CN109659324B - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板及其制作方法,该制作方法包括:在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上制作柔性衬底;在柔性衬底和边缘区域的玻璃基板上依次制作开关阵列层、有机发光显示层,对所述开关阵列层进行图案化处理,使所述显示区域形成开关元件和所述焊接区域形成金属导线的同时,将位于所述边缘区域的开关阵列层去除;以及将位于所述金属导线上以及所述边缘区域的有机发光显示层去除。本发明的显示面板及其制作方法,能够避免焊接区域的金属导线发生短路。

Description

一种显示面板及其制作方法
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
【背景技术】
柔性显示面板具有轻薄、可弯曲折叠等优势,被广泛应用。如图1所示,柔性显示面板的制作工艺通常是在玻璃基板上制作柔性衬底11,然后在柔性衬底11上制作开关阵列层12、有机发光显示层13,然后制作薄膜封装层(Thin film encapsulation,TFE)14。此后将焊接区域102外侧的边缘区域103沿切割线15切割掉,再把柔性基底11和玻璃基板剥离开,即可获得柔性显示面板,当然也可先将柔性基底11和玻璃基板剥离之后再切割。由于柔性基板含柔性衬底和塑料保护膜,并不适合刀轮切割,因此柔性显示面板较为适合的切割方式为激光切割。
如图2所示,图2中101表示显示区域,激光切割时,切割线15附近的柔性衬底会被碳化并溅射到焊接区域102冷却固化,形成导电颗粒17;切割线15附近的上层金属层也会生成导电颗粒17溅射到焊接区域102,这些导电颗粒17在显示面板加电测试时可能会造成金属导线16短路,由此造成烧伤、画面异常或线类不良等现象。
因此,有必要提供一种显示面板及其制作方法,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法,能够提高薄膜晶体管的导电性能。
为解决上述技术问题,本发明提供一种显示面板的制作方法,其包括:
在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上制作柔性衬底;其中所述玻璃基板包括所述显示区域、所述焊接区域以及边缘区域;
在所述柔性衬底和位于所述边缘区域的玻璃基板上制作开关阵列层,并对所述开关阵列层进行图案化处理,使位于所述显示区域的开关阵列层形成开关元件和位于所述焊接区域的开关阵列层形成金属导线的同时,将位于所述边缘区域的开关阵列层去除;
在所述开关阵列层、未被所述开关阵列层覆盖的柔性衬底以及位于边缘区域的玻璃基板上制作有机发光显示层,并将位于所述金属导线上以及所述边缘区域的有机发光显示层去除。
本发明还提供一种显示面板,其包括:
玻璃基板,其包括显示区域、焊接区域及边缘区域,所述焊接区域位于所述显示区域和所述边缘区域之间,位于所述显示区域的玻璃基板上设置有开关阵列层和有机发光显示层,位于所述焊接区域的玻璃基板上设置有金属导线,位于所述边缘区域的玻璃基板上未设置薄膜层。
本发明的显示面板及其制作方法,通过将边缘区域的玻璃基板上的薄膜层都去除,防止在切割过程中,柔性衬底和金属层生成导电颗粒,从而避免焊接区域的金属导线发生短路。
【附图说明】
图1为现有显示面板的制作方法的结构示意图;
图2为现有显示面板在切割完成后的俯视图;
图3为本发明显示面板的制作方法的第二步中第一和二分步的结构示意图;
图4为本发明显示面板的制作方法的第二步中第三至五分步的结构示意图;
图5为本发明显示面板的制作方法的第二步中第六至八分步的结构示意图;
图6为本发明显示面板的制作方法的第二步中第九和十分步的结构示意图;
图7为本发明显示面板的制作方法的第二步中第十一和十二分步的结构示意图;
图8为本发明显示面板的制作方法的第三步的结构示意图;
图9为显示面板的切割过程的俯视图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图3至9,图3为本发明显示面板的制作方法的第二步中第一和二分步的结构示意图。
如图3所示,本发明的显示面板的制作方法主要包括如下步骤:
S101、在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上制作柔性衬底;
例如,如图3所示,所述玻璃基板10包括显示区域101、焊接区域102以及边缘区域203;仅在位于显示区域101和焊接区域102的玻璃基板上制作柔性衬底21。
在一实施方式中,其中所述步骤S101,也即所述在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上制作柔性衬底的步骤包括:
S1011、在所述玻璃基板上形成整层柔性衬底;
S1012、将位于所述边缘区域的玻璃基板上的柔性衬底去除。
例如,在整个玻璃基板10上形成柔性衬底21;之后再通过曝光刻蚀方式剥离边缘区域203的玻璃基板上的柔性衬底21,以将位于边缘区域203的玻璃基板10上的柔性衬底21去除。在一实施方式中,所述柔性衬底21的材料为聚酰亚胺。
在另一实施方式中,其中所述步骤S101,也即所述在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上制作柔性衬底的步骤包括:
S1013、在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上形成柔性衬底。
例如,在位于显示区域101和焊接区域102的玻璃基板10上涂布聚酰亚胺(PI),而位于边缘区域203的玻璃基板10上不涂布聚酰亚胺。
S102、在所述柔性衬底和位于边缘区域的玻璃基板上制作开关阵列层,对所述开关阵列层进行图案化处理,使位于所述显示区域的开关阵列层形成开关元件和位于所述焊接区域的开关阵列层形成金属导线的同时,将位于所述边缘区域的开关阵列层去除;
所述开关阵列层包括有源层23,所述在所述柔性衬底和位于边缘区域的玻璃基板上制作开关阵列层,并对所述开关阵列层进行图案化处理,使位于所述显示区域的开关阵列层形成开关元件、使位于所述焊接区域的开关阵列层形成金属导线的同时,将位于所述边缘区域的开关阵列层去除的步骤包括:
S1021、在所述柔性衬底和位于边缘区域的玻璃基板上制作有源层;
例如,如图3所示,在一实施方式中,在所述柔性衬底21和位于边缘区域的玻璃基板10上依次制作整层第一无机层22、第二无机层22’以及有源层23。可以理解的,在所述柔性衬底21和有源层23之间可以设置一层无机层或者不设置无机层。
S1022、在对所述有源层进行图案化处理以使位于所述显示区域的有源层形成沟道图案的同时,将位于所述边缘区域的有源层去除。
例如,对所述有源层23进行图案化处理,以使位于所述显示区域101的有源层23形成沟道图案231,并且使位于所述边缘区域203的玻璃基板10上的有源层去除。可以理解的,经过该步骤,剩余显示区域的沟道图案,其余部分全部被去除。
所述开关阵列层还包括第一金属层25,所述在对所述有源层进行图案化处理以使位于所述显示区域的有源层形成沟道图案的同时,将位于所述边缘区域的有源层去除的步骤之后,所述方法还包括:
S1023、在所述沟道图案和未被所述沟道图案覆盖的柔性衬底以及位于所述边缘区域的玻璃基板上制作第一绝缘层;
例如,如图4所示,在所述沟道图案231和未被所述沟道图案231覆盖的第二无机层22’上制作第一绝缘层24。
S1024、在所述第一绝缘层上制作第一金属层;
例如,在所述第一绝缘层24上制作整层第一金属层25。
S1025、在对所述第一金属层进行图案化处理使位于所述显示区域的第一金属层形成栅极的同时,将位于所述边缘区域的第一金属层去除。
例如,对所述第一金属层25进行图案化处理,使位于所述显示区域101的第一金属层25形成栅极251的同时,将位于所述边缘区域203的第一金属层去除
所述开关阵列层还包括第二金属层27,所述在对所述第一金属层进行图案化处理使位于所述显示区域的第一金属层形成栅极的同时,将位于所述边缘区域的第一金属层去除的步骤之后,所述方法还包括:
S1026、在所述栅极和未被所述栅极覆盖的第一绝缘层上制作第二绝缘层;
例如,如图5所示,在所述栅极251和未被所述栅极251覆盖的第一绝缘层24上制作第二绝缘层26。
S1027、在所述第二绝缘层上制作第二金属层;
例如,在第二绝缘层26上制作整层的第二金属层27。
S1028、在对所述第二金属层进行图案化处理使位于所述显示区域的第二金属层形成金属部的同时,使位于所述边缘区域的第二金属层去除。
例如,对所述第二金属层27进行图案化处理,使位于所述显示区域101的第二金属层27形成金属部271,并且使位于所述边缘区域203的第二金属层去除。
所述开关阵列层还包括第三绝缘层28,所述在对所述第二金属层进行图案化处理使位于所述显示区域的第二金属层形成金属部的同时,使位于所述边缘区域的第二金属层去除的步骤之后,所述方法还包括:
S1029、在所述金属部上以及未被金属部覆盖的第二绝缘层上制作第三绝缘层;
例如,如图6所示,在所述金属部271上以及未被金属部271覆盖的第二绝缘层26上制作整层第三绝缘层28。
S1030、在对所述第三绝缘层进行图案化处理以使位于所述焊接区域的第三绝缘层上形成缓冲孔的同时,使位于所述边缘区域的第三绝缘层去除。
例如,对所述第三绝缘层28进行图案化处理,使位于所述焊接区域102的第三绝缘层28上形成缓冲孔281,并使位于所述边缘区域203的第三绝缘层28去除,此外还将位于所述边缘区域203的第一无机层22、第二无机层22’、第一绝缘层24以及第二绝缘层26去除,使得位于边缘区域203的玻璃基板上未附着任何膜层。此外,对所述第三绝缘层28进行图案化处理的同时,还在显示区域101的第三绝缘层28上形成源极孔和漏极孔。结合图7,当然,之后还可在所述缓冲孔281内填充缓冲材料41。
所述开关阵列层还包括第三金属层29,所述在对所述第三绝缘层进行图案化处理以使位于所述焊接区域的第三绝缘层上形成缓冲孔的同时,使位于所述边缘区域的第三绝缘层去除的步骤之后,所述方法还包括:
S1031、在所述第三绝缘层上以及位于边缘区域的玻璃基板上制作第三金属层;
例如,如图7所示,在所述第三绝缘层28上、源极孔、漏极孔内、缓冲材料41上以及位于边缘区域203的玻璃基板10上制作第三金属层29。
S1032、在对所述第三金属层进行图案化处理以使位于显示区域的第三金属层形成源极和漏极以及使所述缓冲孔上形成金属导线同时,使位于所述边缘区域的第三金属层去除。
例如,如图7所示,对所述第三金属层29进行图案化处理,使位于显示区域101的第三金属层29形成源极291和漏极292以及使所述缓冲孔上形成金属导线293,并使位于所述边缘区域203的第三金属层去除。
S103、在所述开关阵列层、未被所述开关阵列层覆盖的柔性衬底以及位于边缘区域的玻璃基板上制作有机发光显示层,并将位于所述金属导线上以及所述边缘区域的有机发光显示层去除。
其中,所述有机发光显示层包括多个有机发光单元,其截面结构包括阳极、有机发光层、阴极。所述在所述开关阵列层、未被所述开关阵列层覆盖的柔性衬底以及位于边缘区域的玻璃基板上制作有机发光显示层,并将位于所述金属导线上以及所述边缘区域的有机发光显示层去除的步骤包括:
S201、在所述源极、漏极、金属导线、未被所述源极、所述漏极、所述金属导线覆盖的第三绝缘层以及位于边缘区域的玻璃基板上制作平坦层;
例如,如图8所示,在所述源极291、漏极292、金属导线293、未被所述源极291、所述漏极292、所述金属导线293覆盖的第三绝缘层28以及位于边缘区域203的玻璃基板10上制作整层平坦层30。
S202、在对所述平坦层进行图案化处理以形成连接孔的同时,使所述金属导线上的平坦层以及位于所述边缘区域的玻璃基板上的平坦层去除;
例如,如图8所示,对所述平坦层30进行图案化处理以形成连接孔312的同时,使所述金属导线293上的平坦层以及位于所述边缘区域203的玻璃基板10上的平坦层去除。
S203、在所述平坦层、所述金属导线上以及位于边缘区域的玻璃基板上制作导电层;
例如,如图8所示,在所述平坦层30、所述金属导线293上以及位于边缘区域203的玻璃基板10上制作整层导电层31。
S204、在对所述导电层进行图案化处理以使位于显示区域的导电层形成阳极的同时,使位于所述边缘区域的导电层去除。
例如,对所述导电层31进行图案化处理,使位于显示区域101的导电层形成阳极311,使位于所述边缘区域203的导电层31去除。当然,金属导线293上的导电层也被去除,也即经过该步骤,仅保留阳极部分的导电层,其余部分被去除。
S205、在所述阳极、未被阳极覆盖的平坦层上以及位于边缘区域的玻璃基板上制作像素定义层,在对所述像素定义层进行图案化处理以使位于显示区域的像素定义层形成像素定义图案的同时,使位于所述边缘区域的像素定义层去除。
例如,如图8所示,在所述阳极31、未被所述阳极31覆盖的平坦层30上、金属导线293以及位于边缘区域203的玻璃基板10上制作像素定义层32。
对所述像素定义层32进行图案化处理,使位于显示区域101的像素定义层32形成多个像素定义图案的同时,使位于所述边缘区域203的像素定义层去除。同时位于金属导线293上的像素定义层也被去除。相邻两个像素定义图案之间间隔设置。
之后在像素定义层图案之间制作有机发光层(图中未示出)、阴极(图中未示出)。
所述方法还包括:在像素定义层上制作间隔子33,之后在显示面板的显示区域的最上方制作封装层,以完成显示面板的制作。其中有机发光层和封装层通过掩膜工艺制作的,因此在制作过程中,边缘区域203不会蒸镀到有机发光层和封装层。
在制作完显示面板后,对其进行激光切割,如图9所示,玻璃基板10上形成有多个显示面板100,玻璃基板包括多个显示区域101、多个焊接区域102以及多个边缘区域203,沿切割线42对边缘区域203的玻璃基板进行切割。该切割线42用于将边缘区域203切除。可以理解的,图9仅以两条切割线42为例,实际制程中的切割线的数量不限于两条。
由于本发明的显示面板的边缘区域的玻璃基板上未设置任何膜层,从而在切割过程中,不会使得柔性衬底和金属层生成导电颗粒,从而避免焊接区域的金属导线发生短路。
如图8所示,本发明还提供一种显示面板,其包括玻璃基板10,玻璃基板10包括显示区域101、焊接区域102及边缘区域103,所述焊接区域102位于所述显示区域101和所述边缘区域203之间,位于所述显示区域101的玻璃基板10上设置有开关阵列层和有机发光显示层,位于所述焊接区域102的玻璃基板上设置有金属导线293,所述边缘区域203的玻璃基板10上未设置薄膜层。其中开关阵列层包括多个开关元件,其截面结构包括有源层、栅极、源极和漏极,还可包括金属部。有机发光显示层包括多个有机发光单元,其截面结构包括阳极、有机发光层、阴极。本发明的显示面板是采用上述制作方法得到的,具体参见上文,在此不再赘述。
本发明的显示面板及其制作方法,通过将边缘区域的玻璃基板上的薄膜层都去除,防止在切割过程中,柔性衬底和金属层生成导电颗粒,从而避免焊接区域的金属导线发生短路。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上制作柔性衬底;其中所述玻璃基板包括所述显示区域、所述焊接区域以及边缘区域;
在所述柔性衬底和位于所述边缘区域的玻璃基板上制作开关阵列层,并对所述开关阵列层进行图案化处理,使位于所述显示区域的开关阵列层形成开关元件和位于所述焊接区域的开关阵列层形成金属导线的同时,将位于所述边缘区域的开关阵列层去除;
在所述开关阵列层、未被所述开关阵列层覆盖的柔性衬底以及位于边缘区域的玻璃基板上制作有机发光显示层,并将位于所述金属导线上以及所述边缘区域的有机发光显示层去除。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述开关阵列层包括有源层,所述在所述柔性衬底和位于边缘区域的玻璃基板上制作开关阵列层,并对所述开关阵列层进行图案化处理,使位于所述显示区域的开关阵列层形成开关元件和位于所述焊接区域的开关阵列层形成金属导线的同时,将位于所述边缘区域的开关阵列层去除的步骤包括:
在所述柔性衬底和位于所述边缘区域的玻璃基板上制作有源层;
在对所述有源层进行图案化处理以使位于所述显示区域的有源层形成沟道图案的同时,将位于所述边缘区域的有源层去除。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述开关阵列层还包括第一金属层,所述在对所述有源层进行图案化处理以使位于所述显示区域的有源层形成沟道图案的同时,将位于所述边缘区域的有源层去除的步骤之后,所述方法还包括:
在所述沟道图案和未被所述沟道图案覆盖的柔性衬底以及位于所述边缘区域的玻璃基板上制作第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上制作第一金属层;
在对所述第一金属层进行图案化处理使位于所述显示区域的第一金属层形成栅极的同时,将位于所述边缘区域的第一金属层去除。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述开关阵列层还包括第二金属层,所述在对所述第一金属层进行图案化处理使位于所述显示区域的第一金属层形成栅极的同时,将位于所述边缘区域的第一金属层去除的步骤之后,所述方法还包括:
在所述栅极和未被所述栅极覆盖的第一绝缘层上制作第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上制作第二金属层;
在对所述第二金属层进行图案化处理使位于所述显示区域的第二金属层形成金属部的同时,使位于所述边缘区域的第二金属层去除。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述开关阵列层还包括第三绝缘层,所述在对所述第二金属层进行图案化处理使位于所述显示区域的第二金属层形成金属部的同时,使位于所述边缘区域的第二金属层去除的步骤之后,所述方法还包括:
在所述金属部上以及未被金属部覆盖的第二绝缘层上制作第三绝缘层;
在对所述第三绝缘层进行图案化处理以使位于所述焊接区域的第三绝缘层上形成缓冲孔的同时,使位于所述边缘区域的第三绝缘层、第一绝缘层以及第二绝缘层去除。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述开关阵列层还包括第三金属层,所述在对所述第三绝缘层进行图案化处理以使位于所述焊接区域的第三绝缘层上形成缓冲孔的同时,使位于所述边缘区域的第三绝缘层去除的步骤之后,所述方法还包括:
在所述第三绝缘层上以及位于边缘区域的玻璃基板上制作第三金属层;
在对所述第三金属层进行图案化处理以使位于显示区域的第三金属层形成源极和漏极以及使所述缓冲孔上形成金属导线同时,使位于所述边缘区域的第三金属层去除。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述有机发光显示层包括阳极;
所述在所述开关阵列层、未被所述开关阵列层覆盖的柔性衬底以及位于边缘区域的玻璃基板上制作有机发光显示层,并将位于所述金属导线上以及所述边缘区域的有机发光显示层去除的步骤包括:
在所述源极、漏极、金属导线、未被所述源极、所述漏极以及所述金属导线覆盖的第三绝缘层以及位于边缘区域的玻璃基板上制作平坦层;
在对所述平坦层进行图案化处理以形成连接孔的同时,使所述金属导线上的平坦层以及位于所述边缘区域的玻璃基板上的平坦层去除;
在所述平坦层、所述金属导线上以及位于边缘区域的玻璃基板上制作导电层;
在对所述导电层进行图案化处理以使位于显示区域的导电层形成阳极的同时,使位于所述边缘区域的导电层去除。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上制作柔性衬底的步骤包括:
在所述玻璃基板上形成整层柔性衬底;
将位于边缘区域的玻璃基板上的柔性衬底去除。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上制作柔性衬底的步骤包括:
在位于显示区域和焊接区域的玻璃基板上形成柔性衬底。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:
玻璃基板,其包括显示区域、焊接区域及边缘区域,所述焊接区域位于所述显示区域和所述边缘区域之间,位于所述显示区域的玻璃基板上设置有开关阵列层和有机发光显示层,位于所述焊接区域的玻璃基板上设置有金属导线,位于所述边缘区域的玻璃基板上未设置薄膜层。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110571224B (zh) * 2019-08-05 2021-12-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN113678257A (zh) * 2020-02-12 2021-11-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN112599568A (zh) * 2020-12-03 2021-04-02 福建华佳彩有限公司 一种激光切割的面板结构及其制备方法
CN113077726B (zh) * 2021-03-23 2022-06-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202886795U (zh) * 2012-11-14 2013-04-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的***电路、阵列基板及显示装置
CN108594506A (zh) * 2018-05-02 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用基板母板、显示用基板及显示装置
CN108807480A (zh) * 2018-06-11 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制作方法、和显示装置
CN108962948A (zh) * 2018-07-04 2018-12-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008108042A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-12 Sharp Kabushiki Kaisha 表示パネル用基板、表示パネル、表示装置、および表示パネル用基板の製造方法
JP5299873B2 (ja) * 2010-11-30 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
JP6490901B2 (ja) * 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US9356256B2 (en) * 2013-07-31 2016-05-31 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof
KR102603895B1 (ko) * 2014-10-17 2023-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
US10866472B2 (en) * 2016-09-14 2020-12-15 Sharp Kabushiki Kaisha Mounting substrate and display panel
CN206282855U (zh) * 2016-12-29 2017-06-27 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示设备
CN106783929B (zh) * 2016-12-29 2020-08-11 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示设备
US10371979B2 (en) * 2017-06-22 2019-08-06 Hannstar Display Corporation Display panel and manufacturing method thereof
CN108389868A (zh) * 2018-02-26 2018-08-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN108400261B (zh) * 2018-05-02 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器件及其制作方法
CN108807492B (zh) * 2018-06-29 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202886795U (zh) * 2012-11-14 2013-04-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的***电路、阵列基板及显示装置
CN108594506A (zh) * 2018-05-02 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用基板母板、显示用基板及显示装置
CN108807480A (zh) * 2018-06-11 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制作方法、和显示装置
CN108962948A (zh) * 2018-07-04 2018-12-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法

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