CN109581810A - 用于深紫外光的光刻胶组合物以及制造半导体器件的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了包含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物和使用该光刻胶组合物制造半导体器件的方法。光刻胶组合物可以包含可显影的聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。等离子体光吸收剂可以对用于光刻图案化过程的光(例如紫外光)较有透过性，所述光刻图案化过程用以将由光刻胶组合物形成的层图案化，并且对在后续刻蚀过程中产生的光(如由等离子体产生的光)较有吸收性。当形成半导体器件时，图案化的光刻胶层可以被更精确地产生并且可以更好地保持在用于刻蚀半导体器件的多个目标层时所需的性能。

Description

用于深紫外光的光刻胶组合物以及制造半导体器件的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年9月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2017-0128303的权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本发明构思涉及用于深紫外(DUV)光的光刻胶组合物、图案化方法以及制造半导体器件的方法。
背景技术
已提出了多种制造方法来制造半导体设备。在一些方法中，需要厚的光刻胶。然而，当光刻胶图案厚时，光刻胶的透光率可能成为问题，因此需要提高透光率的工作。然而，提高透光率的工作涉及多个光学问题，因此要同时解决多个技术问题。
发明内容
本发明构思提供能够形成具有大厚度且可以实现下层的高质量刻蚀的光刻胶图案的光刻胶组合物。所述光刻胶组合物可以在光刻曝光过程中与深紫外(DUV)光一起使用。
本发明构思还提供通过使用所述光刻胶组合物制造半导体器件的方法。
根据本发明构思的一个方面，提供用于DUV光的光刻胶组合物，其包含聚合物、等离子体光吸收剂和有机溶剂。所述聚合物被配置为在将所述光刻胶组合物暴露于DUV光时进行化学反应，其中所述等离子体光吸收剂对第一波长范围的光的最大吸光度是所述等离子体光吸收剂对第二波长范围的光的最大吸光度的0.5倍以下，其中所述第一波长范围是约240nm至约255nm，并且其中所述第二波长范围是约270nm至约330nm。
所述光刻胶组合物可以包含光敏聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂，其中所述等离子体光吸收剂具有化学式1的结构。
[化学式1]
(其中R1是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、羧基或-RI-COOH(RI是C1-C4亚烷基)，并且R2是醛基、-RII-CHO(RII是C1-C4亚烷基)、羧基、-RI-COOH(RI是C1-C4亚烷基)、胺、酰胺或者未取代或被C1-C4烷基或C2-C6酰基取代的丙烯酸基。)
根据本发明构思的另一个方面，制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成目标层，所述目标层包括至少一个电介质层，在所述目标层上形成用于深紫外(DUV)光的光刻胶组合物的层，通过光掩模将所述用于DUV光的光刻胶组合物的层选择性地曝光于氟化氪(KrF)激光，通过使曝光的所述光刻胶组合物的层显影来形成光刻胶图案，和使用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述衬底在等离子体环境中图案化，其中所述用于DUV光的光刻胶组合物包含能够至少部分地吸收在所述等离子体环境中发射的光的等离子体光吸收剂，并且其中所述等离子体光吸收剂具有化学式1的结构。
制造半导体器件的方法可以包括：通过在包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域的衬底上交替且重复地堆叠多个层间电介质层和牺牲层形成初步堆叠结构，形成光刻胶掩模以覆盖所述第一区域的整体和所述第二区域的一部分，通过使用所述光刻胶掩模作为刻蚀掩模进行刻蚀，去除第一对牺牲层和其下的层间电介质层，形成第一图案，和形成台阶图案，其中所述形成台阶图案包括：通过去除所述光刻胶掩模的侧面，暴露所述第一图案的端部的上表面，和通过去除由所述第一图案暴露的第二对牺牲层和其下的层间电介质层形成第二图案，其中所述光刻胶掩模包含均匀地分散在整个所述光刻胶掩模中的化学式1的等离子体光吸收剂，并且其中所述形成台阶图案的至少一部分在等离子体环境中进行。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述将更清楚地理解本发明构思的实施方案，在所述附图中：
图1是示出由氧等离子体产生的光的光谱的图；
图2包括示出(a)三苯基锍(TPS)和(b)化学式4的光致生酸剂的吸收光谱的图；
图3是示出化学式2的等离子体光吸收剂的吸收光谱的图；
图4A至4I是举例说明根据本发明构思的实施方案，制造垂直半导体器件的方法的顺序工序的横截面图；
图5A是示出由不含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物形成的掩模在刻蚀过程后的侧横截面图的图像；和
图5B是示出由含有等离子体光吸收剂的光刻胶组合物形成的掩模在刻蚀过程后的侧横截面图的图像。
具体实施方式
根据本发明构思的实施方案的光刻胶组合物可以包含光敏聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。
[等离子体光吸收剂]
相对于光刻胶组合物的总重量，光刻胶组合物可以包含约1重量％(wt％)至约5wt％的等离子体光吸收剂。当等离子体光吸收剂的含量过低，例如小于约1wt％时，对于某些半导体工艺，通过加入等离子体光吸收剂实现的效果可能不足。而当等离子体光吸收剂的含量过高，例如大于约5wt％时，对于不同半导体工艺，可能形成不适当的光刻胶图案。
等离子体光吸收剂可以对例如248nm的波段的光具有高透过性，其可以有益于使用深紫外(DUV)光(具有从约200nm至约280nm，例如248nm的波长的紫外光)的曝光过程，并且更特别地，有益于使用氟化氪(KrF)激光的曝光过程。等离子体光吸收剂可以吸收由在干法刻蚀过程中产生的等离子体发射的光。
等离子体光吸收剂可以具有化学式1的结构。
[化学式1]
(其中R1是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、羧基或-RI-COOH(RI是C1-C4亚烷基)，并且R2是醛基、-RII-CHO(RII是C1-C4亚烷基)、羧基、-RI-COOH(RI是C1-C4亚烷基)、胺、酰胺或者未取代或被C1-C4烷基或C2-C6酰基取代的丙烯酸基。)
具体地，R1可以是甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、正丁氧基或叔丁氧基，但是不限于此。化学式1-1示出化学式1的等离子体光吸收剂的实例。
[化学式1-1]
化学式1-2示出化学式1的等离子体光吸收剂的其他实例。
[化学式1-2]
在一些实施方案中，等离子体光吸收剂可以具有化学式2的结构。
[化学式2]
除非上下文另外指明，如本文中使用的“第一波长范围”是指在KrF曝光过程中发射的光的主波长范围，更特别地，从约240nm至约255nm。除非上下文另外指明，“第二波长范围”是指由等离子体，更特别地，由在干法刻蚀过程中产生的氧等离子体发射的光的主波长范围，并且更特别地，从约270nm至约330nm。图1是示出由用于干法刻蚀的氧等离子体产生的光的光谱图(强度(任意单位a.u.)v.波长(nm))。如图1中所示，在约280nm至约320nm的范围内观察到主要的强度峰。
等离子体光吸收剂可以具有很好地透过第一波长范围的光并且很好地吸收第二波长范围的光的特性。具体地，等离子体光吸收剂对第一波长范围的光的最大吸光度可以是等离子体光吸收剂对第二波长范围的光的最大吸光度的0.5倍以下。在一些实施方案中，等离子体光吸收剂对第一波长范围的光的最大吸光度可以是等离子体光吸收剂对第二波长范围的光的最大吸光度的约0.01倍至约0.5倍、约0.05倍至约0.4倍或约0.1倍至约0.3倍。
在一些实施方案中，等离子体光吸收剂对第一波长范围的光的平均吸光度可以是等离子体光吸收剂对第二波长范围的光的平均吸光度的0.5倍以下。在一些实施方案中，等离子体光吸收剂对第一波长范围的光的平均吸光度可以是等离子体光吸收剂对第二波长范围的光的平均吸光度的约0.01倍至约0.5倍、约0.05倍至约0.4倍或约0.1倍至约0.3倍。
在一些实施方案中，等离子体光吸收剂对第一波长范围的光的最大透光率可以是等离子体光吸收剂对第二波长范围的光的最大透光率的1.1倍以上。在一些实施方案中，等离子体光吸收剂对第一波长范围的光的最大透光率可以是等离子体光吸收剂对第二波长范围的光的最大透光率的约1.1倍至约2倍、约1.1倍至约1.8倍或约1.2倍至约1.5倍。
由于等离子体光吸收剂很好地透过第一波长范围的光，因此即使在被包含在光刻胶组合物中时，等离子体光吸收剂也不抑制光敏聚合物在使用KrF准分子激光器的曝光过程中的光化学反应。由于等离子体光吸收剂很好地吸收第二波长范围的光，因此可以有效地吸收在使用由光刻胶组合物形成的光刻胶图案的干法刻蚀过程中由等离子体发射(并且主要具有在第二波长范围内的峰)的光。
尚未反应的光敏聚合物存在于光刻胶图案中。当在刻蚀过程中不阻挡由等离子体发射的光时，光敏聚合物在刻蚀过程中也可能进行光化学反应，从而可能降低刻蚀的质量。这样，通过阻挡由等离子体发射的光，可以抑制光敏聚合物在刻蚀过程中的光化学反应，从而可以实现改善的刻蚀。
[光致生酸剂]
另外，当光刻胶图案过厚时，光刻胶组合物的透光率可能成为问题。光刻胶组合物的光致生酸剂(PAG)可以影响透光率。这样，使用具有低吸光度的光致生酸剂可以有利于光刻胶组合物。芳环，如在苯基中的芳环，可以提高吸光度。广泛使用的常规光致生酸剂如三苯基锍(TPS)吸收大量光，并且当被加入到厚光刻胶图案中时在透光率方面可能不是有利的。因此，与常规TPS相比具有较低吸光度的化学式3或4的光致生酸剂可以提供更好的透光率，并且可以有利地用于形成厚光刻胶图案。
[化学式3]
(其中R3是取代或未取代的C1-C60烷基或烷氧基、羧基、-RI-COOH(RI是C1-C60亚烷基)、取代或未取代的C2-C60烯基或炔基或者取代或未取代的C3-C60环烷基。)
[化学式4]
(其中R3和R4中的每一个是取代或未取代的C1-C60烷基或烷氧基、羧基、-RI-COOH(RI是C1-C60亚烷基)、取代或未取代的C2-C60烯基或炔基或者取代或未取代的C3-C60环烷基。)
与使用TPS的情况相比，当使用化学式3或4的光致生酸剂时，光可以更好地透过厚光刻胶图案，因此可以获得高质量的图案。
尽管化学式3和4示出使用硫作为光致生酸剂的中心元素的化合物，但是本发明构思不限于此。例如，如化学式5中所示，可以使用碘作为中心元素。
[化学式5]
(其中R3是取代或未取代的C1-C60烷基或烷氧基、羧基、-RI-COOH(RI是C1-C60亚烷基)、取代或未取代的C2-C60烯基或炔基或者取代或未取代的C3-C60环烷基。)
图2包括示出(a)作为比较例的三苯基锍(TPS)和(b)化学式4的光致生酸剂的吸收光谱的图。图2的左侧示出TPS的吸收光谱，并且图2的右侧示出化学式4(其中R3和R4中的每一个都是甲基)的光致生酸剂的吸收光谱。
如图2中所示，与TPS相比，化学式4的光致生酸剂在248nm附近显示出低得多的吸收特性。然而，不同于TPS，化学式4的光致生酸剂部分地吸收在约270nm至约340nm的波长范围内的光。化学式4的光致生酸剂吸收约270nm至约340nm的波长范围的光的事实可以意味着可以通过在使用等离子体的刻蚀过程中产生的光触发光化学反应。这可能导致如上所述的刻蚀质量的降低。
本发明人已经发现，当加入能够吸收第二波长范围的光但是对KrF准分子激光器的主要波长范围(即第一波长范围)的光具有充分透过性的添加剂时，可以形成高质量的厚光刻胶图案(因为第一波长范围的光很好地透过)并且可以在刻蚀过程中保持图案的高质量(因为可以吸收第二波长范围的光)。例如，本发明人已经发现，可以使用化学式1的化合物作为能够很好地吸收第二波长范围的光同时很好地透过第一波长范围的光的等离子体光吸收剂。
图3是示出化学式2的等离子体光吸收剂的吸收光谱的图。
参照图3，示出了化学式2的等离子体光吸收剂在第一波长范围内，并且更特别地在248nm附近具有非常低的吸光度。还示出了化学式2的等离子体光吸收剂在第二波长范围内保持非常高的吸光度。
相对于光刻胶组合物的总重量，光刻胶组合物可以包含约1wt％至约10wt％的光致生酸剂。当光致生酸剂的含量过低，例如小于约1wt％时，化学增幅可能不足。另外，当光致生酸剂的含量过高，例如大于约10wt％时，可能过量地产生诸如氢气的产物而降低材料层的质量。
[光敏聚合物]
光敏聚合物可以是能够由于深紫外(DUV)光而进行光化学反应的聚合物。例如，光敏聚合物可以是当与光敏聚合物混合在一起的光致生酸剂(PAG)暴露于光如深紫外光而产生酸时进行化学反应的聚合物，并且这样产生的酸使聚合物进行化学反应从而使聚合物提高其亲水性或疏水性。应了解，光敏聚合物不必直接对光敏感(例如，光敏聚合物对光的暴露不必改变光敏聚合物的化学组成，尽管光敏聚合物的化学组成可以由于由曝光的与光敏聚合物混合在一起的PAG产生的酸而改变)。在一些实施方案中，光敏聚合物在碱中的溶解性可以由于光化学反应而增加。在一些实施方案中，光敏聚合物可以具有其中保护基与重复单元键合的结构，并且保护基可以在曝光过程中脱保护，使得光敏聚合物很好地溶解于碱。光刻胶可以是正性光刻胶，其中将光刻胶的打算由之后的光刻胶显影而去除的部分暴露于光(例如DUV光)。脱保护的保护基可以产生新的酸以进行化学增幅。
(酚醛清漆树脂)
在一些实施方案中，光敏聚合物可以是酚醛清漆树脂。例如，酚醛树脂可以是具有化学式6中所示的重复单元的树脂。
[化学式6]
在化学式6中，R5a是酸解离的保护基，并且R5b和R5c中的每一个都是氢原子或C1-C6烷基。R5a是C1-C6直链、支链或环状的烷基、乙烯基氧基乙基、四氢吡喃基、四氢呋喃基、三烷基甲硅烷基、异降莰基、2-甲基-2-金刚烷基、2-乙基-2-金刚烷基、3-四氢呋喃基、3-氧代环己基、γ-丁内酯-3-基、甲羟戊酸内酯、γ-丁内酯-2-基、3-甲基-γ-丁内酯-3-基、2-四氢吡喃基、2-四氢呋喃基、2，3-碳酸丙二酯-1-基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-(2-乙酰氧基乙氧基)乙基、叔-丁氧基羰基甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、三甲氧基甲硅烷基或三乙氧基甲硅烷基，并且可以是甲氧基乙基、乙氧基乙基、正丙氧基乙基、异丙氧基乙基、正丁氧基乙基、异丁氧基乙基、叔丁氧基乙基、环己基氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、叔丁氧基羰基(t-BOC)或叔丁氧基羰基甲基。直链或支链的烷基可以包括例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基或新戊基。环状的烷基可以包括例如环戊基或环己基。
(聚羟基苯乙烯树脂)
在一些实施方案中，光敏聚合物可以是聚羟基苯乙烯(PHS)树脂。例如，PHS树脂可以是具有化学式7中所示的重复单元的树脂。
[化学式7]
在化学式7中，R7a是氢原子或C1-C6烷基，并且R7b是酸解离的保护基。其具体实例如上文关于化学式6所列举的。
在一些实施方案中，PHS树脂可以包括另一可聚合化合物作为重复单元。该可聚合化合物的实例可以包括：一元羧酸，如丙烯酸、甲基丙烯酸和巴豆酸；二元羧酸，如马来酸、富马酸和衣康酸；具有羧基和酯键的甲基丙烯酸衍生物，如2-甲基丙烯酰氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯酰氧基乙基马来酸、2-甲基丙烯酰氧基乙基苯二甲酸和2-甲基丙烯酰氧基乙基六氢苯二甲酸；(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯和(甲基)丙烯酸丁酯；(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯和(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯；(甲基)丙烯酸芳基酯，如(甲基)丙烯酸苯酯和(甲基)丙烯酸苄酯；二羧酸二酯，如马来酸二乙酯和富马酸二丁酯；含乙烯基的芳族化合物，如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羟基苯乙烯、α-甲基羟基苯乙烯和α-乙基羟基苯乙烯；含乙烯基的脂族化合物，如乙酸乙烯酯；共轭二烯烃，如丁二烯和异戊二烯；含腈基的可聚合化合物，如丙烯腈和甲基丙烯腈；含氯的可聚合化合物，如氯乙烯和偏二氯乙烯；以及含酰胺键的可聚合化合物，如丙烯酰胺和甲基丙烯酰胺。然而，本发明构思不限于此。
(丙烯酸类树脂)
在一些实施方案中，光敏聚合物可以是丙烯酸类树脂。例如，丙烯酸类树脂可以是具有化学式8中所示的重复单元的树脂。
[化学式8]
在化学式8中，R8a是氢原子、C1-C6直链或支链的烷基、氟原子或C1-C6直链或支链的氟化烷基，并且R8b是酸解离的保护基。其具体实例如上文关于化学式6所列举的。
在一些实施方案中，光敏聚合物可以包括基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物。基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物可以是脂族的基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物，并且可以包括例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚(甲基丙烯酸叔丁酯)、聚(甲基丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸降莰酯)、上述基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物的重复单元的二元或三元共聚物、或其组合。
在一些实施方案中，丙烯酸树脂可以包括另一可聚合化合物作为重复单元。该可聚合化合物的实例可以包括：具有醚键的丙烯酸酯，如(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸甲氧基三甘醇酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸乙基卡必醇酯、(甲基)丙烯酸苯氧基聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯和(甲基)丙烯酸四氢糠酯；一元羧酸，如丙烯酸、甲基丙烯酸和巴豆酸；二元羧酸，如马来酸、富马酸和衣康酸；具有羧基和酯键的甲基丙烯酸衍生物，如2-甲基丙烯酰氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯酰氧基乙基马来酸、2-甲基丙烯酰氧基乙基苯二甲酸和2-甲基丙烯酰氧基乙基六氢苯二甲酸；(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯和(甲基)丙烯酸环己酯；(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯和(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯；(甲基)丙烯酸芳基酯，如(甲基)丙烯酸苯酯和(甲基)丙烯酸苄酯；二羧酸二酯，如马来酸二乙酯和富马酸二丁酯；含乙烯基的芳族化合物，如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羟基苯乙烯、α-甲基羟基苯乙烯和α-乙基羟基苯乙烯；含乙烯基的脂族化合物，如乙酸乙烯酯；共轭二烯烃，如丁二烯和异戊二烯；含腈基的可聚合化合物，如丙烯腈和甲基丙烯腈；含氯的可聚合化合物，如氯乙烯和偏二氯乙烯；以及含酰胺键的可聚合化合物，如丙烯酰胺和甲基丙烯酰胺。然而，本发明构思不限于此。
光敏聚合物可以具有约10,000至约600,000的重均分子量(Mw)。在一些实施方案中，光敏聚合物可以具有约20,000至约400,000的Mw，或约30,000至约300,000的Mw。在一些实施方案中，上述Mw值可以是通过将聚苯乙烯设定为标准物使用凝胶渗透色谱法(GPC)测量的值。
光敏聚合物可以具有约1至约1.2的多分散性指数(PI)。相对于光刻胶组合物的总重量，光敏聚合物的含量可以是约5wt％至约60wt％。
[有机溶剂]
有机溶剂的实例可以包括：酮，如丙酮、甲基乙基酮、环己酮、甲基异戊基酮和2-庚酮；多元醇及其衍生物，如乙二醇的单甲醚、单***、单丙醚、单丁醚和单苯醚、乙二醇单乙酸酯、二甘醇、二甘醇单乙酸酯、丙二醇、丙二醇单乙酸酯、一缩二丙二醇和一缩二丙二醇单乙酸酯；环醚，如二烷；酯，如甲酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、2-羟基丙酸甲酯、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、乙酸3-甲氧基丁酯和乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯；和芳族烃，如甲苯和二甲苯。可以使用这些材料中的一种或两种以上的组合作为有机溶剂。
可以调整有机溶剂的含量以使得包含光敏聚合物的固体部分的密度是相对于光刻胶组合物的总重量为约20wt％至约70wt％。
[另外的成分]
根据需要，用于DUV光的光刻胶组合物还可以包含其他材料，如流平剂、表面活性剂、助粘剂、猝灭剂、交联剂等。流平剂和表面活性剂的实例可以包括：氟烷基苯磺酸酯、氟烷基羧酸酯、氟烷基聚氧乙烯醚、氟烷基碘化铵、氟烷基甜菜碱、氟烷基磺酸酯、二甘油四(氟烷基聚氧乙烯醚)、氟烷基三甲基铵盐、氟烷基氨基磺酸酯、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯油烯基醚、聚氧乙烯十三烷基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯月桂酸酯、聚氧乙烯油酸酯、聚氧乙烯硬脂酸酯、聚氧乙烯月桂胺、失水山梨醇月桂酸酯、失水山梨醇棕榈酸酯、失水山梨醇硬脂酸酯、失水山梨醇油酸酯、失水山梨醇脂肪酸酯、聚氧乙烯失水山梨醇月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨醇棕榈酸酯、聚氧乙烯失水山梨醇硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨醇油酸酯、聚氧乙烯萘基醚、烷基苯磺酸酯和烷基二苯基醚二磺酸酯，但是不限于此。
相对于用于DUV光的光刻胶组合物的总重量，流平剂和表面活性剂中的每一个都可以具有约0.001wt％至约0.1wt％的含量。
根据需要，用于DUV光的光刻胶组合物还可以包含助粘剂以增强对衬底的粘附。助粘剂可以包括基于硅烷的、基于铝的或基于钛酸酯的化合物。具体地，助粘剂可以包括例如3-缩水甘油氧基丙基二甲基乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙酰基烷氧基二异丙醇铝或四异丙基双(二辛基亚磷酸酯)钛酸酯，但是不限于此。
相对于用于DUV光的光刻胶组合物的总重量，助粘剂可以具有约0.1wt％至约10wt％的含量。
根据需要，用于DUV光的光刻胶组合物还可以包含猝灭剂以调整诸如产生的酸的材料的扩散速率。
猝灭剂可以包括：伯、仲或叔胺化合物，并且更特别地，具有羟基、醚键、酯键、内酯环、氰基或磺酸酯键的胺化合物，或者通过使用氨基甲酸酯基保护伯胺或仲胺获得的胺化合物；盐，如羧酸的锍、碘或铵盐；或其组合，但是不限于此。
相对于用于DUV光的光刻胶组合物的总重量，猝灭剂可以具有约0.01wt％至约5wt％的含量。
根据需要，用于DUV光的光刻胶组合物还可以包含交联剂。
交联剂可以是具有至少两个交联取代基(例如，羟甲基、甲氧基甲基或丁氧基甲基)的含氮化合物，但是不限于此。具体地，交联剂可以包括例如六甲氧基甲基三聚氰胺、四甲氧基甲基苯胍胺、1,3,4，6-四(甲氧基甲基)甘脲、1,3,4,6-四(丁氧基甲基)甘脲、1,3,4,6-四(羟甲基)甘脲、1,3-双(羟甲基)脲、1，1，3，3-四(丁氧基甲基)脲或1，1，3，3-四(甲氧基甲基)脲。
相对于用于DUV光的光刻胶组合物的总重量，交联剂可以具有约0.01wt％至约5wt％的含量。
使用根据本发明构思的实施方案的用于DUV光的光刻胶组合物，可以形成具有大厚度并且确保下层的高质量刻蚀的光刻胶图案。
图4A至4I是举例说明根据本发明构思的实施方案的制造垂直半导体器件100的方法的顺序工序的横截面图。
参照图4A，可以在衬底102上形成初步堆叠结构108。
衬底102可以是晶体半导体材料，并且可以是例如硅(Si)衬底、硅锗(SiGe)衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
衬底102可以包括单元区域CA和与单元区域CA相邻或围绕单元区域CA的连接区域PA。连接区域PA可以包括牺牲区域SA、第一焊盘区域WPA1和第二焊盘区域WPA2。
初步堆叠结构108可以包括交替且重复地彼此堆叠的层间电介质层104和牺牲层106，并且可以包括上初步堆叠结构108H和下初步堆叠结构108L。层间电介质层104可以包括氧化硅(SiO2)，但是不限于此。牺牲层106可以由相对于层间电介质层104具有刻蚀选择性的材料形成，并且可以是例如氮化硅层、氧氮化硅层、多晶硅层或多晶硅锗层。
可以在初步堆叠结构108上依次提供第一覆盖层110和多晶硅层112。第一覆盖层110可以由氧化硅形成。多晶硅层112可以通过沉积非晶硅层然后向其施加热量来形成。
可以在多晶硅层112上形成光刻胶材料层122。光刻胶材料层122可以基于例如旋涂、辊涂或丝网印刷工艺通过使用上述用于DUV光的光刻胶组合物来形成。也就是说，光刻胶材料层122可以包含化学式1的等离子体光吸收剂，并且等离子体光吸收剂可以均匀地分散在光刻胶材料层122的总体积中。
然后，可以将光刻胶材料层122在例如约55℃至约150℃的温度烘烤(例如，涂布后烘烤(PAB)处理)约2分钟至约60分钟。
可以进一步在光刻胶材料层122上提供顶涂层TC。顶涂层TC可以用于在曝光过程中阻挡或减少不期望波长范围的光入射在光刻胶材料层122上。在一些实施方案中，顶涂层TC可以不包含化学式1的等离子体光吸收剂。在一些实施方案中，顶涂层TC可以不包含化学式2的等离子体光吸收剂。在一些实施方案中，可以省去顶涂层TC。
参照图4B，在光刻过程中将光刻胶材料层122曝光。例如，使用光刻曝光设备，具有预定掩模图案的图案化的光刻掩模(也称为光掩模)可以根据掩模图案选择性地曝光光刻胶材料层122。在此情况下使用的光可以是KrF准分子激光器的光，并且其主要波长可以是约248nm的波长。
光刻胶材料层122中包含的等离子体光吸收剂可以很好地透过第一波长范围的光，并且更特别地，约248nm的波长的光，因此可以不影响曝光过程。等离子体光吸收剂的组成在曝光过程期间可以不改变。
在曝光过程后，烘烤(例如，曝光后烘烤(PEB)处理)光刻胶材料层122。PEB过程可以在约80℃至约150℃的温度进行约40秒至约600秒。等离子体光吸收剂的组成在该PEB过程期间可以不改变。
然后，可以将光刻胶材料层122显影以获得第一掩模122b(由图案化光刻胶材料层122形成的光刻胶图案)。作为在显影过程中使用的显影剂，可以使用碱性水溶液，例如约0.1wt％至约10wt％的四甲基氢氧化铵(TMAH)的水溶液。显影可以是正色调显影。显影剂可以去除光刻胶在曝光过程期间曝光(例如暴露于KrF准分子激光器的DUV光)的部分，同时可以保留在曝光过程期间未曝光的部分以形成光刻胶图案。
任选地，有机显影剂，例如基于酮的溶剂、基于酯的溶剂、基于醇的溶剂、基于腈的溶剂、基于酰胺的溶剂、基于醚的溶剂、基于酰胺的溶剂或基于烃的溶剂可以用于显影过程。这些溶剂是本领域普通技术人员周知的，因此在本文中未列出其具体实例。当使用有机显影剂时，可以加入表面活性剂。表面活性剂不限于任何特定类型，并且例如，可以使用离子型或非离子型的基于氟和/或基于硅的表面活性剂。特别地，可以使用非离子型表面活性剂，并且具体地，可以使用非离子型的基于氟的表面活性剂或非离子型的基于硅的表面活性剂。当加入表面活性剂时，相对于有机显影剂的总重量，加入约0.0001wt％至约5wt％、约0.005wt％至约2wt％或约0.01wt％至约0.5wt％的表面活性剂。
显影过程可以基于已知的显影方法进行，例如将衬底在显影剂中浸渍一定时间的方法(浸渍法)，由于表面张力将显影剂固定在衬底的表面上并阻止移动一定时间的方法(桨式法)，将显影剂喷在衬底的表面上的方法(喷雾法)，和通过在以恒定速度旋转的衬底上以恒定速度扫描显影剂喷射喷嘴而连续喷射显影剂的方法(动态分配法)。
使用清洗液的清洗(或洗涤)过程可以通过已知的清洗方法进行。清洗方法可以包括例如在以恒定速度旋转的衬底上连续喷射清洗液的方法(旋涂法)，将衬底在清洗液中浸渍一定时间的方法(浸渍法)，或将清洗液喷在衬底的表面上的方法(喷雾法)。
在清洗过程中，可以将纯水(H2O)用于碱性显影剂，并且可以将含有有机溶剂的清洗液用于有机显影剂。
尽管图4B示出顶涂层图案TCb保留在第一掩模122b上，但是可以在显影和清洗过程后去除顶涂层图案TCb。
参照图4C，进行第一刻蚀过程以去除在第一焊盘区域WPA1和第二焊盘区域WPA2中的多晶硅层112、在多晶硅层112下方的第一覆盖层110以及在第一覆盖层110下方的牺牲层106和层间电介质层104。
第一刻蚀过程可以使用O2等离子体以约80W至约500W的功率进行。在此情况下，由O2等离子体发射的光也可以至少部分地照射到第一掩模122b上，并且可以被均匀地分散在第一掩模122b中的等离子体光吸收剂吸收。
图5A是示出由不含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物形成的掩模在刻蚀过程后的侧横截面图的图像，和图5B是示出由含有等离子体光吸收剂的光刻胶组合物形成的掩模在刻蚀过程后的侧横截面图的图像。
参照图5A，光刻胶组合物的顶面是粗糙的，并且由侧横截面图可以观察到多个气泡。据推断，气泡是氢气泡，并且其产生的原因在于由在刻蚀过程期间入射到光刻胶上的等离子体光触发了光化学反应。在侧横截面上的气泡可能造成在刻蚀过程中在下层中产生的图案的变形，因此可能是不期望的。
参照图5B，顶面是平的，并且在侧横截面上未观察到气泡。
再次参照图4C，由于第一刻蚀过程，可以在单元区域CA中形成第一多晶硅图案112a、初步串选择栅图案SGP和覆盖图案110'，并且可以在牺牲区域SA中形成第二多晶硅图案112b、在第二多晶硅图案112b下方的第一浮动图案FP1和在第一浮动图案FP1下方的第二浮动图案FP2。
由于第二多晶硅图案112b可以起到用于在后续台阶形成过程期间防止下层被刻蚀的刻蚀停止图案的作用，因此第二多晶硅图案112b在以下描述中称为刻蚀停止图案112b。
参照图4D，在单元区域CA、第一焊盘区域WPA1和牺牲区域SA上形成第二掩模124b。第二掩模124b可以由根据本文描述的实施方案中任一个的用于DUV光的光刻胶组合物形成，并且可以含有化学式1的化合物作为等离子体光吸收剂。可以通过如本文中别处描述的光刻过程将第二掩模124b图案化。可以在第二掩模124b上提供顶涂层TC2，并且顶涂层TC2可以不包含化学式1的等离子体光吸收剂。在一些实施方案中，可以省去顶涂层TC2。
用于DUV光的光刻胶组合物中包含的等离子体光吸收剂可以很好地透过第一波长范围的光，并且更特别地，约248nm的波长的光，因此可以不影响用于形成第二掩模124b的曝光过程。
参照图4E，通过在干法各向异性刻蚀过程期间使用第二掩模124b作为掩模去除对应于第二焊盘区域WPA2的上初步堆叠结构108H。然后也去除第二掩模124b(例如通过灰化过程)。因此，仅下初步堆叠结构108L可以存在于第二焊盘区域WPA2中。
由于应保留第二掩模124b以使得单元区域CA、第一焊盘区域WPA1和牺牲区域SA不暴露，直到完全去除对应于第二焊盘区域WPA2的上初步堆叠结构108H，因此第二掩模124b必须具有足够的厚度。当用作第二掩模124b的厚光刻胶材料层在曝光过程中过度吸收光时，可能无法获得高分辨图案。例如，在厚光刻胶材料层的曝光过程期间，当第二掩模124b过度吸收光时，由光刻胶材料的下部接收的光强度可能显著地不同于由光刻胶材料的上部接收的光强度(这可能导致光刻胶材料的下部和上部对后续显影的不同响应)。
各向异性刻蚀过程可以使用O2等离子体以约80W至约500W的功率进行。在此情况下，由O2等离子体发射的光也可以至少部分地照射至第二掩模124b，并且其中的至少一些可以被均匀地分散在第二掩模124b中的等离子体光吸收剂吸收。
参照图4F，形成第三掩模126b以覆盖单元区域CA的整体和第一焊盘区域WPA1的一部分L1，并且覆盖牺牲区域SA的整体和第二焊盘区域WPA2的一部分L2。
第三掩模126b的最厚部分可以具有约5微米(μm)至约15μm或约7μm至约12μm的厚度。
第三掩模126b可以由根据本文描述的实施方案中任一个的用于DUV光的光刻胶组合物形成，并且可以含有化学式1的化合物作为等离子体光吸收剂。可以在第三掩模126b上提供顶涂层TC3，并且顶涂层TC3可以不包含化学式1的等离子体光吸收剂。在一些实施方案中，可以省去顶涂层TC3。
用于DUV光的光刻胶组合物中包含的等离子体光吸收剂可以很好地透过第一波长范围的光，并且更特别地，具有约248nm的波长的光，因此可以不对用于形成第三掩模126b的曝光过程有不利影响。
被第三掩模126b覆盖的第一焊盘区域WPA1和第二焊盘区域WPA2的阻挡距离L1和L2可以等于或大于通过将要后续形成的台阶的暴露的水平长度乘以台阶的数量获得的值。例如，各阻挡距离L1和L2可以等于或大于在图4F中指示的阻挡距离的位置下方要后续形成的台阶的梯面部分的总和。
第一焊盘区域WPA1未被第三掩模126b覆盖的部分称为第一暴露区域EPA1，并且第二焊盘区域WPA2未被第三掩模126b覆盖的部分称为第二暴露区域EPA2。
参照图4G，进行形成台阶的刻蚀过程以形成分别在第一焊盘区域WPA1和第二焊盘区域WPA2中暴露的第一图案130d和130f。
形成台阶的刻蚀过程可以使用O2等离子体以约80W至约500W的功率进行。在此情况下，由O2等离子体发射的光也可以至少部分地照射到第三掩模126b上，并且可以被均匀地分散在第三掩模126b中的等离子体光吸收剂吸收。
第二刻蚀过程可以包括使用各向异性刻蚀过程去除分别在第一暴露区域EPA1和第二暴露区域EPA2中暴露的不同牺牲层106的部分和在这些牺牲层106的部分下方的层间电介质层104的部分的过程。各向同性刻蚀过程可以如本文所述地使用O2等离子体以约80W至约500W的功率进行。在各向同性刻蚀过程后，第三掩模126b的顶面和侧面可以基于各向同性刻蚀过程被部分去除(例如，共形地，如由图4G中的虚线表示的)。因此，在区域WPA1、SA和WPA2中分别形成第一图案130d、130e和130f，之后可以分别在第一焊盘区域WPA1和第二焊盘区域WPA2中暴露第一图案130d和130f的端部。第一图案130e与第一焊盘区域WPA1的第一图案130d分离，并且可以形成在牺牲区域SA中，并且分离的第一图案130e的侧面(在图4G的实例中的左侧面)可以与其上方的刻蚀停止图案112b的侧面垂直地对齐。
参照图4H，进行第三刻蚀过程，即台阶形成过程，以分别在第一图案130d、130e和130f下形成第二图案132d、132e和132f。图4H的形成台阶的刻蚀过程可以包括参照图4G描述的各向异性刻蚀过程然后是各向同性刻蚀过程，以对于第二图案132d、132e和132f实现类似结果。另外，可以去除第一图案130d和130f的暴露的端部。
由于第三刻蚀过程，分别在区域WPA1、SA和WPA2中的第一图案130d、130e和130f下方形成第二图案132d、132e和132f，同时，第一图案130d和130f以及第二图案132d和132f的端部可以形成为台阶形状，并且第二图案132d和132f的端部可以从第三掩模126b的下侧暴露。
第二图案132e可以与第一焊盘区域WPA1的第二图案132d分离，并且可以形成在牺牲区域SA中，并且与第一焊盘区域WPA1相邻的第二图案132e的侧面可以与其上的第一图案130e的侧面垂直地对齐(以及与刻蚀停止图案112b的侧面对齐)。
参照图4I，由于上述使用第三掩模126b的多个刻蚀过程(如本文中描述的台阶形成过程)，可以在第一焊盘区域WPA1和第二焊盘区域WPA2中形成第一图案130d和130f、第二图案132d和132f、第三图案134d和134f以及第四图案136d和136f。在牺牲区域SA中的第一至第四图案130e、132e、134e和136e与第一焊盘区域WPA1相邻的侧面可以垂直地对齐，因为不同于在第一焊盘区域WPA1和第二焊盘区域WPA2中，在牺牲区域SA中存在刻蚀停止图案112b，因此在刻蚀停止图案112b下方的第一至第四图案130e、132e、134e和136e在其形成后基本上免于被刻蚀。
在半导体器件的制造中可以进行另外的过程。例如，可以去除牺牲层106的剩余部分，所得到的在图案化的电介质层104之间形成的空间用其他材料填充。例如，每个空间可以依次用隧道绝缘层、电荷捕获层、栅绝缘层和导电电极(例如形成字线的栅极)填充。垂直半导体支柱可以通过该改进的堆叠结构在单元区域CA中的部分(例如，包括以阶梯-台阶构造形成的图案化的电介质层104和在它们之间形成的这些另外的层)形成，以形成存储单元晶体管的垂直延伸的NAND串，从而形成3D NAND(或垂直NAND)半导体器件。这样的另外的示例过程可以是常规的。
尽管上述方法涉及使用光刻胶组合物的具体实例，但是将明显的是，可以在本发明的范围内实施在半导体制造过程中的其他目标层的图案化。例如，尽管上述实例中的目标层包括多个子层(例如，牺牲层106和电介质层104)，但是在其他实例中可以将不同的目标层图案化(例如将单电介质层图案化，或例如将衬底如衬底102图案化)。另外，尽管本文中的实施方案描述的是具有特定透光率和吸光度性质的特定等离子体光吸收剂的使用，但是将了解，可以使用具有其他透光率和吸光度性质，例如对于不同于DUV的光刻光具有降低的透光率并且对于由不同于氧等离子体的等离子体发射的光具有增大的吸光度的其他等离子体光吸收剂。
尽管已经参照其实施方案具体地示出并描述了本发明构思，但是将理解，在不背离所附权利要求的精神和范围的情况下，本文可以进行各种在形式和细节方面的改变。

Claims (23)

1.一种用于深紫外(DUV)光的光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：
聚合物；
等离子体光吸收剂；和
有机溶剂，
其中所述聚合物被配置为在将所述光刻胶组合物暴露于DUV光时进行化学反应，
其中所述等离子体光吸收剂对在第一波长范围内的光的最大吸光度是所述等离子体光吸收剂对在第二波长范围内的光的最大吸光度的0.5倍以下，
其中所述第一波长范围是240nm至255nm，并且
其中所述第二波长范围是270nm至330nm。
2.权利要求1所述的光刻胶组合物，其中，相对于所述光刻胶组合物的总重量，所述等离子体光吸收剂的含量是1重量％(wt％)至5wt％。
3.权利要求1所述的光刻胶组合物，其中所述等离子体光吸收剂具有化学式1的结构：
[化学式1]
其中R1是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、羧基或-RI-COOH，其中RI是C1-C4亚烷基，并且
其中R2是醛基、其中RII是C1-C4亚烷基的-RII-CHO、羧基、其中RI是C1-C4亚烷基的-RI-COOH、胺、酰胺或者未取代或被C1-C4烷基或C2-C6酰基取代的丙烯酸基。
4.权利要求3所述的光刻胶组合物，其中R1是甲氧基或乙氧基。
5.权利要求4所述的光刻胶组合物，其中R2是醛基。
6.权利要求5所述的光刻胶组合物，其中所述等离子体光吸收剂具有化学式2的结构：
[化学式2]
7.权利要求1所述的光刻胶组合物，其中所述等离子体光吸收剂对所述第一波长范围的光的平均吸光度是所述等离子体光吸收剂对所述第二波长范围的光的平均吸光度的0.5倍以下。
8.一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：
聚合物；
光致生酸剂；
等离子体光吸收剂；和
有机溶剂，
其中所述等离子体光吸收剂具有化学式1的结构：
[化学式1]
其中R1是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、羧基或-RI-COOH，其中RI是C1-C4亚烷基，并且
其中R2是醛基、其中RII是C1-C4亚烷基的-RII-CHO、羧基、RI是C1-C4亚烷基的-RI-COOH、胺、酰胺或者未取代或被C1-C4烷基或C2-C6酰基取代的丙烯酸基。
9.权利要求8所述的光刻胶组合物，其中所述光致生酸剂的中心元素是硫或碘。
10.权利要求9所述的光刻胶组合物，其中所述光致生酸剂包含与所述中心元素键合的至少一个苯基或其衍生物。
11.权利要求10所述的光刻胶组合物，
其中所述中心元素是硫，并且
其中所述光致生酸剂具有化学式3或4的结构：
[化学式3]
[化学式4]
其中R3和R4中的每一个是取代或未取代的C1-C60烷基或烷氧基、羧基、其中RI是C1-C60亚烷基的-RI-COOH、取代或未取代的C2-C60烯基或炔基或者取代或未取代的C3-C60环烷基。
12.权利要求10所述的光刻胶组合物，
其中所述中心元素是碘，并且
其中所述光致生酸剂具有化学式5的结构：
[化学式5]
其中R3是取代或未取代的C1-C60烷基或烷氧基、羧基、其中RI是C1-C60亚烷基的-RI-COOH、取代或未取代的C2-C60烯基或炔基或者取代或未取代的C3-C60环烷基。
13.权利要求8所述的光刻胶组合物，其中，相对于所述光刻胶组合物的总重量，所述光致生酸剂的含量是1重量％(wt％)至10wt％。
14.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成目标层，所述目标层包括至少一个电介质层；
在所述目标层上形成用于深紫外(DUV)光的光刻胶组合物的层；
通过光掩模将所述用于DUV光的光刻胶组合物的层选择性地曝光于氟化氪(KrF)激光；
通过使曝光的所述光刻胶组合物的层显影来形成光刻胶图案；和
使用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述目标层在等离子体环境中图案化，
其中所述用于DUV光的光刻胶组合物包含能够至少部分地吸收在所述等离子体环境中发射的光的等离子体光吸收剂，并且
其中所述等离子体光吸收剂具有化学式1的结构：
[化学式1]
其中R1是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、羧基或-RI-COOH，RI是C1-C4亚烷基，并且
其中R2是醛基、其中RII是C1-C4亚烷基的-RII-CHO、羧基、RI是C1-C4亚烷基的-RI-COOH、胺、酰胺或者未取代或被C1-C4烷基或C2-C6酰基取代的丙烯酸基。
15.权利要求14所述的制造方法，其中所述等离子体光吸收剂均匀地分散在整个所述用于DUV光的光刻胶组合物的层中。
16.权利要求14所述的制造方法，所述制造方法还包括在所述曝光前，在所述用于DUV光的光刻胶组合物的层上形成顶涂层，
其中所述顶涂层不包含所述等离子体光吸收剂。
17.权利要求14所述的制造方法，其中所述用于DUV光的光刻胶组合物的层具有5微米(μm)至15μm的厚度。
18.权利要求14所述的制造方法，
其中所述等离子体光吸收剂对第一波长范围的光的最大透光率是所述等离子体光吸收剂对第二波长范围的光的最大透光率的1.1倍以上，
其中所述第一波长范围是240nm至255nm，并且
其中所述第二波长范围是270nm至330nm。
19.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
通过在包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域的衬底上交替且重复地堆叠多个层间电介质层和牺牲层，形成初步堆叠结构；
形成光刻胶掩模以覆盖所述第一区域的整体和所述第二区域的一部分；
通过使用所述光刻胶掩模作为刻蚀掩模进行刻蚀，去除第一对牺牲层和其下的层间电介质层的部分，形成第一图案；和
形成台阶图案，
其中所述形成台阶图案包括：
通过去除所述光刻胶掩模的侧面，暴露所述第一图案的端部的上表面；和
通过去除由所述第一图案暴露的第二对牺牲层和其下的层间电介质层，形成第二图案，
其中所述光刻胶掩模包含均匀地分散在整个所述光刻胶掩模中的化学式1的等离子体光吸收剂：
[化学式1]
其中R1是C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、羧基或-RI-COOH，其中RI是C1-C4亚烷基，并且
其中R2是醛基、其中RII是C1-C4亚烷基的-RII-CHO、羧基、其中RI是C1-C4亚烷基的-RI-COOH、胺、酰胺或者未取代或被C1-C4烷基或C2-C6酰基取代的丙烯酸基，并且
其中所述形成台阶图案的至少一部分在等离子体环境中进行。
20.权利要求19所述的方法，其中所述形成光刻胶掩模包括：
形成光刻胶材料层；
将所述光刻胶材料层曝光于深紫外(DUV)光；和
将所述光刻胶材料层显影。
21.权利要求19所述的方法，其中对于牺牲层和其下的层间电介质层的相应对，所述形成台阶图案重复进行至少两次。
22.权利要求19所述的方法，
其中所述暴露所述第一图案的端部包括各向同性地刻蚀所述光刻胶掩模，并且
其中所述形成第二图案包括使用所述光刻胶掩模作为刻蚀掩模各向异性地刻蚀。
23.权利要求19所述的方法，其中所述等离子体光吸收剂具有化学式2的结构：
[化学式2]
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