CN109697944B - 像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置。该像素电路包括驱动晶体管，该像素电路的检测方法包括：在第一充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加第一数据电压后的第一时长，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断第一感测电压是否等于参考感测电压。参考感测电压是在参考充电周期获得的，在参考充电周期中，在向驱动晶体管的栅极施加参考数据电压后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取参考感测电压，并且第一数据电压等于参考数据电压。该检测方法可以在开机状态实现像素电路的阈值特性的检测，进而提升阈值补偿效果和亮度均匀性。

Description

像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板由于具有视角宽、对比度高、响应速度快以及相比于无机发光显示器件的更高的发光亮度、更低的驱动电压等优势而逐渐受到人们的广泛关注。由于上述特点，有机发光二极管(OLED)显示面板可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相机、仪器仪表等具有显示功能的装置。
发明内容
本公开的至少一个实施例提供了一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：在第一充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断所述第一感测电压是否等于参考感测电压。所述参考感测电压是在参考充电周期获得的，在所述参考充电周期中，在向所述驱动晶体管的栅极施加参考数据电压后的所述第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取所述参考感测电压，并且所述第一数据电压等于所述参考数据电压。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，在所述第一感测电压不等于所述参考感测电压的情况下，在第二充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第二数据电压，在施加所述第二数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取第二感测电压。选择所述第二数据电压以使得所述第二感测电压与所述参考感测电压之间的差值小于所述第一感测电压与所述参考感测电压之间的差值。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，在所述第一感测电压小于所述参考感测电压的情况下，使得所述第二数据电压大于所述第一数据电压的取值；在所述第一感测电压大于所述参考感测电压的情况下，使得所述第二数据电压小于所述第一数据电压的取值。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，在所述第二感测电压仍然不等于所述参考感测电压的情况下，则重复进行所述第二充电周期，直至所述第二感测电压等于所述参考感测电压。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，所述参考充电周期位于关机状态，所述第一充电周期位于所述参考充电周期之后再次的开机期间；或者，所述参考充电周期位于开机状态，所述第一充电周期位于所述参考充电期间之后的开机期间。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，所述第一充电周期和/或所述第二充电周期位于显示周期之间。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，所述方法还包括获取所述驱动晶体管的参考阈值电压。如果所述第一感测电压等于所述参考感测电压，则基于所述参考阈值电压、所述第一数据电压和所述参考数据电压获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，所述驱动晶体管的当前阈值电压等于所述参考阈值电压加上所述第一数据电压与所述参考数据电压的差值。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，所述方法还包括获取所述驱动晶体管的参考阈值电压。如果所述第二感测电压等于所述参考感测电压，则基于所述参考阈值电压、所述第二数据电压和所述参考数据电压获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，所述驱动晶体管的当前阈值电压等于所述参考阈值电压加上所述第二数据电压与所述参考数据电压的差值。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，获取所述像素电路的参考阈值电压包括：在关机状态的关机充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加关机数据电压且在所述驱动晶体管截止之后，在所述驱动晶体管的第一极获取关机感测电压；所述驱动晶体管的参考阈值电压等于所述关机数据电压与所述关机感测电压的差值。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法中，所述关机充电周期与所述参考充电周期相同，且所述关机数据电压与所述参考数据电压相等。
本公开的至少一个实施例还提供了一种显示面板的驱动方法，所述显示面板包括像素电路，所述驱动方法包括：对所述像素电路执行上述任意实施例描述的检测方法，以用于获得所述像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的显示面板的驱动方法中，所述驱动方法还包括：根据所获得的当前阈值电压建立所述像素电路的补偿量。
本公开的至少一个实施例又提供了一种显示装置，该显示装置包括像素电路和控制电路，所述像素电路包括驱动晶体管。所述控制电路配置为执行如下的检测方法：在第一充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断所述第一感测电压是否等于参考感测电压，所述参考感测电压是在参考充电周期获得的，在所述参考充电周期中，在向所述驱动晶体管的栅极施加参考数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取所述参考感测电压，并且所述第一数据电压等于所述参考数据电压。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的显示装置中，所述显示装置还包括数据驱动电路和检测电路。所述数据驱动电路配置为可发出所述第一数据电压和所述参考数据电压，所述像素电路还配置为接收所述第一数据电压和所述参考数据电压并将所述第一数据电压和所述参考数据电压施加至所述驱动晶体管的栅极；所述检测电路配置为从所述驱动晶体管的第一极读取所述第一感测电压和参考感测电压；所述控制电路还配置为控制所述数据驱动电路和所述检测电路。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的显示装置中，所述像素电路还包括发光元件和感测开关晶体管，所述驱动晶体管的第二极和第一极配置为分别连接至第一电源电压端以及所述发光元件的第一极，所述发光元件的第二极连接到第二电源电压端，所述感测开关晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极电连接，且所述感测开关晶体管的第二极与所述检测电路电连接。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的显示装置中，所述像素电路还包括感测线，所述感测线将所述述感测开关晶体管的第二极与所述检测电路电连接。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的显示装置中，所述像素电路还包括数据写入晶体管与存储电容，所述数据写入晶体管配置为从所述数据驱动电路获取数据信号，向所述驱动晶体管的栅极写入所述数据信号，所述存储电容存储所述数据信号。
例如，在本公开的至少一个实施例提供的显示装置中，所述控制电路包括处理器和存储器，所述存储器包括可执行代码，所述处理器运行所述可执行代码以执行所述检测方法。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A是一种像素电路的示意图；
图1B是另一种像素电路的示意图；
图1C是再一种像素电路的示意图；
图1D是一种感测电压随时间变化的曲线图；
图2A是实施例一提供的第一充电周期中感测电压随时间变化的曲线图；
图2B是实施例一提供的参考充电周期中感测电压随时间变化的曲线图；
图2C是实施例一提供的第一充电周期和参考充电周期中感测电压随时间变化的曲线图；
图2D是实施例一提供的一种第一充电周期、参考充电周期和第二充电周期中感测电压随时间变化的曲线图；
图2E是实施例一提供的另一种第一充电周期、参考充电周期和第二充电周期中感测电压随时间变化的曲线图；
图2F是实施例一提供的再一种第一充电周期、参考充电周期和第二充电周期中感测电压随时间变化的曲线图；
图3A是实施例一提供的一种第一充电周期、参考充电周期和关机充电周期中感测电压随时间变化的曲线图；
图3B是实施例一提供的另一种第一充电周期、参考充电周期和关机充电周期中感测电压随时间变化的曲线图；
图4A是实施例二提供的一种像素电路的示意图；
图4B是实施例二提供的另一种像素电路的示意图；
图5A是实施例二提供的像素电路在参考充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图5B是实施例二提供的像素电路在第一充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图5C是实施例二提供的像素电路在参考充电周期和第一充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图5D是实施例二提供的像素电路在第二充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图5E是实施例二提供的像素电路在参考充电周期、第一充电周期和第二充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图6A是实施例三提供的像素电路在关机充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图6B是实施例三提供的像素电路在参考充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图6C是实施例三提供的像素电路在第一充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图6D是实施例三提供的像素电路在第二充电周期中的驱动时序图以及感测电压随时间变化的曲线图；
图7是实施例四提供的显示面板的驱动方法的示意性流程图；以及
图8是实施例五提供的显示装置的一种示例性的结构图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
OLED显示装置中的像素电路一般采用矩阵驱动方式，根据每个像素单元中是否引入开关元器件分为有源矩阵(Active Matrix)驱动和无源矩阵(Passive Matrix)驱动。AMOLED在每一个像素的像素电路中都集成了一组薄膜晶体管和存储电容，通过对薄膜晶体管和存储电容的驱动控制，实现对流过OLED的电流的控制，从而使OLED根据需要发光。
AMOLED显示装置中使用的基础像素电路通常为2T1C像素电路，即利用两个薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)和一个存储电容Cst来实现驱动OLED发光的基本功能。图1A和图1B分别为示出了两种2T1C像素电路的示意图。
如图1A所示，一种2T1C像素电路包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cst。例如，该开关晶体管T0的栅极连接扫描线以接收扫描信号Scan1；例如，该开关晶体管T0的源极连接到数据线以接收数据信号Vdata；该开关晶体管T0的漏极连接到驱动晶体管N0的栅极；驱动晶体管N0的源极连接到第一电压端以接收第一电压Vdd(高电压)，驱动晶体管N0的漏极连接到OLED的正极端；存储电容Cst的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第一电压端；OLED的负极端连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。该2T1C像素电路的驱动方式是将像素的明暗(灰阶)经由两个TFT和存储电容Cst来控制。当通过扫描线施加扫描信号Scan1以开启开关晶体管T0时，数据驱动电路通过数据线送入的数据信号Vdata将经由开关晶体管T0对存储电容Cst充电，由此将数据信号Vdata存储在存储电容Cst中，且此存储的数据信号Vdata控制驱动晶体管N0的导通程度，由此控制流过驱动晶体管以驱动OLED发光的电流大小，即此电流决定该像素发光的灰阶。在图1A所示的2T1C像素电路中，开关晶体管T0为N型晶体管而驱动晶体管N0为P型晶体管。
如图1B所示，另一种2T1C像素电路也包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cst，但是其连接方式略有改变，且驱动晶体管N0为N型晶体管。图1B的像素电路相对于图1A的变化之处包括：OLED的正极端连接到第一电压端以接收第一电压Vdd(高电压)，而负极端连接到驱动晶体管N0的漏极，驱动晶体管N0的源极连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。存储电容Cst的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第二电压端。该2T1C像素电路的工作方式基本上与图1A所示的像素电路基本相同，这里不再赘述。
此外，对于图1A和图1B所示的像素电路，开关晶体管T0不限于N型晶体管，也可以为P型晶体管，由此控制其导通或截止的扫描控制端Scan1提供的扫描信号的极性进行相应地改变即可。
OLED显示装置通常包括多个按阵列排布的像素单元，每个像素单元例如可以包括上述像素电路。在OLED显示装置中，各个像素电路中的驱动晶体管的阈值电压由于制备工艺可能存在差异，而且由于例如温度变化的影响，驱动晶体管的阈值电压可能会产生漂移现象。因此，各个驱动晶体管的阈值电压的不同可能会导致显示不良(例如显示不均匀)，所以就需要对阈值电压进行补偿。
例如，在经由开关晶体管T0向驱动晶体管N0的栅极施加数据信号(例如，数据电压)Vdata之后，数据信号Vdata可以对存储电容Cst充电，而且由于数据信号Vdata可以使得驱动晶体管N0导通，则与存储电容Cst的一端电连接的驱动晶体管N0的源极或漏极的电压Vs可能对应地改变。
例如，图1C示出了一种可以检测驱动晶体管的阈值电压的像素电路(也即，3T1C电路)，驱动晶体管N0为N型晶体管。例如，如图1C所示，为了实现补偿功能，可以在2T1C电路的基础上引入感测晶体管S0，也即，可以将感测晶体管S0的第一端连接到驱动晶体管N0的源极，感测晶体管S0的第二端经由感测线与检测电路(未示出)连接。由此当驱动晶体管N0导通之后，经由感测晶体管S0对于检测电路放电，使得驱动晶体管N0的源极电位改变。当驱动晶体管N0的源极的电压Vs等于驱动晶体管N0的栅极电压Vg与驱动晶体管的阈值电压Vth的差值时，驱动晶体管N0将会截止。此时，可以在驱动晶体管N0截止后，再经由导通的感测晶体管S0从驱动晶体管N0的源极获取感测电压(也即，驱动晶体管N0截止后的源极的电压Vb)。在获取驱动晶体管N0截止后的源极的电压Vb之后，则可以获取驱动晶体管的阈值电压Vth＝Vdata-Vb，由此可以基于每个像素电路中驱动晶体管的阈值电压针对每个像素电路建立(也即，确定)补偿量，进而可以实现显示面板各个子像素的阈值电压补偿功能。
例如，图1D示出了一种经由导通的感测晶体管S0从驱动晶体管N0的源极获取的感测电压随时间变化的曲线图。发明人注意到，施加数据信号Vdata之后，经感测线对检测电路放电的过程中，随着对存储电容Cst等的充电时间的增加，充电速度将对应地降低(也即，感测电压增加的速度降低)(参见图1D)，这是因为充电电流将随着感测电压(也即，驱动晶体管N0的源极的电压Vs)的增加而降低。具体地，驱动晶体管N0处于饱和状态下输出的电流Ids可如下计算公式得到：
Ids＝1/2×K(Vg-Vs-Vth)2
＝1/2×K(Vdata-Vs-Vth)2
＝1/2×K((Vdata-Vth)-Vs)2。
这里，K＝W/L×C×μ，W/L为驱动晶体管N0的沟道的宽长比(即，宽度与长度的比值)，μ为电子迁移率，C为单位面积的电容。
在驱动晶体管N0的源极的电压Vs增加至Vdata-Vth的过程中，随着Vs的增加，[(Vdata-Vth)-Vs]的值将不断降低，对应地，驱动晶体管N0输出的电流Ids以及充电速度也将随之不断降低，因此，从充电起始到驱动晶体管N0截止所需的时间Ts较长，因此通常在显示面板结束正常显示之后的关机过程中进行检测，而无法在开机期间(例如，显示过程中相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管N0的阈值电压的检测，无法实现实时监测以及补偿，由此会降低显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
本公开的实施例提供了一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置，该检测方法可以在开机期间实现像素电路的阈值特性的检测，进而提升了阈值补偿效果和亮度均匀性。
本公开的至少一个实施例提供了一种像素电路的检测方法，该像素电路包括驱动晶体管，该方法包括：在第一充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加第一数据电压后的第一时长，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断第一感测电压是否等于参考感测电压。该方法中，参考感测电压是在参考充电周期获得的，在参考充电周期中，在向驱动晶体管的栅极施加参考数据电压后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取参考感测电压，并且第一数据电压等于参考数据电压。
下面将结合几个实施例，对本公开的至少一个实施例提供的一种像素电路的检测方法做具体说明。
实施例一
本实施例提供了一种像素电路的检测方法，该像素电路的检测方法可用于检测像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压Vth。例如，下面将结合图2A-图2C对本实施例提供的像素电路的检测方法做具体说明。
例如，像素电路可以包括驱动晶体管(例如，图4A或图4B中的驱动晶体管T3)。例如，向驱动晶体管的施加的栅极电压记为DAT。例如，像素电路的检测方法包括以下的步骤S110。
步骤S110：在第一充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压Vd1，在施加第一数据电压Vd1后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压Vs1，并判断第一感测电压Vs1是否等于参考感测电压Vsr。
例如，参考感测电压Vsr是在一个参考充电周期获得的，在该参考充电周期中，在向驱动晶体管的栅极施加参考数据电压Vdr后同样的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取该参考感测电压Vsr。例如，第一数据电压Vd1等于参考数据电压Vdr。
例如，图2A示出了第一充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压(也即，感测电压)随时间变化的曲线图。例如，在第一充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压Vd1，然后在施加第一数据电压Vd1后的第一时长(也即，t1-t0)，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压Vs1。需要说明的是，向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压Vd1是指经像素电路的数据线(例如，图4A或图4B中的数据线Vdat)提供的数据电压为第一数据电压Vd1。这里，驱动晶体管的第一极是指与感测开关晶体管T2相电连接的一极，其根据具体的像素电路设计可以是源极或漏极。
例如，图2B示出了参考充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图。例如，在参考充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加参考数据电压Vdr，然后在施加参考数据电压Vdr后的第一时长(也即，t1-t0)，在驱动晶体管的第一极获取参考感测电压Vsr。需要说明的是，向驱动晶体管的栅极施加参考数据电压Vdr是指经像素电路的数据线提供的电压为参考数据电压Vdr。
例如，参考充电周期位于第一充电周期之前。例如，参考充电周期可以位于相应显示装置在关机过程中的关机状态，而第一充电周期可以位于参考充电周期之后相应显示装置的再次的开机期间，即对相应显示装置开机之后的启动期间或正常显示期间；例如，根据实际应用需求，参考充电周期还可以位于相应显示装置开机时的开机状态，即开机之后到正常显示之前的启动期间，第一充电周期可以位于参考充电周期之后的开机期间。例如，第一充电周期可以位于相应显示装置的正常显示的显示周期之间；该显示周期可以选择为各种适当的时间期间，在此不做具体限定。
例如，如图2C所示，在第一感测电压Vs1等于参考感测电压Vsr的情况下，第一充电周期中的感测电压随时间变化的曲线等于参考充电周期中的感测电压随时间变化的曲线，因此，第一充电周期的截止感测电压(也即，在驱动晶体管截止后测得的感测电压)Vd1-Vth等于参考充电周期的截止感测电压Vdr-Vth’，因此，Vth＝Vd1-Vdr+Vth’，也即，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’加上第一数据电压Vd1与参考数据电压Vdr的差值；由于第一数据电压Vd1等于参考数据电压Vdr，因此，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’。例如，为清楚起见，参考阈值电压Vth’获取方法将在后面详细阐述，在此不再赘述。
例如，如图2D所示，在第一感测电压Vs1不等于参考感测电压Vsr的情况下，像素电路的检测方法还可以包括下述的步骤S120。
步骤S120：在第二充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第二数据电压Vd2，在施加第二数据电压Vd2后的第一时长，在驱动晶体管的第一极获取第二感测电压Vs2。
例如，图2D示出了在第一感测电压Vs1不等于参考感测电压Vsr的情况下(例如，第一感测电压Vs1小于参考感测电压Vsr)，参考充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图，第一充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图以及第二充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图。
例如，在第二充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加第二数据电压Vd2，然后在施加第二数据电压Vd2后同样的第一时长(也即，t1-t0)，在驱动晶体管的第一极获取第二感测电压Vs2。需要说明的是，向驱动晶体管的栅极施加第二数据电压Vd2是指经像素电路的数据线提供的数据电压为第二数据电压Vd2。
例如，第二充电周期位于开机状态下的显示周期之间。例如，第二充电周期可以位于第一充电周期之后。例如，在第一充电周期位于显示第3帧图像和显示第4帧图像之间的情况下，第二充电周期可以位于显示第n帧图像和显示第n+1(n为大于3的整数)帧图像之间的时间间隙，但本公开的实施例不限于此。
例如，如图2D所示，可以通过选择第二数据电压Vd2以使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值。需要说明的是，第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值是指第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值的绝对值|Vs2-Vsr|；第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值是指第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值的绝对值|Vs1-Vsr|。
例如，通过选择第二数据电压Vd2使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值的具体方法可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不做具体限定。
例如，可以选用下述的方法使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs2-Vsr|小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs1-Vsr|，也即，在第一感测电压Vs1小于参考感测电压Vsr的情况下，使得第二数据电压Vs2大于第一数据电压Vs1的取值；在第一感测电压Vs1大于参考感测电压Vsr的情况下，使得第二数据电压Vs2小于第一数据电压Vs1的取值。
例如，如图2D所示，鉴于对于同一个驱动晶体管而言，其在检测过程的充电曲线形状基本相同，在第一感测电压Vs1小于参考感测电压Vsr的情况下，在假设当前阈值电压Vth固定不变的情况下，可以通过增加数据电压来增大感测电压；因此，在第二充电周期中，可以通过使得第二数据电压Vd2大于第一数据电压Vd1来增大第二感测电压Vs2，进而可以使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs2-Vsr|小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs1-Vsr|。对应地，在第一感测电压Vs1大于参考感测电压Vsr的情况下，可以使得第二数据电压Vs2小于第一数据电压Vs1的取值，以使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs2-Vsr|小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs1-Vsr|，具体原因不再赘述。
例如，如图2E所示，在第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值等于零的情况下，也即，在第二感测电压Vs2等于参考感测电压Vsr的情况下，第二充电周期的感测电压随时间变化的曲线等于参考充电周期的感测电压随时间变化的曲线，因此，第二充电周期的截止感测电压(也即，在驱动晶体管截止后在驱动晶体管的第一极获取的感测电压)Vd2-Vth等于参考充电周期的截止感测电压Vdr-Vth’，因此，Vth＝Vd2-Vdr+Vth’，也即，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’加上第二数据电压Vd2与参考数据电压Vdr的差值。
例如，如图2F所示，在第二感测电压Vs2不等于参考感测电压Vsr的情况下，像素电路的检测方法还可以获取包括下述的步骤S130。
步骤S130：重复进行第二充电周期，直至第二感测电压Vs2等于参考感测电压Vsr。
例如，可以采用逐次逼近法，不断调整施加的数据电压直到最终得到与参考感测电压Vsr相等的感测电压。上述步骤S130中，重复进行第二充电周期是指在其它的第二充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加调整后的第二数据电压Vd2(例如，从Vd21调整到Vd22，从Vd22调整到Vd23......等)，并在施加第二数据电压Vd2后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取新的第二感测电压Vs2(例如，在第二数据电压Vd2分别为Vd21、Vd22和Vd23的情况下，第二感测电压Vs2分别为Vs21、Vs22和Vs23)，以不断降低第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs2-Vsr|(例如，|Vs2-Vsr|由|Vs21-Vsr|降低至|Vs22-Vsr|，也即，使用逐次逼近的方法)，直至第二感测电压Vs2等于参考感测电压Vsr(例如，Vs23＝Vsr)，由此可以基于参考阈值电压Vth’、最后施加的第二数据电压Vd2和参考数据电压Vdr获取驱动晶体管的当前阈值电压Vth(也即，参考阈值电压Vth’加上最后施加的第二数据电压Vd2与参考数据电压Vdr的差值)。
例如，为了加快逐次逼近的速度，也即，使得重复进行第二充电周期的次数减少，可以基于第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr的差值|Vs2-Vsr|确定第二数据电压Vd2的变化量ΔVd2。例如，可以基于|Vs21-Vsr|来确定ΔVd2＝Vd22-Vd21，进而可以获取调整后的第二数据电压Vd2(例如，Vd22)。
例如，参考阈值电压Vth’获取方法可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不做具体限定。例如，下面将结合图3A和图3B对参考阈值电压Vth’获取方法做示例性说明。
例如，如图3A和3B所示，在关机状态的关机充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加关机数据电压Vdc且在驱动晶体管截止之后，在驱动晶体管的第一极获取关机感测电压Vb；因此，像素电路的参考阈值电压Vth’等于关机数据电压Vdc与关机感测电压Vb的差值，也即，Vth’＝Vdc-Vb。
例如，根据实际应用需求，可以使得关机充电周期与参考充电周期为不同的充电周期，由此可以仅保存获取的Vth’。例如，关机数据电压Vdc与参考数据电压Vdr可以不相等；又例如，根据实际应用需求，关机数据电压Vdc与参考数据电压Vdr还可以相等。
例如，根据实际应用需求，可以使得关机充电周期与参考充电周期为同一个充电周期，也即，检测方法可以包括关机充电周期和参考充电周期其中一个，此时，关机数据电压Vdc与参考数据电压Vdr可以相等，由此可以简化像素电路的检测方法的步骤。
例如，在本实施例中，由于可以通过对比参考感测电压Vsr以及在施加第一数据电压Vd1后的第一时长获取的第一感测电压Vs1的方法获取像素电路的当前阈值电压Vth，因此，可以无需等待较长时间在驱动晶体管截止后才测量截止感测电压(也即，在驱动晶体管截止后在驱动晶体管的第一极获取的感测电压)，由此可以缩短检测所需的时间(例如，第一充电周期的检测时间)，进而可以在开机期间(例如，相邻的显示周期之间，例如相邻的图像帧之间)实现驱动晶体管的当前阈值电压的检测，由此在显示装置的开机期间可以进行例如实时检测并实时进行补偿，进而可以提升使用该像素电路的检测方法的显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
实施例二
本实施例提供了一种像素电路的检测方法，该像素电路的检测方法可用于检测像素电路的驱动晶体管T3的阈值电压。例如，本实施例提供的像素电路的检测方法可用于检测图4A所示的像素电路中的驱动晶体管T3(N型驱动晶体管T3)的阈值电压，但本公开的实施例不限于此；例如，本实施例提供的像素电路的检测方法还可用于检测图4B所示的像素电路中的驱动晶体管T3(P型驱动晶体管T3)的阈值电压。例如，为清楚起见，下面将以图4A所示的像素电路为例对像素电路的具体结构和像素电路的检测方法做具体说明，但本公开的实施例不限于此。
例如，如图4A所示，像素电路包括驱动晶体管T3。例如，如图4A所示，根据实际应用需求，像素电路还可以包括发光元件EL和感测开关晶体管T2。例如，发光元件EL可以为有机发光二极管，但本公开的实施例不限于此。例如，驱动晶体管T3的第二极可以配置为连接至第一电源电压端VDD，以接收第一电源电压端VDD提供的第一电压，第一电压例如可以是恒定的正电压；驱动晶体管T3的第一极可以配置为连接至发光元件EL的第一极。
例如，如图4A所示，发光元件EL的第二极连接到第二电源电压端VSS，第二电源电压端VSS例如可以提供恒定的电压，第二电源电压端VSS提供的电压可以小于第一电源电压端VDD提供的电压，第二电源电压端VSS例如可以接地，但本公开的实施例不限于此。
例如，如图4A所示，感测开关晶体管T2的第一极(源极)与驱动晶体管T3的第一极电连接。例如，如图2A所示，像素电路还可以包括感测线SEN，感测开关晶体管T2的第二极可以与感测线SEN电连接，该感测线SEN与检测电路(未示出)电连接。例如，如图4A所示，像素电路还可以包括数据写入晶体管T1与存储电容Cst，数据写入晶体管T1配置为向驱动晶体管T3的栅极写入数据信号(例如，第一数据电压和参考数据电压)，存储电容Cst配置为存储数据信号。例如，像素电路还可以包括数据线Vdat，数据写入晶体管T1的第一端与数据线Vdat相连接。
例如，本实施例提供的像素电路的检测方法可以包括以下的步骤。
步骤S210：在参考充电周期中，向驱动晶体管T3的栅极施加参考数据电压Vdr；在向驱动晶体管T3的栅极施加参考数据电压Vdr后的第一时长且在驱动晶体管T3截止之前，在驱动晶体管T3的第一极(例如，源极)获取参考感测电压Vsr；在驱动晶体管T3截止之后，在驱动晶体管T3的第一极获取截止感测电压Vb。
步骤S220：在第一充电周期中，向驱动晶体管T3的栅极施加第一数据电压Vd1；在施加第一数据电压Vd1后的第一时长且在驱动晶体管T3截止之前，在驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压Vs1。
步骤S230：判断第一感测电压Vs1是否等于参考感测电压Vsr，以用于获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
例如，本实施例的参考充电周期可以位于关机状态。例如，上述的检测方法可以按照步骤S210、步骤S220和步骤S230的顺序执行。例如，在步骤S210中，可以首先导通数据写入晶体管T1和感测开关晶体管T2，由此数据线提供的参考数据电压Vdr可以经由导通的数据写入晶体管T1对存储电容Cst充电，进而参考数据电压Vdr可以存储在存储电容Cst中并施加在驱动晶体管T3的栅极上。例如，如图5A所示，可以通过向数据写入晶体管T1的控制端G1和感测开关晶体管T2的控制端G2施加高电平信号，以导通数据写入晶体管T1和感测开关晶体管T2，但本公开的实施例不限于此。例如，向驱动晶体管T3的栅极施加参考数据电压Vdr的起始时刻t0可以为数据写入晶体管T1的导通时刻。
例如，在向驱动晶体管T3的第一极施加参考数据电压Vdr之后，驱动晶体管T3的第一极的电压将随时间不断增加直至驱动晶体管T3截止。例如，图5A示出了参考充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线(也即感测线SEN输出的电压随时间变化的曲线)。
例如，如图5A所示，可以使用例如检测电路中的采样电路(图中未示出)提供的采样信号SAMP并经由导通的感测开关晶体管T2从驱动晶体管T3的第一极获取参考感测电压Vsr和截止感测电压Vb。
例如，如图5A所示，施加参考数据电压Vdr后的第一时长可以为第一次电压采样时刻t1与施加参考数据电压Vdr的起始时刻t0的差值t1-t0。例如，第一时长可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不做具体限定。例如，可以存储从驱动晶体管T3的第一极获取的参考感测电压Vsr，以将参考感测电压Vsr用于后续的步骤S230中。
例如，第二次电压采样时刻可以为驱动晶体管T3截止后的t2时刻。例如，可以基于在驱动晶体管T3的第一极获取的截止感测电压Vb以及向驱动晶体管T3的栅极施加参考数据电压Vdr获取驱动晶体管T3的参考阈值电压Vth’，驱动晶体管T3的参考阈值电压Vth’＝Vdr-Vb。例如，可以存储驱动晶体管T3的参考阈值电压Vth’，以将其用于后续的步骤S230中。
例如，本实施例提供的像素电路的检测方法中的第一充电周期可以位于参考充电周期之后再次的开机期间。例如，在步骤S220中，可以首先导通数据写入晶体管T1和感测开关晶体管T2，由此数据线提供的第一数据电压Vd1可以经由导通的数据写入晶体管T1对存储电容Cst充电，进而第一数据电压Vd1可以存储在存储电容Cst中并施加在驱动晶体管T3的栅极上。例如，如图5B所示，可以通过向数据写入晶体管T1的控制端G1和感测开关晶体管T2的控制端G2施加高电平信号，导通数据写入晶体管T1和感测开关晶体管T2，但本公开的实施例不限于此。例如，向驱动晶体管T3的栅极施加第一数据电压Vd1的起始时刻可以为数据写入晶体管T1的导通时刻。
例如，在向驱动晶体管T3的第一极施加数据电压Vd1之后，驱动晶体管T3的第一极的电压将随时间不断增加直至驱动晶体管T3截止。例如，图5B示出了第一充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线。例如，如图5B所示，可以使用例如采样电路(图中未示出)提供的采样信号SAMP并经由导通的感测开关晶体管T2从驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压Vs1。
需要说明的是，在本实施例中，由于无需测量第一充电周期中驱动晶体管T3的截止感测电压，因此图5B中示出的第一充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线旨在说明第一充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间的变化趋势，而在实际检测过程中，t1时刻之后即可结束检测(例如，第一充电周期的检测)，因此t1时刻之后的曲线可以不存在，也即，第一充电周期的持续时间可以大于第一时长(也即，t1-t0)，并小于参考充电周期的持续时间。
例如，判断第一感测电压Vs1是否等于参考感测电压Vsr，以用于获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth可以包括以下的步骤。
步骤S231：判断第一感测电压Vs1是否等于参考感测电压Vsr。
步骤S232：获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
例如，如果第一感测电压Vs1等于参考感测电压Vsr，则第一充电周期中的感测电压随时间变化的曲线等于参考充电周期中的感测电压随时间变化的曲线(参见图5C)，因此，第一充电周期的截止感测电压(也即，在驱动晶体管T3截止后测得的感测电压)Vd1-Vth等于参考充电周期的截止感测电压Vdr-Vth’，因此，Vth＝Vd1-Vdr+Vth’，也即，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’加上第一数据电压Vd1与参考数据电压Vdr的差值；由于第一数据电压Vd1等于参考数据电压Vdr，因此，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’。
例如，第一感测电压Vs1等于参考感测电压Vsr可以指第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr完全相等，由此可以使得针对每个像素电路建立的补偿量更精确；又例如，根据实际应用需求，第一感测电压Vs1等于参考感测电压Vsr还可以指第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr的差值小于一定的数值(例如，第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr平均值的1％)，由此可以缩短像素电路检测的时间。
例如，在第一感测电压Vs1不等于参考感测电压Vsr的情况下，在获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth之前(也即，执行步骤S232之前)，还可以包括以下的步骤S233。
步骤S233：在第二充电周期中，向驱动晶体管T3的栅极施加第二数据电压Vd2，在施加第二数据电压Vd2后的第一时长，在驱动晶体管T3的第一极获取第二感测电压Vs2。
例如，第二充电周期可以位于开机期间。例如，如图5D所示，在步骤S233中，可以导通数据写入晶体管T1和感测开关晶体管T2，由此数据线提供的第二数据电压Vd2可以经由导通的数据写入晶体管T1对存储电容Cst充电，进而第二数据电压Vd2可以施加在驱动晶体管T3的栅极上。例如，向驱动晶体管T3的栅极施加第二数据电压Vd2的起始时刻t0可以为数据写入晶体管T1的导通时刻。
例如，在向驱动晶体管T3的第一极施加数据电压Vd2之后，驱动晶体管T3的第一极的电压将随时间不断增加直至驱动晶体管T3截止。例如，图5D示出了第二充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线。例如，如图5D所示，可以使用例如采样电路(图中未示出)提供的采样信号SAMP并经由导通的感测开关晶体管T2从驱动晶体管T3的第一极获取第二感测电压Vs2。
需要说明的是，在本实施例中，由于无需测量第二充电周期中驱动晶体管T3的截止感测电压，因此图5D中示出的第二充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线旨在说明第二充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间的变化趋势，而在实际检测过程中，t1时刻之后即可结束第二充电周期，因此t1时刻之后的曲线可以不存在，也即，第二充电周期的持续时间可以大于第一时长(也即，t1-t0)，并小于参考充电周期的持续时间。
例如，可以通过选择第二数据电压Vd2以使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值。例如，如图5E所示，可以通过选择第二数据电压Vd2以使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值等于零。
例如，如图5E所示，在第一感测电压Vs1小于参考感测电压Vsr的情况下，可以使得第二数据电压Vd2大于第一数据电压Vd1的取值(也即，Vd2>Vd1)，因此，Vs2大于Vs1，也即，相比于第一感测电压Vs1，第二感测电压Vs2可以更接近参考感测电压Vsr的取值，由此，第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs2-Vsr|可以小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs1-Vsr|。
例如，在第一感测电压Vs1大于参考感测电压Vsr的情况下，可以使得第二数据电压Vs2小于第一数据电压Vs1的取值(也即，Vd2<Vd1)；因此，Vs2小于Vs1，由此第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs2-Vsr|可以小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值|Vs1-Vsr|。
例如，如图5E所示，在第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值等于零的情况下，也即，在第二感测电压Vs2等于参考感测电压Vsr的情况下，第二充电周期的感测电压随时间变化的曲线等于参考充电周期的感测电压随时间变化的曲线，因此，第二充电周期的截止感测电压(也即，在驱动晶体管T3截止后在驱动晶体管T3的第一极获取的感测电压)Vd2-Vth等于参考充电周期的截止感测电压Vdr-Vth’，因此，Vth＝Vd2-Vdr+Vth’，也即，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’加上第二数据电压Vd2与参考数据电压Vdr的差值。
例如，在第二感测电压Vs2不等于参考感测电压Vsr的情况下，在获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth之前(也即，执行步骤S232之前)，还可以包括以下的步骤S234。
步骤S234：重复进行第二充电周期，直至第二感测电压Vs2等于参考感测电压Vsr。
例如，重复进行第二充电周期的具体方法可以参见实施例一，在此不再赘述。
例如，在本实施例中，由于可以通过对比参考感测电压Vsr以及在施加第一数据电压Vd1后的第一时长获取的第一感测电压Vs1的方法获取像素电路的当前阈值电压Vth，因此，可以无需在驱动晶体管T3截止后测量截止感测电压，由此可以缩短第一充电周期所需的时间，进而可以在开机期间(例如，相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管T3的当前阈值电压的检测，进而可以提升使用该像素电路的检测方法的显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
实施例三
本实施例提供了一种像素电路的检测方法，该像素电路的检测方法可用于检测像素电路的驱动晶体管T3的阈值电压。例如，本实施例提供的像素电路的检测方法可用于检测图4A或图4B所示的像素电路中的驱动晶体管T3的阈值电压，但本公开的实施例不限于此。例如，像素电路的具体说明可以参见实施例二，在此不再赘述。例如，为清楚起见，下面将以图4A所示的像素电路为例对像素电路的检测方法做具体说明，但本公开的实施例不限于此。
例如，本实施例提供的像素电路的检测方法可以包括以下的步骤。
步骤S310：在关机充电周期中，向驱动晶体管T3的栅极施加关机数据电压Vdc；在驱动晶体管T3截止之后，在驱动晶体管T3的第一极获取截止感测电压Vb。
步骤S320：在参考充电周期中，向驱动晶体管T3的栅极施加参考数据电压Vdr；在向驱动晶体管T3的栅极施加参考数据电压Vdr后的第一时长且在驱动晶体管T3截止之前，在驱动晶体管T3的第一极(例如，源极)获取参考感测电压Vsr。
步骤S330：在第一充电周期中，向驱动晶体管T3的栅极施加第一数据电压Vd1；在施加第一数据电压Vd1后的第一时长且在驱动晶体管T3截止之前，在驱动晶体管T3的第一极(例如，源极)获取第一感测电压Vs1。
第一数据电压Vd1可以等于参考数据电压Vdr。
步骤S340：判断第一感测电压Vs1是否等于参考感测电压Vsr，用于获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
例如，关机充电周期位于关机状态。例如，如图6A所示，在步骤S310中，可以导通数据写入晶体管T1和感测开关晶体管T2，由此数据线提供的关机数据电压Vdr可以经由导通的数据写入晶体管T1对存储电容Cst充电，进而参考数据电压Vdr可以施加在驱动晶体管T3的栅极上。例如，向驱动晶体管T3的栅极施加关机数据电压Vdc的起始时刻t0可以为数据写入晶体管T1的导通时刻。
例如，在向驱动晶体管T3的第一极施加关机数据电压Vdr之后，驱动晶体管T3的第一极的电压将随时间不断增加直至驱动晶体管T3截止。例如，图6A示出了关机充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线(也即感测线SEN输出的电压随时间变化的曲线)。例如，如图6A所示，可以使用例如采样电路(图中未示出)提供的采样信号SAMP并经由导通的感测开关晶体管T2从驱动晶体管T3的第一极获取截止感测电压Vb。例如，可以在驱动晶体管T3截止后的t2时刻获取截止感测电压Vb(图中未示出)。例如，可以基于在驱动晶体管T3的第一极获取的截止感测电压Vb以及向驱动晶体管T3的栅极施加参考数据电压Vdc获取驱动晶体管T3的参考阈值电压Vth’，驱动晶体管T3的参考阈值电压Vth’＝Vdc-Vb。例如，可以存储驱动晶体管T3的参考阈值电压Vth’，以将其用于后续的步骤S340中。
例如，本实施例的参考充电周期可以位于开机状态；例如，参考充电周期可以位于开机后的显示初期，参考充电周期例如可以位于显示第一帧图像和第二帧图像之间的时间间隙，但本公开的实施例不限于此。
例如，参考数据电压Vdr可以设置为Vref+Vth’，这里的Vref的取值可以根据像素电路的具体类型和实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不做具体限定。例如，在步骤S320中，在向驱动晶体管T3的第一极施加参考数据电压Vdr之后，驱动晶体管T3的第一极的电压将随时间不断增加直至驱动晶体管T3截止。例如，图6B示出了参考充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线(也即感测线SEN输出的电压随时间变化的曲线)。例如，如图6B所示，可以使用例如采样电路(图中未示出)提供的采样信号SAMP并经由导通的感测开关晶体管T2从驱动晶体管T3的第一极获取参考感测电压Vsr。例如，如图6B所示，施加参考数据电压Vdr后的第一时长可以为t1-t0。例如，可以存储从驱动晶体管T3的第一极获取的参考感测电压Vsr，以将其用于后续的步骤S230中。
例如，第一充电周期可以位于参考充电周期之后的开机期间。例如，在步骤S330中，在向驱动晶体管T3的第一极施加数据电压Vd1(例如，Vd1＝Vref+Vth)之后，驱动晶体管T3的第一极的电压将随时间不断增加直至驱动晶体管T3截止。例如，图6C示出了第一充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线。例如，如图6C所示，可以使用例如采样电路(图中未示出)提供的采样信号SAMP并经由导通的感测开关晶体管T2从驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压Vs1。
需要说明的是，在本实施例中，由于无需测量参考充电周期和第一充电周期中驱动晶体管T3的截止感测电压，因此，图6B中示出的参考充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线以及图6C中示出的第一充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线旨在说明参考充电周期和第一充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间的变化趋势，而在实际检测过程中，t1时刻之后即可结束参考充电周期和第一充电周期，因此t1时刻之后的曲线可以不存在，也即，参考充电周期和第一充电周期的持续时间可以大于第一时长(也即，t1-t0)，并小于关机充电周期的持续时间。
例如，判断第一感测电压Vs1是否等于参考感测电压Vsr，获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth可以包括以下的步骤。
步骤S341：判断第一感测电压Vs1是否等于参考感测电压Vsr。
步骤S342：获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
例如，如果第一感测电压Vs1等于参考感测电压Vsr，则第一充电周期中的感测电压随时间变化的曲线等于参考充电周期中的感测电压随时间变化的曲线，因此，第一充电周期的截止感测电压(也即，在驱动晶体管T3截止后测得的感测电压)Vd1-Vth等于参考充电周期的截止感测电压Vdr-Vth’，因此，Vth＝Vd1-Vdr+Vth’，也即，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’加上第一数据电压Vd1与参考数据电压Vdr的差值；由于第一数据电压Vd1等于参考数据电压Vdr，因此，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’。
例如，在第一感测电压Vs1不等于参考感测电压Vsr的情况下，在获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth之前(也即，执行步骤S342之前)，还可以包括以下的步骤S343。
步骤S343：在第二充电周期中，向驱动晶体管T3的栅极施加第二数据电压Vd2，在施加第二数据电压Vd2后的第一时长，在驱动晶体管T3的第一极获取第二感测电压Vs2。
例如，第二充电周期可以位于第一充电周期之后的开机期间。例如，如图6D所示，在步骤S343中，在向驱动晶体管T3的第一极施加数据电压Vd2之后，驱动晶体管T3的第一极的电压将随时间不断增加直至驱动晶体管T3截止。例如，图6D示出了第二充电周期中驱动晶体管T3的第一极的电压随时间变化的曲线。例如，如图6D所示，可以使用例如采样电路(图中未示出)提供的采样信号SAMP并经由导通的感测开关晶体管T2从驱动晶体管T3的第一极获取第二感测电压Vs2。
例如，可以通过选择第二数据电压Vd2以使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值小于第一感测电压Vs1与参考感测电压Vsr之间的差值。
例如，可以通过选择第二数据电压Vd2使得第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值等于零。例如，在第二感测电压Vs2与参考感测电压Vsr之间的差值等于零的情况下，像素电路的当前阈值电压Vth等于参考阈值电压Vth’加上第二数据电压Vd2与参考数据电压Vdr的差值，也即，Vth＝Vd2-Vdr+Vth’。
例如，在第二感测电压Vs2不等于参考感测电压Vsr的情况下，在获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth之前(也即，执行步骤S342之前)，还可以包括以下的步骤S344。
步骤S344：重复进行第二充电周期，直至第二感测电压Vs2等于参考感测电压Vsr。
例如，选择第二数据电压Vd2和重复进行第二充电周期的具体方法可以参见实施例一和实施例二，在此不再赘述。
例如，在本实施例中，由于可以通过对比参考感测电压Vsr以及在施加第一数据电压Vd1后的第一时长获取的第一感测电压Vs1的方法获取像素电路的当前阈值电压Vth，因此，可以无需在驱动晶体管T3截止后测量截止感测电压，由此可以缩短第一充电周期所需的时间，进而可以在开机期间(例如，相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管T3的当前阈值电压的检测，进而可以提升使用该像素电路的检测方法的显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
实施例四
本实施例提供了一种显示面板的驱动方法。例如，显示面板可以包括像素电路，显示面板所包括的像素电路例如可以排布成阵列。例如，显示面板所包括的像素电路可以为图4A或图4B所示的像素电路。例如，如图7所示，本实施例提供的显示面板的驱动方法包括步骤S410。
步骤S410：对像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，以用于获得像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压。
例如，像素电路的检测方法可以参见实施例一至实施例三，在此不再赘述。例如，根据实际应用需求，本实施例提供的显示面板的驱动方法还包括步骤S420。
步骤S420：根据所获得的当前阈值电压建立像素电路的补偿量。
例如，在一个示例中，首先，可以逐行检测像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压，然后，在获取显示面板的所有像素电路的驱动晶体管T3的阈值电压之后，可以针对每一个像素电路建立补偿量，最后，基于所建立的补偿量，对显示面板执行阈值补偿；由此可以完成一个周期的阈值补偿。例如，首先可以对位于第一行的像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，并获取位于第一行的像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压；然后可以对位于第二行的像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，并获取位于第二行的像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压；接着，可以对显示面板的位于其它行的像素电路进行逐行检测，直至获取显示面板的所有像素电路的驱动晶体管T3的阈值电压；最后，针对每一个像素电路建立补偿量，并对显示面板进行阈值补偿。
例如，在另一个示例中，根据实际应用需求，还可以在检测获取一行像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压之后，针对该行的每一个像素电路建立补偿量，然后对位于该行的像素电路进行阈值补偿。例如，首先可以针对第一行的像素电路执行当前阈值检测、建立补偿量以及阈值补偿，然后可以针对第五行的像素电路进行当前阈值检测、补偿量建立以及阈值补偿，接着，可以针对第二行的像素电路进行当前阈值检测、建立补偿量以及阈值补偿，直至对显示面板所包括的所有像素电路完成当前阈值检测、建立补偿量以及阈值补偿，由此可以对显示面板实现一个周期的阈值补偿。
需要说明的是，对于该显示面板的驱动方法的其它的必不可少的步骤可以参见常规的显示面板的驱动方法，这些是本领域的普通技术人员所应该理解的，在此不做赘述。
例如，本实施例提供的显示面板的驱动方法可以在开机期间(例如，相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管T3的当前阈值电压的检测，由此可以实现实时补偿，进而可以提升应用该驱动方法的显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
实施例五
本实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括像素电路和控制电路120。像素电路可以为图4A或图4B所示的像素电路。例如，下面以本实施例的显示装置中的像素电路实现为图4A示出的像素电路为例，对本实施例提供的显示装置做具体说明，但本公开的实施例不限于此。
例如，图8示出了实施例五提供的一种显示面板的示意图。例如，如图8所示，该显示装置包括像素电路和控制电路120，像素电路包括驱动晶体管T3。例如，控制电路120配置为执行如下的检测方法：
S510：在第一充电周期中，向驱动晶体管T3的栅极施加第一数据电压，在施加第一数据电压后的第一时长，在驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压，并判断第一感测电压是否等于参考感测电压。
例如，参考感测电压是在参考充电周期获得的，在参考充电周期中，在向驱动晶体管T3的栅极施加参考数据电压后的第一时长且在驱动晶体管T3截止之前，在驱动晶体管T3的第一极获取参考感测电压，并且第一数据电压等于参考数据电压。
例如，本实施例中的检测方法的具体实现方式可以参见实施例一至实施例四，在此不再赘述。
例如，显示装置还可以包括数据驱动电路130、检测电路140和扫描驱动电路(未示出)。例如，控制电路120还配置为控制数据驱动电路130和检测电路140。例如，数据驱动电路130配置为根据实际应用需求在不同的时刻提供第一数据电压和参考数据电压。扫描驱动电路提高用于数据写入晶体管以及感测晶体管的扫描信号，从而控制数据写入晶体管以及感测晶体管的导通与截止。例如，像素电路还配置为接收第一数据电压和参考数据电压并将第一数据电压和参考数据电压施加至驱动晶体管T3的栅极。例如，检测电路140配置为从驱动晶体管T3的第一极读取第一感测电压和参考感测电压。例如，根据实际应用需求，数据驱动电路130还可以配置为提供关机数据电压，像素电路还可以配置为接收关机数据电压并将关机数据电压施加至驱动晶体管T3的栅极，检测电路140还可以配置为从驱动晶体管T3的第一极读取截止感测电压。
例如，像素电路还可以包括发光元件EL和感测开关晶体管T2，发光元件EL例如可以为有机发光二极管，但本公开的实施例不限于此。例如，驱动晶体管T3的第二极和第一极可以配置为分别连接至第一电源电压端VDD以及发光元件EL的第一极，发光元件EL的第二极连接到第二电源电压端VSS。例如，感测开关晶体管T2的第一极与驱动晶体管T3的第一极电连接，且感测开关晶体管T2的第二极与检测电路140电连接。例如，像素电路还包括感测线SEN，感测线SEN将述感测开关晶体管T2的第二极与检测电路140电连接。
例如，像素电路还包括数据写入晶体管T1与存储电容Cst，数据写入晶体管T1配置为从数据驱动电路130获取数据信号，向驱动晶体管T3的栅极写入数据信号，存储电容Cst存储数据信号。例如，像素电路还可以包括数据线Vdat，数据写入晶体管T1的第一极连接到数据线Vdat。
例如，控制电路120还可以包括处理器(图中未示出)和存储器(图中未示出)，存储器包括可执行代码，处理器运行可执行代码以执行本公开任一实施例提供的检测方法。
例如，该处理器例如是中央处理单元(CPU)或者具有数据处理能力和/或指令执行能力的其它形式的处理单元，例如，该处理器可以实现为通用处理器，并且也为单片机、微处理器、数字信号处理器、专用的图像处理芯片、或现场可编程逻辑阵列等。存储器例如可以包括易失性存储器和/或非易失性存储器，例如可以包括只读存储器(ROM)、硬盘、闪存等。相应地，该存储器可以实现为一个或多个计算机程序产品，所述计算机程序产品可以包括各种形式的计算机可读存储介质，在所述计算机可读存储介质上可以存储一个或多个可执行代码(例如，计算机程序指令)。处理器可以运行所述程序指令，以执行本公开任一实施例提供的检测方法，由此可以获取显示装置所包括的像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压，进而可以实现显示装置的阈值补偿功能。例如，该存储器还可以存储其他各种应用程序和各种数据，例如每个像素电路的参考阈值电压和/或当前阈值电压，以及应用程序使用和/或产生的各种数据等。
例如，本实施例提供的显示装置可以在开机期间(例如，相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管的当前阈值电压的检测，由此在显示装置的开机期间可以进行实时检测以及实时补偿，进而可以提升显示装置的补偿效果以及亮度均匀度。
显然，本领域的技术人员可以对本公开的实施例进行各种改动、变型、组合而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的实施例的这些修改、变型、组合属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (18)

1.一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：
在第一充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断所述第一感测电压是否等于参考感测电压，
其中，所述参考感测电压是在参考充电周期获得的，在所述参考充电周期中，在向所述驱动晶体管的栅极施加参考数据电压后的所述第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取所述参考感测电压，并且所述第一数据电压等于所述参考数据电压。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其中，
在所述第一感测电压不等于所述参考感测电压的情况下，在第二充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第二数据电压，在施加所述第二数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取第二感测电压，
其中，选择所述第二数据电压以使得所述第二感测电压与所述参考感测电压之间的差值小于所述第一感测电压与所述参考感测电压之间的差值。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其中，
在所述第一感测电压小于所述参考感测电压的情况下，使得所述第二数据电压大于所述第一数据电压的取值；以及
在所述第一感测电压大于所述参考感测电压的情况下，使得所述第二数据电压小于所述第一数据电压的取值。
4.根据权利要求2所述的检测方法，其中，
在所述第二感测电压仍然不等于所述参考感测电压的情况下，则重复进行所述第二充电周期，直至所述第二感测电压等于所述参考感测电压。
5.根据权利要求2-4任一所述的检测方法，其中，
所述参考充电周期位于关机状态，所述第一充电周期位于所述参考充电周期之后再次的开机期间；或者，
所述参考充电周期位于开机状态，所述第一充电周期位于所述参考充电期间之后的开机期间。
6.根据权利要求2所述的检测方法，其中，所述第一充电周期和/或所述第二充电周期位于显示周期之间。
7.根据权利要求1所述的检测方法，还包括：
获取所述驱动晶体管的参考阈值电压；
如果所述第一感测电压等于所述参考感测电压，则基于所述参考阈值电压、所述第一数据电压和所述参考数据电压获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，
其中，所述驱动晶体管的当前阈值电压等于所述参考阈值电压加上所述第一数据电压与所述参考数据电压的差值。
8.根据权利要求2-4任一所述的检测方法，还包括：
获取所述驱动晶体管的参考阈值电压；
如果所述第二感测电压等于所述参考感测电压，则基于所述参考阈值电压、所述第二数据电压和所述参考数据电压获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，
其中，所述驱动晶体管的当前阈值电压等于所述参考阈值电压加上所述第二数据电压与所述参考数据电压的差值。
9.根据权利要求2所述的检测方法，其中，获取所述驱动晶体管的参考阈值电压包括：
在关机状态的关机充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加关机数据电压且在所述驱动晶体管截止之后，在所述驱动晶体管的第一极获取关机感测电压；
其中，所述驱动晶体管的参考阈值电压等于所述关机数据电压与所述关机感测电压的差值。
10.根据权利要求9所述的检测方法，其中，所述关机充电周期与所述参考充电周期相同，且所述关机数据电压与所述参考数据电压相等。
11.一种显示面板的驱动方法，所述显示面板包括像素电路，所述驱动方法包括：
对所述像素电路执行权利要求1-10任意一项所述的像素电路的检测方法，以用于获得所述像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压。
12.根据权利要求11所述的显示面板的驱动方法，还包括：
根据所获得的所述当前阈值电压建立所述像素电路的补偿量。
13.一种显示装置，包括像素电路和控制电路，其中，
所述像素电路包括驱动晶体管；
所述控制电路配置为执行如下的检测方法：
在第一充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断所述第一感测电压是否等于参考感测电压，其中，所述参考感测电压是在参考充电周期获得的，在所述参考充电周期中，在向所述驱动晶体管的栅极施加参考数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取所述参考感测电压，并且所述第一数据电压等于所述参考数据电压。
14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括数据驱动电路和检测电路，其中，
所述数据驱动电路配置为可发出所述第一数据电压和所述参考数据电压，所述像素电路还配置为接收所述第一数据电压和所述参考数据电压并将所述第一数据电压和所述参考数据电压施加至所述驱动晶体管的栅极；
所述检测电路配置为从所述驱动晶体管的第一极读取所述第一感测电压和参考感测电压；
所述控制电路还配置为控制所述数据驱动电路和所述检测电路。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括发光元件和感测开关晶体管，
所述驱动晶体管的第二极和第一极配置为分别连接至第一电源电压端以及所述发光元件的第一极，
所述发光元件的第二极连接到第二电源电压端，
所述感测开关晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极电连接，且所述感测开关晶体管的第二极与所述检测电路电连接。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括感测线，所述感测线将所述感测开关晶体管的第二极与所述检测电路电连接。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括数据写入晶体管与存储电容，
所述数据写入晶体管配置为从所述数据驱动电路获取数据信号，向所述驱动晶体管的栅极写入所述数据信号，
所述存储电容存储所述数据信号。
18.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述控制电路包括处理器和存储器，所述存储器包括可执行代码，所述处理器运行所述可执行代码以执行所述检测方法。
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