CN109841714A - 垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。

Description

垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法

技术领域

本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有体积小、效率高、寿命长等优点，在照明、显示和光通信领域具有广泛的应用前景。传统的发光二极管以蓝宝石为生长衬底。然而，由于蓝宝石衬底不导电，所以传统的发光二极管通常是采用电极在同一侧的横向结构。这种横向结构至少存在以下两个方面的缺点：一方面，电流在N型层中横向流动不等距，存在电流拥堵现象，导致发光二极管器件局部发热量较高，影响器件性能；另一方面，蓝宝石衬底的导热性较差，限制了发光二极管器件的散热，影响发光二极管器件的使用寿命。为了克服横向发光二极管器件的缺陷，现有技术中出现了垂直结构发光二极管。

然而，在现有的垂直结构发光二极管中，由于厚膜的限制，存在许多光学约束模式(Confined Mode)。当电子注入、垂直结构发光二极管发光时，大部分出射光会被限制在发光二极管外延层的厚膜中，造成膜内传输、吸收，极大的降低了发光二极管的出光效率。

因此，如何避免发光二极管器件的厚度对出射光线的约束，以提高发光二极管的出光效率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法，用于解决现有的近紫外发光二极管出光效率低的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种垂直结构近紫外发光二极管，包括：

导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

金属反射层，位于所述第一表面；

氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；

N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；

P型电极，位于所述第二表面。

优选的，所述氮化物外延层的厚度在300nm以下。

优选的，还包括位于所述导电衬底与所述金属反射层之间的NiSn键合层。

优选的，所述垂直结构近紫外发光二极管呈台阶状结构；所述台阶状结构包括下台阶以及由所述氮化物外延层构成的上台阶；所述下台阶包括所述P型电极、所述导电衬底与所述金属反射层，且所述下台阶沿平行于所述导电衬底的方向突出于所述上台阶。

优选的，所述P型GaN层的厚度为80nm～100nm，所述量子阱层的厚度为98nm～118nm，所述准备层的厚度为95nm～115nm。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种垂直结构近紫外发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

键合一生长衬底和一导电衬底，所述生长衬底表面具有氮化物外延层和金属反射层，所述氮化物外延层包括沿垂直于所述生长衬底的方向依次叠置的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型AlGaN层、准备层、量子阱层、P型GaN层，所述金属反射层位于所述P型GaN层表面；所述导电衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面具有P型电极；

剥离所述生长衬底；

刻蚀所述氮化物外延层，去除所述缓冲层和所述未掺杂的GaN层，并减薄所述N型AlGaN层，使得残留的所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；

形成N型电极于残留的所述N型AlGaN层表面。

优选的，残留的所述氮化物外延层的厚度在300nm以下。

优选的，键合一生长衬底和一导电衬底的具体步骤包括：

于所述金属反射层表面形成第一NiSn键合层；

于所述导电衬底的所述第一表面形成第二NiSn键合层；

键合所述第一NiSn键合层与所述第二NiSn键合层。

优选的，刻蚀所述氮化物外延层的具体步骤包括：

刻蚀所述氮化物外延层至所述N型AlGaN层，去除所述缓冲层和所述未掺杂的GaN层，并减薄所述N型AlGaN层，使得残留的所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；

于残留的所述氮化物外延层中定义器件区域；

刻蚀所述器件区域周围的残留的所述氮化物外延层至所述金属反射层，形成台阶状结构；所述台阶状结构包括下台阶以及由器件区域内的残留的所述氮化物外延层构成的上台阶；所述下台阶包括所述P型电极、所述导电衬底与所述金属反射层，且所述下台阶沿平行于所述导电衬底的方向突出于所述上台阶。

优选的，所述P型GaN层的厚度为80nm～100nm，所述量子阱层的厚度为98nm～118nm，所述准备层的厚度为95nm～115nm。

本发明提供的垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法，由于器件采用垂直结构，提高了电注入效率；同时将氮化物外延层的厚度设置为小于近紫外光的波长，使得所述垂直结构近紫外发光二极管不受约束模式的限制，减少甚至是消除了发光二极管出射光线在氮化物外延层内部的传输，降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高；同时，金属反射层的设置进一步增强了发光二极管的出光效率。

附图说明

附图1是本发明具体实施方式中垂直结构近紫外发光二极管的结构示意图；

附图2是本发明具体实施方式中垂直结构近紫外发光二极管的制备方法流程图；

附图3A-3G是本发明具体实施方式中在制备垂直结构近紫外发光二极管的过程中主要的工艺截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法的具体实施方式做详细说明。

本具体实施方式提供了一种垂直结构近紫外发光二极管，附图1是本发明具体实施方式中垂直结构近紫外发光二极管的结构示意图。如图1所示，本具体实施方式提供的垂直结构近紫外发光二极管，包括：

导电衬底10，所述导电衬底10具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

金属反射层11，位于所述第一表面；

氮化物外延层，位于所述金属反射层11表面，包括沿垂直于所述导电衬底10的方向依次叠置的P型GaN层12、量子阱层13、准备层18和N型AlGaN层14，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；

N型电极15，位于所述N型AlGaN层14表面；

P型电极16，位于所述第二表面。

具体来说，所述垂直结构近紫外发光二极管发出的近紫外光的波长范围为380nm～400nm。所述的量子阱层13可以为InGaN/GaN量子阱层。所述导电衬底10可以为金属材料衬底，也可以为Si衬底，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。本具体实施方式中，所述导电衬底10优选为晶向100的Si衬底。所述金属反射层11的材料可以为镍、银中的一种或者由两者构成的合金。所述金属反射层11与所述P型GaN层12形成欧姆接触(电连接)，所述导电衬底10与所述金属反射层11电性接触，所述P型电极16与所述导电衬底10欧姆接触(电连接)。所述准备层18的材料可以为GaN或者AlGaN。所述N型电极15与所述P型电极16的材料可以为铬、铂或者金。

本具体实施方式中，所述N型电极15与所述P型电极16位于所述导电衬底10的相对两侧，电流几乎全部沿垂直于所述导电衬底10的方向流过所述氮化物外延层，几乎没有横向流动的电流，提高了电注入效率。同时将氮化物外延层的厚度设置为小于所述垂直结构近紫外发光二极管发射的近紫外光的波长，使得所述垂直结构近紫外发光二极管不受约束模式的限制，减少甚至是消除了发光二极管发出的近紫外光线在氮化物外延层内部的传输，降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高。另外，所述金属反射层11的设置减少了光线损失，从而进一步增强了发光二极管的出光效率。

为了进一步提高所述垂直结构近紫外发光二极管的出光效率，优选的，所述氮化物外延层的厚度在300nm以下。此时，所述氮化物外延层的厚度远远小于所述发光二极管发出的近紫外光线的波长，从而更加有效的避免约束模式对发光二极管出光效率的限制。

优选的，所述垂直结构近紫外发光二极管还包括位于所述导电衬底10与所述金属反射层11之间的NiSn键合层17。

所述垂直结构近紫外发光二极管由导电衬底10与生长衬底键合得到，所述键合层17由位于所述导电衬底10的所述第一表面上的第一NiSn键合层与位于所述生长衬底键合面上的第二NiSn键合层键合形成。

优选的，所述垂直结构近紫外发光二极管呈台阶状结构；所述台阶状结构包括下台阶以及由所述氮化物外延层构成的上台阶；所述下台阶包括所述P型电极16、所述导电衬底10与所述金属反射层11，且所述下台阶沿平行于所述导电衬底10的方向突出于所述上台阶。

具体来说，如图1所示，沿Y轴方向依次叠置于所述金属反射层11表面的所述P型GaN层12、所述量子阱层13、所述准备层18和所述N型AlGaN层14构成所述上台阶，沿Y轴方向依次叠置的所述P型电极16、所述导电衬底10与所述金属反射层11构成所述下台阶，所述下台阶沿X轴方向突出于所述上台阶，即所述上台阶凸设于所述下台阶表面的部分区域、未被所述上台阶覆盖的所述下台阶表面暴露出所述金属反射层11。通过形成所述台阶状结构，便于后续在所述氮化物外延层表面形成钝化层，以对所述氮化物外延层进行保护。

优选的，所述P型GaN层12的厚度为80nm～110nm，所述量子阱层13的厚度为98nm～118nm，所述准备层18的厚度为95nm～115nm。所述P型GaN层12、所述量子阱层13和所述准备层18的厚度在所述导电衬底10与所述生长衬底键合前后不发生改变。

举例来说，所述P型GaN层12的厚度为90nm，所述量子阱层13的厚度为108nm，材料为GaN或者AlGaN的所述准备层18的厚度为105nm。

不仅如此，本具体实施方式还提供了一种垂直结构近紫外发光二极管的制备方法，附图2是本发明具体实施方式中垂直结构近紫外发光二极管的制备方法流程图，附图3A-3G是本发明具体实施方式中在制备垂直结构近紫外发光二极管的过程中主要的工艺截面示意图，本具体实施方式制造的垂直结构近紫外发光二极管的具体结构可参见图1。如图1-图2、图3A-图3G所示，本具体实施方式提供的垂直结构近紫外发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

步骤S21，键合一生长衬底20和一导电衬底10，得到如图3C所示的结构；所述生长衬底20表面具有氮化物外延层和金属反射层11，所述氮化物外延层包括沿垂直于所述生长衬底20的方向依次叠置的缓冲层22、未掺杂的GaN层21、N型AlGaN层14、准备层18、量子阱层13、P型GaN层12，所述金属反射层11位于所述P型GaN层12表面，如图3A所示；所述导电衬底10包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面具有P型电极16，如图3B所示。

所述生长衬底20可以为Ⅲ-Ⅴ族材料衬底、蓝宝石衬底或者硅衬底，在本具体实施方式中，所述生长衬底20优选为晶向111的Si衬底。形成所述生长衬底20的具体步骤包括：

依次沉积缓冲层22、未掺杂的GaN(u-GaN)层21、N型AlGaN层14、准备层18、量子阱层13、P型GaN层12于所述生长衬底20表面，形成初始的氮化物外延层；

形成金属反射层11于所述P型GaN层12表面。

其中，形成金属反射层11于所述P型GaN层12表面的具体方法，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如可以采用电子束蒸发工艺、磁控溅射工艺、化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等。

具体来说，所述的量子阱层13可以为InGaN/GaN量子阱层。所述导电衬底10可以为金属材料衬底，也可以为Si衬底，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。本具体实施方式中，所述导电衬底10优选为晶向100的Si衬底。所述金属反射层11的材料可以为镍、银中的一种或者由两者构成的合金。所述金属反射层11与所述P型GaN层12形成欧姆接触(电连接)。所述准备层18的材料可以为GaN或者AlGaN。所述P型电极16的材料可以为铬、铂或者金。所述缓冲层22用于调整所述生长衬底20与其上生长的氮化物外延层之间的应力。

在所述生长衬底20中，初始生长的所述氮化物外延层中各层的厚度如下：所述缓冲层22为1.2μm～1.4μm、所述未掺杂的GaN(u-GaN)层21为0.6μm～0.8μm、所述N型AlGaN层14为2.5μm～2.7μm、所述准备层18为95nm～115nm、所述量子阱层13为98nm～118nm、所述P型GaN层12为80nm～100nm。举例来说，AlN/AlGaN材料的所述缓冲层22的厚度为1.3μm、所述未掺杂的GaN(u-GaN)层21的厚度为0.7μm、所述N型AlGaN层14的厚度为2.63μm、GaN材料的所述准备层18的厚度为105nm、InGaN/GaN量子阱层的厚度为108nm、所述P型GaN层12的厚度为90nm。

其中，于所述生长衬底20中初始生长的所述N型AlGaN层14可以包括相互叠置的第一N型AlGaN层和第二N型AlGaN层，其中，所述第二N型AlGaN层位于所述第一N型AlGaN层与所述准备层18之间。所述第一N型AlGaN层的厚度可以为2.5μm，所述第二N型AlGaN层的厚度可以为130nm。所述第一N型AlGaN层与所述第二N型AlGaN层中Al、Ga的含量都呈渐变式分布，且所述第一N型AlGaN层中的掺杂浓度低于所述第二N型AlGaN层的掺杂浓度。

在键合过程中，以所述金属反射层11朝向所述导电衬底10的所述第一表面的方式，沿Y轴方向键合所述导电衬底10与所述生长衬底20。

具体来说，键合一生长衬底20和一导电衬底10的具体步骤包括：

于所述金属反射层11表面形成第一NiSn键合层171；

于所述导电衬底10的所述第一表面形成第二NiSn键合层172；

键合所述第一NiSn键合层171与所述第二NiSn键合层172。

其中，于所述金属反射层11表面形成所述第一NiSn键合层171的具体方法、于所述导电衬底10的所述第一表面形成所述第二NiSn键合层172的具体方法均可以为电子束蒸发工艺、磁控溅射工艺、化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积。所述第一NiSn键合层171与所述金属反射层11欧姆接触，所述第二NiSn键合层172与所述导电衬底10欧姆接触。

步骤S22，剥离所述生长衬底20，如图3D所示。

步骤S23，刻蚀所述氮化物外延层，去除所述缓冲层22和所述未掺杂的GaN层21，并减薄所述N型AlGaN层14，使得残留的所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长。

优选的，刻蚀所述氮化物外延层的具体步骤包括：

刻蚀所述氮化物外延层至所述N型AlGaN层14，去除所述缓冲层22和所述未掺杂的GaN层21，并减薄所述N型AlGaN层14，使得残留的所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长，如图3E所示；

于残留的所述氮化物外延层中定义器件区域；

刻蚀所述器件区域周围的残留的所述氮化物外延层至所述金属反射层11，形成台阶状结构；所述台阶状结构包括下台阶以及由器件区域内的残留的所述氮化物外延层构成的上台阶；所述下台阶包括所述P型电极16、所述导电衬底10与所述金属反射层11，且所述下台阶沿平行于所述导电衬底10的方向突出于所述上台阶，如图3F所示。

具体来说，本具体实施方式采用两步刻蚀工艺：在第一步刻蚀工艺中，去除所述缓冲层22和所述未掺杂的GaN层21，并减薄所述N型AlGaN层14，从而控制残留的所述氮化物外延层的厚度；在第二步刻蚀工艺中，形成所述台阶状结构，其中位于所述器件区域的残留的所述氮化物外延层构成所述上台阶，沿Y轴方向依次叠置的所述P型电极16、所述导电衬底10与所述金属反射层11构成所述下台阶，所述下台阶沿X轴方向突出于所述上台阶，即所述上台阶凸设于所述下台阶表面的部分区域、未被残留的所述氮化物外延层覆盖的所述下台阶表面暴露出所述金属反射层11。通过形成所述台阶状结构，便于后续在所述氮化物外延层表面形成钝化层，以对所述氮化物外延层进行保护。

为了进一步提高所述垂直结构近紫外发光二极管的出光效率，优选的，残留的所述氮化物外延层的厚度在300nm以下。此时，最终形成的垂直结构近紫外发光二极管中氮化物外延层的总的厚度远远小于所述发光二极管发出的近紫外光线的波长，从而更加有效的避免约束模式对发光二极管出光效率的限制。

步骤S24，形成N型电极15于残留的所述N型AlGaN层14表面，如图3G所示。

所述N型电极15与所述P型电极16的材料可以均为铬、铂或者金。具体来说，可以采用蒸镀金属电极的方式于减薄的所述N型AlGaN层14表面形成所述N型电极15。

本具体实施方式提供的垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法，由于器件采用垂直结构，提高了电注入效率；同时将氮化物外延层的厚度设置为小于近紫外光的波长，使得所述垂直结构近紫外发光二极管不受约束模式的限制，减少甚至是消除了发光二极管出射光线在氮化物外延层内部的传输，降低了内部吸收损耗，使得发光二极管的出光效率大幅度提高；同时，金属反射层的设置进一步增强了发光二极管的出光效率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种垂直结构近紫外发光二极管，其特征在于，包括：

导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

金属反射层，位于所述第一表面；

氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；

N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；

P型电极，位于所述第二表面。

2.根据权利要求1所述的垂直结构近紫外发光二极管，其特征在于，所述氮化物外延层的厚度在300nm以下。

3.根据权利要求1所述的垂直结构近紫外发光二极管，其特征在于，还包括位于所述导电衬底与所述金属反射层之间的NiSn键合层。

4.根据权利要求1所述的垂直结构近紫外发光二极管，其特征在于，所述垂直结构近紫外发光二极管呈台阶状结构；所述台阶状结构包括下台阶以及由所述氮化物外延层构成的上台阶；所述下台阶包括所述P型电极、所述导电衬底与所述金属反射层，且所述下台阶沿平行于所述导电衬底的方向突出于所述上台阶。

5.根据权利要求1所述的垂直结构近紫外发光二极管，其特征在于，所述P型GaN层的厚度为80nm～100nm，所述量子阱层的厚度为98nm～118nm，所述准备层的厚度为95nm～115nm。

6.一种垂直结构近紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：键合一生长衬底和一导电衬底，所述生长衬底表面具有氮化物外延层和金属反射层，所述氮化物外延层包括沿垂直于所述生长衬底的方向依次叠置的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型AlGaN层、准备层、量子阱层、P型GaN层，所述金属反射层位于所述P型GaN层表面；所述导电衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面具有P型电极；剥离所述生长衬底；

刻蚀所述氮化物外延层，去除所述缓冲层和所述未掺杂的GaN层，并减薄所述N型AlGaN层，使得残留的所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；

形成N型电极于残留的所述N型AlGaN层表面。

7.根据权利要求6所述的垂直结构近紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，残留的所述氮化物外延层的厚度在300nm以下。

8.根据权利要求6所述的垂直结构近紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，键合一生长衬底和一导电衬底的具体步骤包括：

于所述金属反射层表面形成第一NiSn键合层；

于所述导电衬底的所述第一表面形成第二NiSn键合层；

键合所述第一NiSn键合层与所述第二NiSn键合层。

9.根据权利要求6所述的垂直结构近紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，刻蚀所述氮化物外延层的具体步骤包括：

刻蚀所述氮化物外延层至所述N型AlGaN层，去除所述缓冲层和所述未掺杂的GaN层，并减薄所述N型AlGaN层，使得残留的所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；

于残留的所述氮化物外延层中定义器件区域；

刻蚀所述器件区域周围的残留的所述氮化物外延层至所述金属反射层，形成台阶状结构；所述台阶状结构包括下台阶以及由器件区域内的残留的所述氮化物外延层构成的上台阶；所述下台阶包括所述P型电极、所述导电衬底与所述金属反射层，且所述下台阶沿平行于所述导电衬底的方向突出于所述上台阶。

10.根据权利要求6所述的垂直结构近紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，所述P型GaN层的厚度为80nm～100nm，所述量子阱层的厚度为98nm～118nm，所述准备层的厚度为95nm～115nm。