CN109856930A - 对准标记、基板及其制作方法、曝光对准方法 - Google Patents
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Abstract
一种对准标记、基板及其制作方法、曝光对准方法。该对准标记包括对准区域、周边区域和遮挡区域。对准区域具有外轮廓;周边区域至少围绕部分所述对准区域的外轮廓设置;遮挡区域围绕所述对准区域的外轮廓设置,且不与所述周边区域重合;所述对准区域和所述遮挡区域是不透明的,所述周边区域至少是部分透明的。该对准标记可以使得曝光机更准确地获取对准标记的位置,从而提高基板与掩模板对位的准确性。同时,该对准标记还减少对准错误的报警,提高生产效率。
Description
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种对准标记、基板及其制作方法、曝光对准方法。
背景技术
在光刻工艺中的曝光工序中,通常会采用曝光机配合掩模板进行。在这个过程中,需要将掩模板与被加工物例如基板进行对准,之后曝光机发射光束通过掩模板从而对被加工物表面上涂覆的光刻胶进行曝光。为了进行对准,通常需要在基板和掩模板上分别设置/形成一个或多个对准标记,用于将基板与掩模板对准。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种对准标记,该对准标记包括对准区域、周边区域和遮挡区域。对准区域具有外轮廓;周边区域至少围绕部分所述对准区域的外轮廓设置;遮挡区域围绕所述对准区域的外轮廓设置,且不与所述周边区域重合;所述对准区域和所述遮挡区域是不透明的,所述周边区域至少是部分透明的。
例如,该对准标记中,所述对准区域为多边形。
例如,该对准标记中,所述对准区域为矩形。
例如,该对准标记中,所述周边区域包括多个沿所述对准区域的外轮廓的每条边延伸方向延伸并超出所述对准区域的外轮廓的条形结构。
例如,该对准标记中,所述对准区域为圆形。
例如,该对准标记中,所述周边区域的形状为环形,所述环形的轮廓形状与所述对准区域的外轮廓的形状相同。
例如,该对准标记中,所述周边区域包括多个沿所述对准区域的切线方向延伸并超出所述对准区域的外轮廓的条形结构。
例如,该对准标记中,所述对准区域和所述遮挡区域的材料为感光材料。
本公开至少一实施例还提供一种基板,该基板包括本公开的实施例提供的任意一种对准标记。
例如,该基板还包括工作区和位于所述工作区域周边的非工作区;所述对准标记位于所述非工作区内。
例如,该基板还包括将所述基板的工作区划分为多个阵列单元的黑矩阵;所述对准标记的对准区域和遮挡区域的材料与所述黑矩阵的材料相同。
本公开至少一实施例还提供一种基板的制作方法,该方法包括提供衬底基板,所述衬底基板包括工作区以及位于所述工作区周边的非工作区;在所述衬底基板上形成不透明膜层;以及对所述不透明膜层进行图案化,以形成所述对准标记的对准区域、周边区域和遮挡区域。
例如,该基板的制作方法中,所述不透明膜层为黑色感光膜层,采用光刻工艺实现所述图案化。
例如,该基板的制作方法中,所述基板还包括黑矩阵,所述基板的制作方法还包括在衬底基板的工作区域中形成所述黑矩阵;所述对准标记与所述黑矩阵经由同一工艺同时形成。
本公开至少一实施例还提供一种曝光对准方法,该方法包括:提供基板、曝光机和掩模板,其中,所述基板上形成有本公开的实施例提供的任意一种对准标记的第一对准标记,所述掩模板包括第二对准标记;通过所述曝光机获取所述第一对准标记的对准区域的位置信息;以及调整所述基板与所述掩模板之间的相对位置,将所述掩模板与所述基板对准。
例如,该曝光对准方法中,所述曝光机包括镜头,所述掩模板位于所述镜头与所述基板之间,通过所述镜头采集所述对准标记的遮挡区域的图像信息。
例如,该曝光对准方法中,所述第二对准标记具有对准中心,将所述第一对准标记的对准区域的位置信息与所述第二对准标记的对准中心的位置信息相同以实现所述对准。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。
图1为一种对准标记示意图;
图2为利用图1所示的对准标记进行曝光对准的示意图;
图3A为本公开一实施例提供的一种对准标记示意图;
图3B为将设置有图3A所示的对准标记的基板放置于曝光机机台上的示意图;
图3C为本公开一实施例提供的另一种对准标记示意图;
图3D为本公开一实施例提供的又一种对准标记示意图;
图4A为本公开一实施例提供的又一种对准标记示意图;
图4B为本公开一实施例提供的又一种对准标记示意图;
图5为本公开一实施例提供的又一种对准标记示意图;
图6为本公开一实施例提供的一种基板的结构示意图;
图7为本实施例提供的一种基板的制作方法示意图;
图8为本实施例提供的另一种基板的制作方法示意图;
图9为本实施例提供的一种曝光对准方法示意图。
附图标记
101-对准区域;102-周边区域;103-干扰物;104-第二对准标记在待曝光基板上的投影;1-对准区域;2-周边区域;201-第一条形结构;202-第二条形结构;203-第三条形结构;204-第四条形结构;205-填充部分;3-遮挡区域;4-干扰物;5-基板单元;6-对准标记在待曝光基板上的投影;7-衬底基板;8-工作区;9-非工作区;10-对准标记;11-基板;12-阵列单元;13-黑矩阵。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开中各个附图的尺寸并不是严格按实际比例绘制,基板中对准标记的个数和阵列基板单元的个数也不限定为图中所示的数量,各个结构的具体尺寸和数量可根据实际需要进行确定。本公开中所描述的附图仅是结构示意图。
需要说明的是,本公开中的对准标记的对准区域的位置信息指的是对准区域内任意一点的位置信息,例如当对准区域有几何中心时,该位置是其几何中心。本公开中的第二对准标记的对准中心指的是曝光机选定的第二对准标记的图形内的一个点,例如当第二对准标记有几何中心时,该位置可以为第二对准标记的几何中心。
图1是一种对准标记示意图,该对准标记可以设置于待曝光基板上,用于在对待曝光基板进行曝光过程中,将待曝光基板与用于进行曝光的掩模板对准。该对准标记包括对准区域101和围绕对准区域101的周边区域102。对准区域101为不透明的,周边区域102是透明的。该对准标记位于待曝光基板上,周边区域102为待曝光基板的一部分。
图2为利用图1所示的对准标记进行曝光对准的示意图。曝光机包括机台和镜头。机台可用于放置待曝光基板,并且可以移动,例如用于调整待曝光基板和镜头之间的相对位置。镜头可用于获取对准标记的位置信息。如图2所示,曝光对准过程中,需要实现掩模与基板对位时,通常将设置有该对准标记的待曝光基板放置于机台上,采用曝光机的镜头捕捉基板上的对准标记的对准区域的位置信息。镜头通常是利用识别对准标记的对准区域101与周边区域102的灰度差异来识别对准区域101的位置,从而获取其位置信息,例如该位置信息为位置坐标。掩模板设置在在待曝光基板与曝光机的镜头之间,掩模板上有第二对准标记,图2中以第二对准标记在待曝光基板上的投影104作为第二对准标记示例。曝光机通过移动机台而移动待曝光基板,以使待曝光基板上的对准标记的对准区域101与第二对准标记在待曝光基板上的投影104的对准中心的位置坐标相同,从而实现待曝光基板与掩模板的对准。
如图2所示,对准标记常常会与设置于曝光机的基台上的一些部件(例如用于防静电的凹凸结构)交叠,将这些部件统称为干扰物103。这种情况下,由于周边区域102为透明的,因此通过该周边区域可以看到待曝光基板另一侧。因此,在进行掩模与基板对位时,通过镜头看到的图像会受到干扰物103干扰,从而造成识别对准区域101的位置信息的误差,出现“对准错误”报警,从而影响生产,降低产率。
本公开至少一实施例提供一种对准标记,该对准标记包括对准区域、周边区域和遮挡区域。对准区域具有外轮廓;周边区域至少围绕部分对准区域的外轮廓设置;遮挡区域围绕对准区域的外轮廓设置,且不与周边区域重合;对准区域和遮挡区域是不透明的,周边区域至少是部分透明的。
本公开至少一实施例还提供一种基板,该基板包括本公开的实施例提供的任意一种对准标记。
本公开至少一实施例还提供一种基板的制作方法,该方法包括提供衬底基板,衬底基板包括工作区以及位于工作区周边的非工作区;在衬底基板上形成不透明膜层;以及对不透明膜层进行图案化,以形成对准标记的对准区域、周边区域和遮挡区域。
本公开至少一实施例还提供一种曝光对准方法,该方法包括:提供基板、曝光机和掩模板,基板上形成有本公开的实施例提供的任意一种对准标记的第一对准标记,掩模板包括第二对准标记;通过曝光机获取第一对准标记的对准区域的位置信息;以及调整基板与掩模板之间的相对位置,将掩模板与所述基板对准。
下面通过几个具体的实施例对本公开涉及的结构、方法及技术效果作详细说明。
实施例一
本实施例提供一种对准标记,该对准标记包括对准区域、周边区域和遮挡区域。对准区域具有外轮廓;周边区域至少围绕部分对准区域的外轮廓设置;遮挡区域围绕对准区域的外轮廓设置,且不与周边区域重合;对准区域和遮挡区域是不透明的,周边区域至少是部分透明的。
本实施例提供的对准标记例如可以用于曝光过程中将待曝光物与掩模对位,例如在显示领域,在配合掩模板对制备过程中的显示基板进行曝光过程中,该对准标记可用于将显示基板与掩模板对准。该显示基板例如可以为阵列基板、彩膜基板等。例如,彩膜基板的制作通常是通过曝光机配合掩模板进行曝光-显影工艺以形成黑矩阵以及多个不同颜色的像素单元等,这个过程中可以利用该对准标记将制备过程中的彩膜基板与掩模板对准。本实施例提供的对准标记可以使得曝光机更准确地获取对准标记的位置,从而提高待曝光的基板与掩模板对位的准确性。同时,该对准标记还减少对准错误的报警,提高生产效率。
示范性地,图3A为本实施例提供的一种对准标记示意图,图3B为将设置有图3A所示的对准标记的基板放置于曝光机机台上的示意图。如图3A所示,对准标记10包括对准区域1、周边区域2和遮挡区域3。对准区域1包括外轮廓,周边区域2围绕对准区域1的外轮廓设置。对准区域1是不透明的,而周边区域2是透明的。这样可以使对准区域1与周边区域2之间存在明显的灰度差别,以使曝光对准过程中,能够通过镜头人工或自动识别对准区域101与周边区域102的灰度差异来识别对准区域101的位置,从而获取对准标记的对准区域的位置信息。
例如,对准区域1与遮挡区域3可以为黑色。一方面,相比于对准区域1为其他颜色,对准区域1为黑色可以使其与周边区域2的灰度差异更加明显;另一方面,相比于遮挡区域3为其他颜色,遮挡区域3为黑色可以使其具有更好的遮挡干扰物的效果。另外,这样也有利于简化制作带有该对准标记10的基板的工艺。
例如,对准标记可以被形成在待曝光基板上,用于将待曝光基板与掩模板对准。例如,待曝光基板是透明的,对准标记10的周边区域2可以是待曝光基板的一部分。当然,在其他示例中,周边区域2也可以是部分透明的,只要不影响对准操作即可。遮挡区域3围绕对准区域1的外轮廓设置,且不与周边区域2重合。遮挡区域3是不透明的。如图3B所示,进行曝光对准时,将设置有该对准标记10的基板放置于曝光机机台上,当对准标记10与设置于曝光机的机台上的干扰物103交叠时,遮挡区域3可以将干扰物103遮挡住,从而使干扰物103不能够被曝光机镜头捕捉,以避免干扰物103对曝光机镜头捕捉对准区域1的图像而获取对准区域的位置信息造成干扰。这能够使得曝光机对对准标记10的位置获取得更加准确,从而提高基板与掩模板对位的准确性,同时减少对准错误的报警,提高生产效率。
需要说明的是,这里干扰物103包括任何如果不被遮挡区域3遮挡则可以被曝光机镜头捕捉到的物体。例如,干扰物103为用于防止基板与机台之间出现静电的凹凸结构等。
例如,对准区域1为多边形。例如,对准区域可以是规则多边形或不规则多边形。例如,规则多边形包括矩形、正三角形、等腰三角形、正五边形、等腰梯形等;不规则多边形包括不规则四边形、不规则五边形等。例如,在图3A所示的示例中,对准区域1的形状为矩形。当然,对准区域1的形状为多边形的示例不限于上述列举的种类,本实施例对该多边形的形状不作限定。
例如,周边区域可以包括多个沿对准区域的外轮廓的每条边的延伸方向延伸并超出对准区域的外轮廓的条形结构。如图3A所示,对准区域1为矩形,周边区域2包括沿该矩形的每条边的延伸方向延伸并超出该矩形的外轮廓的第一条形结构201、第二条形结构202、第三条形结构203和第四条形结构204。如此,第一条形结构201、第二条形结构202、第三条形结构203和第四条形结构204能够在对准区域1的周围形成透光区,以使进行曝光对准时,曝光机的镜头在对对准区域1进行识别时,能够识别到对准区域1的灰度与其周围的周边区域2的灰度之间存在明显差异,从而能够准确地识别出对准区域1,进而获取对准区域1准确的位置信息。
示范性地,图3C为本实施例提供的另一种对准标记示意图。在图3所示的示例中,对准区域1为三角形。例如为正三角形。对准区域1为矩形,周边区域2包括沿该三角形的每条边的延伸方向延伸并超出该矩形的外轮廓的第一条形结构201、第二条形结构202和第三条形结构203。
例如,在本实施例的另一个示例中,对准区域也可以为圆形,周边区域包括多个沿对准区域的切线方向延伸并超出对准区域的外轮廓的条形结构。示范性地,图3D为本实施例提供的又一种对准标记示意图。如图3D所示,对准区域1为圆形。周边区域2包括多个沿该圆的切线方向延伸并超出该圆的外轮廓(即该圆的圆周)的第一条形结构201、第二条形结构202、第三条形结构203和第四条形结构204。该对准标记10的周边区域2还包括透明的填充部分205,填充部分205填充于第一条形结构201、第二条形结构202、第三条形结构203和第四条形结构204围成的矩形与对准区域1之间。这样可以使得对准区域1的灰阶与周边区域2的灰阶具有明显的差异,有利于曝光机镜头准确地获取对准区域1的位置信息。当然,条形结构的数量不限于是图3D所示的数量,从而条形结构围成的图形也不限于是图3D所示的矩形。
例如,周边区域的形状可以为环形,该环形的轮廓形状与对准区域的外轮廓的形状相同。示范性地,图4A为本实施例提供的又一种对准标记示意图。如图4A所示,对准区域1的形状为矩形,周边区域2的形状为围绕该矩形的矩形环。这种对准标记10也可以达到与图3A所示的示例相同或相似的技术效果。
示范性地,图4B为本实施例提供的又一种对准标记示意图。如图4B所示,对准区域1的形状为圆形,周边区域2的形状为围绕该圆形的圆环。这种对准标记10也可以达到与图3A所示的示例相同或相似的技术效果。
需要说明的是,在图4A和图4B所示的示例中,周边区域为封闭环形,但在其他示例中,周边区域也可以为不封闭环形。
例如,图5为本实施例提供的又一种对准标记示意图。如图5所示,对准区域1为矩形,周边区域2包括四个位于对准区域1的外轮廓的每条边的远离对准区域1的一侧的矩形区域。这种对准标记10也可以达到与图3A所示的示例相同或相似的技术效果。
需要说明的是,图3A、图3C、图4A、图4B和图5所示的对准标记仅是本实施例的示范性示例,本实施例的对准标记不仅仅限于是以上所列举的种类。
例如,对准区域和遮挡区域的材料可以为感光材料。例如,该感光材料可以包括光刻胶材料和金属卤化物,金属卤化物例如为卤化银(例如AgCl或AgBr)。对准区域1和遮挡区域3可以经过曝光-显影工艺形成,金属卤化物在未曝光时为低光密度的材料,曝光后会分解形成金属微粒,该金属微粒由于颗粒小会呈现为黑色,具有高光密度值。同时,例如光刻胶材料为负性光刻胶材料,其在曝光后变得不溶于显影液而保留下来,从而可以形成黑色的对准区域和遮光区域。对准区域和遮挡区域的材料还可以为深色材料,例如黑色树脂、金属铬或铬氧化物等,可以通过印刷、光刻等构图方法得到需要的图案。
实施例二
本实施例还提供一种基板,该基板包括本公开的实施例一提供的任意一种对准标记。在曝光过程中,该基板能够更准确、更有效地与掩模板实现对准。
示范性地,图6为本实施例提供的一种基板的结构示意图。该基板11包括本公开实施例一提供的任意一种对准标记10。例如,基板11包括衬底基板7,衬底基板7包括工作区8和位于工作区8周边的非工作区9。对准标记10位于非工作区9内。在对基板11进行曝光前将基板与掩模板对准过程中,将基板11放置于曝光机机台上,当对准标记10与设置于曝光机的机台上的干扰物交叠时,对准标记的遮挡区域可以将干扰物遮挡住,从而使干扰物不能够被曝光机镜头捕捉,以避免干扰物对曝光机镜头捕捉对准区域的图像而获取对准区域的位置信息造成干扰。这能够使得曝光机对对准标记10的位置获取得更加准确,从而提高基板11与掩模板对位的准确性,同时减少对准错误的报警,提高生产效率。
需要说明的是,基板11中的对准标记10的个数可以为1个也可以为多个,对准标记10的具体个数可根据实际需要确定。
例如,基板11可以为显示基板。例如,如图6所示,基板11可以为母板,即用于在制作显示基板过程中的母板。该母板包括多个基板单元5。每个基板单元5包括将基板单元5划分为多个阵列单元12的黑矩阵13。
例如,该基板单元5可以为彩膜基板,被黑矩阵13划分出的多个阵列单元12为多个彩色像素单元。对准标记10的对准区域和遮挡区域的材料与黑矩阵13的材料可以相同。例如,黑矩阵的材料可以为感光材料。例如,该感光材料可以包括光刻胶材料和金属卤化物,金属卤化物例如为卤化银(例如AgCl或AgBr)。当然,黑矩阵的材料不仅仅限于是上述列举的材料,本领域技术人员可以参考本领域常规技术。
实施例三
本实施例提供一种基板的制作方法,该基板为本公开实施例二提供的任意一种基板。
示范性地,图7是本实施例提供的一种基板的制作方法示意图。如图7所示,该方法包括提供衬底基板、在衬底基板上形成不透明膜层以及对不透明膜层进行图案化以形成对准标记的对准区域、周边区域和遮挡区域。该衬底基板包括工作区以及位于工作区周边的非工作区。
例如,不透明膜层为黑色感光膜层。例如,其材料可以为感光材料,例如,该感光材料可以包括光刻胶材料和金属卤化物,金属卤化物例如为卤化银(例如AgCl或AgBr)。例如,光刻胶材料可以为负性光刻胶材料。
图8为本实施例提供的另一种基板的制作方法示意图。例如,该基板还包括黑矩阵,基板的制作方法还包括在衬底基板的工作区域中形成黑矩阵。例如,基板可以为母板,即用于在制作显示基板过程中的母板。该母板包括多个基板单元。每个基板单元包括将基板单元划分为多个阵列单元的黑矩阵。黑矩阵将每个基板单元划分为多个阵列单元。例如,该基板单元可以为彩膜基板,被黑矩阵划分出的多个阵列单元可以为多个像素单元。将该母板切割后即可获得多个独立的彩膜基板。图8所示的示例与图7所示的示例的区别在于,对准标记与黑矩阵经由同一工艺同时形成。在对不透明膜层进行图案化的同时,形成对准标记的对准区域、周边区域和遮挡区域以及黑矩阵。准标记的对准区域和遮挡区域与黑矩阵的材料相同。其材料为上述的不透明膜层的材料。
例如,可以采用光刻工艺实现对不透明膜层进行图案化。例如,当不透明膜层的材料含有负性光刻胶和/或金属卤化物时,配合采用掩模板对形成有不透明膜层的基板进行曝光-显影工艺,使不透明膜层的用于形成对准标记的周边区域的部分接受光照,不透明膜层的用于形成黑矩阵和对准标记的对准区域的部分不接受光照。金属卤化物在曝光后会分解形成金属微粒,该金属微粒由于颗粒小会呈现为黑色。同时,负性光刻胶在曝光后变得不溶于显影液而保留下来,从而可以同时形成黑色的对准标记的对准区域和遮光区域以及黑矩阵。该制作方法中,对准标记与黑矩阵经由同一工艺同时形成可以简化制作工序。
例如,当利用该母板形成的多个基板单元为彩膜基板时,在形成黑矩阵将每个基板单元划分为多个像素单元之后,还需要在每个像素单元中形成多个彩色像素单元,例如红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元。通常可以利用掩模板对彩膜基板进行曝光-显影工艺形成多个色彩像素单元,在曝光过程中,该对准标记可以使得曝光机对准标记的位置获取得更加准确,从而提高基板与掩模板对位的准确性,同时减少对准错误的报警,提高生产效率。
实施例四
本实施例提供一种曝光对准方法,该方法包括:提供基板、曝光机和掩模板,基板上形成有本公开的实施例提供的任意一种对准标记的第一对准标记,掩模板包括第二对准标记;通过曝光机获取第一对准标记的对准区域的位置信息;以及调整基板与掩模板之间的相对位置,将掩模板与所述基板对准。
示范性地,图9为本实施例提供的一种曝光对准方法示意图,以曝光前将带有实施例一提供的对准标记的基板与掩模板进行对准为例,图9只示出了基板11的局部。提供基板11、曝光机和掩模板。掩模板包括第二对准标记。例如,第二对准标记具有对准中心,将第一对准标记的对准区域的位置信息与第二对准标记的对准中心的位置信息相同以实现对准。曝光机包括机台和镜头,机台可以移动。如图9所示,进行对准时,将基板11放置于曝光机的机台上。镜头可用于获取第一对准标记的位置信息。采用曝光机的镜头捕捉基板11上的第一对准标记的对准区域1的位置信息。镜头利用识别第一对准标记的对准区域1与周边区域2的灰度差异来识别对准区域1,从而获取其位置信息。该位置信息例如为位置坐标。掩模板设置在基板11与曝光机的镜头之间,图9中以第二对准标记在待曝光基板上的投影6作为掩模板的第二对准标记的示例。曝光机通过移动机台而移动基板11,以使基板11上的第一对准标记的对准区域1与第二对准标记的对准中心的位置信息相同。该位置信息为第一对准标记的对准区域1和第二对准标记的对准中心在平行于基板11的平面的位置坐标。即,使图9所示的对准区域1与第二对准标记的对准中心在基板11上的投影6的对准中心的位置坐标相同。从而实现基板11与掩模板的对准。
如图9所示,基板上的第一对准标记常常会与设置于曝光机的基台上的干扰物4交叠。这种情况下,遮挡区域3可以将干扰物4遮挡住,从而使干扰物4不能够被曝光机镜头捕捉,以避免干扰物4对曝光机镜头捕捉对准区域1的图像而获取对准区域的位置信息造成干扰。这能够使得曝光机对第一对准标记的位置获取得更加准确,从而提高基板与掩模板对位的准确性,同时减少对准错误的报警,提高生产效率。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式,而非用于限制本发明的保护范围,本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (18)
1.一种对准标记,包括:
对准区域,具有外轮廓;
周边区域,至少围绕部分所述对准区域的外轮廓设置;以及
遮挡区域,至少围绕部分所述对准区域的外轮廓设置,且不与所述周边区域重合;
其中,所述对准区域和所述遮挡区域是不透明的,所述周边区域至少是部分透明的。
2.根据权利要求1所述的对准标记,其中,所述对准区域为多边形。
3.根据权利要求2所述的对准标记,其中,所述对准区域为矩形。
4.根据权利要求2或3所述的对准标记,其中,所述周边区域包括多个沿所述对准区域的外轮廓的每条边的延伸方向延伸并超出所述对准区域的外轮廓的条形结构。
5.根据权利要求1所述的对准标记,其中,所述对准区域为圆形。
6.根据权利要求2或3或5所述的对准标记,其中,所述周边区域的形状为环形,所述环形的轮廓形状与所述对准区域的外轮廓的形状相同。
7.根据权利要求5所述的对准标记,其中,所述周边区域包括多个沿所述对准区域的切线方向延伸并超出所述对准区域的外轮廓的条形结构。
8.根据权利要求1所述的对准标记,其中,所述对准区域和所述遮挡区域的材料为感光材料。
9.一种基板,包括至少一个权利要求1-8任一所述的对准标记。
10.根据权利要求9所述的基板,包括:
工作区和位于所述工作区周边的非工作区;
所述对准标记位于所述非工作区内。
11.根据权利要求9所述的基板,其中,所述基板为显示基板。
12.根据权利要求11所述的基板,其中,所述基板为母板,所述母板包括多个基板单元,每个所述基板单元包括将所述基板单元划分为多个阵列单元的黑矩阵;
所述对准标记的对准区域和遮挡区域的材料与所述黑矩阵的材料相同。
13.一种权利要求9-10或12任一所述的基板的制作方法,包括:
提供衬底基板,所述衬底基板包括工作区以及位于所述工作区周边的非工作区;
在所述衬底基板上形成不透明膜层;以及
对所述不透明膜层进行图案化,以形成所述对准标记的对准区域、周边区域和遮挡区域。
14.根据权利要求13所述的基板的制作方法,其中,所述不透明膜层为黑色感光膜层,采用光刻工艺实现所述图案化。
15.根据权利要求13所述的基板的制作方法,其中,所述基板还包括黑矩阵,所述基板的制作方法还包括在衬底基板的工作区域中形成所述黑矩阵;
所述对准标记与所述黑矩阵经由同一工艺同时形成。
16.一种曝光对准方法,包括:
提供基板、曝光机和掩模板,其中,所述基板上形成有根据权利要求1-8任一所述的对准标记的第一对准标记,所述掩模板包括第二对准标记;
通过所述曝光机获取所述第一对准标记的对准区域的位置信息;以及
调整所述基板与所述掩模板之间的相对位置,将所述掩模板与所述基板对准。
17.根据权利要求16所述的曝光对准方法,其中,所述曝光机包括镜头,所述掩模板位于所述镜头与所述基板之间,通过所述镜头采集所述对准标记的对准区域的图像信息。
18.根据权利要求16所述的曝光对准方法,其中,所述第二对准标记具有对准中心,将所述第一对准标记的对准区域的位置信息与所述第二对准标记的对准中心的位置信息相同以实现所述对准。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110764377A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-07 | 江苏上达电子有限公司 | 一种提高曝光机精准焦距的方法 |
CN110908255A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-03-24 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 一种对位标记结构、曝光装置和曝光方法 |
CN113451274A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-09-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | Led芯片组件、显示面板及制备方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11635680B2 (en) | 2020-08-14 | 2023-04-25 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Overlay pattern |
CN114077170B (zh) * | 2020-08-14 | 2022-11-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 对准图形 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1496495A (zh) * | 2001-03-16 | 2004-05-12 | ���ּ����ɷ�����˾ | 三色调衰减相移掩模的自对准制造技术 |
US20050250291A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Pary Baluswamy | Methods for clearing alignment markers useable in semiconductor lithography |
KR20060110022A (ko) * | 2005-04-19 | 2006-10-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 레티클의 오버레이 패턴 형성 방법 |
CN1873538A (zh) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | 三菱电机株式会社 | 检查方法及采用该检查方法的液晶显示装置的制造方法 |
CN101271281A (zh) * | 2008-04-30 | 2008-09-24 | 上海微电子装备有限公司 | 归一化对准标记组合及其对准方法和对准*** |
CN101286010A (zh) * | 2008-04-25 | 2008-10-15 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的对准***及其对准方法和光刻设备 |
CN101378012A (zh) * | 2007-08-31 | 2009-03-04 | Nec液晶技术株式会社 | 电子部件和显示装置及所述电子部件和显示装置的制造方法 |
CN203720532U (zh) * | 2014-01-13 | 2014-07-16 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种光刻标记结构 |
CN105182697A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种On Cell结构触摸显示屏及其制作方法、显示装置 |
CN106054543A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位方法及对位*** |
CN106569390A (zh) * | 2015-10-08 | 2017-04-19 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影曝光装置及方法 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3607267A (en) * | 1967-10-09 | 1971-09-21 | Motorola Inc | Precision alignment of photographic masks |
JPS57112021A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
US4343877A (en) * | 1981-01-02 | 1982-08-10 | Amdahl Corporation | System for design and production of integrated circuit photomasks and integrated circuit devices |
US5412285A (en) * | 1990-12-06 | 1995-05-02 | Seiko Epson Corporation | Linear amplifier incorporating a field emission device having specific gap distances between gate and cathode |
KR19980030438A (ko) * | 1996-10-29 | 1998-07-25 | 김영환 | 반도체 버어니어 구조 및 그것을 이용한 오버레이 정확도 측정방법 |
US5858588A (en) * | 1997-05-01 | 1999-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for recovering alignment marks after chemical mechanical polishing |
JP3348783B2 (ja) * | 1999-07-28 | 2002-11-20 | 日本電気株式会社 | 重ね合わせ用マーク及び半導体装置 |
US6671049B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-12-30 | Cognex Corporation | Article of manufacture bearing a universal alignment target |
US6812933B1 (en) * | 1999-10-29 | 2004-11-02 | Cognex Technology And Investment | Method for rendering algebraically defined two-dimensional shapes by computing pixel intensity using an edge model and signed distance to the nearest boundary |
US6506623B2 (en) * | 2000-09-28 | 2003-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Microstructure array, mold for forming a microstructure array, and method of fabricating the same |
JP3823805B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2006-09-20 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置 |
JP2003257828A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3519721B2 (ja) * | 2002-07-01 | 2004-04-19 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の合わせマーク |
US6794691B2 (en) * | 2003-01-21 | 2004-09-21 | Ami Semiconductor, Inc. | Use of irregularly shaped conductive filler features to improve planarization of the conductive layer while reducing parasitic capacitance introduced by the filler features |
JP4460903B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2010-05-12 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハのidマーク認識方法 |
US7379184B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Nanometrics Incorporated | Overlay measurement target |
TWI302290B (en) * | 2005-08-17 | 2008-10-21 | Au Optronics Corp | Structure for circuit assembly |
TW200725037A (en) | 2005-12-23 | 2007-07-01 | Innolux Display Corp | Alignment mark and liquid crystal panel using the same |
JP4864776B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | フォトマスク |
JP2009231766A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | マーク形成方法 |
JP5266857B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2013-08-21 | ミツミ電機株式会社 | チップのアライメント方法 |
JP2009302309A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Elpida Memory Inc | アライメントマーク構造およびこれを用いた位置合わせ方法 |
GB2481189B (en) * | 2010-06-04 | 2014-11-26 | Plastic Logic Ltd | Edge Detection in Reduced Substrates |
US8220140B1 (en) * | 2010-09-13 | 2012-07-17 | Western Digital (Fremont), Llc | System for performing bonding a first substrate to a second substrate |
US8440372B2 (en) * | 2011-02-03 | 2013-05-14 | Micrel, Inc. | Single field zero mask for increased alignment accuracy in field stitching |
CN103199084B (zh) * | 2013-03-08 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板对位标记、基板及基板对位标记的制作方法 |
US9252061B2 (en) * | 2014-04-02 | 2016-02-02 | Globalfoundries Inc. | Overlay mark dependent dummy fill to mitigate gate height variation |
US9595497B2 (en) * | 2014-06-13 | 2017-03-14 | Apple Inc. | Display with low reflectivity alignment structures |
KR102506703B1 (ko) * | 2014-12-16 | 2023-03-03 | 데카 테크놀로지 유에스에이 인코포레이티드 | 반도체 패키지를 마킹하는 방법 |
CN104503203A (zh) | 2015-01-15 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制备方法和显示面板中封框胶的固化方法 |
US10283456B2 (en) * | 2015-10-26 | 2019-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography engraving machine for forming water identification marks and aligment marks |
CN105487333B (zh) * | 2016-01-04 | 2019-09-17 | 重庆京东方光电科技有限公司 | 掩膜板组、彩膜基板及其制作方法、检测装置、显示装置 |
KR102602083B1 (ko) * | 2016-03-14 | 2023-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10714427B2 (en) * | 2016-09-08 | 2020-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Secure chips with serial numbers |
US10923606B2 (en) * | 2016-10-26 | 2021-02-16 | Kaneka Corporation | Photoelectric conversion element |
US20180226353A1 (en) * | 2017-02-07 | 2018-08-09 | Nxp B.V. | Semiconductor lead frame with machine readable mark |
KR102111045B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2020-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP7163577B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-11-01 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-11-30 CN CN201711242791.9A patent/CN109856930B/zh active Active
-
2018
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- 2018-09-07 WO PCT/CN2018/104655 patent/WO2019105098A1/zh active Application Filing
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1496495A (zh) * | 2001-03-16 | 2004-05-12 | ���ּ����ɷ�����˾ | 三色调衰减相移掩模的自对准制造技术 |
US20050250291A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Pary Baluswamy | Methods for clearing alignment markers useable in semiconductor lithography |
KR20060110022A (ko) * | 2005-04-19 | 2006-10-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 레티클의 오버레이 패턴 형성 방법 |
CN1873538A (zh) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | 三菱电机株式会社 | 检查方法及采用该检查方法的液晶显示装置的制造方法 |
CN101378012A (zh) * | 2007-08-31 | 2009-03-04 | Nec液晶技术株式会社 | 电子部件和显示装置及所述电子部件和显示装置的制造方法 |
CN101286010A (zh) * | 2008-04-25 | 2008-10-15 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的对准***及其对准方法和光刻设备 |
CN101271281A (zh) * | 2008-04-30 | 2008-09-24 | 上海微电子装备有限公司 | 归一化对准标记组合及其对准方法和对准*** |
CN203720532U (zh) * | 2014-01-13 | 2014-07-16 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种光刻标记结构 |
CN105182697A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种On Cell结构触摸显示屏及其制作方法、显示装置 |
CN106569390A (zh) * | 2015-10-08 | 2017-04-19 | 上海微电子装备有限公司 | 一种投影曝光装置及方法 |
CN106054543A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位方法及对位*** |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110908255A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-03-24 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 一种对位标记结构、曝光装置和曝光方法 |
CN110764377A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-07 | 江苏上达电子有限公司 | 一种提高曝光机精准焦距的方法 |
CN113451274A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-09-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | Led芯片组件、显示面板及制备方法 |
CN113451274B (zh) * | 2020-10-28 | 2022-08-05 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | Led芯片组件、显示面板及制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019105098A1 (zh) | 2019-06-06 |
US20200201168A1 (en) | 2020-06-25 |
US11315882B2 (en) | 2022-04-26 |
CN109856930B (zh) | 2021-05-25 |
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