CN113451274A - Led芯片组件、显示面板及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种LED芯片组件、显示面板及制备方法。其中LED芯片组件包括基板以及位于该基板上的多颗LED芯片、至少两个标记基础件，该标记基础件与LED芯片在同一生长基板上形成，可以随着LED芯片一起被转移到暂态基板上，用于在LED芯片转移过程中起定位作用，该LED芯片组件提供了一种在暂态基板上设置对位标记的新方案，该方案中LED芯片与标记基础件的转移过程可以一同实现，避免了在生长基板以外的衬底上设置标记基础件后，需要分别转移标记基础件与LED芯片到暂态基板的问题，提升了暂态基板上对位标记的设置效率，有利于提升巨量转移效率。

Description

LED芯片组件、显示面板及制备方法
技术领域
本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片组件、显示面板及制备方法。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)的辐射理论和结构不同于传统光源，例如荧光灯或白炽灯。LED具有低功耗，长寿命和快速响应时间等优点。此外，LED结构紧凑，防震，环保，因此LED在市场上被广泛采用。例如，LED可用于显示装置，室内或室外照明，数据存储装置，通信装置，医疗装置等。
LED可作为显示装置的背光源，或经由缩小尺寸(微米级)后作为显示装置的像素单元。而巨量转移技术成为了使小尺寸LED作为像素单元的关键。在对LED芯片进行巨量转移，尤其是在采用准分子激光巨量转移的情况时，需要在暂态基板(Donor)与驱动基板上设置对位标记(Mark)，利用对位标记实现暂态基板上LED芯片与驱动基板上芯片设置区的对齐，从而将暂态基板上多颗LED芯片一同转移至驱动基板上。但目前对于如何在暂态基板上设置对位标记并没有可靠的做法。
因此，如何在暂态基板上设置对位标记是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种LED芯片组件、显示面板及制备方法，旨在解决在暂态基板上设置对位标记的问题。
一种LED芯片组件，包括：
基板；
位于基板表面的多颗LED芯片；以及
至少两个标记基础件；
其中，标记基础件与LED芯片处于基板的同一表面，且标记基础件与LED芯片在同一生长基板上形成；标记基础件用于在转移多颗LED芯片的过程中起定位作用。
上述LED芯片组件，包括基板以及位于该基板上的多颗LED芯片、至少两个标记基础件，该标记基础件与LED芯片在同一生长基板上形成，可以随着LED芯片一起被转移到暂态基板上，用于在LED芯片转移过程中起定位作用，该LED芯片组件提供了一种在暂态基板上设置对位标记的新方案，该方案中LED芯片与标记基础件的转移过程可以一同实现，避免了在生长基板以外的衬底上设置标记基础件后，需要分别转移标记基础件与LED芯片到暂态基板的问题，提升了暂态基板上对位标记的设置效率，有利于提升巨量转移效率。
可选地，标记基础件的至少部分材质与LED芯片的至少部分材质相同。
上述LED芯片组件中，标记基础件的至少部分材质与LED芯片的至少部分材质相同，因此，标记基础件与LED芯片的部分形成材料可以共用，简化了形成标记基础件与LED芯片之前的备料过程，提升了生产效益。
可选地，标记基础件包括多个层结构，多个层结构中连续n个层结构构成第一部分层，LED芯片中连续n个层结构构成第二部分层，n大于等于2；第一部分层的形成材质与第二部分层的形成材质相同，且同一材质的层结构在第一部分层中的相对位置与在第二部分层的相对位置相同。
上述LED芯片组件中标记基础件也是复合层结构，并且其中第一部分层结构的形成材质与LED芯片中的第二部分层结构的形成材质相同，且同一材质的层结构在第一部分层结构中的相对位置与在第二部分层结构的相对位置相同。所以，形成标记基础件的第一部分层结构的流程，与形成LED芯片的第二部分层结构的流程可以采用相同的材料同时进行，这有利于减少形成标记基础件所耗费的时间，降低形成标记基础件带来的额外负担，提升生产效率与生产效益。
可选地，标记基础件包括在生长基板上生长出的坏点LED芯片。
上述LED芯片组件中标记基础件直接包括生长基板上的坏点LED芯片，通过在生长基板上进行LED芯片生长，然后确定出这些LED芯片中的坏点LED芯片作为标记基础件，不仅免去了针对标记基础件的形成专门备料的过程，同时也避免专门形成标记基础件的过程，减少了形成标记基础上的耗时与成本；而且，因为利用坏点LED芯片形成标记基础件，所以有效利用了原本无用的坏点LED芯片，给予了坏点LED芯片使用价值，提升了生长基板上所生长出的LED芯片的利用率。
可选地，所述基板包括生长基板或暂态基板。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种LED芯片组件制备方法，包括：
在生长基板上制备LED芯片，并形成标记基础件；以及
将LED芯片与标记基础件自生长基板转移至暂态基板，得到LED芯片组件；标记基础件用于在从暂态基板向驱动基板转移LED芯片的过程中起定位作用。
上述LED芯片组件制备方法，先在生长基板上制备LED芯片并形成标记基础件，然后将LED芯片与标记基础件一同自生长基板转移至暂态基板。由于标记基础件可以在生长基板上形成，并随着LED芯片一起被转移到暂态基板上，用于在从暂态基板向驱动基板转移LED芯片的过程中起定位作用。该LED芯片组件制备方法提供了一种在暂态基板上设置对位标记的新方案，该方案中LED芯片与标记基础件的转移过程可以一同实现，避免了在生长基板以外的衬底上设置标记基础件后，需要分别转移标记基础件与LED芯片到暂态基板的问题，提升了暂态基板上对位标记的设置效率，有利于提升巨量转移效率。
可选地，形成标记基础件包括：
方式一：采用形成LED芯片至少部分层结构的材料在生长基板的空闲区形成标记基础件；其中，空闲区为生长基板上芯片生长区以外的区域；
方式二：在LED芯片制备完成后，对LED芯片进行检测，以识别坏点LED芯片，将坏点LED芯片作为标记基础件。
上述LED芯片制备方法中，如果采用方式一形成标记基础件，可以采用制备LED芯片部分层结构的材料在生长基板的空闲区形成标记基础件，所以，形成标记基础件的材料与LED芯片的部分形成材料可以共用，简化了形成标记基础件与LED芯片之前的备料过程，提升了生产效益。
上述LED芯片制备方法中，如果采用方式二形成标记基础件，则可以通过在生长基板上进行LED芯片生长，然后确定出这些LED芯片中的坏点LED芯片作为标记基础件，不仅免去了针对标记基础件的形成专门备料的过程，同时也避免专门形成标记基础件的过程，减少了形成标记基础上的耗时与成本；而且，因为利用坏点LED芯片形成标记基础件，所以有效利用了原本无用的坏点LED芯片，给予了坏点LED芯片使用价值，提升了生长基板上所生长出的LED芯片的利用率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，显示面板包括：
驱动基板；
设置在驱动基板的芯片设置区中，且与驱动基板中驱动电路电连接的多颗LED芯片；以及
至少两个标记基础件，标记基础件与多颗LED芯片中的部分在同一生长基板上生长形成，并经同一暂态基板转移至驱动基板；标记基础件用于在从暂态基板向驱动基板转移LED芯片的过程中起定位作用。
上述显示面板中，包括驱动基板以及至少两个标记基础件，其中，标记基础件与驱动基板上部分LED芯片在同一生长基板上生长形成，并可以通过同一暂态基板转移而来。通过这种方式提供了一种在暂态基板上设置对位标记的新方案，该方案中LED芯片与标记基础件的转移过程可以一同实现，避免了在生长基板以外的衬底上设置标记基础件后，需要分别转移标记基础件与LED芯片到暂态基板的问题，提升了暂态基板上对位标记的设置效率，有利于提升巨量转移效率。
可选地，标记基础件包括生长基板上生长出的坏点LED芯片。
上述显示面板中标记基础件直接包括生长基板上的坏点LED芯片，通过在生长基板上进行LED芯片生长，然后确定出这些LED芯片中的坏点LED芯片作为标记基础件，不仅免去了针对标记基础件的形成专门备料的过程，同时也避免专门形成标记基础件的过程，减少了形成标记基础上的耗时与成本；而且，因为利用坏点LED芯片形成标记基础件，所以有效利用了原本无用的坏点LED芯片，给予了坏点LED芯片使用价值，提升了生长基板上所生长出的LED芯片的利用率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板制备方法，包括：
提供一驱动基板；其中，驱动基板上形成有至少两个第二对位标记；
依据驱动基板上各第二对位标记的位置关系，形成前述任一项的LED芯片组件；
透过第二对位标记与标记基础件实现驱动基板与LED芯片组件的对位；
待对位完成后，将LED芯片键合至驱动基板并自LED芯片组件的基板剥离。
上述显示面板制备方法中，先提供一种驱动基板，然后根据驱动基板上第二对位标记的位置关系，形成对应的LED芯片组件，该LED芯片组件中包括第一对位标记，第一对位标记由与LED芯片在同一生长基板上生长的标记基础件形成，这些标记基础件可以随着LED芯片一起被转移到暂态基板上，形成暂态基板上的第一对位标记，避免了在其他基板上设置第一对位标记(或标记基础件)后，需要分别转移对位标记(或标记基础件)与LED芯片到暂态基板的问题，提升了暂态基板上第一对位标记的设置效率，有利于提升巨量转移效率与显示面板的制备效率，提升生产效益。
可选地，对位完成后，还包括：
将第一对位标记自LED芯片组件的基板转移至驱动基板。
附图说明
图1为本发明一可选实施例中提供的包括生长基板的LED芯片组件的示意图；
图2为本发明一可选实施例中提供的LED芯片与标记基础件的可选结构示意图；
图3为本发明一可选实施例中提供的包括暂态基板的LED芯片组件的一种示意图；
图4为本发明一可选实施例中提供的包括生长基板的LED芯片组件的另一种示意图；
图5为本发明一可选实施例中提供的制备包括暂态基板的LED芯片组件的一种流程图；
图6为本发明一可选实施例中提供的制备显示面板的一种流程图；
图7为本发明一可选实施例中提供的显示面板的一种示意图；
图8为本发明一可选实施例中提供的显示面板的另一种示意图；
图9为本发明另一可选实施例中提供的制备显示面板的一种流程图；
图10为图9中显示面板的一种制程状态变化示意图；
图11为本发明另一可选实施例中提供的LED芯片与标记基础件的可选结构示意图。
附图标记说明：
10-LED芯片组件；11-生长基板；12-多颗LED芯片；13-标记基础件；121-芯片牺牲层；122-芯片第一半导体层；123-芯片有源层；124-芯片第二半导体层；125-芯片电流扩展层；126-芯片金属层；131-标记牺牲层；132-标记第一半导体层；133-标记有源层；134-标记第二半导体层；135-标记电流扩展层；30-LED芯片组件；31-暂态基板；12-多颗LED芯片；33-第一对位标记；70-显示面板；71-驱动基板；72-多颗LED芯片；73-第一对位标记；74-第二对位标记；101-生长基板；102-LED芯片；103-标记基础件；104-临时基板；105-暂态基板；106-第一对位标记；107-第二对位标记；108-驱动基板。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
在利用暂态基板从生长基板向驱动基板进行LED芯片(包括但不限于微发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro-LED)、迷你发光二极管(Mini Light-EmittingDiode，Mini-LED)或者是有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)等)的巨量转移时，需要在暂态基板与驱动基板上设置对位标记，从而实现暂态基板上LED芯片与驱动基板上LED芯片设置区的对位，保证LED芯片能够被精确地设置到驱动基板上，但目前并未提出业内普遍认可的在暂态基板上设置对位标记的方案。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
一可选实施例：
本实施例首先提供一种LED芯片组件，包括基板、位于基板表面的多颗LED芯片以及至少两个标记基础件。
其中，标记基础件与LED芯片处于基板的同一表面，且标记基础件与LED芯片在同一生长基板上形成。标记基础件用于在转移多颗LED芯片的过程中起定位作用。
在本实施例的一些示例中，LED芯片组件中的基板可以为生长基板，也可以为暂态基板。本实施例中涉及“生长基板”、“暂态基板”以及“驱动基板”，这几类基板是根据基板相对于LED芯片实现的作用进行区分的。其中，生长基板就是生长制备LED芯片的基板；暂态基板就是从生长基板上转移LED芯片，并将转移的LED芯片再转移到其他基板上，对转移的LED芯片起暂时承载作用的基板；而驱动基板就是真正应用LED芯片的基板，是LED芯片的芯片接收方。
可以理解的是，在本实施例的其他一些示例中，“生长基板”、“暂态基板”以及“驱动基板”的名称也可以采用其他名称代替，例如，依次采用“第一基板”、“第二基板”、“第三基板”代替“生长基板”、“暂态基板”、“驱动基板”。或者可以采用“临时基板”或“转移基板”代替“暂态基板”。
下面首先介绍包括生长基板的LED芯片组件，请参见图1所示，该LED芯片组件10包括生长基板11、多颗LED芯片12以及至少两个标记基础件13。标记基础件13用于在被转移到暂态基板上以后形成暂态基板上的至少两个第一对位标记。第一对位标记用于与驱动基板上的第二对位标记相互配合实现暂态基板与驱动基板的对位，进而保证暂态基板上的LED芯片与驱动基板上的芯片设置区对齐。本实施例中，LED芯片12与标记基础件13位于生长基板11的同一表面，二者均从生长基板11的该表面生长形成。
在本实施例的一些示例中，标记基础件13的至少部分材质与LED芯片12的至少部分材质相同。也即，假定形成标记基础件13的材料的材质集合为第一集合S1，形成LED芯片12的材料的材质集合为第二集合S2，那么第一集合S1与第二集合S2之间存在交集。
在一些示例中，第一集合S1可以为第二集合S2的子集，也即第二集合S2中包括第一集合S1。应该理解的是，第一集合S1为第二集合S2的子集，这包括第一集合S1为第二集合S2的真子集的情况，此时，标记基础件13可以由形成LED芯片12的部分材料形成；同时还包括第一集合S1与第二集合S2相等的情况，此时，标记基础件13可以由形成LED芯片12的全部材料形成。
在本实施例的一些示例中，标记基础件13为包括多个层结构的复合层结构，标记基础件13中的连续n个层结构可以构成第一部分层，而LED芯片12中连续n个层结构可以构成第二部分层，这里n的取值大于等于2。在本实施例中，第一部分层的形成材质与第二部分层的形成材质相同，并且同一形成材质的层结构在第一部分层中的相对位置与在第二部分层中的相对位置相同。例如，假定标记基础件13中包括形成材质分别为b1、b2、b3的三个相邻层结构，且b1层、b2层、b3层自下而上依次排列。同时LED芯片中12中也包括b1层、b2层、b3层，而且，b2层的下表面、上表面分别贴合b1层、b3层。可见标记基础件13中的b1层、b2层、b3层可以构成第一部分层，而LED芯片12中的b1层、b2层、b3层则可以构成第二部分层。
在本实施例的一些示例中，标记基础件13中全部层结构在LED芯片12中都存在，标记基础件13的全部层结构都可以作为第一部分层。在LED芯片12中，可以全部的层结构构成与第一部分层对应的第二部分层，也可以除了第二部分层以外，还包括标记基础件13中不存在的层结构。在一种示例中，请参见图2所示，标记基础件13自下而上包括标记牺牲层131、标记第一半导体层132、标记有源层133、标记第二半导体层134以及标记电流扩展层135，而LED芯片12自下而上依次包括芯片牺牲层121、芯片第一半导体层122、芯片有源层123、芯片第二半导体层124以及芯片电流扩展层125，另外，LED芯片12中还包括分别与芯片电流扩展层125、芯片第一半导体层122连接的芯片金属层126。在图2中，标记基础件13中不包括金属层，但在其他一些示例中，标记基础件13中也可以包括金属层。
可以理解的是，标记基础件13在生长基板11上可以尚未构成第一对位标记，尤其是当第一对位标记需要由两个或两个以上标记基础件拼接形成时。所以，在一些示例中，生长基本11上标记基础件13与LED芯片12之间的相对位置关系可以不同于被转移到暂态基板上以后的相对位置关系。在本实施例中，甚至不对标记基础件13在生长基板13上的具***置进行限定，而且，在选择坏点LED芯片作为标记基础件13的情况下，因为坏点LED芯片的出现位置是随机的，所以也无法指定标记基础件13的位置。
当然，也有一些示例中可以控制标记基础件13在生长基板11上的位置，例如，专门在生长基板上形成标记基础件13的时候，为了避免影响LED芯片12的生长，可以在生长基板11芯片生长区以外的空闲区形成标记基础件。例如，图1中，标记基础件13就位于生长基板11的外侧，因为生长基板11的中心区域是芯片生长区。
在本实施例中，不对标记基础件13的形状进行限定，例如，一些示例中，标记基础件13为长方体或者立方体，也即标记基础件13的横截面为矩形，在本实施例的另外一些示例中，标记基础件13为圆柱状，其横截面为圆形。或者，标记基础件13的横截面可以为三角形，整体呈三棱柱状。还有一些示例中，标记基础件13的横截面可以多边形(如六边形、正八边形等)，或者标记基础件13的横截面为不规则形状等。
在上述示例中，标记基础件13的结构比较类似LED芯片12，但标记基础件13与LED芯片12还是略有不同。但在本实施例的另一些示例中，标记基础件13可以包括自生长基板11上生长出来的LED芯片，例如，在LED芯片生长完成后，可以随意从多颗LED芯片中指定至少两个作为标记基础件，或者可以按照某种原则从多颗LED芯片中选择出至少两颗作为标记基础件。在一些示例中，一个标记基础件可以为一颗LED芯片，在本实施例的另外一些示例中，一个标记基础件中也可以包括两颗或两颗以上的LED芯片。
可选地，在本实施例的一些示例中，标记基础件13中包括的LED芯片可以是坏点LED芯片，在生长基板11上的LED芯片生长完成后，通常会对LED芯片进行检测，从而确定出品质不达标的LED芯片或者是存在故障的LED芯片，这些LED芯片就是坏点LED芯片。在采用坏点LED芯片的情况下，可以让原本已无利用价值的坏点LED芯片得到利用，从而提升生长基板11上所生长的LED芯片的利用率。
在本实施例的另外一些示例中，可以指定生长基板11上某些位置的LED芯片无论好坏均作为标记基础件13，例如，当生长基板11上的芯片生长区为矩形时，可以指定位于矩形顶点的四颗LED芯片作为标记基础件13。可以理解的是，虽然这种设置标记基础件13的方案中，作为标记基础件13的LED芯片可能是品质良好的LED芯片，坏点LED芯片依旧没能得到利用，不过这种形成标记基础件13的方案中也能减小形成标记基础件13的时间成本与工艺成本，毕竟LED芯片在生长基板11上是批量生成的，所以形成标记基础件13不需要准备额外的材料或者使用额外制备工序。
本实施例中还提供另一种包括暂态基板的LED芯片组件，请参见图3所示：LED芯片组件30包括暂态基板31、多颗LED芯片12以及至少两个第一对位标记33，第一对位标记33、LED芯片12之间的相对位置关系与驱动基板上第二对位标记、芯片设置区的相对位置关系相同，因此，只要各第一对位标记33与对应的第二对位标记对齐，则LED芯片12与驱动基板上的芯片设置区就能对齐。
在本实施例中，第一对位标记33中包括标记基础件，在一些示例中，一个第一对位标记33仅由一个标记基础件构成，但在本实施例的另外一些示例中，第一对位标记33也可以由两个或两个以上的标记基础件拼接形成。在一些示例中，暂态基板31上可以仅设置两个第一对位标记33，例如，在这些示例中，暂态基板31上的多颗LED芯片12排布成一个矩形，则这两个第一对位标记32可以设置在矩形同一侧面之外，或者这两个第一对位标记33分别设置在矩形的对角顶点附件，二者处于该矩形对角线的延长线上，请参见图4所示。在本实施例的一些示例中，暂态基板31上可以设置四个第一对位标记33，这四个第一对位标记33分别各自位于LED芯片排布所形成的矩形的顶点处，请继续参见图3所示，这四个第一对位标记之间的脸型也可以构成一个矩形，不过该矩形的面积略大于LED芯片12所构成的矩形的面积。毫无疑义的是，在本实施例的其他一些示例中，LED芯片组件30中第一对位标记33的数目也可以为其他值，例如可以为3个、5个甚至更多。
在本实施例中，本实施例中暂态基板31上的标记基础件是从LED芯片12的生长基板上转移过来的，也即标记基础件与LED芯片12来自同一生长基板。例如，在一些示例中，暂态基板31上的LED芯片12可以就是生长基板11上的部分LED芯片12；在暂态基板31上形成第一对位标记33的标记基础件可以是生长基板11上的标记基础件31。所以，暂态基板31上标记基础件的结构可以参见前述生长基板11上标记基础件13的介绍，例如，在一些示例中，标记基础件的至少部分材质与LED芯片12的至少部分材质相同；在一些示例中，标记基础件中包括多个层结构，且多个层结构中连续n个层结构构成第一部分层，LED芯片12中连续n个层结构构成第二部分层，n大于等于2；第一部分层的形成材质与第二部分层的形成材质相同，且同一形成材质的层结构在第一部分层中的相对位置与在第二部分层的相对位置相同；在一些示例中，标记基础件中可以包括LED芯片，且作为标记基础件的LED芯片可以为品质达标的LED芯片，也可以为坏点LED芯片，对于标记基础件的具体结构，以及各种结构的优点，这里不再赘述。
在本实施例的一种示例中，第一对位标记33中包括由至少两个标记基础件拼接形成的立体图案。可以理解的是，当第一对位标记33由LED芯片构成时，为了能够从视觉上区分作为标记基础件的LED芯片与作为被转移的目标器件的LED芯片，将作为标记基础件的LED芯片拼接成一些特殊的图案，例如多颗LED芯片并排排成一个矩形图案，多颗LED芯片拼接成一个“十”字图案，或者多颗LED芯片拼接成类似于花朵的图案等，这样就可以明显将第一对位标记33中的LED芯片与其他LED芯片区分开。
另外，在本实施例中，各第一对位标记33的形状可以完全相同，也可以不完全相同，在本实施例的一些示例中，甚至可以每一个第一对位标记的形状都不同。
本实施例还提供一种LED芯片组件制备方法，请参见图5示出的LED芯片组件制备方法的流程图：
S502：在生长基板上制备LED芯片，并形成标记基础件。
在生长基板上制备LED芯片时，需要生长出LED芯片的外延层：包括N型半导体层、有源层以及P型半导体层等，一些示例中还需要生长出缓冲层、电流扩展层等层结构。随后，可以对生长出的层结构进行蚀刻以外露电极设置区，随后在电极设置区内设置N电极与P电极，其中N电极与N型半导体层电连接，P电极与P型半导体层电连接。本领域技术人员可以理解的是，电极与对应的半导体层电连接，并不意味着电极一定要与对应的半导体层接触，例如，在本实施例的一些示例中，P电极就可以设置在电流扩展层ITO(氧化铟锡)层上，通过ITO层与P型半导体层电连接对于制备LED芯片的具体过程，这里不再赘述。
在本实施例的一些示例中，标记基础件是直接由生长基板上的LED芯片构成，例如，在本实施例的一些示例中，标记基础件为生长基板上的坏点LED芯片，那么形成标记基础件就可以参照如下方式实现：在LED芯片制备完成后，对生长基板上的各LED芯片进行检测，以识别坏点LED芯片，然后将坏点LED芯片作为标记基础件。当然，在本实施例的其他一些示例中，标记基础件也可以不限于坏点LED芯片，在这种情况下，可以在LED芯片制备完成后，基于随机原则等从生长基板上的众多LED芯片中选择出标记基础件。
在本实施例的另外一些示例中，标记基础件是采用与LED芯片制备不同的流程制备出来的，所以，在这种情况下，标记基础件的结构也与LED芯片的结构不完全一致，不过，标记基础件与LED芯片可以存在部分材质一样。在一些示例中，标记基础件中存在由连续的n个层结构构成的第一部分层，而LED芯片中存在由连续的n个层结构构成的第二部分层，第一部分层与第二部分层，第一部分层的形成材质与第二部分层的形成材质相同，且同一形成材质的层结构在第一部分层中的相对位置与在第二部分层的相对位置相同，在这种情况下，形成第一部分层中某一材质的层结构的过程，可以与形成第二部分层中同材质的层结构的过程同时进行。例如，假定标记基础件中包括N型半导体层、贴合N型半导体层上表面的有源层以及贴合有源层上表面的P型半导体层，则形成标记基础件中这三个层结构的过程可以与形成LED芯片中外延层的过程同时进行：形成LED芯片中N型半导体层的同时形成标记基础件中的N型半导体层，形成LED芯片中有源层的同时形成标记基础件中的有源层，形成LED芯片中P型半导体层的同时形成标记基础件中的P型半导体层。
S504：将LED芯片与标记基础件自生长基板转移至暂态基板，得到LED芯片组件。
在生长基板上生长出LED芯片并形成标记基础件之后，可以对LED芯片与标记基础件进行转移，转移到暂态基板，形成包括暂态基板的LED芯片组件。标记基础件在被转移到暂态基板时就会形成第一对位标记。在本实施例中，第一对位标记与LED芯片在暂态基板上的相对位置关系与驱动基板上第二对位标记与芯片设置区的相对位置关系相同，所以，在将生长基板上的LED芯片与标记基础件转移到暂态基板时，需要基于驱动基板上第二对位标记与芯片设置区的排布进行转移，在一些情况下，LED芯片在自生长基板被转移到驱动基板的过程中，需要经历两个暂态基板的转移，其中第一个暂态基板可以直接将生长基板上所有的LED芯片均转移到自己的一个表面上，而第二个暂态基板则会对第一个暂态基板上的LED芯片进行选择性地转移，从而使得转移过来的LED芯片的间距、位置等符合驱动基板的要求。所以，本实施例中承载着排布符合驱动基板要求的LED芯片与第一对位标记的暂态基板实际上是第二个暂态基板，LED芯片与标记基础件在被转移到该暂态基板之前，可能还需要经历另一个暂态基板的转移，这里为了从名称上区分第一个暂态基板与第二个暂态基板，方便表述，所以将第一个暂态基板称为临时基板(也可以称为中间基板、转移基板)。当然也有一些示例中，LED芯片可以直接自生长基板转移到暂态基板，而不用经历临时基板的转移，例如，在这些示例中，可以直接利用转移头将LED芯片按照所要求的排布方式转移到暂态基板上，同时将标记基础件也转移到暂态基板的指定位置，从而形成第一对位标记。
本实施例还提供一种显示面板制备方法，请参见图6示出的流程图：
S602：提供一驱动基板。
提供的驱动基板中包括多个芯片设置区以及至少两个第二对位标记。
S604：依据驱动基板上各第二对位标记的位置关系，形成前述任一项的LED芯片组件。
形成的LED芯片组件中包括基板、位于基板上的多颗LED芯片以及至少两个标记基础件，可选地，这里形成的LED芯片组件为包括暂态基板的LED芯片组件，该LED芯片组件可以参照图5所示的流程制得。基于前述介绍可知，在该暂态基板上不仅有多颗LED芯片，同时还包括至少两个由标记基础件形成的第一对位标记。应当理解的是，LED芯片组件中LED芯片、第一对位标记的相对位置关系应当与驱动基板上第二对位标记、芯片设置区之间的相对位置关系相同，所以，提供的LED芯片组件与驱动基板必须是配套的。所以，在本实施例中，可以先提供驱动基板，然后依据驱动基板上第二对位标记的位置关系形成LED芯片组件。
可以理解的是，第一对位标记与第二对位标记的数目可以一致，也可以不一致，例如，在一些示例中，二者的数目刚好相同，每一个第一对位标记在驱动基板上都存在一个与之对应的第二对位标记，第一对位标记与第二对位标记成对存在。而且，构成一个标记对的第一对位标记与第二对位标记形成也是一致。在另一些示例中，第一对位标记与第二对位标记的数目不同，但不管数目如何，一定至少存在两个标记对。
S606：透过第二对位标记与标记基础件实现驱动基板与LED芯片组件的对位。
将LED芯片组件中的LED芯片转移到对应的芯片设置区之前，先需要利用LED芯片组件中的标记基础件以及驱动基板上的第二对位标记实现LED芯片组件与驱动基板的对位：例如，LED芯片组件包括暂态基板以及形成在暂态基板上的第一对位标记，则将第一对位标记同与之对应的第二对位标记对齐，该过程可以在CCD(电荷耦合元件)相机的辅助下自动化实现。不过，当芯片尺寸足够大的情况下，可以人工实现。
S608：待对位完成后，将LED芯片键合至驱动基板并自LED芯片组件的基板剥离。
以LED芯片组件中包括暂态基板为例，暂态基板与驱动基板的对位完成后，可以将LED芯片自暂态基板转移到驱动基板上对应的芯片设置区。可以理解的是，要实现LED芯片从LED芯片组件到驱动基板的转移，一方面需要实现LED芯片与驱动基板的结合，另一方面要实现LED芯片与LED芯片组件中基板的分离。在驱动基板上存在驱动电路，例如在一些示例中，每一个芯片设置区中都存在两个焊点，用于分别与LED芯片的两个电极电连接，所以，对齐LED芯片与芯片设置区以后，可以键合LED芯片电极与芯片设置区中的焊点，在LED芯片与芯片设置区键合以后，分离LED芯片与暂态基板。在本实施例的一些示例中，可以通过激光或者红外线照射LED芯片与暂态基板的结合面，然后使得暂态基板脱离。
在本实施例的一些示例中，仅将暂态基板上的LED芯片转移到驱动基板上，而第一对位标记并不会转移，但在本实施例的另外一些示例中，第一对位标记也会随着LED芯片一起转移到驱动基板上，例如，在通过第一对位标记与第二对位标记实现暂态基板与驱动基板的对位之后，还可以将第一对位标记同驱动基板键合，然后分离第一对位标记与暂态基板，从而使得第一对位标记转移到驱动基板上。在这种情况下，最终得到的显示面板如图7所示：
显示面板70包括驱动基板71、多颗LED芯片72、至少两个第一对位标记73以及至少两个第二对位标记74。其中，多颗LED芯片72分别设置在驱动基板71上的各芯片设置区内，与驱动基板71中的驱动电路电连接。可以理解的是，驱动基板71上的全部LED芯片通常并不是来源于同一生长基板，所以第一对位标记73通常也不会与驱动基板71上全部LED芯片来自同一生长基板，但是第一对位标记73与部分LED芯片是来自同一生长基板的。
第二对位标记74与LED芯片设置区位于驱动基板的同一表面，在显示面板70中，第一对位标记73与第二对位标记74至少部分重合，例如在本实施例的一些示例中，二者的中心的连线垂直于驱动基板的表面，也即二者的中心在平行于驱动基板表面的方向上重合(本领域技术人员可以理解的是，二者的中心可以因工艺水平的影响而存在一定的误差)。
在本实施例的一些示例中，第二对位标记74为平面图案，但在本实施例的另一些示例中，第二对位标记74也可以为三维结构。例如，一些示例中，第二对位标记74呈空心管状，其横截面可以为矩形或圆形。另一些示例中，第二对位标记74也可以是实心的三维结构，如长方体、圆柱体等。在图7当中，第一对位标记73的横截面为矩形，但在本实施例的其他一些示例中，也可以为圆形、“十”字型、“T”字型、三角形。且各第一对位标记73横截面的形状可以不完全相同。第二对位标记74横截面的轮廓也可以对应地为圆形、“十”字型、“T”字型、三角形等，如图8所示，或者不跟随第一对位标记横截面形状的变化而变化，始终为圆形、矩形等较为规则的形状。
一些示例中，当第二对位标记74为平面图形时，第二对位标记74的横截面规格可以与第一对位标记73横截面的规格完全一致，但在另一些示例中，第二对位标记可以与第一对位标记的形状不同或大小不同：在一种示例中，第一对位标记73的横截面为正方形，第二对位标记74的横截面也为正方形，但第二对位标记的边长略大于第一对位标记；在一种示例中，第一对位标记73的横截面为圆形，而第二对位标记74的横截面为正方形，可选地，正方形的边长略大于圆形的直径。所以，如果第二对位标记74呈空心管状，且第二对位标记74的横截面尺寸大于第一对位标记73横截面的尺寸，则第一对位标记73会位于第二对位标记74中间。
本实施例提供的LED芯片组件、显示面板及显示面板制备方法，提供了一种在暂态基板上设置第一对位标记新思路：通过在生长基板上形成标记基础件，然后将生长基板上的LED芯片与标记基础件一起转移到暂态基板上，让标记基础件形成第一对位标记。而且标记基础件的材质以及其在生长基板上的形成流程还可以与LED芯片的材质与形成流程部分重叠，使得二者可以同时生成，降低标记基础件的形成成本，提升在暂态基板上设置第一对位标记的效率，提升生产效益。
本发明另一可选实施例：
为了使本领域技术人员更清楚本发明实施例所提供的包含生长基板的LED芯片组件、包含暂态基板的LED芯片组件、显示面板及对应的制备方法的优点与细节，本实施例将结合示例继续对前述方法进行阐述，可以理解的是，由于制备显示面板的过程中包含了两种LED芯片组件的形成过程，所以，本实施例结合显示面板的制备流程进行介绍，请参见图9示出的一种显示面板的制备流程图以及图10示出的制程状态变化示意图：
S902：在生长基板上制备LED芯片，并形成标记基础件。
可选地，生长基板101可以为蓝宝石材质的晶圆。
在本实施例中，标记基础件103的结构与LED芯片102的结构不同，所以，标记基础件103需要单独形成。图11中示出了标记基础件103与LED芯片102的剖面示意图：标记基础件103自下而上依次包括弱化结构层、外延层(自下而上依次为第一半导体层、有源层与第二半导体层)、ITO层以及氧化硅层，同时，标记基础件103还包括蚀刻氧化硅层后设置在ITO层上的金属层；LED芯片102自下而上依次包括弱化结构层、外延层(自下而上依次为第一半导体层、有源层与第二半导体层)、ITO层以及氧化硅层，同时，LED芯片102还包括蚀刻氧化硅层后设置在ITO层上的第二电极以及依次蚀刻氧化硅层、ITO层、第二半导体层与有源层后设置在第一半导体层上的第一电极。结合图11可以看出，标记基础件103的形成流程与LED芯片102的形成流程相比，少了设置第一电极的过程。所以，标记基础件103相较于LED芯片102遭到蚀刻的区域较少，而且也少了一个金属层。在本实施例的其他一些示例中，标记基础件103还可以拥有LED芯片102不具有的层结构，或者标记基础件103拥有与LED芯片102一样的层结构，但层结构与层结构之间的位置关系不一样。
可以理解的是，在生长基板101上生长形成LED芯片102与标记基础件103后，包含生长基板、LED芯片以及标记基础件的LED芯片组件就已经形成，请参见图10中的(a)。
S904：将LED芯片以及标记基础件自生长基板转移至临时基板。
在本实施例中，当LED芯片102与标记基础件103均在生长基板101上生长完成后，可以将LED芯片102与标记基础件103一同转移至临时基板104。可选地，采用临时基板104带有粘附层的表面接近生长基板101，直至LED芯片102与标记基础件103粘附在临时基板104上，然后采用激光剥离的方式去除生长基板101，如图10(b)所示。
在本实施例中，生长基板101上的LED芯片102与标记基础件103均会被转移到临时基板104上。
S906：提供一驱动基板，以及设置于该驱动基板上的第二对位标记。
在本实施例中，第二对位标记107为三维结构，且第二对位标记107横截面的形状为矩形，与第一对位标记106横截面的形状一样，但第二对位标记107横截面的尺寸大于第一对位标记106横截面的尺寸，如图10(c)。
可以理解的是，驱动基板108以及设置在该驱动基板108上的第二对位标记107可以在包含暂态基板的LED芯片组件形成之前制备完成，例如，在本实施例中，包含暂态基板的LED芯片组件根据驱动基板上第二对位标记的位置关系形成，所以应该先提供驱动基板，然后再形成LED芯片组件。当然，也可以预先确定好第二对位标记(或第一对位标记)间的位置关系，然后再按照确定好的位置关系制备LED芯片组件和驱动基板，在这种情况下，LED芯片组件可以先于驱动基板形成，也可以两个制备过程可以同时进行。
S908：按照驱动基板上芯片设置区及第二对位标记的位置关系将LED芯片选择性转移至暂态基板，并将标记基础件转移至暂态基板形成第一对位标记。
在从临时基板104转移LED芯片102与标记基础件103时，是选择性的转移的，临时基板104上的LED芯片102仅有部分会被转移到暂态基板105上，且转移后各LED芯片的间距与在临时基板104上也不一样。另外，标记基础件也会被转移到暂态基板105的特定位置形成第一对位标记106，在本实施例中，一个第一对位标记106仅有一个标记基础件103构成，暂态基板105上需要设置四个第一对位标记106，因此，暂态基板105可以仅从临时基板104上转移过来四个标记基础件105，甚至生长基板101上可以仅生长四个标记基础件103。
可以理解的是，将LED芯片102与标记基础件103按照对应的排布要求转移到暂态基板105上以后，包含暂态基板、LED芯片以及第一对位标记的LED芯片组件就已经形成，如图10(d)所示。
S910：通过第一对位标记与第二对位标记实现暂态基板与驱动基板的对位。
将第一对位标记106同与之对应的第二对位标记107对齐，进而实现暂态基板105与驱动基板108的对位，如图10(e)。
S912：将LED芯片与第一对位标记同驱动基板键合。
在本实施例中，LED芯片102与第一对位标记106都会被转移到驱动基板108上，所以，对齐LED芯片102与对应的芯片设置区、对齐第一对位标记106与第二对位标记107以后，可以将LED芯片102与第一对位标记106键合到驱动基板108上，实现LED芯片102与驱动基板108中驱动电路的电连接。第一对位标记106被键合到驱动基板108上以后，其中心将与第二对位标记107的中心重合，如图10(f)。
在本实施例的一些示例中，第一对位标记106也可以不用被转移到驱动基板108上，那么在这些示例中，就不必键合第一对位标记106与驱动基板108。
S914：剥离暂态基板。
将LED芯片102与第一对位标记106与驱动基板108键合以后，可以通过激光或者红外线接触LED芯片102与暂态基板105之间的结合，及第一对位标记106同暂态基板105之间的结合，实现暂态基板105的剥离，请参见图10(g)。
采用上述转移方式转移了显示面板所需要的所有LED芯片以后，显示面板10也基本形成，一些示例中，还可以进一步设置对驱动基板108上LED芯片进行保护的保护层等。
本实施例提供的显示面板制备方案，在制备显示面板的过程中，为了实现LED芯片从暂态基板到驱动基板的转移，可以在LED芯片的生长过程中，同时在生长基板上形成标记基础件。在将LED芯片转移到暂态基板时，也将标记基础件转移过去，进而形成与驱动基板上第二对位标记对应的第一对位标记，随后利用第一对位标记与第二对位标记的对位，实现LED芯片与驱动基板中芯片设置区的对齐，提升显示面板的品质。本实施例中由于暂态基板上第一对位标记的标记基础件与该暂态基板上的LED芯片可以来自同一生长基板，因此，该标记基础件可以随着LED芯片一起被转移到暂态基板上，形成暂态基板上的第一对位标记，避免了在其他基板上设置第一对位标记后，需要分别转移第一对位标记与LED芯片到暂态基板的问题，提升了暂态基板上第一对位标记的设置效率，有利于提升巨量转移效率与显示面板的制备效率，提升生产效益。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种LED芯片组件，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板表面的多颗LED芯片；以及
至少两个标记基础件；
其中，所述标记基础件与所述LED芯片处于所述基板的同一表面，且所述标记基础件与所述LED芯片在同一生长基板上形成；所述标记基础件用于在转移所述多颗LED芯片的过程中起定位作用。
2.如权利要求1所述的LED芯片组件，其特征在于，所述标记基础件的至少部分材质与所述LED芯片的至少部分材质相同。
3.如权利要求2所述的LED芯片组件，其特征在于，所述标记基础件包括多个层结构，所述多个层结构中连续n个层结构构成第一部分层，所述LED芯片中连续n个层结构构成第二部分层，所述n大于等于2；
所述第一部分层的形成材质与所述第二部分层的形成材质相同，且同一材质的层结构在所述第一部分层中的相对位置与在所述第二部分层的相对位置相同。
4.如权利要求3所述的LED芯片组件，其特征在于，所述标记基础件包括坏点LED芯片。
5.如权利要求1-4任一项所述的LED芯片组件，其特征在于，所述基板包括生长基板或暂态基板。
6.一种LED芯片组件制备方法，其特征在于，包括：
在生长基板上制备LED芯片，并形成标记基础件；以及
将所述LED芯片与所述标记基础件自所述生长基板转移至暂态基板，得到LED芯片组件；所述标记基础件用于在从所述暂态基板向驱动基板转移所述LED芯片的过程中起定位作用。
7.如权利要求6所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述形成标记基础件包括：
方式一：采用形成所述LED芯片至少部分层结构的材料在所述生长基板的空闲区形成所述标记基础件；其中，所述空闲区为所述生长基板上芯片生长区以外的区域；
方式二：在所述LED芯片制备完成后，对所述LED芯片进行检测，以识别坏点LED芯片，将所述坏点LED芯片作为所述标记基础件。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
驱动基板；
设置在所述驱动基板的芯片设置区中，且与所述驱动基板中驱动电路电连接的多颗LED芯片；以及
至少两个标记基础件，所述标记基础件与所述多颗LED芯片中的部分在同一生长基板上生长形成，并经同一暂态基板转移至所述驱动基板；所述标记基础件用于在从暂态基板向所述驱动基板转移LED芯片的过程中起定位作用。
9.如权利要求8所述显示面板，且特征在于，所述标记基础件包括所述生长基板上生长出的坏点LED芯片。
10.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供一驱动基板；其中，所述驱动基板上形成有至少两个第二对位标记；
依据所述驱动基板上各所述第二对位标记的位置关系，形成如权利要求1-5任一项所述的LED芯片组件；
透过所述第二对位标记与所述标记基础件实现所述驱动基板与所述LED芯片组件的对位；
待对位完成后，将所述LED芯片键合至所述驱动基板并自所述LED芯片组件的基板剥离。
11.如权利要求10所述的显示面板制备方法，其特征在于，对位完成后，还包括：
将所述标记基础件自所述LED芯片组件的基板转移至所述驱动基板。
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