CN111244129B - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，该阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板显示区域内呈阵列方式分布的薄膜晶体管以及位于衬底基板背离薄膜晶体管一侧的多条数据线，衬底基板上形成有与薄膜晶体管一一对应的第一通孔，第一通孔内贯穿设置有第一导电结构，薄膜晶体管的源极通过对应的第一通孔内的第一导电结构与数据线电连接，衬底基板背离薄膜晶体管的一侧还形成有数据线周边走线和数据线绑定电极，各数据线与数据线绑定电极通过数据线周边走线电连接。该阵列基板中，集成电路可以在衬底基板背离薄膜晶体管的一侧与数据线绑定电极电连接，衬底基板可以不需要设计边框区，进而实现窄边框或无边框设计。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
全面屏技术逐渐成为手机等手持设备的主流技术，目前采用阵列基板行驱动(GOA，Gate Driver On Array)技术实现左右边框的窄型化，采用覆晶薄膜(COF，Chip OnFilm)技术实现下边框的窄型化。
而现有技术中的有机电致发光显示面板(OLED)的阵列基板上设置有栅线和数据线，集成电路(IC，integrated circuit)在边框区与栅线和数据线连接，向栅线和数据线输出控制信号。
目前，栅线和数据线需要在显示面板的边缘设置引线，用于与边框区的集成电路电导通，这就需要在显示面板的边缘留设一定宽度的边框，从而无法使显示装置实现窄边框或者无边框。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，上述阵列基板能够实现显示面板的无边框或者窄边框设计。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板显示区域内呈阵列方式分布的薄膜晶体管以及位于所述衬底基板背离所述薄膜晶体管一侧的多条数据线，所述衬底基板上形成有与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，所述第一通孔内贯穿设置有第一导电结构，所述薄膜晶体管的源极通过对应的第一通孔内的第一导电结构与所述数据线电连接，所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧还形成有数据线周边走线和数据线绑定电极，各所述数据线与所述数据线绑定电极通过所述数据线周边走线电连接。
上述阵列基板中，包括衬底基板、位于衬底基板显示区域内呈阵列分布的薄膜晶体管以及位于衬底基板背离薄膜晶体管一侧的多条数据线，衬底基板上形成有与薄膜晶体管一一对应的第一通孔，第一通孔内贯穿设置有第一导电结构，薄膜晶体管的源极通过对应的第一通孔内的第一导电结构与数据线电连接，衬底基板背离薄膜晶体管的一侧还形成有数据线周边走线和数据线绑定电极，各数据线与数据线绑定电极通过数据线周边走线电连接，而由于数据线周边走线与数据线绑定电极是设置于衬底基板背离薄膜晶体管的一侧，将数据线周边走线与数据线绑定电极设置于显示区域对应的区域内时不影响有机电致发光显示面板正常显示，而集成电路可以在衬底基板背离薄膜晶体管的一侧与数据线绑定电极电连接，衬底基板可以不需要设计边框区，使得显示面板的边缘不需要预留一定宽度的边框，进而实现窄边框或者无边框设计。
可选地，所述衬底基板上设有与所述数据线交叉设置的多条栅线以及与所述栅线一一对应的第二通孔，所述第二通孔内贯穿设置有第二导电结构，所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧还形成有栅线周边走线以及栅线绑定电极，各所述栅线通过对应的第二导电结构以及所述栅线周边走线与对应的所述栅线绑定电极电连接。
可选地，各所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线同层设置且电连接。
可选地，每条所述栅线驱动的一行薄膜晶体管中，其中一个薄膜晶体管的栅极通过所述衬底基板上对应的第二通孔内的所述第二导电结构与对应的栅线周边走线电连接。
可选地，所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧还形成有与所述数据线交叉设置且相互绝缘的栅线、栅线周边走线以及栅线绑定电极，所述衬底基板上形成有与所述薄膜晶体管一一对应的第三通孔，所述第三通孔内贯穿设置有第三导电结构，每一个所述薄膜晶体管的栅极通过对应的所述第三通孔内的第三导电结构与所述栅线电连接，各所述栅线与所述栅线绑定电极通过所述栅线周边走线电连接。
可选地，还包括位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的有机电致发光单元，所述有机电致发光单元与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选地，所述衬底基板为柔性衬底基板。
本发明还提供一种制作上述任意一种阵列基板的制作方法，包括：
形成衬底基板；
在所述衬底基板的显示区域内形成呈阵列分布的薄膜晶体管；
将所述衬底基板反置，由所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一面形成与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，每个所述第一通孔延伸至对应的所述薄膜晶体管的源极处；
在所述第一通孔内形成第一导电结构；
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧形成有多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极，各所述薄膜晶体管的源极通过对应第一通孔内的第一导电结构与所述数据线电连接，各所述数据线与所述数据线绑定电极通过所述数据线周边走线电连接。
可选地，所述由所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一面形成与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，包括：
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧形成一层硬掩膜层；
对所述硬掩膜层进行图案化处理；
通过图案化后的硬掩膜层作为掩膜，对所述衬底基板进行干刻，形成所述第一通孔；
去除所述硬掩膜层。
可选地，在所述第一通孔内形成第一导电结构，包括：
在所述第一通孔的孔底与孔壁上形成一层种子层；
利用电镀工艺在所述通孔内进行金属填充，形成所述第一导电结构。
可选地，所述种子层的材料为钛、钼、钽、铝、铜、银金属单质或者为钼合金、铜合金、铝合金。
可选地，所述衬底基板临近所述薄膜晶体管的一侧还设置有与所述数据线交叉设置的多条栅线，在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极之后，还包括：
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧形成绝缘层；
在所述绝缘层以及所述衬底基板上形成与所述栅线一一对应的第二通孔；
在所述第二通孔内形成第二导电结构；
在所述绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成栅线周边走线以及栅线绑定电极，各所述栅线通过对应的第二通孔内的第二导电结构以及所述栅线周边走线与对应的所述栅线绑定电极电连接。
可选地，在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极之后，还包括：
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧形成绝缘层；
在所述绝缘层以及所述衬底基板上形成与所述薄膜晶体管一一对应的第三通孔；
在所述第三通孔内形成第三导电结构；
在所述绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成与数据线交叉且相互绝缘的多条栅线、栅线周边走线以及栅线绑定电极，每一个所述薄膜晶体管的栅极通过对应的所述第三通孔内的第三导电结构与所述栅线电连接，各所述栅线与所述栅线绑定电极通过所述栅线周边走线电连接。
本发明还提供一种制作上述任意一种阵列基板的制作方法，包括：
在刚性基板上形成缓冲牺牲层；
在所述缓冲牺牲层背离所述刚性基板的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极，各所述数据线与所述数据线绑定电极通过所述数据线周边走线电连接；
在所述多条数据线背离所述缓冲牺牲层的一侧形成衬底基板；
在所述衬底基板上形成呈阵列分布的薄膜晶体管，其中，所述衬底基板上形成有与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，每个所述第一通孔延伸至对应的所述薄膜晶体管的源极处，每个所述薄膜晶体管的源极通过对应的第一通孔内形成的第一导电结构与所述数据线电连接；
去除所述刚性基板以及缓冲牺牲层。
本发明还提供一种显示面板，包括上述技术方案中提供的任意一种阵列基板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述技术方案中提供的任意一种显示面板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；
图3A、图3B、图3C、图3D、图3E以及图3F为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作过程示意图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图。
图标：
1-衬底基板；2-缓冲层；3-栅极；4-栅绝缘层；5-有源层；6-层间绝缘层；71-源极；72-漏极；8-平坦层；9-阴极；10-保护层；11-黑矩阵；12-第一导电结构；13-数据线；14-绝缘层；15-第二导电结构；16-栅线周边走线；17-栅线；18-第三导电结构；19-贴合材料。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，本发明提供了一种阵列基板，包括衬底基板1、位于衬底基板1显示区域内呈阵列方式分布的薄膜晶体管以及位于衬底基板1背离薄膜晶体管一侧的多条数据线13，衬底基板1上贯穿设置有与薄膜晶体管一一对应的第一通孔，第一通孔内形成有第一导电结构12，薄膜晶体管的源极71通过对应的第一通孔内的第一导电结构12与数据线13电连接，衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧还形成有数据线周边走线和数据线绑定电极，各数据线13与数据线绑定电极通过数据线周边走线电连接。
上述发明实施例提供的阵列基板中，包括衬底基板1、位于衬底基板1显示区域内呈阵列分布的薄膜晶体管以及位于衬底基板1背离薄膜晶体管一侧的多条数据线13，衬底基板1上贯穿设置有与薄膜晶体管一一对应的第一通孔，第一通孔内形成有第一导电结构12，薄膜晶体管的源极71通过对应的第一通孔内的第一导电结构12与数据线13电连接，衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧还形成有数据线周边走线和数据线绑定电极，各数据线13与数据线绑定电极通过数据线周边走线电连接，而由于数据线周边走线与数据线绑定电极是设置于衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧，将数据线周边走线与数据线绑定电极设置于显示区域对应的区域内时不影响有机电致发光显示面板正常显示，而集成电路可以在衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧与数据线绑定电极电连接，衬底基板1可以不需要设计边框区，使得显示面板的边缘不需要预留一定宽度的边框，进而实现窄边框或者无边框设计。
上述发明实施例提供的阵列基板中，数据线13、数据线周边走线以及数据线绑定电极可以同层设置。
具体地，如图1所示，衬底基板1上的薄膜晶体管包括栅极3、栅绝缘层4、有源层、层间绝缘层6、源极71和漏极72。
具体地，衬底基板1设置薄膜晶体管的一侧还设置有与数据线13交叉设置的多条栅线，衬底基板1上设置有与栅线一一对应的第二通孔，第二通孔内贯穿设置有第二导电结构15，衬底基板1背离薄膜晶体管器件的一侧还形成有栅线周边走线16以及栅线绑定电极，各栅线通过对应的第二导电结构15以及栅线周边走线16与对应的栅线绑定电极电连接。由于栅线周边走线16以及栅线绑定电极位于衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧，将栅线周边走线16与栅线绑定电极设置于显示区域对应的区域内时不影响有机电致发光显示面板正常显示，而集成电路可以在衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧与栅线绑定电极电连接，衬底基板1可以不需要设计边框区，使得显示面板的边缘不需要预留一定宽度的边框，进而实现窄边框或者无边框。栅线周边走线16和栅线绑定电极优选同层设置。
需要说明的是，栅线周边走线16和栅线绑定电极位于衬底基板1背离薄膜晶体管一侧时，优选与数据线13绑定电极不同层设置。另外，栅线通过第二导电结构15也可以直接与栅线绑定电极连接，不需要设置栅线周边走线16，栅线绑定电极与数据线13绑定电极相互绝缘，可以同层设置，也可不同层设置。
具体地，各薄膜晶体管的栅极3与栅线同层设置且电连接，减少制作工艺。
而由于栅极3与栅线电连接，上述衬底基板1也可以设置为，如图1所示，每条栅线驱动的一行薄膜晶体管中，其中一个薄膜晶体管的栅极3通过衬底基板1上对应的第二通孔内的第二导电结构15与对应的栅线周边走线16电连接，进而实现每条栅线与对应的栅线周边走线16电连接。
上述发明实施例提供的衬底基板1中，如图1所以，栅线17也可以设置于衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧，具体地，衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧形成有与数据线13交叉设置且相互绝缘的栅线17、栅线周边走线16以及栅线绑定电极，衬底基板1上形成有与薄膜晶体管一一对应的第三通孔，第三通孔内贯穿设置有第三导电结构18，每一个薄膜晶体管的栅极3通过对应的第三通孔内的第三导电结构18与栅线17电连接，各栅线17与栅线绑定电极通过栅线周边走线16电连接。将栅线17以及与栅线17电连接的栅线绑定电极都设置于衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧，通过衬底基板1上的第三通孔内的第三导电结构18与薄膜晶体管的栅极3电连接，集成电路在衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧与栅线绑定电极电连接，衬底基板1可以不需要设计边框区，进而显示面板的边缘不需要预留一定宽度的边框，可以使显示装置实现窄边框或者无边框设计。具体地，在衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧，栅线17、栅线周边走线16以及栅线绑定电极优选设置于同一层，栅线17与数据线13设置于不同层。
具体地，阵列基板上还设置有位于薄膜晶体管背离衬底基板1一侧的有机电致发光单元，有机电致发光单元与薄膜晶体管的漏极72电连接。如图1所示，薄膜晶体管的源/漏极背离衬底基板1的一侧形成有平坦层8，有机电致发光单元的阳极9，阳极9与薄膜晶体管的漏极72电连接。
具体地，衬底基板1与栅极3之间还可以设置有缓冲层2，能够增强柔性显示面板的弯折能力，并且提高显示面板的水氧阻隔能力以及隔热效果。平坦层8上还设置有保护层10，避免在制作过程中对薄膜晶体管的损坏。相邻两个有机电致发光单元之间间隙处还设置有黑矩阵11。
具体地，衬底基板1可以为柔性衬底基板1。
基于上述阵列基板，本发明还提供一种制作上述任意一种阵列基板的制作方法，如图2所示，具体步骤如下：
S201：形成衬底基板；
S202：在所述衬底基板的显示区域内形成呈阵列分布的薄膜晶体管；
S203：将所述衬底基板反置，由所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一面形成与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，每个所述第一通孔延伸至对应的所述薄膜晶体管的源极处；
S204：在所述第一通孔内形成第一导电结构；
S205：在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧形成有多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极，各所述薄膜晶体管的源极通过对应第一通孔内的第一导电结构与所述数据线电连接，各所述数据线与所述数据线绑定电极通过所述数据线周边走线电连接。
上述发明实施例提供的阵列基板的制作方法中，由所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一面形成与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，每个第一通孔延伸至对应的薄膜晶体管的源极处，在衬底基板背离薄膜晶体管器件的一侧形成有多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极，各薄膜晶体管的源极通过对应第一通孔内的第一导电结构与数据线电连接，各数据线与数据线绑定电极通过数据线周边走线电连接，由于将数据线周边走线与数据线绑定电极设置于显示区域对应的区域内时不影响有机电致发光显示面板正常显示，而集成电路可以在衬底基板背离薄膜晶体管的一侧与数据线绑定电极电连接，衬底基板可以不需要设计边框区，使得显示面板的边缘不需要预留一定宽度的边框，进而实现窄边框或者无边框设计。
上述阵列基板的制作方法，可以具体包括：
如图3A所示，在第一刚性基板A上形成衬底基板1；
如图3B所示，在衬底基板1的显示区内形成呈阵列分布的薄膜晶体管；具体地，薄膜晶体管可以包括依次形成的栅极3、栅绝缘层4、有源层5、绝缘层6以及源极71和漏极72。薄膜晶体管与衬底基板之间还可以设置有缓冲层2。
如图3C所述，将衬底基板1反置，在薄膜晶体管背离衬底基板1的一侧通过贴合材料19贴合第二刚性基板B，其中，采用真空贴合设备进行贴合，贴合材料19可以为热固化胶。
如图3D所示，去除第一刚性基板A；
如图3E所示，由衬底基板1背离薄膜晶体管的一面形成与薄膜晶体管一一对应的第一通孔，每个第一通孔延伸至对应的薄膜晶体管的源极71处；具体地，第一通孔贯穿衬底基板1、缓冲层2、栅绝缘风4和层间绝缘层6。
在第一通孔内形成第一导电结构12；
在衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧形成多条数据线13、数据线周边走线以及数据线绑定电极，各薄膜晶体管的源极71通过对应第一通孔内的第一导电结构12与数据线13电连接，各数据线13与数据线绑定电极通过数据线周边走线电连接；
去除贴合材料19以及第二刚性基板B，其中，由于贴合材料为热固化胶，热固化胶在200～300℃实现粘性下降，可使阵列基板与第二刚性基板B分离；
将集成电路器件(IC器件)绑定于衬底基板1背离薄膜晶体的一侧；
在衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧进行背膜贴附。
需要说明的是，在衬底基板1的显示区内形成呈阵列分布的薄膜晶体管之后，还包括在源/漏极背离衬底基板的一侧形成平坦层8，在平坦层8上形成有机电致发光单元，有机电致发光单元的阳极9与薄膜晶体管的漏极72电连接。阵列基板上还设置有保护层10以及黑矩阵11。
具体地，衬底基板1可以为柔性衬底基板。
上述阵列基板的制作方法中，所述由所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一面形成与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，具体步骤可以为：
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧形成一层硬掩膜层；
对所述硬掩膜层进行图案化处理；
通过图案化后的硬掩膜层作为掩膜，对所述衬底基板进行干刻，形成所述第一通孔；
去除所述硬掩膜层。
具体地，在所述第一通孔内形成第一导电结构，具体步骤可以为：
在所述第一通孔的孔底与孔壁上形成一层种子层；
利用电镀工艺在所述通孔内进行金属填充，形成所述第一导电结构。
上述制作方法中，先在通孔的孔底和孔壁上形成一层种子层，能够降低后续电镀填充的难度，且能够避免导电结构断裂，影响信号的传输。
可选地，所述种子层的材料为钛、钼、钽、铝、铜、银金属单质或者为钼合金、铜合金、铝合金。
上述阵列基板的制作方法中，衬底基板临近薄膜晶体管的一侧还设置有与数据线交叉设置的多条栅线，栅线可以与薄膜晶体管的栅极同层设置，在衬底基板背离薄膜晶体管的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极之后，具体步骤还包括以下步骤：
如图3F所示，在衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧形成绝缘层14；
在绝缘层14以及衬底基板1上形成与栅线一一对应的第二通孔，具体地，第二通孔可以贯穿设置于衬底基板1、缓冲层2；
在第二通孔内形成第二导电结构15；
在绝缘层14背离衬底基板1的一侧形成栅线周边走线16以及栅线绑定电极，各栅线通过对应的第二通孔内的第二导电结构15以及栅线周边走线16与对应的栅线绑定电极电连接。
可选地，在制作第二通孔以及第二导电结构15的过程中，也可以制作为，每条栅线驱动的一行薄膜晶体管中，其中一个薄膜晶体管的栅极3通过衬底基板上对应的第二通孔内的第二导电结构15与对应的栅线周边走线电连接，实现每条栅线与对应的栅线周边走线电连接。
可选地，如图3F所示，在衬底基板背离薄膜晶体管器件的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极之后，具体地步骤还可以为：
在衬底基板1背离薄膜晶体管的一侧形成绝缘层14；
在绝缘层14以及衬底基板1上形成与薄膜晶体管一一对应的第三通孔；
在第三通孔内形成第三导电结构18；
在绝缘层14背离衬底基板1的一侧形成与数据线交叉且相互绝缘的多条栅线17、栅线周边走线以及栅线绑定电极，每一个薄膜晶体管的栅极3通过对应的第三通孔内的第三导电结构18与栅线17电连接，各栅线17与栅线绑定电极通过栅线周边走线电连接。
基于上述阵列基板，本发明还提供另一种制作上述任意一种阵列基板的制作方法，如图4所示，具体步骤包括：
S401：在刚性基板上形成缓冲牺牲层；
S402：在所述缓冲牺牲层背离所述刚性基板的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极，各所述数据线与所述数据线绑定电极通过所述数据线周边走线电连接；
S403：在所述多条数据线背离所述缓冲牺牲层的一侧形成衬底基板；
S404：在所述衬底基板上形成呈阵列分布的薄膜晶体管，其中，所述衬底基板上形成有与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，每个所述第一通孔延伸至对应的所述薄膜晶体管的源极处，每个所述薄膜晶体管的源极通过对应的第一通孔内形成的第一导电结构与所述数据线电连接；
S405：去除所述刚性基板以及缓冲牺牲层。
本发明还提供一种显示面板，包括上述技术方案中提供的任意一种阵列基板。其中，显示面板为有机电致发光显示面板，有机电致发光显示面板中还包括位于有机电致发光单元出光侧的盖板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述技术方案中提供的任意一种显示面板。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (16)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、位于所述衬底基板显示区域内呈阵列方式分布的薄膜晶体管以及位于所述衬底基板背离所述薄膜晶体管一侧的多条数据线，所述衬底基板上形成有与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，所述第一通孔内贯穿设置有第一导电结构，所述薄膜晶体管的源极通过对应的第一通孔内的第一导电结构与所述数据线电连接，所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧还形成有数据线周边走线和数据线绑定电极，各所述数据线与所述数据线绑定电极通过所述数据线周边走线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上设有与所述数据线交叉设置的多条栅线以及与所述栅线一一对应的第二通孔，所述第二通孔内贯穿设置有第二导电结构，所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧还形成有栅线周边走线以及栅线绑定电极，各所述栅线通过对应的第二通孔内的第二导电结构以及所述栅线周边走线与对应的所述栅线绑定电极电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，各所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线同层设置且电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每条所述栅线驱动的一行薄膜晶体管中，其中一个薄膜晶体管的栅极通过所述衬底基板上对应的第二通孔内的所述第二导电结构与对应的栅线周边走线电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧还形成有与所述数据线交叉设置且相互绝缘的栅线、栅线周边走线以及栅线绑定电极，所述衬底基板上形成有与所述薄膜晶体管一一对应的第三通孔，所述第三通孔内贯穿设置有第三导电结构，每一个所述薄膜晶体管的栅极通过对应的所述第三通孔内的第三导电结构与所述栅线电连接，各所述栅线与所述栅线绑定电极通过所述栅线周边走线电连接。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的有机电致发光单元，所述有机电致发光单元与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板为柔性衬底基板。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
形成衬底基板；
在所述衬底基板的显示区域内形成呈阵列分布的薄膜晶体管；
将所述衬底基板反置，由所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一面形成与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，每个所述第一通孔延伸至对应的所述薄膜晶体管的源极处；
在所述第一通孔内形成第一导电结构；
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极，各所述薄膜晶体管的源极通过对应第一通孔内的第一导电结构与所述数据线电连接，各所述数据线与所述数据线绑定电极通过所述数据线周边走线电连接。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述由所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一面形成与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，包括：
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧形成一层硬掩膜层；
对所述硬掩膜层进行图案化处理；
通过图案化后的硬掩膜层作为掩膜，对所述衬底基板进行干刻，形成所述第一通孔；
去除所述硬掩膜层。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述第一通孔内形成第一导电结构，包括：
在所述第一通孔的孔底与孔壁上形成一层种子层；
利用电镀工艺在所述通孔内进行金属填充，形成所述第一导电结构。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述种子层的材料为钛、钼、钽、铝、铜、银金属单质或者为钼合金、铜合金、铝合金。
12.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述衬底基板临近所述薄膜晶体管的一侧还设置有与所述数据线交叉设置的多条栅线，在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极之后，还包括：
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧形成绝缘层；
在所述绝缘层以及所述衬底基板上形成与所述薄膜晶体管一一对应的第二通孔；
在所述第二通孔内形成第二导电结构；
在所述绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成栅线周边走线以及栅线绑定电极，各所述栅线通过对应的第二通孔内的第二导电结构以及所述栅线周边走线与对应的所述栅线绑定电极电连接。
13.一种如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管器件的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极之后，还包括：
在所述衬底基板背离所述薄膜晶体管的一侧形成绝缘层；
在所述绝缘层以及所述衬底基板上形成与所述薄膜晶体管一一对应的第三通孔；
在所述第三通孔内形成第三导电结构；
在所述绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成与数据线交叉且相互绝缘的多条栅线、栅线周边走线以及栅线绑定电极，每一个所述薄膜晶体管的栅极通过对应的所述第三通孔内的第三导电结构与所述栅线电连接，各所述栅线与所述栅线绑定电极通过所述栅线周边走线电连接。
14.一种如权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在刚性基板上形成缓冲牺牲层；
在所述缓冲牺牲层背离所述刚性基板的一侧形成多条数据线、数据线周边走线以及数据线绑定电极，各所述数据线与所述数据线绑定电极通过所述数据线周边走线电连接；
在所述多条数据线背离所述缓冲牺牲层的一侧形成衬底基板；
在所述衬底基板上形成呈阵列分布的薄膜晶体管，其中，所述衬底基板上形成有与所述薄膜晶体管一一对应的第一通孔，每个所述第一通孔延伸至对应的所述薄膜晶体管的源极处，每个所述薄膜晶体管的源极通过对应的第一通孔内形成的第一导电结构与所述数据线电连接；
去除所述刚性基板以及缓冲牺牲层。
15.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求15所述的显示面板。
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