CN109913221B - 氮化硅膜的蚀刻组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种氮化硅膜的蚀刻组合物，其是在半导体工序中对氮化硅膜进行蚀刻而去除时使用、且在高温的蚀刻工序中与氧化硅膜相比氮化硅膜的蚀刻速度选择性高的半导体制造用氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物。上述氮化硅膜的蚀刻组合物包含下述化学式1或化学式2所表示的化合物以及磷酸、硅化合物、氨基酸化合物和水，下述化学式1或化学式2中，R1、R2各自独立地选自氢、羟基、烷基或羧基。根据本发明，高选择比蚀刻组合物能够对所层叠的氮化硅膜和氧化硅膜中的氮化硅膜进行选择性蚀刻、即以高选择比进行蚀刻，同时使对于氧化硅膜的损伤以及蚀刻速度最小化，不发生随着工序时间的氧化硅膜的再生长。化学式1
化学式2
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化硅膜的蚀刻组合物，其是在半导体工序中对氮化硅膜进行蚀刻而去除时使用，在高温的蚀刻工序中与氧化硅膜相比氮化硅膜的蚀刻速度选择性高的半导体制造用氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物。
背景技术
半导体制造工序要求能够通过导入三维结构而持续提高集成度的层叠结构形成技术。在半导体制造工序中，氧化硅膜(SiO2)和氮化硅膜(SiNx)是代表性的绝缘膜，它们各自单独使用或者一层以上的膜交替层叠而使用，这样的氧化膜以及氮化膜也作为用于形成金属配线等导电性图案的硬掩模而使用。氮化硅膜和氧化硅膜是形成用于三维NAND闪存栅极形成的层叠结构的主绝缘膜。
为了形成上述层叠结构，氮化硅膜例如可以通过使用包含磷酸的蚀刻液或蚀刻组合物的湿式蚀刻工序而被去除。此外，根据半导体装置中所包含的多种多样的图案形成的需要，可能要求氮化硅膜的选择性蚀刻工序。需要相对于氧化硅膜会选择性蚀刻氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物。
专利文献1公开了包含磷酸和氢氟酸的半导体元件的氮化膜蚀刻液。但是，在蚀刻液包含氢氟酸的情况下，会因氧化硅膜也被一同去除而无法确保相对于氧化膜的氮化膜的充分的蚀刻选择比，具有氧化硅膜的损伤、图案的崩塌、氧化硅膜的再生长等在高度层叠结构的图案中不能使用的问题。
此外，在用于去除氮化膜的湿式蚀刻工序中，一般使用磷酸和去离子水的混合物。去离子水是为了防止蚀刻率下降以及对于氧化膜的蚀刻选择性的变化而添加的，但是存在即使所供给的去离子水的量发生微小变化也会对氮化膜蚀刻去除工序造成不良的问题。为了解决该问题，以往公开了利用在磷酸中包含氢氟酸或硝酸等的蚀刻组合物将氮化膜去除的技术，但这反而导致了使氮化膜与氧化膜的蚀刻选择比减小的结果。
专利文献2公开了在磷酸中包含肟硅烷的氮化硅膜蚀刻用组合物。但是，上述组合物存在溶解度低而发生颗粒附着于半导体基板或氧化硅膜的问题。
为了解决这样的问题，过去研究了使用抑制氧化硅膜的蚀刻的添加物即硅酸盐、氟硅酸、氟硅酸盐等氧化硅膜蚀刻抑制剂或氮化硅膜蚀刻增加剂来选择性提高蚀刻速度的技术，且专利文献3公开了一种氮化膜蚀刻组合物，其是包含磷酸、含有硅-氟键的硅-氟化合物、磺酰亚胺系防吸附剂、高分子系防吸附剂和水的蚀刻组合物。但是，存在由添加物导致的组合物中的硅浓度增加，且随着工序时间经过氧化硅膜发生再生长的问题。
现有技术文献
专利文献
1.韩国公开专利公报10-2005-0003163
2.韩国公开专利公报10-2011-0037741
3.韩国公开专利公报10-2013-0068952
发明内容
所要解决的课题
为了解决上述问题，本发明提供一种高选择比蚀刻组合物，其以高选择比对所层叠的氮化硅膜和氧化硅膜中的氮化硅膜进行蚀刻，且使对于氧化硅膜的损伤以及蚀刻速度最小化，不发生随着工序时间的氧化硅膜的再生长。
解决课题的方法
为了实现上述目的，本发明开发了一种即使工序时间经过也不发生氧化硅膜的再生长以及氧化硅膜损伤问题，且能够以恒定的速度对氮化硅膜进行蚀刻的氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物，本发明提供包含下述化学式1或化学式2所表示的化合物以及磷酸、硅化合物、氨基酸化合物和水的氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物。
[化学式1]
上述化学式1或化学式2中，R1、R2各自独立地选自氢、羟基、烷基或羧基。
上述烷基作为C1-C10烷基，是指具有1～10个碳原子的直链烷基、支链烷基、环烷基、被烷基取代的环烷基和被环烷基取代的烷基等饱和脂肪族基的自由基。
上述直链或支链烷基在其主链具有10个以下的碳原子。
具体地，上述烷基可以为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、苄基和苯基。
此外，本发明提供相对于总重量包含磷酸60～85重量％、上述化学式1或化学式2的化合物0.1～10重量％、氨基酸化合物0.001～5重量％、硅化合物0.005～1重量％和余量的水的氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物。
上述蚀刻组合物的特征在于，相对于氧化硅膜，选择性蚀刻氮化硅膜。
此外，根据本发明的一实施例，提供氮化硅膜蚀刻速度与氧化硅膜蚀刻速度的选择比为2000：1以上的氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物。
发明效果
根据本发明，高选择比蚀刻组合物能够对所层叠的氮化硅膜和氧化硅膜中的氮化硅膜进行选择性蚀刻、即以高选择比进行蚀刻，同时使对于氧化硅膜的损伤以及蚀刻速度最小化，不发生随着工序时间的氧化硅膜的再生长。
具体实施方式
以下，对于根据发明的具体的实施例的氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻速度为高选择比的半导体制造用蚀刻组合物进行更详细说明。但是，对于本领域的技术人员显而易见的是，这里提供的是发明的一个例示，发明的权利要求范围不会受此限定，在发明的权利要求范围内能够对实施方式进行各种各样的变形。下述实施例和比较例中，如果没有另行提及，则组合物的成分比按照重量比来计算。本发明的实施例和附图中表示的蚀刻速度不是与蚀刻组合物评价时间成比例的数值，在所示出的评价条件以外的环境中，蚀刻速度和选择比可以被另行表示。
蚀刻组合物的制造
用于实现本发明的课题的各实施例包含磷酸以及化学式1或化学式2所表示的化合物、硅化合物、氨基酸和作为溶剂的水。
[化学式1]
上述化学式1或化学式2中，R1、R2各自独立地选自氢、羟基、烷基或羧基。
上述烷基作为C1-C10烷基，是指具有1～10个碳原子的直链烷基、支链烷基、环烷基、被烷基取代的环烷基和被环烷基取代的烷基等饱和脂肪族基的自由基。
上述直链或支链烷基在其主链具有10个以下的碳原子。
具体地，上述烷基可以为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、苄基和苯基。
根据各实施例，蚀刻用组合物以整体组合物为基准包含磷酸60～85重量％、上述化学式1或化学式2的化合物0.1～10重量％、氨基酸系化合物0.001～5重量％、硅化合物0.005～1重量％以及剩余含量的作为溶剂的水。
下述实施例和比较例中，如果没有另行提及，则组合物的剩余重量用水来计算并添加。例如，在制造上述蚀刻组合物以及性能评价比较中，为了进行蚀刻组合物中除了磷酸含量以外的剩余组合物的性能评价比较，以整体组合物为基准，磷酸的含量应当一直维持恒定。
磷酸作为用于氮化膜蚀刻的主蚀刻成分而发挥作用，以整体组合物为基准，磷酸的添加量为60～85重量％。在磷酸的含量低于60重量％的情况下，氮化硅膜的去除不充分，且整体的蚀刻速度可能降低。此外，存在产生颗粒的担忧。另一方面，在磷酸的含量超过85重量％的情况下，难以期待含量增加带来的更多的效果提高。
在上述蚀刻用组合物进一步包含上述化学式1或化学式2的化合物的情况下，即使长时间使用上述蚀刻用组合物，也不发生蚀刻速度下降以及选择度变化，具有恒定地维持蚀刻速度的效果。此外，会改善表面以及抑制氧化硅膜的再生长。
上述化学式1或化学式2的化合物的含量优选为0.1～10重量％，在上述化合物的添加量低于0.1重量％的情况下，在长时间使用时，维持选择比的效果减小，在上述化合物的添加量超过10重量％的情况下，氮化硅膜和氧化硅膜的蚀刻速度可能发生变化而改变选择比。更优选地，上述化学式1或化学式2的化合物的含量为0.2～0.5重量％。
上述硅化合物选自六氟硅酸盐(Hexafluorosilicate)、硅酸铝(Aluminumsilicate)、硅酸钙(Calcium silicate)、正硅酸乙酯(Tetraethylorthosilicate)、正硅酸乙酯(Tetraethyl orthosilicate)、硅酸盐(Silicate)、氟硅酸钠(Sodiumfluorosilicate)、六氟硅酸钠(Sodium hexafluorosilicate)、3-氨基丙基三甲氧基硅烷(3-aminoproply trimethoxysilan)、氨基乙基氨基三甲氧基硅烷(Aminoethyl-aminotrimethoxysilan)、二氯硅烷(Dichlorosilan)。上述硅化合物的含量为0.005～1重量％，在硅化合物的添加量低于0.005重量％的情况下，可以得到对于氮化硅膜的高蚀刻选择比，在硅化合物的添加量超过1重量％的情况下，难以期待含量增加带来的更多的效果提高，反而存在产生颗粒的问题。更优选地，硅化合物的含量为0.3～0.5重量％。
上述氨基酸化合物选自精氨酸(Arginine)、组氨酸(Histidine)、赖氨酸(Lysine)、丝氨酸(Serine)、苏氨酸(Threonine)、天冬酰胺(Asparagine)、谷氨酰胺(Glutamine)、丙氨酸(Alanine)、缬氨酸(Valine)、异亮氨酸(Isoleucine)、亮氨酸(Leucine)、蛋氨酸(Methionine)、苯基丙氨酸(Phenylalanine)、酪氨酸(Tyrosine)、色氨酸(Tryptophan)、半胱氨酸(Cysteine)、硒半胱氨酸(Selenocysteine)、甘氨酸(Glycine)、脯氨酸(Proline)、天冬氨酸(Aspartic Acid)、谷氨酸(Glutamic Acid)、3-三氟丙氨酸(3-Trifluoroalanine)，发挥保护与氧化硅膜一同层叠的作为绝缘膜的氮化硅膜的作用。如果使用通常使用的防腐剂，则上述化学式1或化学式2化合物的氮化硅膜的选择性蚀刻特性显著下降，如果氮化硅膜的蚀刻特性下降，则无法实现对于氧化硅膜的保护。但是，在使用上述氨基酸化合物的情况下，通过将氮化硅膜的蚀刻所导致的硅离子螯合(Chelating)，从而具有能够抑制氧化硅膜的再生长而改善氧化硅膜的表面状态的效果。
相对于整体组合物100重量％，氨基酸化合物的使用量优选为0.001～5重量％。在上述氨基酸化合物的使用量低于0.001重量％的情况下，对于氧化硅膜的保护性能下降，在氨基酸化合物的添加量超过5重量％的情况下，对于保护性能的提高效果微乎其微，不仅如此，还可能使氮化硅膜的蚀刻性能下降。
上述氮化硅膜的高选择比蚀刻组合物相对于氧化硅膜选择性蚀刻氮化硅膜，氮化硅膜蚀刻速度与氧化硅膜蚀刻速度的选择比为2000∶1以上，能够无氧化硅膜损伤地选择性蚀刻氮化硅膜。上述蚀刻组合物中所包含的余份的水包含例如蒸馏水或去离子水(DIW)，其含量可以为上述组合物的余量。
蚀刻组合物的蚀刻速度和表面状态评价
本发明的各实施例使用包含磷酸、化学式1或化学式2的化合物、硅化合物、氨基酸以及作为溶剂的水的蚀刻组合物来评价蚀刻速度。
投入300g评价蚀刻组合物且将温度升至157℃后，将能够维持磷酸含量的水分含量调节为恒定。用于测定蚀刻速度的氮化硅膜晶片是具有
厚度的晶片，为了评价，制成横向1cm、纵向4cm的试片，测定蚀刻前后的厚度。用于测定蚀刻速度的氧化硅膜晶片是具有
厚度的晶片，为了评价，制成横向1cm、纵向4cm的试片，测定蚀刻前后的厚度。在达到正常状态的蚀刻组合物中投入氮化硅膜和氧化硅膜，测定蚀刻速度。氮化硅膜以及氧化硅膜的蚀刻速度以每分钟蚀刻速度进行计算，选择比以氮化硅膜蚀刻速度与氧化硅膜蚀刻速度之比进行计算。
[A：氮化硅膜的蚀刻速度，B：氧化硅膜的蚀刻速度，C：选择比]
下述实施例和比较例中，关于表面状态评价，使用扫描电子显微镜对进行过蚀刻速度评价的氧化硅膜的表面状态进行观察，作为其结果，赋予1至10的不同等级的相对平均分数。表面状态评价基准以再生长颗粒的大小和形状以及频率为中心赋予等级分数。下述等级分数中，1指状态最差的表面，10表示最好的表面状态。
比较例1
使用具有磷酸83重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度。测定结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与实施例相比，选择比低，表面状态改善不足。
比较例2
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.2重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度。测定结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与实施例相比，选择比低，表面状态改善不足。
实施例1
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.2重量％、丙氨酸1重量％、硅化合物0.005重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1和比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度减小，但选择比低，且表面状态没有大幅改善。
实施例2
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.2重量％、丙氨酸1重量％、硅化合物0.1重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1以及比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度减小，但选择比低至60，且氧化硅膜表面状态部分改善。
实施例3
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.2重量％、丙氨酸1重量％、硅化合物0.3重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1和比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度明显减小，氮化硅膜蚀刻速度与氧化硅膜相比，选择比为约2300：1，很高。但是，与具有相同选择比的实施例7和实施例8相比，氧化硅膜表面状态等级分数低。
实施例4
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.2重量％、丙氨酸1重量％、硅化合物0.5重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1和比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度明显减小，且与比较例1相比氮化硅膜蚀刻速度减小约
氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比为5450：1，非常高，但在氧化硅膜表面状态中出现再生长粒子等，因此等级分数低。
实施例5
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.5重量％、丙氨酸1重量％、硅化合物0.05重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例磷酸相比，氧化硅膜蚀刻速度减小，低至51。但是，氧化硅膜表面状态与实施例1、实施例2、实施例3、实施例4相比，再生长粒子少，表面状态改善。
实施例6
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.5重量％、丙氨酸1重量％、硅化合物0.1重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1以及比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度减小，但氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比为114，比实施例3、实施例4、实施例7、实施例8低。但是，氧化硅膜表面状态与实施例1、实施例2、实施例3、实施例4相比，再生长粒子少，表面状态改善。
实施例7
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.5重量％、丙氨酸1重量％、硅化合物0.3重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1以及比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度明显减小，氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比高达2083。氧化硅膜的表面状态也没有再生长粒子，表面状态改善而具有干净的表面。能够通过使用0.3重量％硅化合物而降低氧化硅膜的蚀刻速度，且利用0.5重量％化学式1或化学式2的化合物改善表面以及抑制再生长。
实施例8
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.5重量％、丙氨酸1重量％、硅化合物0.5重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1以及比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度明显减小，氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比高达2340。氧化硅膜的表面状态也几乎没有再生长粒子，表面状态改善而具有干净的表面。能够通过使用0.5重量％硅化合物降低氧化硅膜的蚀刻速度，且利用0.5重量％化学式1或化学式2的化合物改善表面状态以及抑制再生长。
实施例9
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.5重量％、丙氨酸2重量％、硅化合物0.05重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1以及比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度减小，氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比低至42。氧化硅膜的表面状态与化学式1或化学式2的化合物0.2重量％、丙氨酸1重量％的实施例1、实施例2、实施例3、实施例4相比，再生长粒子少而具有改善了的表面。当比较上述实施例1和实施例9时，可以证明化学式1或化学式2的化合物和丙氨酸的增量具有改善氧化硅膜表面状态的效果。
实施例10
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.5重量％、丙氨酸2重量％、硅化合物0.1重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1以及比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度减小，氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比低至58。氧化硅膜的表面状态与化学式1或化学式2的化合物0.2重量％、丙氨酸1重量％的实施例1、实施例2、实施例3、实施例4相比，再生长粒子少而具有改善了的表面。当比较上述实施例2和实施例10时，可以证明化学式1或化学式2的化合物和丙氨酸的增量具有改善氧化硅膜表面状态的效果。
实施例11
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.5重量％、丙氨酸2重量％、硅化合物0.3重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1以及比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度减小，氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比为169，比实施例3、实施例4、实施例7、实施例8低。氧化硅膜的表面状态与化学式1或化学式2的化合物0.2重量％、丙氨酸1重量％的实施例1、实施例2、实施例3、实施例4相比，再生长粒子少而具有改善了的表面。当比较上述实施例3和实施例11时，氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比虽没有提高，但可以证明化学式1或化学式2的化合物和丙氨酸的增量具有改善氧化硅膜表面状态的效果。
实施例12
使用具有磷酸83重量％、化学式1或化学式2的化合物0.5重量％、丙氨酸2重量％、硅化合物0.5重量％组成的蚀刻组合物测定蚀刻速度，结果为氮化硅膜
氧化硅膜
与比较例1以及比较例2相比，氧化硅膜蚀刻速度减小，氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比为223，比实施例3、实施例4、实施例7、实施例8低。氧化硅膜的表面状态与化学式1或化学式2的化合物0.2重量％、丙氨酸1重量％的实施例1、实施例2、实施例3、实施例4相比，再生长粒子少而具有改善了的表面。当比较上述实施例4和实施例12时，氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻速度选择比虽没有提高，但可以证明化学式1或化学式2的化合物和丙氨酸的增量具有改善氧化硅膜表面状态的效果。
[表1]
表1中示出了本发明的实施例和比较例的氮化硅膜、氧化硅膜的蚀刻速度以及氧化硅膜表面状态。
在以本发明的含量比定量包含磷酸、化学式1或化学式2的化合物、丙氨酸、硅化合物的情况下，与比较例1和比较例2相比，能够实现低水平的氧化硅膜速度。氧化硅膜的蚀刻速度与硅化合物的含量成反比例，这可以导致氮化硅膜蚀刻速度的高选择比。在实施例1与实施例9、实施例2与实施例10、实施例3与实施例11、实施例4与实施例12的比较中，如上所述，化学式1或化学式2的化合物和作为氨基酸化合物的丙氨酸含量的增加可以抑制氧化硅膜表面再生长，保护表面。
产业上可利用性
通过本发明，包含磷酸、化学式1或化学式2的化合物、硅化合物、氨基酸化合物以及溶剂水的上述蚀刻用组合物能够实现氮化硅膜蚀刻速度与氧化硅膜蚀刻速度的选择比为2000：1以上，抑制氧化硅膜表面的再生长。
Claims (7)
1.一种氮化硅膜的蚀刻组合物，包含下述化学式1或化学式2所表示的化合物以及磷酸、硅化合物、氨基酸化合物和水，
化学式1
化学式2
所述化学式1或化学式2中，R1、R2各自独立地选自氢、羟基、烷基或羧基。
2.根据权利要求1所述的氮化硅膜的蚀刻组合物，其特征在于，相对于总重量，包含磷酸60～85重量％、所述化学式1或化学式2的化合物0.1～10重量％、氨基酸化合物0.001～5重量％、硅化合物0.005～1重量％和余量的水。
3.根据权利要求1所述的氮化硅膜的蚀刻组合物，其特征在于，所述硅化合物选自六氟硅酸盐、正硅酸乙酯、硅酸盐、氟硅酸钠、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、二氯硅烷。
4.根据权利要求1所述的氮化硅膜的蚀刻组合物，其特征在于，所述硅化合物选自硅酸铝、硅酸钙、六氟硅酸钠。
5.根据权利要求1所述的氮化硅膜的蚀刻组合物，其特征在于，所述氨基酸化合物选自精氨酸、组氨酸、赖氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、丙氨酸、缬氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、蛋氨酸、苯基丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、半胱氨酸、硒半胱氨酸、甘氨酸、脯氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、3-三氟丙氨酸。
6.根据权利要求1所述的氮化硅膜的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻组合物相对于氧化硅膜选择性蚀刻氮化硅膜。
7.根据权利要求1所述的氮化硅膜的蚀刻组合物，其特征在于，所述组合物相对于总重量包含磷酸60～85重量％、所述化学式1或化学式2的化合物0.2～0.5重量％、氨基酸化合物0.001～5重量％、硅化合物0.3～0.5重量％和余量的水，且所述组合物的氮化硅膜蚀刻速度与氧化硅膜蚀刻速度的选择比为2000:1以上。
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