CN109613420A - 芯片的测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种芯片的测试方法,针对无flash寄存器的独立IP芯片,进行不同温度下的trimming的dac值写入,包含:第一步,在某一温度下,对晶圆上的芯片进行模拟量的个性化trimming;第二步,将trimming得到的dac值及对应的坐标记录在指定文件中;第三步,升/降到其他的指定温度,调用所述的指定文件,将相应的坐标对应的个性化trimming的dac值进行重新载入;第四步,将载入的个性化trimming的dac值设置进芯片。本发明所述的芯片的测试方法,通过将某一温度的个性化trimming dac值及其坐标信息通过指定文件进行存储,并在变换温度需要重新调用时读取指定文件,查找并匹配相应坐标来实现个性化trimming dac值的重新载入,避免了人为干预,提高了测试效率,降低了测试成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路测试领域,特别是指一种芯片的测试方法,具体是指芯片无记忆载体情况下实现不同温度下个性化trimming dac值写入的测试方法。
背景技术
在芯片IP评价过程中,需要考核温度改变对产品性能的影响。
在Flash芯片测试时,时常需要对模拟量的dac值进行扫描,直至搜寻到合适的dac值,即修调(Trimming)测试。采用的方法是对于每颗测试芯片的dac扫描方式统一从0开始扫向末尾值。芯片IP评价往往需要对高温下个性化trimming dac的值在常温或低温下设置,或对常温下个性化trimming dac的值在高温或低温下设置,以此来评价改变温度对产品性能的影响。但由于单独IP脱离flash,没有存储个性化trimming dac值的寄存器,而手动一个个die(晶圆上的晶粒)逐一设置数量多时间长,如图1所示,对于晶圆上的die,需要对die首先在温度a的条件下进行逐个调试并将所得的dac值进行手动设置,然后进行下一枚die的trimming,再将所得的dac值在进行手动设置,一直到最后一颗die,然后调整测试温度到温度b,回到开头对第一颗die重新进行trimming,重复上述的逐个trimming。在需要调试的温度区间范围比较大时,调试的工作量就非常大,这样会使整个调试的时间成本非常高,缺乏可操作性,特别是对于量产产品的测试需求,时效性显得尤为重要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种芯片的测试方法,测试对象为单独IP,无flash寄存器可用的芯片进行不同温度下的个性化trimming DAC值的写入。
为解决上述问题,本发明所述的芯片的测试方法,针对无flash寄存器的独立IP芯片,进行不同温度下的trimming的dac值写入,包含:
第一步,在某一温度下,对晶圆上的芯片进行模拟量的个性化trimming;
第二步,将trimming得到的dac值及对应的坐标记录在指定文件中;
第三步,升/降到其他的指定温度,调用所述的指定文件,查找并匹配对应坐标,将相应的坐标对应的个性化trimming的dac值进行重新载入;
第四步,将载入的个性化trimming的dac值设置进芯片。
进一步的改进是,所述第一步中,首次进行的trimming是在某一指定的基准温度下进行。
进一步的改进是,所述的坐标是在当前trimming的die在晶圆中的位置信息。
进一步的改进是,所述的trimming及将dac值写入指定的文件,以及调用dac值,是通过测试程序来完成。
进一步的改进是,所述的第三步中,调整到其他的指定温度时,重新调用指定文件,查找到对应坐标的die的dac值,进行重新载入。
进一步的改进是,所述的第四步中,还包括完成不同温度下的模拟量的评价。
本发明所述的芯片的测试方法,通过将某一温度的个性化trimming dac值及其坐标信息通过指定文件进行存储,并在变换温度需要重新调用时读取指定文件,查找并匹配相应坐标来实现个性化trimming dac值的重新载入,避免了人为干预,提高了测试效率,降低了测试成本。
附图说明
图1是传统的针对无flash寄存机的芯片进行不同温度下trimming dac值的测试方法的示意图。
图2是本发明所述的针对无flash寄存机的芯片进行不同温度下trimming dac值的测试方法的示意图。
具体实施方式
以下结合附图给出本发明的具体实施方式,但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明所述的芯片的测试方法,测试对象为无flash寄存器的独立IP的芯片,首先,测试对象需将某一基准温度下的个性化trimming的dac值在其他需要测试的温度下进行设置并测试该温度、该trimming dac值下的模拟量;再通过测试程序,把第一次trimming的dac值及其坐标记录在指定文件中,第二次改变温度后,通过打开该文件,查找并匹配对应的坐标,将相应坐标对应的个性化trimming dac值重新载入,以达到不同温度下个性化trimming dac值的设置。
具体来说,如图2所示,第一步,在某一指定的温度a下,对晶圆上的芯片进行模拟量的个性化trimming,此时得到一个当前温度a的dac值。该trimming建立了当前晶圆上所有die在基准温度a下的dac值,通过扫描程序对晶圆上从第一颗die直至最后一颗die进行trimming,形成die的坐标信息及相应的dac值。
第二步,将上述温度a下trimming得到的dac值及对应的坐标记录在指定文件中。所述的坐标是当前测试中的die在晶圆上的位置,比如第m行第n列的die。
第三步,升/降到其他的指定温度,比如升到温度b。升降温均可。通过测试程序,调用所述的指定文件,查找并匹配对应坐标,将相应的坐标,如之前第二步中的第m行第n列的die对应的个性化trimming的dac值进行重新载入。
第四步,将载入的个性化trimming的dac值设置进芯片并完成不同温度下的模拟量的评价。
对于其他的指定温度,可以继续采用测试程序调用指定文件中的个性化trimming的dac值进行重新载入然后设置进芯片的处理方法,进行重复设定。
测试程序中用到对文件的操作,把第一次trim的dac值及其坐标记录在指定文件中,第二次改变温度后,通过打开该文件,查找并匹配对应的坐标,将相应坐标对应的个性化trimming dac值重新载入,以达到不同温度下个性化trimming dac值的设置。通过这种测试方法可以高效的测试,降低测试成本。
以上仅为本发明的优选实施例,并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种芯片的测试方法,针对无flash寄存器的独立IP芯片,进行不同温度下的trimming的dac值写入,其特征在于:
第一步,在某一温度下,对晶圆上的芯片进行模拟量的个性化trimming;
第二步,将trimming得到的dac值及对应的坐标记录在指定文件中;
第三步,升/降到其他的指定温度,调用所述的指定文件,将相应的坐标对应的个性化trimming的dac值进行重新载入;
第四步,将载入的个性化trimming的dac值设置进芯片。
2.如权利要求1所述的芯片的测试方法,其特征在于:所述第一步中,首次进行的trimming是在某一指定的基准温度下进行。
3.如权利要求1所述的芯片的测试方法,其特征在于:所述的坐标是在当前trimming的die在晶圆中的位置信息。
4.如权利要求1所述的芯片的测试方法,其特征在于:所述的trimming及将dac值写入指定的文件,以及调用dac值,是通过测试程序来完成。
5.如权利要求1所述的芯片的测试方法,其特征在于:所述的第三步中,调整到其他的指定温度时,重新调用指定文件,查找到对应坐标的die的dac值,进行重新载入。
6.如权利要求1所述的芯片的测试方法,其特征在于:所述的第四步中,还包括完成不同温度下的模拟量的评价。
7.如权利要求1所述的芯片的测试方法,其特征在于:通过将某一温度的个性化trimming dac值及其坐标信息通过指定文件进行存储,并在变换温度需要重新调用时读取指定文件,查找并匹配相应坐标来实现个性化trimming dac值的重新载入,避免了人为干预,提高了测试效率,降低了测试成本。
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