件，包括：
传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；
透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；
第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，
其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。
(2)根据上面(1)所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述外周区域中设置在包含所述成像元件的芯片边缘的区域中，并且在所述成像元件的平面图中形成为不连续部分。
(3)根据上面(1)或(2)所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中沿着相对两边形成在至少两个位置。
(4)根据上面(1)或(2)所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中沿着所述芯片边缘的外周以分散方式形成在多个位置。
(5)根据上面(1)所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述外周区域中配置在不包含所述成像元件的芯片边缘的区域中。
(6)根据上面(5)所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中形成为不连续部分。
(7)根据上面(5)或(6)所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中沿着相对两边形成在所述成像元件的芯片边缘的内侧。
(8)根据上面(5)所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中在所述成像元件的芯片边缘的内侧以包围所述有效像素区域侧的方式连续形成。
(9)根据上面(5)或(6)所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中在所述成像元件的芯片边缘的内侧沿着所述成像元件的外周以分散方式形成在多个位置。
(10)根据上面(1)～(9)中任一项所述的成像元件，其中
被挖掘部设置在所述传感器基板或所述密封构件中的至少一个的外周区域中，
第一粘合构件埋在所述被挖掘部中。
(11)根据上面(1)～(10)中任一项所述的成像元件，其中
凹部形成在所述传感器基板的设置有所述有效像素区域的中央区域中，和
所述传感器基板和所述密封构件层叠，使得所述密封构件的凸出部分经由第一粘合构件嵌在所述凹部中，所述凸出部分根据所述凹部的形状形成为凸出形状。
(12)根据上面(11)中任一项所述的成像元件，其中
锚固构件在所述传感器基板的外周区域中以从所述传感器基板侧延伸到所述密封构件的方式形成。
(13)根据上面(1)～(12)中任一项所述的成像元件，其中
用于使焊盘开口的焊盘开口部形成在所述传感器基板的外周区域中，和
薄膜形成在所述焊盘开口部中。
(14)根据上面(1)～(12)中任一项所述的成像元件，其中
用于使焊盘开口的焊盘开口部形成在所述传感器基板的外周区域中，使得所述焊盘开口部以多个台阶状开口。
(15)根据上面(1)～(12)中任一项所述的成像元件，其中
用于使焊盘开口的焊盘开口部形成在所述传感器基板的外周区域中，并且具有避免在所述焊盘开口部的台阶部处在第一粘合构件上形成台阶的结构。
(16)一种制造成像元件的方法，所述成像元件包括：
传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；
透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；
第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，
其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积，
所述方法包括：
形成在所述传感器基板或所述密封构件的外周区域中具有不连续部分的第二粘合构件；
在除了形成有第二粘合构件的区域之外的整个表面上形成第一粘合构件；和
用第一粘合构件和第二粘合构件将所述传感器基板和所述密封构件接合。
(17)一种制造成像元件的方法，所述成像元件包括：
传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；
透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；
第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，
其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积，
所述方法包括：
在所述成像元件被分成单独片之前的晶片级，形成第二粘合构件，使得第二粘合构件配置在除了将要形成所述成像元件的芯片边缘的部分之外的外周区域中；
在除了形成有第二粘合构件的区域之外的整个表面上形成第一粘合构件；
用第一粘合构件和第二粘合构件将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
在将要形成所述成像元件的芯片边缘的部分处进行切割。
(18)一种包括成像元件的电子设备，所述成像元件包括：
传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；
透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；
第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，
其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。
请注意，本实施方案不限于上述实施方案，并且在不脱离本公开的主旨的情况下可以进行各种修改。
附图标记列表
11 成像元件
12 支撑基板
13 传感器基板
14 密封树脂
15 增强树脂
16 密封玻璃
17 有效像素区域

Claims (18)

1.一种成像元件，包括：
传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；
透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；
第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，
其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。
2.根据权利要求1所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述外周区域中设置在包含所述成像元件的芯片边缘的区域中，并且在所述成像元件的平面图中形成为不连续部分。
3.根据权利要求2所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中沿着相对两边形成在至少两个位置。
4.根据权利要求2所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中沿着所述芯片边缘的外周以分散方式形成在多个位置。
5.根据权利要求1所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述外周区域中配置在不包含所述成像元件的芯片边缘的区域中。
6.根据权利要求5所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中形成为不连续部分。
7.根据权利要求6所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中沿着相对两边形成在所述成像元件的芯片边缘的内侧。
8.根据权利要求5所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中在所述成像元件的芯片边缘的内侧以包围所述有效像素区域侧的方式连续形成。
9.根据权利要求6所述的成像元件，其中
第二粘合构件在所述成像元件的平面图中在所述成像元件的芯片边缘的内侧沿着所述成像元件的外周以分散方式形成在多个位置。
10.根据权利要求1所述的成像元件，其中
被挖掘部设置在所述传感器基板或所述密封构件中的至少一个的外周区域中，
第一粘合构件埋在所述被挖掘部中。
11.根据权利要求1所述的成像元件，其中
凹部形成在所述传感器基板的设置有所述有效像素区域的中央区域中，和
所述传感器基板和所述密封构件层叠，使得所述密封构件的凸出部分经由第一粘合构件嵌在所述凹部中，所述凸出部分根据所述凹部的形状形成为凸出形状。
12.根据权利要求11所述的成像元件，其中
锚固构件在所述传感器基板的外周区域中以从所述传感器基板侧延伸到所述密封构件的方式形成。
13.根据权利要求1所述的成像元件，其中
用于使焊盘开口的焊盘开口部形成在所述传感器基板的外周区域中，和
薄膜形成在所述焊盘开口部中。
14.根据权利要求1所述的成像元件，其中
用于使焊盘开口的焊盘开口部形成在所述传感器基板的外周区域中，使得所述焊盘开口部以多个台阶状开口。
15.根据权利要求1所述的成像元件，其中
用于使焊盘开口的焊盘开口部形成在所述传感器基板的外周区域中，并且具有避免在所述焊盘开口部的台阶部处在第一粘合构件上形成台阶的结构。
16.一种制造成像元件的方法，所述成像元件包括：
传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；
透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；
第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，
其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积，
所述方法包括：
形成在所述传感器基板或所述密封构件的外周区域中具有不连续部分的第二粘合构件；
在除了形成有第二粘合构件的区域之外的整个表面上形成第一粘合构件；和
用第一粘合构件和第二粘合构件将所述传感器基板和所述密封构件接合。
17.一种制造成像元件的方法，所述成像元件包括：
传感器基板，其设置有其中多个像素以阵列状布置的有效像素区域；
透明密封构件，其密封所述传感器基板的有效像素区域侧的表面；
第一粘合构件，其在至少包含所述有效像素区域的区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，
其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积，
所述方法包括：
在所述成像元件被分成单独片之前的晶片级，形成第二粘合构件，使得第二粘合构件配置在除了将要形成所述成像元件的芯片边缘的部分之外的外周区域中；
在除了形成有第二粘合构件的区域之外的整个表面上形成第一粘合构件；
用第一粘合构件和第二粘合构件将所述传感器基板和所述密封构件接合；和
在将要形成所述成像元件的芯片边缘的部分处进行切割。
18.一种包括成像元件的电子设备，所述成像元件包括：
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第二粘合构件，其在平面图中的位于所述有效像素区域的外侧的外周区域中将所述传感器基板和所述密封构件接合，并且具有比第一粘合构件更高的刚性，
其中在所述外周区域中的第一粘合构件和第二粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述外周区域中接合的部分的面积的乘积设定为大于在所述有效像素区域中的第一粘合构件的每单位面积的粘合强度与在所述有效像素区域中接合的部分的面积的乘积。
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