CN109813212B - 用于角度检测的磁体装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及用于角度检测的磁体装置。一个示例包括一种环状磁体装置,环状磁体装置被配置为连接至可旋转轴或者形成为可旋转轴的一部分,用于绕旋转轴线与可旋转轴共同旋转,其中环状磁体装置包括:第一环部,包括第一楔形面,第一环部在第一方向上被磁化;以及第二环部,与第一环部径向相对,第二环部包括第二楔形面,其中第一楔形面和第二楔形面在环状磁体装置的传感器面对端中形成楔形体,并且其中第二环部在第二方向上磁化,第二方向在第一方向的阈值角度内且不同于第一方向,其中传感器面对端与环状磁体装置的径向端轴向相对,其中环状磁体装置包括单片材料,其相交厚度对应于环状磁体装置的径向端与楔形体的基底之间的轴向距离。
Description
技术领域
本公开总体上涉及检测***,更具体地涉及用于角度检测的磁体装置。
背景技术
磁性传感器能够感测施加于磁性传感器的磁场的分量,诸如磁场大小、磁场强度、磁场方向(例如,基于磁场的方向分量)等。磁体的磁场可取决于磁体的大小、磁体的形状、磁体的环境和其他因素。在诸如机械应用、工业应用或消费应用的许多应用中,磁性传感器例如可用于检测可连接至对象的磁体的移动、位置、旋转角度等。
发明内容
根据一些实施方式,一种环状磁体装置用于确定可旋转轴的旋转角度,环状磁体装置被配置为连接至可旋转轴或者形成为可旋转轴的一部分,用于绕旋转轴线与可旋转轴共同旋转,其中环状磁体装置包括:第一环部,包括第一楔形面,其中第一环部在第一方向上被磁化;以及第二环部,与第一环部径向相对,第二环部包括第二楔形面,其中第一楔形面和第二楔形面在环状磁体装置的传感器面对端中形成楔形体,并且其中第二环部在第二方向上磁化,第二方向在第一方向的阈值角度内且不同于第一方向,其中传感器面对端与环状磁体装置的径向端轴向相对,其中环状磁体装置包括单片材料,其相交厚度相对于环状磁体装置的径向端与楔形体的基底之间的轴向距离。
根据一些实施方式,一种旋转角度检测***包括用于确定可旋转轴的旋转角度的环状磁体装置,环状磁体装置被配置为安装在可旋转轴上或者形成为可旋转轴的一部分,用于绕旋转轴线与可旋转轴共同旋转,其中环状磁体装置被配置为包括:第一环部,在第一方向上被磁化;和第二环部,在第二方向上被磁化,第二方向相对于第一方向具有120度和180度之间的角度,其中第一环部的第一楔形面和第二环部的第二楔形面在环状磁体装置的传感器面对端中形成楔形体,并且环状磁体装置包括与楔形体的基底和环状磁体装置的径向端之间的轴向距离相对应的相交厚度,径向端与传感器面对端轴向相对;以及磁性传感器,基于由环状磁体装置的传感器面对端中的楔形体形成的感测磁场来测量可旋转轴的旋转角度。
根据一些实施方式,一种磁体装置,用于确定可旋转轴的旋转角度,其中磁体装置包括:磁体,由单片材料形成并且被配置为连接至可旋转轴或者形成为可旋转轴的一部分,用于绕旋转轴线与可旋转轴共同旋转,磁体包括第一磁体部分和第二磁体部分,第一磁体部分包括第一表面,其中第一磁体部分在第一方向上被磁化,第二磁体部分与第一磁体部分径向相对并且包括第二表面,其中第一表面和第二表面在磁体装置的传感器面对端中形成楔形体,并且其中第二磁体部分在与第一方向相反的第二方向上被磁化,其中传感器面对端与磁体装置的径向端轴向相对,并且其中磁体装置包括的相交厚度对应于磁体装置的径向端与楔形体的基底之间的轴向距离,楔形体的基底垂直于旋转轴线。
附图说明
图1A和图1B是本文描述的示例性实施方式的概况的示图;
图2A和图2B是可以实施本文描述的磁体装置、***和/或方法的示例性环境的示图;
图3至图6是与本文描述的磁体装置的示例性实施方式相关联的示图;以及
图7是与配置本文描述的磁体装置相关联的流程图。
具体实施方式
参照附图进行示例性实施方式的以下详细描述。不同附图中的相同参考标号可以表示相同或相似的元件。
在一些情况下,旋转角度检测***可以使用具有锥形磁体的磁体装置以确定可旋转轴的旋转角度。在这种情况下,多个磁性传感器可以被放置在感测面中(例如,形成与可旋转轴同心的读取圆),以测量由磁体装置生成的磁场。锥形磁体在磁体装置的传感器面对端中形成楔形体,同时保持作为锥形磁体与传感器面对端相对的平面端朝向磁体装置的外侧边缘更厚且朝向平面端在磁体装置的内侧边缘处无限薄。然而,锥形磁体(其可以经由连接至可旋转轴或者形成为可旋转轴的一部分的支持结构来固定)可以生成磁场,该磁场在被磁性传感器测量时随着可旋转轴旋转产生不纯正正弦波的测量值。由于正弦波的不纯,磁性传感器的测量值不会允许精确的旋转角度检测(例如,在1度内),因为正弦波中的不纯提供相对较大的误差裕度(例如,5-10度内的精度)。本文描述的一些实施方式通过提供使磁场能够在相对较纯的正弦波中进行测量的磁体装置来允许更加精确的旋转角度检测(例如,1度内)。相对较纯的正弦波能够使旋转角度检测在1度内(例如,经由磁性传感器或磁性传感器的控制器)。
此外,锥形磁体以及保持锥形磁体的支持结构的物理特性会在旋转角度检测***内引起机械问题。例如,用于形成具有锥形***和支持结构的磁体装置的粘合剂和/或粘着剂会随着时间磨损,导致对旋转角度检测***或者利用旋转角度检测***的机器进一步的错误角度测量、机械故障和/或损伤。此外,锥形磁体的物理特性(例如,锥形磁体的无限薄的楔形体)会产生弱磁场,进一步导致弱磁场测量以及进一步不精确的旋转角度检测和/或消磁或改变磁体装置的磁化的风险。本文的一些实施方式通过利用单片材料形成具有楔形体的磁体装置并且磁化单片材料以在相反方向上磁化的材料片的部分之间包括相交厚度来解决具有锥形磁体的磁体装置的物理特性引起的机械问题和麻烦。如此,形成磁体装置的磁化材料的物理特性可相对于利用单独的锥形磁体的磁体装置提供改进的机械强度、较强的磁场和更少的消磁风险。
本文的描述可以参考右旋笛卡尔坐标***(x,y,z),其中z轴与可旋转轴的旋转轴线相同,通过磁性传感器基于连接至可旋转轴或者形成为可旋转轴的一部分的磁体的感测磁场来确定可旋转轴的角位置。在一些描述中,对于径向和方位角位置或坐标,可以根据以下等式来确定半径(R):
R2=x2+y2 (1)
并且tan(Ψ)=y/x,使得柱面坐标***(R,Ψ,z)包括与可旋转轴的旋转轴线相同的z轴。与方位坐标相反,可旋转轴的角位置Ψ被称为旋转角度(Φ)。
图1A和图1B是本文描述的示例性实施方式100的概况的示图。示例性实施方式100包括用于利用多个磁性角度传感器的检测***的磁体装置。如图1A所示,示例性实施方式100包括放置在可旋转轴周围的多个磁性传感器。如图所示,磁体装置(例如,环磁体装置或者环状磁体装置(例如,圆柱环磁体装置、椭圆柱环磁体装置等))可以连接至可旋转轴或者形成为可旋转轴的一部分,使得磁体装置绕可旋转轴的旋转轴线与可旋转轴共同旋转。如图所示,气隙(例如,近似0.5-3毫米(mm)的轴向距离)在磁性传感器与磁体装置之间。
如图1A所示,示例性实施方式100包括磁体装置,其使得磁性传感器感测包括相对较少量(如果有的话)异常的正弦波中的磁场分量(例如,轴向磁场分量Bz)的测量值,从而能够通过旋转角度检测***实现精确的旋转角度测量(例如,1度内)。示例性实施方式100的磁体装置在磁体装置的传感器面对端中包括楔形体。如图1A所示,在楔形体的基底与磁体装置的径向端之间,在磁体装置中设置相交厚度。根据一些实施方式,相交厚度至少为磁体装置的总轴向厚度(例如,从传感器面向端面到径向端测量的厚度)的阈值百分比(例如,15%、20%、25%等)和/或至少为最小阈值厚度(例如,1mm)。因此,相比与支持结构(例如,挡板)组合使用独立的锥形磁体的现有磁体装置,图1A的磁体装置可以由单片材料形成,使得在可旋转轴的旋转角度的确定中增加了耐用性、增强了磁场、降低了消磁的风险并且增加了精度。
此外,如图1A所示,示例性实施方式100的磁体装置包括沿第一方向(示为向下)且平行于可旋转轴磁化的第一环部以及沿与第一方向相反的第二方向(示为向上)且平行于可旋转轴磁化的第二环部。在一些实施方式中,磁体装置的第一环部和第二环路可以被磁化,使得磁化相反或者反平行(例如,沿着旋转轴线彼此相差180度),但是相对于旋转轴线处于阈值角度(例如,10度内)。在一些实施方式中,磁体装置的第一环路和第二环路可以被磁化,使得磁化在彼此的阈值角度内(例如,120度和180度之间)。如此,基于第一环部和第二环部的磁化的方向,第一环部和第二环部可以由相同材料形成。
在图1A中,第一环部包括第一楔形表面,并且第二环部可包括形成楔形体的第二楔形表面。根据一些实施方式,第一楔形表面可以与第二楔形表面直径对称,使得第一楔形表面具有基本相同的尺寸(例如,面积、半径等)、相同的特性(例如,相对于径向端的斜率)、相同的形状等。如图1A所示,传感器面对端中的楔形体的基底和/或相交厚度可以用作磁化的相交,因为第一环部的磁性材料在第一(例如,向下)方向上被磁化且第二环部的磁性材料在第二(例如,向上或相反)方向上被磁化。
根据本文描述的一些实施方式,磁体装置的径向端可以垂直于可旋转轴的旋转轴线。在一些情况下,可旋转轴不是永磁的(例如,可旋转轴可以是具有透磁率(μr)>100(软磁)或者μr≈1(非磁性)的钢铁)。在一些实施方式中,磁体装置可以包括支持结构,用于将磁体装置连接至可旋转轴的附加支持。在这种情况下,可旋转轴可以是软磁,并且支持结构可以是非磁性的,以提供抵抗锥形磁体的磁场干扰的鲁棒性。
示例性实施方式100的磁性传感器可以基于相应磁体装置的磁场的感测分量(例如,径向、方位或轴向)确定可旋转轴的旋转角度。例如,图1A的磁性传感器(例如,霍尔板、磁场敏感金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(MAG-FET)、垂直霍尔效应器件或者磁敏电阻器(例如,巨磁敏电阻器(GMR)、隧穿磁敏电阻器(TMR)和/或各向异性(AMR)等)等)可以放置在与对应磁体装置的传感器面对端相同的感测平面中(例如,形成与旋转轴线同心的读取圆)并且与传感器面对端轴向偏移。磁性传感器可以与旋转轴线相距阈值径向距离内(例如,对应于感测平面中的磁性传感器的同心读取圆的半径)。
对于本文描述的一些实施方式来说,当磁性传感器位于角位置Ψi=360°*i/N处(对于N个磁性传感器,i=0、1、…N-1)时,旋转角度检测***可以如下计算:
Φ=atan2(C,S) (3)
使用坐标旋转数字计算机(CORDIC)***计算。从而,B(Ψi)是感测面中的角位置Ψi处测量的磁场。根据一些实施方式,磁场B可以是轴向磁场分量Bz或者一些其他磁场分量(例如,径向场分量、方位场分量等)。
如上所述,如图1A所示,磁体装置的传感器面对端不是平坦的,由于通过锥形磁体形成楔形体。磁体装置的楔形体从传感器面对端的传感器面对端面延伸到磁体装置的磁化的相交点。这种磁体装置的楔形体可以使得磁性传感器进行磁体装置的磁场的正弦测量。
如图1B所示且通过曲线110所示,根据现有磁体装置(例如,包括锥形磁体)进行轴向磁场分量Bz的测量形成包括异常的正弦波。使用形成具有异常的正弦波的这些测量,旋转角度检测***可以不精确地检测磁体装置(由此检测可旋转轴)的旋转角度(例如,具有1度内的精度)。具体地,由于由示例性实施方式100的磁体装置引起的磁场的轴向磁场分量Bz的正弦波测量中的异常,计算C+jS以得到旋转角度的旋转角度检测***会根据C+jS不精确地计算旋转角度。例如,感测到的现有磁体装置的磁场的测量可以为具有三次谐波(其大约为基频的10%)的波形式,如下:
Bz/Brem=sin(Φ)+0.1×sin(3Φ) (4)
使得当估计磁体装置(由此估计可旋转轴)的旋转角度时,导致相对较大的误差裕度(精度可以在5-10度内)。本文描述的一些实施方式通过提供示例性实施方式100的磁体装置(包括楔形体的基底和径向端之间的相交厚度)来解决该问题。
如图1B中的示例性实施方式100的曲线120所示,磁体装置的相交厚度通过无限地消除现有磁体装置的锥形磁体的薄端而减小了轴向磁场分量Bz(示为异常测量)的相对较高阶谐波内容。例如,在一些情况下,由磁性传感器感测的Bz(Φ)的三次谐波可以近似为5%(其相对于现有磁体装置提供2倍的改进)。此外,相交厚度能够实现更强的磁场,同时保持现有磁体装置(其可以包括挡板以保持锥形磁体)的相对相同的总尺寸。此外,磁体装置中的相交厚度可以减小消磁随时间的风险。例如,示例性实施方式100的磁体装置可以相对于现有磁体装置包括更多(例如,更厚)的磁化材料。
在一些实施方式中,如本文进一步所描述的,磁体装置的传感器面对端可以包括第一端面和第二端面(例如,通过研磨(mill)传感器面对端的楔形体的端面)和/或磁体装置可以包括椭圆外圆周面。
根据本文描述的一些实施方式,提供磁体装置以使得通过轴向气隙与磁体装置分离的磁性传感器测量磁体装置的正弦磁场分量,以能够相对于磁体装置增加可旋转轴的旋转角度测量的精度(例如,1度内)。此外,在一些实施方式中,可以有效地制造磁体装置以保持货币制造资源。此外,根据一些实施方式,本文描述的磁体装置可以变得比现有磁体装置更加机械稳定。例如,图1A的磁体装置可以由单片材料形成,由此防止对将磁体装置的分离材料与楔形体形状的粘合(例如,胶合)或连接(这增加了裂缝的可能性、机械接合的损失等)的需要。此外,在一些实施方式中,由于该磁体装置的磁化部分相对于现有磁体装置增加的厚度,本文描述的磁体装置可以降低消磁的风险。
如上所述,图1A和图1B仅被提供作为示例。其他示例也是可以的,并且可以不同于参照图1A和图1B所描述的。
图2A是可以实施本文描述的磁体装置、***和/或方法的示例性环境200的示图。如图2A所示,环境200可以包括:对象(对应于图1A的可旋转轴),其可以相对于旋转轴线210(本文可以称为“z轴”)定位;磁体装置215(可对应于图1A的磁体或磁体装置),连接至对象205或者形成为对象205的一部分;磁性传感器220-1至220-N(N≥1),其可以对应于图1A的磁性传感器,并且下文统称为“磁性传感器220”以及单独称为“磁性传感器220”;以及控制器225。
对象205是旋转角度、位置等对于给定应用是感兴趣的对象。例如,对象205可以是机器(例如,车辆、制造机器、工业机器、农业机器等)的机械***的一部分。在一些实施方式中,对象205能够绕旋转轴线210旋转。在一些实施方式中,对象205是圆柱体。在这种实施方式中,对象205的半径可以近似为10mm。
在一些实施方式中,对象205连接至(例如,附接至、耦合至、粘附至、嵌入、形成为一部分等)磁体装置215。示例性对象205可以主要是钢铁(例如,具有透磁率(μr)>100的材料、马氏体不锈钢、软钢等)和/或非磁性材料(例如,0.9<μr<1.5,诸如铝、黄铜、青铜、铜、塑料、奥氏体不锈钢等)。
如本文所描述的,磁体装置215包括一个或多个磁体,其连接(例如附接、粘附、耦合、附接、固定、剪除、夹持等)至对象205或者形成为对象205的一部分,用于与对象共同旋转,使得磁体装置215的旋转对应于对象205的旋转角度(或者旋转位置)。在一些实施方式中,磁体装置215可以在磁体装置215的径向端(例如,传感器面对端)中包括楔形体(例如,v形楔形体)。
在一些实施方式中,如图2B所示,磁体装置215可以包括单片材料,其由一对磁体在相反或者反平行方向上磁化的磁体组成(例如,相对于环境的径向和方位坐标,磁化彼此相差180度)。在一些实施方式中,一对磁体的磁化平行(例如,(在裕度内)平行)于旋转轴线210。在一些实施方式中,磁化沿着相反方向,但是相对于旋转轴线处于一定角度。在一些实施方式中,磁化不是反平行的(例如,沿着旋转轴线相互相差180度),但是磁化之间的阈值角度(例如,120度和180度之间的角度)呈现磁化。
如图2B所示,磁体装置215包括沿第一方向的第一半磁化以及第二半磁化,使得磁体装置215包括一对磁体,它们在磁体装置中彼此径向相对。附加地或备选地,磁体装置215可以包括双极磁体、永久磁体、电磁体、磁带、轴向磁化磁体等。
在一些实施方式中,磁体装置215可以由铁磁材料(例如,硬铁氧体)组成,并且可以产生磁场。如此,磁体装置215可以由单片材料形成或配置,并且被磁化以产生磁场(例如,被磁化以包括一个或多个磁化方向)。在一些实施方式中,磁体装置215可以进一步包括稀土磁体,由于稀土磁体固有的高磁场强度而可以是有利的。
在一些实施方式中,磁体装置215的尺寸(例如,长度、宽度、高度、直径、半径等)可以在近似1毫米(mm)到近似25mm的范围内。磁体装置215可以是具有凹部的环形磁体(例如,圆柱环磁体、椭圆柱环磁体等),并且对象205可以是圆柱。作为具体示例,磁体装置215可以具有近似6mm的厚度或高度、近似10mm的内半径以及近似23mm的外半径(即,磁体装置215可以是8mm高×4mm内径×8mm外径的环磁体)。应注意,虽然磁体装置215可以基本描述为环形磁体,但根据本文的示例性实施方式,磁体装置215可以具有另一种形状,诸如立方形、圆柱形、椭圆形、三角形、多边形等。
在一些实施方式中,磁体装置215可以不对称方式连接至对象205。例如,磁体装置215的中心轴可以不与旋转轴线210对准。尽管磁体装置215被示出为具有尖锐的边缘/边角,但磁体装置215的边缘/边角可以被圆化。
图2A的磁性传感器220包括一个或多个装置,用于感测磁体装置215的磁场的一个或多个分量,用于确定对象205的旋转角度(和/或位置)(例如,基于磁体装置215相对于磁性传感器220的位置)。例如,磁性传感器220可以包括一个或多个电路(例如,一个或多个集成电路),其进行操作以感测由磁体装置215产生的磁场的分量(例如,z分量、径向分量和切线分量)的集合。根据一些实施方式,分量的集合可以包括磁场强度(例如,磁通量密度和/或磁场强度)、磁场幅度、磁场方向等中的一个或多个。
磁性传感器220可以是三维(3D)磁性传感器,其能够感测磁场的三个方向分量(例如,径向分量、方位(切线)分量和轴向分量)。在一些实施方式中,磁性传感器220可以包括相应的集成电路,其包括集成控制器225和/或多个集成控制器225(例如,使得磁性传感器220的输出可以包括描述磁体装置215的位置和/或对象205的位置的信息)。在一些实施方式中,磁性传感器220可以包括一个或多个感测元件以感测由磁性装置215产生的磁场的分量的集合。例如,感测元件可以包括基于霍尔的感测元件,其基于霍尔效应进行操作。作为另一示例,感测元件可以包括基于磁阻(基于MR)的感测元件,其元件由磁阻材料(例如,镍-铁(NiFe))组成,其中磁阻材料的电阻可以取决于磁阻材料处存在的磁场的强度和/或方向。这里,感测元件可以基于AMR效应、GMR效应、TMR效应等进行操作。作为附加示例,一个或多个磁性传感器220的感测元件可以包括基于可变磁阻(VR)的感测元件,其基于电磁感应进行操作。在一些实施方式中,磁性传感器220可以包括模数转换器(ADC),以将从感测元件接收的模拟信号转换为将被磁性传感器220处理(例如,通过数字信号处理器(DSP))的数字信号。
在一些实施方式中,磁性传感器220可以相对于磁体装置215布置在适当位置,使得磁性传感器220可以检测由磁体装置215产生的磁场的分量。例如,如图2A所示,磁性传感器220可以布置为使得磁性传感器220与磁体装置215相距特定距离,使得当磁体装置215绕旋转轴线210旋转时,在磁性传感器220和磁体装置215之间存在气隙(例如,约1.3mm的气隙,约1.0mm至约1.6mm的范围内的气隙等)。在一些实施方式中,磁性传感器220可以位于与磁体装置215的传感器面对端相距轴向距离(例如,对应于气隙)的感测面中。在一些实施方式中,如果具有两个磁性传感器,则磁性传感器可以放置在0度和90度处(其中,0度是旋转的任意位置)。此外,如果使用三个磁性传感器,则磁性传感器可以放置在0度、120度和240度处;如果使用四个磁性传感器,则磁性传感器可以放置在0度、90度、180度和270度处;如果使用五个磁性传感器,则磁性传感器可以放置在0度、72度、144度、216度、288度处等等。
在一些实施方式中,磁性传感器220可以配置有与基于感测的磁场(或者感测的磁场的分量的集合)确定对象205的旋转角度相关联的映射信息。磁性传感器220可以在磁性传感器220的存储元件(例如,只读存储器(ROM)(例如,电可擦除可编程只读存储器(EEPROM))、随机存取存储器(RAM)和/或另一种类型的动态或静态存储设备(例如,闪存、磁性存储器、光学存储器等))中存储映射信息。映射信息可以包括与旋转角以及对应于该旋转角的磁场的分量的集合相关联的信息。映射信息可以包括用于对象205的多个旋转角度和/或位置的这种信息。在一些实施方式中,在与磁性传感器220和/或旋转角度检测***相关联的制造工艺、与磁性传感器220相关联的校准工艺、与磁性传感器220相关联的设置工艺等期间,磁性传感器220可以配置有映射信息。
在操作期间,磁性传感器220可以感测磁体装置215的磁场的分量的集合。然后,磁性传感器220可以将感测到的磁场的分量的集合与映射信息进行比较,并且基于比较确定对象205的旋转角度。例如,磁性传感器220可以识别映射信息中包括的磁场的分量的集合,其与感测的磁场的分量的集合(例如,磁场的径向分量的幅度、磁场的切线分量的幅度或者磁场的轴向分量的幅度)相匹配(例如,在阈值内或者满足匹配阈值)。在该示例中,磁性传感器220可以确定对象205的旋转角度作为与匹配的映射信息相对应的旋转角度。
控制器225包括与确定对象205的旋转角度(和/或位置)并且提供与对象205的旋转角度相关联的信息相关联的一个或多个电路。例如,控制器225可以包括集成电路、控制电路、反馈电路等中的一个或多个。控制器225可以接收来自诸如一个或多个磁性传感器220的一个或多个磁性传感器(例如,来自磁性传感器220的数字信号处理器(DSP))的输入信号,可以处理输入信号(例如,使用模拟信号处理器、数字信号处理器等)来生成输出信号,并且可以将输出信号提供给一个或多个其他设备或***。例如,控制器225可以接收来自磁性传感器220的一个或多个输入信号,并且可以使用一个或多个输入信号来生成输出信号,其中输出信号包括与磁体装置215连接的对象205的旋转角度(或位置)。
提供图2A和图2B所示装置的数量和装置作为示例。实际上,与图2A和图2B所示相比,可以具有附加的装置、更少的装置、不同的装置或者不同布置的装置。此外,图2A和图2B所示的两个或更多个装置可以在单个装置内实施,或者图2A和图2B所示的单个装置可以被实施为多个分布式装置。附加地或者备选地,环境200的装置的集合(例如,一个或多个装置)可以执行被描述为通过环境200的另一装置集合执行的一个或多个功能。
图3是与本文描述的磁体装置的示例性实施方式300相关联的示图。类似于图1A,三个示图示出了磁体装置的示例性实施方式300,由此用于描述图1A的磁体装置的类似术语可用于表示示例性实施方式300的磁体装置的相同或相似特征。如图3所示,示例性实施方式300包括在磁体装置的传感器面对端具有径向端面的磁体装置。
如图3所示,磁体装置的传感器面对端包括第一端面和第二端面。示例性实施方式300的第一端面和第二端面分别与磁体装置的第一环部的第一楔形面和第二环部的第二楔形面相遇。根据一些实施方式,第一端面和第二端面可以在相同平面(例如,传感器面对端面)中,其可以垂直于可旋转轴的旋转轴线和/或平行于磁体装置的径向端。
根据一些实施方式,磁体装置的传感器面对端中的径向端面可以生成磁场,这能够使磁性传感器随着磁体装置(由此随着可旋转轴)旋转来感测近似纯正弦波的磁场的轴线分量。如此,磁性传感器可以与现有磁体装置相比更加精确地确定磁体装置(由此确定可旋转轴)的位置,因为相较于现有磁体装置在磁场的轴线分量的测量正弦波中存在更少的异常。
如上所述,图3仅被提供作为示例。其他示例也是可以的,并且可以不同于参照图3所描述的。
图4是与本文描述的磁体装置的示例性实施方式400相关联的示图。图4示出了磁体装置的示例性实施方式400的正视图。如图所示,示例性实施方式400包括圆柱内圆周面和椭圆柱外圆周面。如图4所示,内圆周面是圆柱内圆周面。在一些实施方式中,内圆周面可以包括椭圆柱表面或者其他类型的圆柱面(例如,包括缺陷的圆柱面、考虑到可旋转轴的结构的表面积等)。此外,如图4所示,椭圆柱外圆周面的短轴与楔形体的基底(例如,第一环部和第二环部的相交点)对准,并且椭圆柱外圆周面的长轴垂直于楔形体的基底。
根据一些实施方式,磁体装置的椭圆柱外圆周面可以生成磁场,这能够使磁性传感器随着磁体装置(由此随着可旋转轴)的旋转感测近似纯正弦波中的磁场的轴向分量。如此,磁性传感器可以相对于现有磁体装置更加精确地确定磁体装置(由此确定可旋转轴)的位置,因为相对于现有磁体装置在磁场的轴向分量的测量正弦波中存在更少的异常。
如上所述,图4仅被提供为示例。其他示例也是可以的,并且可以不同于参照图4所描述的。
图5是与本文所描述的磁体装置的示例性实施方式相关联的示图。图5与本文所述的磁体装置的特性的示例性曲线500相关联。示出了代表示例性曲线500的结果的两条曲线。如参考符号510所示,第一曲线示出了在360度旋转上的感测轴向磁场分量(Bz)的标准化测量。如参考符号520所示,第二曲线示出了在360度旋转的90度上的感测轴向磁场分量(Bz)的标准化测量,以提供本文所述磁体装置的实施方式的各种配置之间的差异的放大图。
如示例性曲线500所示,具有楔形体和相交厚度的磁体装置的特性提供了使得磁性传感器在Bz的正弦波中测量更少异常的磁场。换句话说,从包括相交厚度的磁体装置感测的Bz的测量值比从不包括相交厚度的磁体装置感测的测量值更接近纯正弦波。此外,如示例性曲线500所示,附加地在磁体装置的传感器面对端中包括径向端面(类似于图3的实施方式300)或者包括椭圆柱外圆周面(类似于图4的实施方式400),其中磁体装置中的相交厚度可以进一步增强被磁性传感器感测的测量的正弦波。尽管没有示出用于这种实施方式的示例性曲线500的结果,但磁体装置可以包括本文所述的楔形体,其具有相交厚度、传感器面对端中的径向端面和椭圆柱外圆周面。
因此,示例性曲线500示出了相对于现有磁体装置可以被磁性传感器感测的磁体装置的轴向磁场分量的更纯正弦波的测量,这能够使磁性传感器相对于现有磁体装置更加精确地测量磁体装置(由此测量可旋转轴)的旋转角度(例如,在1度内)。
如上所述,图5仅被提供作为示例。其他示例也是可以的,并且可以不同于参照图5所描述的。
图6是与本文所述磁体装置的示例性实施方式相关联的示图。图6的示例性实施方式包括在磁体装置的传感器面对端中形成的楔形体形状的示例性实施方式610、620。在一些实施方式中,楔形体的形状可以被研磨成磁体装置。
如图6所示,第一环部的第一楔形面和第二环部的第二楔形面可以相对于楔形体的基底(和/或旋转轴线)对称成形。如图6所示,示例性实施方式600的第一楔形面和第二楔形面对称地由多个楔形部分(均被示为两个部分)组成,多个楔形部分所具有的相对于旋转轴线的斜率随着楔形部分从磁体装置的传感器面对端延伸向楔形体的基底而增加。例如,从传感器面对端延伸的第一楔形部分可以具有1/4的斜率,而从第一楔形部分延伸向楔形体的基底的第二楔形部分可以具有1/2的斜率。
如图6进一步所示,示例性实施方式620的第一环部的第一楔形面和第二环部的第二楔形面是对称弯曲面,它们相对于旋转轴线具有的斜率随着楔形部分从磁体装置的传感器面对端延伸向楔形体的基底逐渐增加。
如上所述,图6仅被提供作为示例。其他示例也是可以的,并且可以不同于参照图6所描述的。
图7是与配置本文所述磁体装置相关联的示例性工艺700的流程图。在一些实施方式中,可以执行图7的一个或多个框以组装本文所述的磁体装置。在一些实施方式中,可以通过与提供或组装对象205、磁体装置215和/或磁性传感器220相关联的设备(例如,组装或制造设备或机器)来执行图7的一个或多个工艺框。这些设备或机器可以执行一个或多个制造工艺(例如,蚀刻、模制、固定、布置、对准、安装、焊接、磁性激励等)以执行图7的工艺700。
如图7所示,工艺700可以包括形成用于检测可旋转轴的旋转角度的环状磁体装置(框710)。例如,环状磁体装置可以是磁体装置215,并且可旋转轴可以是对象205。在一些实施方式中,环状磁体装置可以形成为在环状磁体装置的传感器面对端中包括楔形体。例如,楔形体可以由环状磁体装置的第一环部上的第一楔形面和环状磁体装置的第二环部上的第二楔形面形成。在一些实施方式中,楔形体的基底可以形成为与环状磁体装置的径向表面相距阈值轴向距离(即,与传感器面对端相对),以在第一环部和第二环部之间形成相交厚度。在一些实施方式中,楔形体的基底可以形成为垂直于可旋转轴的旋转轴线。
在一些实施方式中,环状磁体装置可以形成为包括传感器面对端的径向端面,使得第一端面和第二端面在传感器面对端的相同端面内并且平行于径向表面。在一些实施方式中,环状磁体装置可以形成为包括圆柱内圆周面(连接至可旋转轴或者形成为可旋转轴的一部分)和椭圆柱外圆周面。例如,可以形成椭圆柱外圆周面,使得椭圆柱外圆周面的短轴与楔形体的基底对准,并且椭圆柱外圆周面的长轴垂直于楔形体的基底。
以这种方式,环状磁体装置可以形成为用于检测可旋转轴的旋转角度。
如图7进一步所示,工艺700可以包括在第一方向上磁化环状磁体装置的第一环部(框720)。例如,第一环部可以在平行于可旋转轴或者处于可旋转轴的阈值角度(例如,10度内)的第一方向上被磁化。第一环部可以使用任何适当的技术被磁化,以将磁性粒子传送到第一环部(例如,触摸磁化、剩余磁化、连续磁化等)。
以这种方式,可以磁化环状磁体装置的第一环部。
如图7进一步所示,工艺700可以包括在与第一方向相对的第二方向上磁化环状磁体装置的第二环部(框730)。例如,环状磁体的第二环部可以使用任何适当的技术来磁化。在一些实施方式中,第二方向可以与第一方向相对:第一方向和第二方向相对于特定轴(例如,可旋转轴的旋转轴线)彼此相差180度方向角。在一些实施方式中,可以在与可旋转轴平行或者处于可旋转轴的阈值角度(例如,10度内)的第二方向上磁化第二环部。第一环部和第二环部可以被同时磁化或者一个接一个地磁化。
以这种方式,可以磁化环状磁体装置的第二环部。
如图7进一步所示,工艺700可以包括在可旋转轴上配置环状磁体装置,可旋转轴在垂直于可旋转轴的感测平面中配置的多个磁性传感器相距阈值轴向距离内(框740)。例如,可以经由诸如安装工艺、粘合工艺、成形工艺等的制造工艺来在可旋转轴上配置环状磁体装置。
以这种方式,环状磁体装置可以被配置为连接至可旋转轴或者形成为可旋转轴的一部分。
尽管图7示出了工艺700的示例性框,但在一些实施方式中,与图7所示相比,工艺700可以包括附加框、更少的框、不同的框或者不同配置的框。附加地或者备选地,可以并行地执行工艺700的两个或更多个框。
前文的公开提供了说明和描述,但不用于排他或者将实施方式限于所公开的具体形式。考虑到上述公开可以进行修改和变化,或者可以从实施方式的时间中获取修改或变化。
结合阈值在本文描述了一些实施方式。如本文所使用的,满足阈值可以表示值大于阈值、多于阈值、高于阈值、大于或等于阈值、小于阈值、少于阈值、低于阈值、小于或等于阈值、等于阈值等。
一些实施方式在本文描述为包括平行关系或垂直关系。如本文所使用的,平行表示覆盖基本平行,并且垂直表示覆盖基本垂直。此外,如本文所使用的,基本表示所描述的测量、元件或关系在容限(例如,设计容限、制造容限、工业标准容限等)内。
即使在权利要求中引用和/或说明书中公开了特征的具体组合,但这些组合不用于限制可能实施方式的公开。实际上,这些特征中的许多特征可以没有在权利要求中具体引用和/或在说明书中公开的方式进行组合。尽管以下列出的每个从属权利可以仅直接引用一项权利要求,但可能实施方式的公开包括每条从属权利要求与权利要求组中的每个其他权利要求组合。
没有本文使用的元件、动作或指令应该构造为临界或必要的,除非另有明确描述。此外,如本文所使用的,冠词“一个”用于包括一个或多个项目,并且可以与“一个或多个”交换使用。此外,如文本所使用的,术语“集合”用于包括一个或多个项目(例如,相关项目、不相关项目、相关和不相关项目的组合等),并且可以与“一个或抖个”交换使用。在仅想要一个项目的情况下,使用术语“一个”或类似语言。此外,如本文所使用的,术语“具有”等是开放性术语。此外,措辞“基于”用于表示“至少部分地基于”,除非另有明确指定。
Claims (20)
1.一种环状磁体装置,用于确定可旋转轴的旋转角度,所述环状磁体装置被配置为连接至所述可旋转轴或者形成为所述可旋转轴的一部分,用于绕旋转轴线与所述可旋转轴共同旋转,所述环状磁体装置包括:
第一环部,包括:
第一楔形面,
其中所述第一环部在第一方向上被磁化;以及
第二环部,与所述第一环部径向相对,所述第二环部包括:
第二楔形面,
其中所述第一楔形面和所述第二楔形面在所述环状磁体装置的传感器面对端中形成楔形体,并且
其中所述第二环部在第二方向上磁化,所述第二方向在所述第一方向的阈值角度内且不同于所述第一方向,
其中所述传感器面对端与所述环状磁体装置的径向端轴向相对,并且
其中所述环状磁体装置包括单片材料,所述单片材料的相交厚度对应于所述环状磁体装置的所述径向端与所述楔形体的基底之间的轴向距离,
其中所述楔形体的所述基底从所述环状磁体装置的外圆周面延伸至所述环状磁体装置的内圆周面。
2.根据权利要求1所述的环状磁体装置,其中在所述环状磁体装置中,所述径向端包括与所述旋转轴线垂直的径向表面。
3.根据权利要求1所述的环状磁体装置,其中所述传感器面对端包括第一端面和第二端面,
其中所述第一端面与所述第一楔形面相遇,并且所述第二端面与所述第二楔形面相遇。
4.根据权利要求3所述的环状磁体装置,其中所述第一端面和所述第二端面平行于所述径向端。
5.根据权利要求1所述的环状磁体装置,其中所述阈值角度包括120度和180度之间的角度。
6.根据权利要求1所述的环状磁体装置,其中所述相交厚度是所述传感器面对端与所述径向端之间的轴向距离的阈值百分比。
7.根据权利要求1所述的环状磁体装置,其中所述内圆周面包括圆柱内圆周面,所述圆柱内圆周面连接至所述可旋转轴或者形成为所述可旋转轴的一部分;以及所述外圆周面包括椭圆柱外圆周面。
8.根据权利要求7所述的环状磁体装置,其中,
所述椭圆柱外圆周面的短轴与所述楔形体的基底对准,并且
所述椭圆柱外圆周面的长轴垂直于所述楔形体的基底。
9.一种旋转角度检测***,包括:
环状磁体装置,用于确定可旋转轴的旋转角度,所述环状磁体装置被配置为安装在所述可旋转轴上或者形成为所述可旋转轴的一部分,用于绕旋转轴线与所述可旋转轴共同旋转,
其中所述环状磁体装置被配置为包括:
第一环部,在第一方向上被磁化;和
第二环部,在第二方向上被磁化,所述第二方向相对于所述第一方向具有120度和180度之间的角度,
其中所述第一环部的第一楔形面和所述第二环部的第二楔形面在所述环状磁体装置的传感器面对端中形成楔形体,并且
所述环状磁体装置包括与所述楔形体的基底和所述环状磁体装置的径向端之间的轴向距离相对应的相交厚度,所述径向端与所述传感器面对端轴向相对,其中所述楔形体的所述基底从所述环状磁体装置的外圆周面延伸至所述环状磁体装置的内圆周面;以及
磁性传感器,基于由所述环状磁体装置的所述传感器面对端中的所述楔形体形成的感测磁场来测量所述可旋转轴的旋转角度。
10.根据权利要求9所述的旋转角度检测***,其中所述磁性传感器被配置为定位在与所述可旋转轴相距阈值径向距离内,使得所述环状磁体装置的所述传感器面对端位于所述磁性传感器与所述环状磁体装置的所述径向端之间。
11.根据权利要求10所述的旋转角度检测***,其中所述磁性传感器是多个磁性传感器中的一个磁性传感器,
其中所述多个磁性传感器被定位在垂直于所述旋转轴线的相同感测平面中。
12.根据权利要求9所述的旋转角度检测***,其中所述第一楔形面和所述第二楔形面相对于所述楔形体的基底对称成形。
13.根据权利要求9所述的旋转角度检测***,其中所述第一楔形面和所述第二楔形面是对称弯曲表面,所述对称弯曲表面相对于所述旋转轴线具有的斜率随着所述弯曲表面从所述环状磁体装置的所述传感器面对端延伸向所述楔形体的基底而逐渐增加。
14.根据权利要求9所述的旋转角度检测***,其中所述第一楔形面和所述第二楔形面对称地由多个楔形部分组成,所述多个楔形部分相对于所述旋转轴线具有的斜率随着楔形部分从所述环状磁体装置的所述传感器面对端延伸向所述楔形体的基底而增加。
15.一种磁体装置,用于确定可旋转轴的旋转角度,所述磁体装置包括:
磁体,由单片材料形成并且被配置为连接至所述可旋转轴或者形成为所述可旋转轴的一部分,用于绕旋转轴线与所述可旋转轴共同旋转,所述磁体包括:
第一磁体部分,包括:
第一表面,
其中所述第一磁体部分在第一方向上被磁化;以及
第二磁体部分,与所述第一磁体部分径向相对,所述第二磁体部分包括:
第二表面,
其中所述第一表面和所述第二表面在所述磁体装置的传感器面对端中形成楔形体,
其中所述第二磁体部分在与所述第一方向相反的第二方向上被磁化,
其中所述传感器面对端与所述磁体装置的径向端轴向相对,并且
其中所述磁体装置包括的相交厚度对应于所述磁体装置的所述径向端与所述楔形体的基底之间的轴向距离,
其中所述楔形体的基底垂直于所述旋转轴线并且从所述磁体装置的外圆周面延伸至所述磁体装置的内圆周面。
16.根据权利要求15所述的磁体装置,其中所述磁体装置产生磁场,所述磁场在用于确定所述可旋转轴的所述旋转角度的正弦波中产生测量值。
17.根据权利要求15所述的磁体装置,其中所述第一方向和所述第二方向平行于所述可旋转轴的所述旋转轴线。
18.根据权利要求15所述的磁体装置,其中所述第一方向和所述第二方向在所述旋转轴线的阈值角度内。
19.根据权利要求15所述的磁体装置,其中所述传感器面对端包括第一端面和第二端面,
其中所述第一端面和所述第二端面在所述传感器面对端的相同端面内并且平行于所述径向端。
20.根据权利要求15所述的磁体装置,其中所述内圆周面包括圆柱内圆周面,所述圆柱内圆周面连接至所述可旋转轴或者形成为所述可旋转轴的一部分;以及所述外圆周面包括椭圆柱外圆周面,
其中所述椭圆柱外圆周面的短轴与所述楔形体的基底对准,并且
所述椭圆柱外圆周面的长轴垂直于所述楔形体的基底。
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