CN109872959A - 烟雾判定方法、基板处理方法及基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够定量地判定腔室内的烟雾的产生状况是否正常的烟雾判定方法、基板处理方法及基板处理装置。在一边在腔室的内部水平地保持基板、一边对基板的上表面供给处理液的装置中,判定烟雾的产生状况。具体来说,首先,对腔室内的规定的拍摄区域进行拍摄(步骤S62)。接着,基于通过拍摄而获取到的拍摄图像的亮度值,判定腔室内的烟雾的产生状况(步骤S63)。由此,能够定量地判定腔室内的烟雾的产生状况是否正常。
Description
技术领域
本发明涉及一种在半导体晶片等薄板状的基板的制造工序中所使用的装置中,判定烟雾的产生状况的方法、基板处理方法及基板处理装置。
背景技术
先前,在半导体晶片的制造工序中,是使用对基板供给光致抗蚀剂液、蚀刻液、洗涤液、纯水等各种处理液,对基板的表面进行处理的基板处理装置。关于现有的基板处理装置,例如,已记载于专利文献1中。专利文献1所述的装置包括保持基板并使所述基板旋转的旋转机构、以及对借由旋转机构而旋转的基板的被处理面供给处理液的供给喷嘴(参照技术方案1、图1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2010-056405号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
在这种基板处理装置中,对基板的表面已供给特定的处理液时,有时会产生被称为烟雾(fume)的包含多个微粒(例如,固体微粒、水滴等微小液体等)的环境气体。例如,在将硫酸与过氧化氢水的混合液即SPM(sulfuric acid and hydrogen peroxide mixture)洗涤液供给至基板的表面的工序中,会产生所述烟雾。众说周知,特别是在供给150℃以上的高温的SPM洗涤液的情况下,或者在供给SPM洗涤液之后,使硫酸的供给停止而只追加供给过氧化氢水的情况下,容易产生烟雾。
当这种烟雾扩散至基板处理装置的腔室内并附着于各部时,所附着的烟雾不久会固化而变为颗粒(particle)。接着,所述颗粒有可能附着在基板的表面,对基板进行污染。因此,理想的是准确掌握腔室内的烟雾的产生状况,在异常时进行处置。但是,在现有的基板处理装置中,腔室内的烟雾的产生状况是否正常,是人通过肉眼观察来判断。
本发明是鉴于如上所述的情况而完成的,目的在于提供一种能够定量地判定腔室内的烟雾的产生状况是否正常的烟雾判定方法及基板处理装置。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述问题,本申请的第一发明是一种烟雾判定方法,判定一边在腔室的内部水平地保持基板、一边对基板的上表面供给处理液的装置中的烟雾的产生状况,所述烟雾判定方法包括如下的工序:a)对所述腔室内的规定的拍摄区域进行拍摄;以及b)基于通过所述工序a)而获取到的拍摄图像的亮度值,判定所述腔室内的烟雾的产生状况。
本申请的第二发明根据第一发明的烟雾判定方法,其中所述工序b)包括如下的工序:b-1)生成预先获取到的所述拍摄区域的参考图像与所述拍摄图像的亮度值的差分图像;以及b-2)基于所述差分图像,判定所述腔室内的烟雾的产生状况。
本申请的第三发明根据第二发明的烟雾判定方法,其中所述拍摄区域包含至少一个评估区域,在所述工序b-2)中,基于所述差分图像中的所述评估区域的亮度值的合计值或平均值,判定所述评估区域内的烟雾的产生状况。
本申请的第四发明根据第三发明的烟雾判定方法,其中在所述工序b-2)中,基于所述差分图像中的所述评估区域的亮度值的合计值或平均值与预先设定的第一阈值的比较结果,判定所述评估区域内的烟雾的产生状况。
本申请的第五发明根据第四发明的烟雾判定方法,其中在所述工序a)中,反复拍摄所述拍摄区域,在所述工序b-1)中,基于通过所述工序a)而获取到的多个拍摄图像,生成多个所述差分图像,在所述工序b-2)中,当所述评估区域的亮度值的合计值或平均值为所述第一阈值以上时,将所述合计值或所述平均值作为累计对象值,对从所述累计对象值减去所述第一阈值所获得的超过值或所述累计对象值进行累计,基于所获得的累计值与预先设定的第二阈值的比较结果,判定所述评估区域内的烟雾的产生状况。
本申请的第六发明根据第三发明的烟雾判定方法,其中所述评估区域包含水平地保持着的基板的上方的空间。
本申请的第七发明根据第六发明的烟雾判定方法,其中所述评估区域包含与配置在基板的上方的圆板状的遮断板的下表面接近的空间。
本申请的第八发明根据第三发明的烟雾判定方法,其中所述拍摄区域包含多个所述评估区域,在所述工序b)中,判定多个所述评估区域的每一个的烟雾的产生状况。
本申请的第九发明根据第八发明的烟雾判定方法,其中多个所述评估区域包含与水平地保持着的基板的上表面接近的空间。
本申请的第十发明根据第一发明至第九发明中任一发明的烟雾判定方法,其中所述装置对基板的上表面供给包含硫酸及过氧化氢水的洗涤液,作为所述处理液。
本申请的第十一发明根据第十发明的烟雾判定方法,其中所述装置在对基板的上表面供给所述洗涤液之后,使硫酸的供给停止,而进行对基板的上表面供给过氧化氢水的过水挤出处理,并且至少在所述过水挤出处理时,执行所述工序a)及所述工序b)。
本申请的第十二发明是一种基板处理方法,其是一边在腔室的内部水平地保持基板、一边对基板的上表面供给处理液的装置中的基板处理方法,所述装置包括包围基板的杯体(cup)、以及从所述杯体的内侧的空间向所述腔室的外部排出气体的排气部,所述基板处理方法包括如下的工序:a)对所述腔室内的规定的拍摄区域进行拍摄;b)基于通过所述工序a)而获取到的拍摄图像的亮度值,判定所述腔室内的烟雾的产生状况;以及c)基于所述工序b)的判定结果,变更所述杯体的上下方向上的位置。
本申请的第十三发明根据第十二发明的基板处理方法,其中在所述工序b)中,将所述烟雾的产生状况判定为异常时,在所述工序c)中,使所述杯体从第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置。
本申请的第十四发明根据第十三发明的基板处理方法,其中所述装置还包括位于所述杯体的外侧的环状壁,所述第二位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙小于所述第一位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙。
本申请的第十五发明根据第十二发明至第十四发明中任一发明的基板处理方法,其中所述装置包含多重地包围基板的多个杯体,在所述工序c)中,基于所述工序b)的判定结果,变更所述多个杯体之中最外侧的杯体的上下方向上的位置。
本申请的第十六发明是一种基板处理装置,包括:腔室;基板保持部,在所述腔室的内部水平地保持基板;处理液供给部,对所述基板保持部所保持的基板的上表面供给处理液;摄像部,对所述腔室内的规定的拍摄区域进行拍摄;以及判定部,基于所述摄像部所获取到的拍摄图像的亮度值,判定所述腔室内的烟雾的产生状况。
本申请的第十七发明根据第十六发明的基板处理装置,其中所述判定部生成预先获取到的所述拍摄区域的参考图像与所述拍摄图像的亮度值的差分图像,并基于所述差分图像,判定所述腔室内的烟雾的产生状况。
本申请的第十八发明根据第十七发明的基板处理装置,其中所述拍摄区域包含至少一个评估区域,所述判定部基于所述差分图像中的所述评估区域的亮度值的合计值或平均值,判定所述评估区域内的烟雾的产生状况。
本申请的第十九发明根据第十八发明的基板处理装置,其中所述评估区域包含水平地保持着的基板的上方的空间。
本申请的第二十发明根据第十九发明的基板处理装置,其还包括配置在基板的上方的圆板状的遮断板,所述评估区域包含与所述遮断板的下表面接近的空间。
本申请的第二十一发明根据第二十发明的基板处理装置,其还包括遮断板升降机构,所述遮断板升降机构是使所述遮断板在从基板的上表面向上方远离的上方位置与比所述上方位置更接近基板的上表面的下方位置之间移动,所述判定部在将所述评估区域内的烟雾的产生状况判定为异常时,禁止所述遮断板升降机构使所述遮断板从所述上方位置下降至所述下方位置。
本申请的第二十二发明根据第十六发明的基板处理装置,其还包括使所述腔室内产生气流的气流产生机构,所述气流产生机构根据所述判定部的判定结果,改变所述气流。
本申请的第二十三发明根据第十六发明的基板处理装置,其中所述处理液供给部供给包含硫酸及过氧化氢水的洗涤液,作为所述处理液。
本申请的第二十四发明根据第二十三发明的基板处理装置,其中所述处理液供给部在对基板的上表面供给所述洗涤液之后,使硫酸的供给停止,而进行对基板的上表面供给过氧化氢水的过水挤出处理,所述摄像部至少在所述过水挤出处理时,进行所述拍摄。
本申请的第二十五发明根据第十六发明至第二十四发明中任一发明的基板处理装置,其包括包围基板的杯体、从所述杯体的内侧的空间向所述腔室的外部排出气体的排气部、以及使所述杯体沿上下方向移动的杯体升降机构,所述杯体升降机构基于所述判定部的判定结果,变更所述杯体的上下方向上的位置。
本申请的第二十六发明根据第二十五发明的基板处理装置,其中所述杯体升降机构在所述判定部将所述烟雾的产生状况判定为异常时,使所述杯体从第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置。
本申请的第二十七发明根据第二十六发明的基板处理装置,其还包括位于所述杯体的外侧的环状壁,所述第二位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙小于所述第一位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙。
本申请的第二十八发明根据第二十五发明的基板处理装置,其包括多重地包围基板的多个杯体,所述杯体升降机构基于所述判定部的判定结果,变更所述多个杯体之中最外侧的杯体的上下方向上的位置。
[发明的效果]
根据本申请的第一发明至第二十八发明,能够基于拍摄图像的亮度值,定量地判定腔室内的烟雾的产生状况是否正常。
附图说明
图1是基板处理装置的平面图。
图2是处理单元的平面图。
图3是处理单元的纵剖面图。
图4是表示与第一喷嘴头连接的供液部的一例的图。
图5是表示控制部与处理单元内的各部的连接的框图。
图6是表示处理单元中的基板处理的流程的流程图。
图7是表示处理液供给工序的一部分的流程图。
图8是步骤S32中的处理单元的局部纵剖面图。
图9是表示烟雾的判定处理的流程的流程图。
图10是从相机观察的基板保持部、基板及遮断板的立体图。
图11是表示参考图像的示例的图。
图12是表示拍摄图像的示例的图。
图13是表示差分图像的示例的图。
图14是表示如下数据的示例的图,所述数据表示评估区域的亮度值的平均值的变化。
图15是表示如下数据的示例的图,所述数据表示累计值的变化。
图16是步骤S64中的处理单元的局部纵剖面图。
图17是在异常判定后改变腔室内的气流时的流程图。
图18是在异常判定后禁止遮断板的下降时的流程图。
图19是表示在左右设定有多个评估区域的示例的图。
图20是表示在上下设定有多个评估区域的示例的图。
[符号的说明]
10:腔室
11:处理空间
12:侧壁
13:顶板部
14:底板部
15:风机过滤器单元
16:排气导管
20:基板保持部
21:自旋底座
22:夹盘销
23:夹盘销切换机构
30:旋转机构
31:马达盖
32:自旋马达
33:支撑轴
40:处理液供给部
41、42、43、44:喷嘴
45:供液部
50:处理液收集部
51:内杯体
52:中杯体
53:外杯体
54:杯体升降机构
55:环状壁
56:间隙
60:遮断板
61:遮断板升降机构
62:吹出口
70:摄像部
71:光源
72:相机
80:控制部
81:运算处理部
82:存储器
83:存储部
100:基板处理装置
101:分度器
102:处理单元
103:主搬运机器人
160:排气口
330:轴芯
411:第一喷嘴臂
412:第一喷嘴头
413:第一喷嘴马达
421:喷嘴臂
422:喷嘴头
423:喷嘴马达
431:第三喷嘴臂
432:第三喷嘴头
433:第三喷嘴马达
451:第一配管
452:第二配管
453:合流配管
454:硫酸供给源
455:过氧化氢水供给源
456、457:阀
510:第一引导板
511:第一排液槽
512:第二排液槽
513:第三排液槽
520:第二引导板
530:第三引导板
551:环状凸部
A1:拍摄区域
A2:评估区域
E:部位
F:烟雾
F1、F2:箭头
Id:差分图像
Ir:参考图像
Is:拍摄图像
P:计算机程序
S1~S5、S31~S35、S61~S65、S63a~S63h:步骤
W:基板
具体实施方式
以下,一边参照附图,一边对本发明的实施方式进行详细说明。
<1.基板处理装置的整体结构>
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置100的平面图。所述基板处理装置100是在半导体晶片的制造工序中,对圆板状的基板W(硅基板)的表面进行处理的装置。基板处理装置100进行对基板W的表面供给处理液的液处理、以及使基板W的表面干燥的干燥处理。
如图1所示,基板处理装置100包括分度器(indexer)101、多个处理单元102及主搬运机器人103。
分度器101是用于从外部搬入处理前的基板W,并且将处理后的基板W搬出至外部的部位。在分度器101中,配置有多个收容多个基板W的载体(carrier)。并且,分度器101包含省略图示的移送机器人。移送机器人在分度器101内的载体与处理单元102或主搬运机器人103之间,移送基板W。再者,载体中,例如,可使用将基板W收纳于密闭空间的公知的前端开启式统集盒(front opening unified pod,FOUP)或标准机械界面(StandardMechanical InterFace,SMIF)盒、或者收纳基板W与外部空气接触的开放式晶匣(opencassette,OC)。
处理单元102是逐块地处理基板W的所谓单片式的处理部。多个处理单元102配置在主搬运机器人103的周围。在本实施方式中,配置在主搬运机器人103的周围的四个处理单元102是沿高度方向层叠成三层。即,本实施方式的基板处理装置100总共包括十二台处理单元102。多个基板W是在各处理单元102中并列地处理。但是,基板处理装置100所包括的处理单元102的数量并不限定于十二台,例如也可以是八台、四台、一台等。
主搬运机器人103是用于在分度器101与多个处理单元102之间搬运基板W的机构。主搬运机器人103例如包括保持基板W的手(hand)、以及使手移动的臂(arm)。主搬运机器人103从分度器101取出处理前的基板W,而搬运至处理单元102。并且,当处理单元102中的基板W的处理完成后,主搬运机器人103从所述处理单元102取出处理后的基板W,而搬运至分度器101。
<2.处理单元的结构>
接着,对处理单元102的结构进行说明。以下,对基板处理装置100所含的多个处理单元102之中的一个进行说明,但其它处理单元102也具有同等的结构。
图2是处理单元102的平面图。图3是处理单元102的纵剖面图。如图2及图3所示,处理单元102包括腔室10、基板保持部20、旋转机构30、处理液供给部40、处理液收集部50、遮断板60、摄像部70及控制部80。
腔室10是内置用于对基板W进行处理的处理空间11的框体。腔室10包括包围处理空间11的侧部的侧壁12、覆盖处理空间11的上部的顶板部13、以及覆盖处理空间11的下部的底板部14。基板保持部20、旋转机构30、处理液供给部40、处理液收集部50、遮断板60及摄像部70是收容在腔室10的内部。在侧壁12的一部分设置有用于向腔室10内搬入基板W及从腔室10搬出基板W的搬入搬出口、以及使搬入搬出口开闭的挡板(shutter)(均省略图示)。
如图3所示,在腔室10的顶板部13设置有风机过滤器(fan filter)单元(FFU)15。风机过滤器单元15包括HEPA过滤器等集尘过滤器、以及使气流产生的风机(fan)。当使风机过滤器单元15运行时,将设置基板处理装置100的洁净室(clean room)内的空气撷取至风机过滤器单元15,通过集尘过滤器而洁净化,并供给至腔室10内的处理空间11。由此,在腔室10内的处理空间11内,形成洁净的空气的向下流(down flow)。
即,在本实施方式中,风机过滤器单元15成为使腔室10内产生气流的气流产生机构。
并且,在侧壁12的下部的一部分上,连接着排气导管(duct)16(排气部)。排气导管16包含朝向处理液收集部50的下方的空间打开的排气口160。并且,排气导管16与省略图示的负压源连接。因此,从风机过滤器单元15供给的空气在腔室10的内部形成向下流之后,被抽吸至排气口160。接着,被抽吸至排气口160的空气通过排气导管16而排出至腔室10的外部。
基板保持部20是在腔室10的内部,水平地(以法线朝向铅垂方向的姿势)保持基板W的机构。如图2及图3所示,基板保持部20包括圆板状的自旋底座(spin base)21及多个夹盘销(chuck pin)22。多个夹盘销22沿自旋底座21的上表面的外周部,以等角度间隔而设置。基板W在使形成图案的被处理面朝向上侧的状态下,保持于多个夹盘销22。各夹盘销22与基板W的周缘部的下表面及外周端面接触,从自旋底座21的上表面经由微小的空隙将基板W支撑于上方的位置。
在自旋底座21的内部设置有用于切换多个夹盘销22的位置的夹盘销切换机构23。夹盘销切换机构23是对多个夹盘销22,在保持基板W的保持位置与解除基板W的保持的解除位置之间进行切换。
旋转机构30是用于使基板保持部20旋转的机构。旋转机构30是收容在设置于自旋底座21的下方的马达盖31的内部。如图3中以虚线所示,旋转机构30包括自旋马达(spinmotor)32及支撑轴33。支撑轴33沿铅垂方向延伸,其下端部与自旋马达32连接,并且上端部固定在自旋底座21的下表面的中央。当使自旋马达32驱动时,支撑轴33以其轴芯330为中心而旋转。并且,与支撑轴33一同,基板保持部20及基板保持部20所保持的基板W也以轴芯330为中心而旋转。
处理液供给部40是对基板保持部20所保持的基板W的上表面,供给处理液的机构。如图2及图3所示,处理液供给部40包括第一上表面喷嘴41、第二上表面喷嘴42、第三上表面喷嘴43及下表面喷嘴44。
第一上表面喷嘴41包括第一喷嘴臂411、设置在第一喷嘴臂411的前端的第一喷嘴头412、及第一喷嘴马达413。第二上表面喷嘴42包括第二喷嘴臂421、设置在第二喷嘴臂421的前端的第二喷嘴头422、以及第二喷嘴马达423。第三上表面喷嘴43包括第三喷嘴臂431、设置在第三喷嘴臂431的前端的第三喷嘴头432、以及第三喷嘴马达433。
各喷嘴臂411、喷嘴臂421、喷嘴臂431通过喷嘴马达413、喷嘴马达423、喷嘴马达433的驱动,而如图2中的箭头所示,以各喷嘴臂411、喷嘴臂421、喷嘴臂431的基端部为中心,沿水平方向各别地转动。由此,能够使各喷嘴头412、喷嘴头422、喷嘴头432,在基板保持部20所保持的基板W的上方的处理位置与比处理液收集部50更靠外侧的退避位置之间移动。
在各喷嘴头412、喷嘴头422、喷嘴头432上,各别地连接着用于供给处理液的供液部。图4是表示与第一喷嘴头412连接的供液部45的一例的图。在图4中,表示了供给硫酸及过氧化氢水的混合液即SPM洗涤液作为处理液的情况的示例。
图4的供液部45包括第一配管451、第二配管452及合流配管453。第一配管451的上游侧的端部与硫酸供给源454流路连接。第二配管452的上游侧的端部与过氧化氢水供给源455流路连接。第一配管451及第二配管452的下游侧的端部均与合流配管453流路连接。并且,合流配管453的下游侧的端部与第一喷嘴头412流路连接。在第一配管451的路径中途,介插有第一阀456。在第二配管452的路径中途,介插有第二阀457。
当在将第一喷嘴头412配置在处理位置的状态下,打开第一阀456及第二阀457时,从硫酸供给源454向第一配管451供给的硫酸、与从过氧化氢水供给源455向第二配管452供给的过氧化氢水在合流配管453中合流,而成为SPM洗涤液。接着,将所述SPM洗涤液从第一喷嘴头412,向基板保持部20所保持的基板W的上表面喷出。
第一喷嘴头412、第二喷嘴头422及第三喷嘴头432喷出各不相同的处理液。作为处理液的示例,除了所述SPM洗涤液以外,还可举出SC1洗涤液(氨水、过氧化氢水、纯水的混合液)、SC2洗涤液(盐酸、过氧化氢水、纯水的混合液)、稀氟氢酸(Dilute HydrofluoricAcid,DHF)洗涤液(稀氢氟酸)、纯水(去离子水)等。
再者,第一喷嘴头412、第二喷嘴头422或第三喷嘴头432也可以是将处理液与经加压的气体加以混合而生成液滴,将所述液滴与气体的混合流体喷射至基板W的所谓双流体喷嘴。并且,设置在处理单元102中的上表面喷嘴的数量并不限定于三个,也可以是一个、两个或四个以上。
下表面喷嘴44配置在设置于自旋底座21的中央的贯通孔的内侧。下表面喷嘴44的喷出口与基板保持部20所保持的基板W的下表面相向。下表面喷嘴44也与用于供给处理液的供液部连接。当从供液部向下表面喷嘴44供给处理液时,将所述处理液从下表面喷嘴44向基板W的下表面喷出。
处理液收集部50是收集使用后的处理液的部位。如图3所示,处理液收集部50包括内杯体51、中杯体52及外杯体53。基板W被所述杯体51~杯体53三重包围。内杯体51、中杯体52及外杯体53能够通过图3中概念性地表示的杯体升降机构54,而相互独立地升降移动。
内杯体51包括包围基板保持部20的周围的圆环状的第一引导板510。中杯体52包括位于第一引导板510的外侧并且上侧的圆环状的第二引导板520。外杯体53包括位于第二引导板520的外侧并且上侧的圆环状的第三引导板530。并且,内杯体51的底部是展开至中杯体52及外杯体53的下方为止。而且,在所述底部的上表面,从内侧起依次设置有第一排液槽511、第二排液槽512及第三排液槽513。
从处理液供给部40的各喷嘴41、喷嘴42、喷嘴43、喷嘴44喷出的处理液在供给至基板W之后,通过因基板W的旋转而产生的离心力,而向外侧飞散。接着,将从基板W飞散的处理液收集至第一引导板510、第二引导板520及第三引导板530中的任一者。使收集至第一引导板510的处理液通过第一排液槽511,向处理单元102的外部排出。使收集至第二引导板520的处理液通过第二排液槽512,向处理单元102的外部排出。使收集至第三引导板530的处理液通过第三排液槽513,向处理单元102的外部排出。
如上所述,所述处理单元102具有多条处理液的排出路径。因此,能够针对每个种类分别回收供给至基板W的处理液。因此,经回收的处理液的废弃或再生处理也可以根据各处理液的性质而分别进行。例如,将第一排液槽511连接于废弃处理液的废液管线。由此,可以将收集于内杯体51的第一引导板510的处理液,通过第一排液槽511排出至废液管线。并且,将第二排液槽512连接于再生处理液的再生管线。由此,可以将收集于中杯体52的第二引导板520的处理液,通过第二排液槽512排出至再生管线。
并且,在外杯体53的外侧设置有环状壁55。环状壁55是包围外杯体53的圆环状的壁。在环状壁55的上部设置有朝向内侧突出的环状凸部551。在腔室10的内部形成向下流的空气通过内杯体51的内侧、中杯体52的内侧、外杯体53的内侧、或外杯体53与环状壁55之间的空间,流向下方的空间。接着,向下流后的空气被从排气口160抽吸至排气导管16内。
遮断板60是在进行干燥处理等一部分处理时,用于抑制基板W的表面附近的气体的扩散的构件。遮断板60具有圆板状的外形,水平地配置在基板保持部20的上方。如图3所示,遮断板60与遮断板升降机构61连接。当使遮断板升降机构61运行时,遮断板60在从基板保持部20所保持的基板W的上表面向上方远离的上方位置、与比上方位置更接近基板W的上表面的下方位置之间,进行升降移动。在遮断板升降机构61中,例如,使用通过滚珠螺杆将马达的旋转运动转换成直行运动的机构。
并且,在遮断板60的下表面的中央设置有吹出氮气等惰性气体的吹出口62。吹出口62与供给干燥用的气体的供气部(图示省略)连接。
当从第一上表面喷嘴41、第二上表面喷嘴42或第三上表面喷嘴43对基板W供给处理液时,遮断板60退避至上方位置。在供给处理液之后,进行基板W的干燥处理时,通过遮断板升降机构61,而使遮断板60下降至下方位置。接着,从吹出口62向基板W的上表面,吹附干燥用的气体(例如,经加热的氮气)。这时,利用遮断板60,来防止气体的扩散。其结果为,对基板W的上表面高效率地供给干燥用的气体。
摄像部70是对腔室10内的规定的拍摄区域进行拍摄的装置。摄像部70例如设置在与腔室10的侧壁12的内面接近的位置。如图2及图3所示,摄像部70包括光源71及相机72。在光源71中,例如使用发光二极管(light-emitting diode,LED)。相机72中,例如使用具有电荷耦合器件(Charge Coupled Devices,CCD)或互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor,CMOS)等摄像元件的数码相机。摄像部70通过一边从光源71照射光,一边利用相机72进行拍摄,而获取腔室10内的处理空间11之中预先设定的拍摄区域A1的拍摄图像。拍摄图像包括多个像素(pixel),针对每个像素具有亮度值的信息。
控制部80是用于对处理单元102内的各部进行运行控制的部件。图5是表示控制部80与处理单元102内的各部的连接的框图。如图5中概念性地表示,控制部80包括具有中央处理器(central processing unit,CPU)等运算处理部81、随机存取存储器(randomaccess memory,RAM)等存储器82、及硬盘驱动器等存储部83的计算机。在存储部83内,安装有用于执行处理单元102中的基板W的处理的计算机程序P。
并且,如图5所示,控制部80与所述风机过滤器单元15、夹盘销切换机构23、自旋马达32、喷嘴马达413、喷嘴马达423、喷嘴马达433、处理液供给部40的阀456及阀457、杯体升降机构54、遮断板升降机构61、光源71及相机72分别可通信地连接。控制部80将存储部83中所存储的计算机程序P或数据暂时读取至存储器82,基于所述计算机程序P,通过运算处理部81进行运算处理,来对所述各部进行运行控制。由此,进行处理单元102中的基板W的处理、后述烟雾的判定处理。
<3.基板处理装置的动作>
其次,一边参照图6的流程图,一边说明所述处理单元102中的基板W的处理。
当在处理单元102中对基板W进行处理时,首先,主搬运机器人103将成为处理对象的基板W搬入至腔室10内(步骤S1)。利用基板保持部20的多个夹盘销22,水平地保持搬入至腔室10内的基板W。然后,通过使旋转机构30的自旋马达32驱动,而使基板W开始旋转(步骤S2)。具体来说,支撑轴33、自旋底座21、多个夹盘销22及夹盘销22所保持的基板W以支撑轴33的轴芯330为中心而旋转。
接着,进行来自处理液供给部40的处理液的供给(步骤S3)。在步骤S3中,通过喷嘴马达413、喷嘴马达423、喷嘴马达433的驱动,而使第一喷嘴头412、第二喷嘴头422及第三喷嘴头432向与基板W的上表面相向的处理位置依次移动。接着,从配置在处理位置上的喷嘴头,喷出处理液。在控制部80内的存储部83中,预先设定有处理液的供给的顺序及各处理液的供给时间。控制部80按照所述设定,执行来自各上表面喷嘴41、上表面喷嘴42、上表面喷嘴43的处理液的喷出动作。
再者,在步骤S3中,也可以一边从各喷嘴41、喷嘴42、喷嘴43喷出处理液,一边使所述喷嘴41、喷嘴42、喷嘴43在处理位置上水平地摆动。并且,也可以根据需要,进行来自下表面喷嘴44的处理液的喷出。
图7是表示步骤S3中的处理液供给工序的一部分的流程图。在图7的示例中,首先,第一喷嘴臂411转动,第一喷嘴头412从退避位置向处理位置移动(步骤S31)。接着,使图4的第一阀456及第二阀457打开。由此,从第一喷嘴头412向基板W的上表面,喷出硫酸与过氧化氢水的混合液即SPM洗涤液(步骤S32)。SPM洗涤液的温度例如设为150℃~200℃。
图8是步骤S32中的处理单元102的局部纵剖面图。在步骤S32中,对基板W的上表面供给SPM洗涤液后,覆盖基板W的上表面的抗蚀剂溶解于SPM洗涤液中。因此,在开始SPM洗涤液的喷出的初期,包含抗蚀剂的成分的接近于黑色的SPM洗涤液从基板W的上表面向侧方飞散。这时,如图8中以双点划线所示,内杯体51的第一引导板510配置在基板W的侧方。从基板W的上表面飞散的SPM洗涤液被收集于内杯体51,并通过第一排液槽511,而排出至废液管线。
不久,从基板W的上表面完全去除抗蚀剂后,从基板W的上表面飞散的液体成为无色透明的大致纯粹的SPM洗涤液。当省略图示的传感器检测出所述SPM洗涤液的颜色的变化时,控制部80通过杯体升降机构54,而使内杯体51下降。具体来说,如图8中以实线所示,将内杯体51的第一引导板510配置在比基板W更低的位置。于是,从基板W的上表面飞散的SPM洗涤液被收集于中杯体52,并通过第二排液槽512,回收至再生管线。
当规定时间的SPM洗涤液的喷出结束时,只关闭第一阀456及第二阀457之中的第一阀456,而停止硫酸的供给。由此,进行从第一喷嘴头412只喷出过氧化氢水的所谓“过水挤出处理”(步骤S33)。进行所述过水挤出处理是为了冲走残留于合流配管453及第一喷嘴头412中的硫酸成分,防止硫酸从停止供给处理液后的第一喷嘴头412意外滴落。
然后,当规定时间经过时,也关闭第二阀457,停止过氧化氢水的喷出。接着,使第一喷嘴臂411转动,而使第一喷嘴头412从处理位置移动至退避位置(步骤S34)。
然后,对基板W进行冲洗处理(步骤S35)。在冲洗处理中,一边继续进行基板W的旋转,一边对基板W的上表面喷出纯水。纯水也可以从第一喷嘴头412~第三喷嘴头432中的任一者喷出,或者也可以从遮断板60的下表面中央喷出。
返回至图6的流程图。在步骤S3的处理液供给工序的期间内,遮断板60是配置在比上表面喷嘴41、上表面喷嘴42、上表面喷嘴43更靠上方的上方位置。当对基板W的各种处理液的供给完成,所有上表面喷嘴41、上表面喷嘴42、上表面喷嘴43配置在退避位置时,控制部80使遮断板升降机构61运行,而使遮断板60从上方位置向下方位置移动。接着,提高自旋马达32的旋转数而使基板W的旋转高速化,并且从设置在遮断板60的下表面的吹出口62向基板W吹附干燥用的气体。由此,使基板W的表面干燥(步骤S4)。
当基板W的干燥处理结束时,解除多个夹盘销22对基板W的保持。接着,主搬运机器人103将处理后的基板W从基板保持部20取出,并搬出至腔室10的外部(步骤S5)。
<4.关于烟雾的判定处理>
在所述步骤S3的处理液供给工序中,有时在基板W的上方的空间内,会产生被称为烟雾的包含多个微粒的环境气体。众所周知,特别是如图7的示例,供给150℃以上的高温的SPM洗涤液,然后,在供给SPM洗涤液之后进行过水挤出处理时,容易产生大量烟雾。
烟雾如果是通常的产生量,通过腔室10内的向下流就得以抑制扩散。但是,当烟雾的产生量过多,例如烟雾附着在遮断板60上时,所附着的烟雾不久会固化而变为颗粒。接着,所述颗粒有可能再次从遮断板60飞散,而作为异物附着在基板W的表面上。因此,本实施方式的处理单元102在步骤S3的处理的期间内,对腔室10内的拍摄图像进行监视,同时进行判定烟雾的产生状况是否在正常范围内的处理。以下,对所述判定处理进行说明。
图9是表示烟雾的判定处理的流程的流程图。
当进行烟雾的判定处理时,首先,获取参考图像Ir(步骤S61)。具体来说,在开始对基板W供给处理液之前,摄像部70对基板W的上方的规定的拍摄区域A1进行拍摄。通过所述拍摄,而获取无烟雾的拍摄区域A1的图像作为参考图像Ir。将所获得的参考图像Ir从摄像部70输入至控制部80,并存储至控制部80内的存储部83。
当开始对基板W供给处理液时,摄像部70以规定的时间间隔(例如每隔0.1秒)反复拍摄腔室10内的拍摄区域A1。由此,反复获取开始供给处理液后的拍摄区域A1的图像(以下称为“拍摄图像Is”)(步骤S62)。将所获得的拍摄图像Is从摄像部70输入至控制部80,并存储至控制部80内的存储部83。
图10是从相机72观察的基板保持部20、基板W及遮断板60的立体图。如图10中以虚线所示,拍摄区域A1例如,是以包含基板保持部20与配置在上方位置的遮断板60之间的空间的方式而设定。
图11是表示在步骤S61中所获取的参考图像Ir的示例的图。图12是表示在步骤S62中所获取的拍摄图像Is的示例的图。如图11及图12所示,拍摄区域A1包含至少一个评估区域A2。评估区域A2是拍摄区域A1之中,成为下一个步骤S63中的判定的对象的区域。评估区域A2是预先通过用户而设定。评估区域A2理想的是设定为包含由基板保持部20水平地保持着的基板W的上方的空间。特别理想的是如本实施方式所述,在处理单元102包含遮断板60的情况下,评估区域A2如图11及图12所示,设定为包含与遮断板60的下表面接近的空间。
当获取到拍摄图像Is后,控制部80基于所述拍摄图像Is中所含的亮度值,判定评估区域A2中的烟雾的产生状况(步骤S63)。如图9所示,本实施方式的步骤S63包含步骤S63a~步骤S63h。
在步骤S63中,首先,生成所述参考图像Ir与所获得的拍摄图像Is的亮度值的差分图像Id(步骤S63a)。具体来说,针对每个像素算出参考图像Ir中所含的各像素的亮度值与拍摄图像Is中所含的各像素的亮度值的差分值,并将由所算出的差分值构成的图像设为差分图像Id。
图13是表示基于图11的参考图像Ir及图12的拍摄图像Is而生成的差分图像Id的示例的图。在差分图像Id中,在参考图像Ir与拍摄图像Is之间,不变化的部分的亮度值大致为0,只在已变化的部分出现亮度值。因此,当产生有烟雾F时,差分图像Id的亮度值成为0以外的正数。
控制部80针对摄像部70反复拍摄所得的多个拍摄图像Is,依次生成如上所述的差分图像Id。
接着,控制部80针对依次获得的差分图像Id,分别算出评估区域A2的各像素的亮度值的平均值(步骤S63b)。其结果为,如图14所示,获得表示相对于拍摄图像Is的获取时刻的、评估区域A2的亮度值的平均值的变化的数据。控制部80对所算出的平均值与预先设定的第一阈值进行比较(步骤S63c)。接着,当平均值未达第一阈值时,控制部80判定为在所述时刻的烟雾的产生状况在正常范围内(步骤S63d)。另一方面,当平均值为第一阈值以上时,控制部80将所述平均值设为累计对象值(步骤S63e)。
然后,控制部80对从累计对象值减去第一阈值所得的数值即超过值进行依次累计(步骤S63f)。由此,如图15所示,获得表示对超过值进行累计的累计值的变化的数据。控制部80对所算出的累计值与预先设定的第二阈值进行比较(步骤S63g)。接着,当累计值未达第二阈值时,控制部80判定为在所述时刻的烟雾的产生状况在正常范围内(步骤S63d)。另一方面,当累计值为第二阈值以上时,控制部80判定为评估区域A2中的烟雾的产生状况为异常(步骤S63h)。
在步骤S63d中,将烟雾的产生状况判定为正常范围内时,返回至步骤S62,继续进行拍摄图像Is的获取(步骤S62)及烟雾的判定处理(步骤S63)。另一方面,在步骤S63h中,将烟雾的产生状况判定为异常时,控制部80发出警报而通知用户处于异常。警报例如既可以是警告灯的发光,也可以是语音或警报音的发报,还可以是向画面的消息的显示。
如以上所述,在所述处理单元102中,能够基于拍摄图像Is的亮度值定量地判定腔室10内的烟雾的产生状况是否在正常范围内。因此,用户可以基于判定结果,适当地掌握腔室内的烟雾的产生状况,在异常时能够进行必要的处置。
特别是在本实施方式中,预先获取参考图像Ir,并基于参考图像Ir与拍摄图像Is的差分图像Id,判定烟雾的产生状况。因此,能够将在参考图像Ir与拍摄图像Is中已发生变化的部分适当地判定为烟雾。
并且,在本实施方式中,不但将评估区域A2的亮度值的平均值只与第一阈值进行比较,而且只在所述平均值为第一阈值以上的情况下,对其超过值进行累计,将通过累计而获得的累计值与第二阈值进行比较。这样一来,通过测定误差等,而使得即使在评估区域A2的亮度值的平均值暂时为第一阈值以上的情况下,也不会立即判定为异常,而只在平均值为第一阈值以上的状态持续某种程度的情况下,才可判定为异常。因此,能够更稳定地判定腔室10内的烟雾的产生状况是否在正常范围内。
再者,在本实施方式的步骤S63f中,是对从累计对象值减去第一阈值所得的值即超过值依次进行累计。但是,也可以取代超过值,对累计对象值自身依次进行累计。但是,如上所述对超过值进行累计的方式就如下方面来说更优选:能够使在烟雾产生有异常的时刻的变化率(例如,图15的以符号E所示的部位的变化率)更大而加以强调。
<5.关于外杯体的升降动作>
外杯体53的高度在稳态时,是配置在图8所示的第一位置。在第一位置上,将外杯体53的第三引导板530配置在基板W的周围。这时,在外杯体53与位于外杯体53的外侧的环状壁55之间,存在圆环状的间隙56。在腔室10内形成向下流的空气如图8中以虚线箭头F1所示,主要通过所述间隙56,流向三个杯体51~杯体53的下方的空间。
但是,在图9的步骤S63h中,判定为烟雾的产生状况为异常时,控制部80通过杯体升降机构54,而使外杯体53上升(步骤S64)。由此,使外杯体53的高度从第一位置变为比第一位置更高的第二位置。
图16是步骤S64中的处理单元102的局部纵剖面图。如图16所示,在第二位置上,将外杯体53的第三引导板530配置在相当于基板W的上方的评估区域A2的空间的外侧。并且,当将外杯体53配置在第二位置上时,外杯体53的外周面与环状壁55的环状凸部551的内周部接近。由此,外杯体53与环状壁55之间的间隙56窄于第一位置时。因此,在腔室10内形成向下流的空气如图16中以虚线箭头F2所示,主要通过外杯体53的内侧,流向三个杯体51~杯体53的下方的空间。
在基板W的上方的空间内产生的烟雾随着所述虚线箭头F2的空气的流动,而收集于外杯体53。因此,烟雾的朝向上方的扩散得到抑制。其结果为,能够抑制烟雾附着在遮断板60的下表面、外杯体53的外周面、腔室10的内壁面等。
如上所述,在本实施方式的处理单元102中,基于步骤S63的判定结果,变更外杯体53的上下方向上的位置。由此,将外杯体53配置在与烟雾的产生状况相对应的适当位置。因此,能够抑制烟雾的扩散,抑制烟雾附着在腔室10内的各部。特别是在本实施方式中,上升后的第二位置上的外杯体53与环状壁55之间的间隙56小于上升前的第一位置上的外杯体53与环状壁55之间的间隙56。如上所述,当判定为烟雾的产生状况为异常时,通过缩小所述间隙56,可以降低流向外杯体53的外侧的气体的流量。其结果为,能够进一步抑制烟雾的扩散。
并且,在本实施方式中,处理液收集部50的三个杯体51~杯体53之中,内杯体51及中杯体52不管步骤S63的判定结果如何,都按照预先设定的处理顺序而运行。而且,只有最外侧的外杯体53基于步骤S63的判定结果,沿上下方向移动。这样一来,可以一边利用内杯体51及中杯体52继续进行处理液的收集,一边利用外杯体53收集所产生的烟雾。
<6.变形例>
以上,已对本发明的一个实施方式进行说明,但是本发明并不限定于所述实施方式。
在所述实施方式中,当在步骤S63h中将烟雾的产生状况判定为异常时,发出警报,并且为了抑制烟雾的扩散,将外杯体53的上下方向上的位置从第一位置变更为第二位置。但是,外杯体53的上下方向上的位置可以变更为三个阶段以上,也可以连续地变更。并且,变更上下方向上的位置的杯体可以是内杯体51或中杯体52。并且,外杯体53的高度可以固定在第二位置上。并且,包围基板W的杯体的数量可以是一个至两个,也可以是四个以上。并且,可以与三个杯体51~杯体53不同,而另外地设置有用于收集烟雾的专用杯体。
并且,可以在步骤S63h中将烟雾的产生状况判定为异常时,控制部80发出警报,并且自动进行用于抑制烟雾的扩散的其它控制。例如,如图17所示,可以在步骤S63h之后,改变腔室10内的气流(步骤S64)。具体来说,可以使风机过滤器单元15的风机的旋转数提升,而提高腔室10内的向下流的流速。
并且,在步骤S63h中将烟雾的产生状况判定为异常时,可认为烟雾已扩散至与遮断板60的下表面接近的区域。因此,在其后不久预定进行步骤S4的干燥处理的情况下,如果仍旧使遮断板60下降,烟雾就会附着在遮断板60上。因此,如图18所示,在步骤S63h之后,控制部80可以禁止遮断板升降机构61使遮断板60从上方位置下降至下方位置(步骤S65)。
并且,在所述实施方式中,是基于差分图像Id中的评估区域A2的亮度值的平均值,判定烟雾的产生状况。但是,也可以基于评估区域A2的亮度值的合计值,判定烟雾的产生状况。
并且,在所述实施方式中,拍摄区域A1中所设定的评估区域A2的数量只有一个。但是,拍摄区域A1中所设定的评估区域A2的数量也可以是两个以上。而且,也可以判定两个以上的评估区域A2的每一个的烟雾的产生状况。
例如,如图19所示,可以在拍摄区域A1中,在左右设定多个评估区域A2。这样一来,可以根据各评估区域A2中的判定结果,获知气流的偏差等附加信息。并且,由于各评估区域的面积变小,所以能够以更高精度判定各评估区域A2中的烟雾的产生状况。
并且,如图20所示,也可以在拍摄区域A1中,在上下设定多个评估区域A2。而且,与基板保持部20所保持的基板W的上表面接近的空间也可以设定为评估区域A2。这时,在与基板W的上表面接近的评估区域A2中,例如,可以在如步骤S33的过水挤出处理之类,应产生烟雾时,如果没有产生烟雾(如果评估区域A2中的亮度值的合计值或平均值未达预先设定的阈值),就判断为异常。所述异常判定也可以与图9中所说明的判定方法组合起来进行。即,当与基板W的上表面接近的空间内的评估区域A2内的判定结果(如果亮度值的合计值或平均值未达阈值就判断为异常)、与位于比所述评估区域A2更靠上方的位置的另一个评估区域A2内的判定结果(如果亮度值的合计值或平均值为阈值以上就判定为异常)中的至少任一个判定结果为异常时,也可以作为整体而判定为异常。
并且,当在上下设定多个评估区域A2时,可以根据被判定为异常的评估区域A2的位置,变更外杯体53的位置。例如,可以设为在被判定为异常的评估区域A2之中位置最高的评估区域A2的侧方,配置外杯体53的第三引导板530。
并且,在所述实施方式中,是在步骤S3的处理液供给工序的期间,进行烟雾的判定处理(步骤S61~步骤S63)。但是,也可以只在步骤S3的处理液供给工序之中供给容易产生烟雾的处理液时,进行烟雾的判定处理。例如,可以只在供给所述SPM洗涤液时及过水挤出处理时,进行烟雾的判定处理。优选的是至少在过水挤出处理时,执行烟雾的判定处理。
并且,也可以在处理液供给工序的期间,进行烟雾的判定处理,特别是在供给SPM洗涤液时及过水挤出处理时,进行使利用相机72进行拍摄的帧数增多(即,缩短进行拍摄的时间间隔。例如,对曾经每隔0.1秒反复拍摄的区域,只在供给SPM洗涤液时及过水挤出处理时每隔0.05秒进行反复拍摄)的集中监视处理。通过进行所述集中监视处理,可以特别地在容易产生烟雾的工序中,以细微的时间间隔详细地获得摄像图像,另一方面,在不容易产生烟雾的工序中减少所获取的摄像图像数。其结果为,能够减少存储部83中所保存的数据容量。
并且,在所述实施方式中,是在即将对基板W开始供给处理液之前,获取参考图像Ir。但是,获取参考图像Ir的时序也可以是其它时序。并且,参考图像Ir也可以并非一个。例如,可以将在成为判定对象的拍摄图像Is的规定时间前所拍摄的拍摄图像Is,设为参考图像Ir。
并且,在所述实施方式中,控制部80具备对处理单元102的各部进行运行控制的功能、及判定烟雾的产生状况的作为判定部的功能两者。但是,用于对处理单元102的各部进行运行控制的控制部与用于判定烟雾的产生状况的判定部也可以是分别不同的计算机。
并且,在所述实施方式中,成为处理对象的基板W是半导体用的硅晶片。但是,在本发明中成为处理对象的基板并不限定于硅晶片,也可以是液晶显示装置等平板显示器用的玻璃基板、光掩模用的玻璃基板、太阳能电池用的玻璃基板等其它精密电子装置用的基板。
并且,关于基板处理装置的细部的形状,可以与本申请的各图中所示的形状不同。并且,也可以将所述实施方式或变形例中所出现的各要素,在不产生矛盾的范围内适当加以组合。
<7.其它观点的发明>
再者,可以从所述实施方式(图8、图16等)中提取出如下的发明:如果将“利用杯体,从基板的上方的空间回收烟雾”设定为第一课题,就不将烟雾的判定处理(拍摄及基于拍摄图像的判定)设为必要条件,取而代之,将杯体与环状壁之间的间隙尺寸的变化设为必要条件。
如果将所述发明作为装置发明而记载,就变为例如,“一种基板处理装置,其包括:腔室;基板保持部,在所述腔室的内部水平地保持基板;处理液供给部,对所述基板保持部所保持的基板的上表面供给处理液;杯体,包围基板;排气部,从所述杯体的内侧的空间向所述腔室的外部排出气体;杯体升降机构,使所述杯体沿上下方向移动;以及环状壁,位于所述杯体的外侧;并且所述杯体升降机构在回收所述烟雾时,使所述杯体从第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置,所述第二位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙小于所述第一位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙”。
并且,如果将所述发明作为方法发明而记载,就变为例如,“一种烟雾回收方法,在如下的装置中,从基板的上方的空间回收烟雾,所述装置是一边在腔室的内部水平地保持基板,一边对基板的上表面供给处理液,所述烟雾回收方法包括如下的工序:a)一边将包围基板的杯体配置在第一位置,一边对基板的上表面供给处理液;以及b)使所述杯体从第一位置移动至比所述第一位置更高的第二位置;并且在所述工序a)及所述工序b)中,从所述杯体的内侧的空间向所述腔室的外部排出气体,所述第二位置上的所述杯体与位于所述杯体的外侧的环状壁之间的间隙小于所述第一位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙”。
根据这些发明,在回收烟雾时,使杯体从第一位置上升至第二位置。于是,杯体与环状壁之间的间隙变窄。因此,能够减少流向杯体的外侧的气体的流量,与气体一同将烟雾高效率地引入至杯体的内侧。其结果为,能够抑制腔室内的烟雾的扩散。并且,可以将所述实施方式或变形例中所出现的各要素与这些发明加以组合。
Claims (28)
1.一种烟雾判定方法,判定一边在腔室的内部水平地保持基板、一边对基板的上表面供给处理液的装置中的烟雾的产生状况,所述烟雾判定方法的特征在于包括:
工序a)对所述腔室内的规定的拍摄区域进行拍摄;以及
工序b)基于通过所述工序a)而获取到的拍摄图像的亮度值,判定所述腔室内的烟雾的产生状况。
2.根据权利要求1所述的烟雾判定方法,其特征在于,
所述工序b)包括:
工序b-1)生成预先获取到的所述拍摄区域的参考图像与所述拍摄图像的亮度值的差分图像;以及
工序b-2)基于所述差分图像,判定所述腔室内的烟雾的产生状况。
3.根据权利要求2所述的烟雾判定方法,其特征在于,
所述拍摄区域包含至少一个评估区域,
在所述工序b-2)中,基于所述差分图像中的所述评估区域的亮度值的合计值或平均值,判定所述评估区域内的烟雾的产生状况。
4.根据权利要求3所述的烟雾判定方法,其特征在于,
在所述工序b-2)中,基于所述差分图像中的所述评估区域的亮度值的合计值或平均值与预先设定的第一阈值的比较结果,判定所述评估区域内的烟雾的产生状况。
5.根据权利要求4所述的烟雾判定方法,其特征在于,
在所述工序a)中,反复拍摄所述拍摄区域,
在所述工序b-1)中,基于通过所述工序a)而获取到的多个拍摄图像,生成多个所述差分图像,
在所述工序b-2)中,当所述评估区域的亮度值的合计值或平均值为所述第一阈值以上时,将所述合计值或所述平均值作为累计对象值,对从所述累计对象值减去所述第一阈值所得的超过值或所述累计对象值进行累计,基于所获得的累计值与预先设定的第二阈值的比较结果,判定所述评估区域内的烟雾的产生状况。
6.根据权利要求3所述的烟雾判定方法,其特征在于,
所述评估区域包含水平地保持着的基板的上方的空间。
7.根据权利要求6所述的烟雾判定方法,其特征在于,
所述评估区域包含与配置在基板的上方的圆板状的遮断板的下表面接近的空间。
8.根据权利要求3所述的烟雾判定方法,其特征在于,
所述拍摄区域包含多个所述评估区域,
在所述工序b)中,判定多个所述评估区域的每一个的烟雾的产生状况。
9.根据权利要求8所述的烟雾判定方法,其特征在于,
多个所述评估区域包含与水平地保持着的基板的上表面接近的空间。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的烟雾判定方法,其特征在于,
所述装置对基板的上表面供给包含硫酸及过氧化氢水的洗涤液,作为所述处理液。
11.根据权利要求10所述的烟雾判定方法,其特征在于,
所述装置在对基板的上表面供给所述洗涤液之后,使硫酸的供给停止,而进行对基板的上表面供给过氧化氢水的过水挤出处理,
至少在所述过水挤出处理时,执行所述工序a)及所述工序b)。
12.一种基板处理方法,其为于一边在腔室的内部水平地保持基板、一边对所述基板的上表面供给处理液的装置中的基板处理方法,其特征在于,
所述装置包括:
杯体,包围基板;以及
排气部,从所述杯体的内侧的空间向所述腔室的外部排出气体;并且
所述基板处理方法包括:
工序a)对所述腔室内的规定的拍摄区域进行拍摄;
工序b)基于通过所述工序a)而获取到的拍摄图像的亮度值,判定所述腔室内的烟雾的产生状况;以及
工序c)基于所述工序b)的判定结果,变更所述杯体的上下方向上的位置。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述工序b)中,将所述烟雾的产生状况判定为异常时,在所述工序c)中,使所述杯体从第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法,其特征在于,
所述装置还包括:
环状壁,位于所述杯体的外侧;并且
所述第二位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙小于所述第一位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
所述装置包括:
多个杯体,多重地包围基板;并且
在所述工序c)中,基于所述工序b)的判定结果,变更所述多个杯体之中最外侧的杯体的上下方向上的位置。
16.一种基板处理装置,其特征在于包括:
腔室;
基板保持部,在所述腔室的内部水平地保持基板;
处理液供给部,对所述基板保持部所保持的基板的上表面供给处理液;
摄像部,对所述腔室内的规定的拍摄区域进行拍摄;以及
判定部,基于所述摄像部所获取到的拍摄图像的亮度值,判定所述腔室内的烟雾的产生状况。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置,其特征在于,
所述判定部生成预先获取到的所述拍摄区域的参考图像与所述拍摄图像的亮度值的差分图像,并基于所述差分图像,判定所述腔室内的烟雾的产生状况。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置,其特征在于,
所述拍摄区域包含至少一个评估区域,
所述判定部基于所述差分图像中的所述评估区域的亮度值的合计值或平均值,判定所述评估区域内的烟雾的产生状况。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置,其特征在于,
所述评估区域包含水平地保持着的基板的上方的空间。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置,其特征在于还包括:
圆板状的遮断板,配置在基板的上方;并且
所述评估区域包含与所述遮断板的下表面接近的空间。
21.根据权利要求20所述的基板处理装置,其特征在于还包括:
遮断板升降机构,使所述遮断板,在从基板的上表面向上方远离的上方位置与比所述上方位置更接近基板的上表面的下方位置之间移动;并且
所述判定部在将所述评估区域内的烟雾的产生状况判定为异常时,禁止所述遮断板升降机构使所述遮断板从所述上方位置下降至所述下方位置。
22.根据权利要求16所述的基板处理装置,其特征在于还包括:
气流产生机构,使所述腔室内产生气流;并且
所述气流产生机构根据所述判定部的判定结果,改变所述气流。
23.根据权利要求16所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理液供给部供给包含硫酸及过氧化氢水的洗涤液,作为所述处理液。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理液供给部在对基板的上表面供给所述洗涤液之后,使硫酸的供给停止,而进行对基板的上表面供给过氧化氢水的过水挤出处理,
所述摄像部至少在所述过水挤出处理时,进行所述拍摄。
25.根据权利要求16至24中任一项所述的基板处理装置,其特征在于包括:
杯体,包围基板;
排气部,从所述杯体的内侧的空间向所述腔室的外部排出气体;以及
杯体升降机构,使所述杯体沿上下方向移动;并且
所述杯体升降机构基于所述判定部的判定结果,变更所述杯体的上下方向上的位置。
26.根据权利要求25所述的基板处理装置,其特征在于,
所述杯体升降机构在所述判定部将所述烟雾的产生状况判定为异常时,使所述杯体从第一位置上升至比所述第一位置更高的第二位置。
27.根据权利要求26所述的基板处理装置,其特征在于还包括:
环状壁,位于所述杯体的外侧;并且
所述第二位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙小于所述第一位置上的所述杯体与所述环状壁之间的间隙。
28.根据权利要求25所述的基板处理装置,其特征在于包括:
多个杯体,多重地包围基板;并且
所述杯体升降机构基于所述判定部的判定结果,变更所述多个杯体之中最外侧的杯体的上下方向上的位置。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210129166A1 (en) | 2019-11-04 | 2021-05-06 | Tokyo Electron Limited | Systems and Methods for Spin Process Video Analysis During Substrate Processing |
US11624607B2 (en) | 2020-01-06 | 2023-04-11 | Tokyo Electron Limited | Hardware improvements and methods for the analysis of a spinning reflective substrates |
US11738363B2 (en) | 2021-06-07 | 2023-08-29 | Tokyo Electron Limited | Bath systems and methods thereof |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61240645A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Dan Kagaku:Kk | 半導体製造装置 |
JP2008102027A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Denso Corp | 異物検出装置及び異物検出方法 |
US20080138993A1 (en) * | 2004-12-28 | 2008-06-12 | Mitsuru Hiroshima | Plasma Processing Apparatus |
CN101653827A (zh) * | 2008-08-22 | 2010-02-24 | 松下电工株式会社 | 制造三维形状物品的方法和装置及三维形状物品 |
JP2013142550A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Olympus Corp | 画像処理装置、検査装置、画像処理方法および画像処理プログラム |
CN104916570A (zh) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP2016115863A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN107210212A (zh) * | 2015-02-05 | 2017-09-26 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法和基板处理装置 |
CN107275200A (zh) * | 2016-03-30 | 2017-10-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置的管理方法和基板处理*** |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63119233A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Hitachi Ltd | X線転写装置 |
US6198792B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-06 | Euv Llc | Wafer chamber having a gas curtain for extreme-UV lithography |
US7006682B1 (en) * | 1999-09-09 | 2006-02-28 | Nec Corporation | Apparatus for monitoring particles and method of doing the same |
DE10119861A1 (de) * | 2000-05-04 | 2001-11-08 | Zeiss Carl | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie |
EP1639332A2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-03-29 | Furry Brothers, LLC | Systems and methods for performing inspections and detecting chemical leaks using an infrared camera system |
JP4315427B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2009-08-19 | キヤノン株式会社 | 位置測定方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2007070646A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Fujifilm Corp | 放射線像変換パネルの製造方法および製造装置 |
US7417733B2 (en) * | 2006-02-08 | 2008-08-26 | Lam Research Corporation | Chamber particle detection system |
JP4307470B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2009-08-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置 |
JP5305792B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-10-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2011129749A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びその異物粒子検出方法 |
WO2012078529A1 (en) * | 2010-12-05 | 2012-06-14 | Oy Halton Group Ltd. | Ultraviolet monitoring systems, methods, and devices |
WO2014144533A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Position and temperature monitoring of ald platen susceptor |
CA3158669A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | Alentic Microscience Inc. | Dosimeters including lensless imaging systems |
JP2015127668A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 計測装置、システムおよびプログラム |
US9448155B2 (en) * | 2014-06-25 | 2016-09-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | System for sampling and/or analysis of particles in a gaseous environment |
CN106663625B (zh) * | 2014-12-26 | 2019-10-25 | A·Sat株式会社 | 测量方法、电极、再生方法、等离子体蚀刻装置和显示方法 |
KR101880232B1 (ko) * | 2015-07-13 | 2018-07-19 | 주식회사 제우스 | 기판 액처리 장치 및 방법 |
US10549346B2 (en) * | 2016-03-30 | 2020-02-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Three-dimensional modeling apparatus, three-dimensional model body manufacturing method, and three-dimensional modeling data |
KR102561826B1 (ko) * | 2017-08-14 | 2023-08-01 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 플라스마 생성 장치, 기판 처리 장치, 반응관, 플라스마 생성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
-
2018
- 2018-11-27 TW TW107142311A patent/TWI746907B/zh active
- 2018-11-28 KR KR1020180149296A patent/KR102241007B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-28 CN CN201811432270.4A patent/CN109872959B/zh active Active
- 2018-11-29 US US16/203,642 patent/US11011398B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61240645A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Dan Kagaku:Kk | 半導体製造装置 |
US20080138993A1 (en) * | 2004-12-28 | 2008-06-12 | Mitsuru Hiroshima | Plasma Processing Apparatus |
JP2008102027A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Denso Corp | 異物検出装置及び異物検出方法 |
CN101653827A (zh) * | 2008-08-22 | 2010-02-24 | 松下电工株式会社 | 制造三维形状物品的方法和装置及三维形状物品 |
US20100044547A1 (en) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | Panasonic Electric Works Co., | Method and apparatus for producing a three-dimensionally shaped object, and three dimesionally shaped object |
JP2013142550A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Olympus Corp | 画像処理装置、検査装置、画像処理方法および画像処理プログラム |
CN104916570A (zh) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
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