CN109553289B - 基板切割装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板切割装置，用于沿着介质的图案切割贴合基板，所述贴合基板包括第一基板、第二基板和介质，所述介质以预定图案设置于第一基板及第二基板之间，所述基板切割装置包括：激光束照射单元，其向所述介质的至少一部分照射激光束，使得所述介质的至少一部分变性；及，划片单元，其沿着所述介质的图案在由所述激光束照射单元移送的所述贴合基板上形成划线。

Description

基板切割装置
技术领域
本发明涉及一种基板切割装置，其用于切割基板。
背景技术
通常，用于平板显示器的液晶显示面板、有机电致发光显示器面板、无机电致发光显示器面板、透射投影基板、反射投影基板等使用单元玻璃面板，所述单元玻璃面板是通过将如玻璃等脆性母体玻璃面板切割成预定尺寸而获得。
母体玻璃面板是由第一基板及第二基板贴合形成的贴合基板。第一基板可以具备薄膜晶体管，第二基板可以具备滤色器。第一基板及第二基板将糊剂作为粘着剂贴合。第一基板及第二基板之间具备液晶及/或电子元件等。
将贴合基板切割为单元基板的工序包括：划片工序和裂片工序，所述划片工序是沿着假设的切割预定线按压并移动由如钻石等材料制成的划片轮来形成划线，而所述裂片工序是通过沿着划线按压贴合基板来切割贴合基板以获得单元基板。
并且，为了扩大液晶及/或电子元件等在贴合基板上实际所占的区域(有效区域)的大小，也可以考虑沿着形成在贴合基板之间的糊剂图案切割贴合基板的方案。此时，第一基板及第二基板上沿着糊剂图案形成有划线，由此，在贴合基板之间的硬化的糊剂与贴合基板一同被切割。
并且，糊剂可以贴附于形成在第一基板及第二基板内面的黑色矩阵。即，糊剂图案可以与形成于第一基板及第二基板内面的黑色矩阵的图案一致。
当糊剂贴附于黑色矩阵，贴合基板被切割时，糊剂及黑色矩阵应与贴合基板一同被切割。但是，存在着因黑色矩阵的材质、糊剂与黑色矩阵之间的粘着力而无法顺利切割贴合基板的问题。
这种问题不仅存在于切割在贴合基板之间具有糊剂及黑色矩阵的贴合基板时，也有可能存在于切割在贴合基板之间形成有保护膜、电极、有机膜、粘着剂、密封剂等物质(以下称为“介质”)的贴合基板时，并且根据介质的图案在贴合基板形成划线而切割贴合基板的过程中也可能产生。
【现有技术文献】
【专利文献】
韩国公开专利第10-2007-0070824号(2007.07.04)。
发明内容
为了解决上述现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种基板切割装置，沿着介质的图案轻松地切割贴合基板，所述贴合基板包括第一基板、第二基板、在第一基板及第二基板之间以预定图案形成的介质。
并且，本发明的另一目的在于提供一种基板切割装置，即使在不同种类的介质形成于第一基板及第二基板之间的情况下也能有效改性所述介质，以轻松切割贴合基板。
为了达到上述目的，本发明提供一种基板切割装置，用于沿着介质的图案切割贴合基板，所述贴合基板包括第一基板、第二基板和介质，所述介质以预定图案设置于第一基板及第二基板之间，其特点在于，所述基板切割装置包括：激光束照射单元，其向所述介质的至少一部分照射激光束，使得所述介质的至少一部分变性；及，划片单元，其沿着所述介质的图案在由所述激光束照射单元移送的所述贴合基板上形成划线。
所述激光束照射单元包括：激光束照射模块，其与所述贴合基板的第一面相向地设置，向所述介质照射激光束；及，基板支撑模块，其与贴合基板的第二面接触设置而支撑所述贴合基板。
所述基板支撑模块包括滚动部件，所述滚动部件与所述贴合基板的第二面接触而进行滚动运动。
所述激光束照射单元包括：第一移动模块，其将所述激光束照射模块向邻接于所述贴合基板的方向或向远离所述贴合基板的方向移动；及，第二移动模块，其将所述基板支撑模块向邻接于所述贴合基板的方向或向远离所述贴合基板的方向移动。
所述激光束照射单元还包括凹凸测量模块，所述凹凸测量模块用于测量所述贴合基板表面的凹凸，所述第一移动模块及第二移动模块沿着由所述凹凸测量模块测量的所述贴合基板表面的凹凸来分别移动所述激光束照射模块及所述基板支撑模块。
所述凹凸测量模块包括：发光部，其向所述贴合基板的表面射出光；受光部，其与所述发光部以预定间隔隔开，接收由所述发光部发出的且被所述贴合基板反射的光。
所述贴合基板内设置有多个介质，所述激光束照射单元用于照射分别与多个介质对应的种类的激光束。
所述激光束照射单元包括：多个激光源，其与所述激光束照射模块连接，并射出不同种类的激光束；及，光学装置，其与所述多个激光源连接，将所述多个激光源中的一个激光源射出的激光束传递至所述激光束照射模块。
所述划片单元在所述第一基板及所述第二基板上形成划线，使得所述介质的变性部分外露。
所述划片单元在外露的所述介质的变性部分形成划线。
发明效果
本发明实施例中的基板切割装置，通过向以预定图案设置于贴合基板之间的介质照射激光束来使得介质的至少一部分变性，沿着介质的图案在贴合基板形成划线来切割贴合基板。由此，易于贴合基板与设置于贴合基板之间的介质一同切割。
并且，本发明实施例中的基板切割装置，具备可以射出不同种类的激光束的多个激光源。由此，即使在贴合基板之间设置有不同种类的介质，也可以选择可以变性所述介质的激光束来照射至该介质，因此，可以有效地变性上述介质，易于切割贴合基板。
并且，本发明实施例中的基板切割装置，其激光束照射模块根据由凹凸测量模块测量的贴合基板表面的凹凸向Z轴方向移动，从而可以将激光束照射模块与贴合基板表面之间的间距均匀维持在预定间隔。由此，在贴合基板的表面上形成有凹凸的情况下，由激光束照射模块照射的激光束的斑点可以位于贴合基板之间介质内的准确位置上，由此，可以准确变性介质。从而，可以易于将贴合基板与设置于贴合基板之间的介质一同切割。
附图说明
图1为概略表示本发明第一实施例中的基板切割装置所切割的贴合基板的截面图。
图2为概略表示本发明第一实施例中的基板切割装置的示意图。
图3为概略表示本发明第一实施例中的基板切割装置的侧视图。
图4为概略表示本发明第一实施例中的基板切割装置所具备的激光束照射单元的示意图。
图5至图9为依次图示通过本发明第一实施例中的基板切割装置向介质照射激光束并在贴合基板形成划线的过程的示意图。
附图标记：
S：基板
10：介质
20：第一移送单元
30：激光束照射单元
40：第二移送单元
50：划片单元
60：第三移送单元
70：控制单元
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施例中的基板切割装置进行说明。
如图1所示，被本发明第一实施例中的基板切割装置所切割的对象是由第一基板S1及第二基板S2贴合而成的贴合基板S。例如，第一基板S1可以具备薄膜晶体管，第二基板S2可以具备滤色器。贴合基板S之间以预定图案设置有糊剂、黑色矩阵、保护膜、电极、有机膜、粘着剂、密封剂等多个介质10。第一基板S1及第二基板S2之间的间隔可以通过上述介质10来维持。在这里，多个介质10可以包括金属层及作为非金属层的树脂层。多个介质10可以具有各不同的特性。多个介质10可以反应于各不相同种类的激光。以下，为了便于说明，将贴合基板S简称为基板S，将外露于外部的第一基板S1的表面称为第一面，将外露于外部的第二基板S2的表面称为第二面。
例如，如图1所示，第一基板S1及第二基板S2的内面形成有作为第一介质11的黑色矩阵，在第一介质11之间形成有作为第二介质12的糊剂。但是，本发明中的第一介质11及第二介质12不限于其材质及设置形态。
并且，基板S之间设置有液晶及/或电子元件等，为了扩大基板S之间液晶及/或电子元件等所占的区域(有效区域)的大小，可以考虑沿着介质10的图案切割基板S的方法。
由此，本发明第一实施例提供了易于将介质10与基板S一同切割的基板切割装置。
并且，将欲执行基板切割工序的基板S要被移送的方向称为Y轴，将与基板S要被移送的方向(Y轴方向)垂直的方向称为X轴。并且，将垂直于基板S被放置的X-Y平面的方向称为Z轴方向。
如图1及图2所示，本发明实施例中的基板切割装置可以包括激光束照射单元30及划片单元50。并且，基板切割装置还包括：将基板S移送至激光束照射单元30的第一移送单元20；将基板S从激光束照射单元30移送至划片单元50的第二移送单元40；将基板S从划片单元50移送至后续工序的第三移送单元60。
激光束照射单元30的作用是向被第一移送单元20移送的基板S中的介质10的至少一部分照射激光束，使得介质10的至少一部分变性。当激光束照射于介质10，介质10将烧除。因此，当沿着介质10的图案切割基板S时，介质10容易被切割，随之基板S也容易地被切割。
如图2至图4所示，激光束照射单元30包括：向X轴方向延长的第一支撑台31；可向X轴方向移动地设置于第一支撑台31的激光束照射头32；在第一支撑台31下方与第一支撑台31平行地向X轴方向延长的第二支撑台33；可向X轴方向移动地设置于第二支撑台33的基板支撑头34。
第一支撑台31在X轴方向上具有多个激光束照射头32，第二支撑台33在X轴方向上具有多个基板支撑头34。第一支撑台31及第二支撑台33之间形成有用于基板S通过的空间。第一支撑台31及第二支撑台33可以分开形成，或者一体形成。
激光束照射头32及基板支撑头34可以在Z轴方向上相向设置。
并且，激光束照射单元30可以包括：设置于激光束照射头32的激光束照射模块35；通过光传递部件361与激光束照射模块35连接的光学装置362；与光学装置362连接的多个激光源363。
激光束照射模块35与基板S的第一面相向设置，向基板S内的介质10照射激光束。激光束照射模块35被激光束照射头32支撑，可与激光束照射头32一同移动。
光传递部361可由光纤等构成。
光学装置362可以具有一个以上的透镜，一个以上的透镜可以收敛及/或发散多个激光源363放出的激光束。并且，光学装置362可以具有一个以上的镜子，一个以上的镜子可以切换或阻拦从多个激光源363放出的激光束的光路径。并且，光学装置362可以根据需要包括光束扩展器、准直器等光学构件。
如上所述，光学装置362配置为从多个激光源363中某一个激光源363射出的激光束可以传递至激光束照射模块35。
图4图示了两个激光源363，但本发明并不限于此，也可以具有三个以上的激光源。激光源363的数量可以与要切割的多个介质10的数量一致。
多个激光源363可以射出分别对应于多个介质10的种类的激光束。例如，多个激光源363可以射出分别被多个介质10吸收的波长的激光束。作为多个激光源363的激光源，可以使用CO2激光、YAG激光、脉冲激光、飞秒激光、紫外线激光、红外线激光等各种激光源。
激光束照射模块35可向Z轴方向移动。作为一例，激光束照射模块35随着激光束照射头32向Z轴方向移动，可与激光束照射头32一同向Z轴方向移动。另一例，激光束照射模块35相对于激光束照射头32可以向Z轴方向移动。
随着激光束照射模块35向Z轴方向移动，从激光束照射模块35照射出的激光束的斑点的Z轴方向位置可能被调整。随着激光束的斑点的Z轴方向位置被调整，激光束可依次照射于第一介质11及第二介质12，由此，第一介质11及第二介质12可能依次被变性。在此过程中，激光源363可以发出分别对应于第一介质11及第二介质12的激光束。
基板支撑头34可以包括基板支撑模块39，所述基板支撑模块与基板S的第二面接触。基板支撑模块39通过滚动部件391执行支撑基板S的作用。滚动部件391在与基板S的第二面接触的状态下支撑基板S并进行滚动运动，从而减少与基板S之间的摩擦。例如，滚动部件391为球或辊。滚动部件391可以是柔性塑料、树脂等。
基板支撑模块39可以被基板支撑头34支撑而与基板支撑头34一同移动。
作为一例，基板支撑模块39可以随着基板支撑头34向Z轴方向移动与基板支撑头34一同向Z轴方向移动。另一例，基板支撑模块39相对于基板支撑头34向Z轴方向移动。
随着基板支撑模块39向基板S在Z轴方向上移动，滚动部件391可以与基板S接触。并且，在这种状态下，可以从激光束照射模块35向介质10照射激光束。如上所述，在由激光束照射模块35向介质10照射激光束的过程中，滚动部件391与基板S接触而稳定地支撑基板S。由此，激光束斑点可以位于介质10内的准确位置，介质10的至少一部分可以适当地变性。
再者，基板S向Y轴方向移动时，基板支撑模块39向Z轴方向下降，使得滚动部件391远离基板S。
根据情况，基板S的表面可以不保持平坦，而是有一定的凹凸。当基板S具有凹凸时，不仅基板S在Z轴方向上的位置发生变化，设置在基板S之间的介质10在Z轴方向上的位置也可能会发生变化。由此，在基板S具有凹凸的状态下，从激光束照射模块35照射出激光束时，会存在因为激光束的斑点并不位于介质10，导致介质10无法准确变性的问题。
由此，在本发明实施例中的基板切割装置的激光束照射单元30中，所述激光束照射单元的基板S被测量凹凸，根据基板S的凹凸来调整激光束照射模块35及基板支撑模块39在Z轴方向上的位置，从而使得激光束的斑点准确地位于介质10。
如图4所示，本发明实施例中的基板切割装置的激光束照射单元30包括：第一移动模块371，其设置于激光束照射头32，与激光束照射模块35连接，以向Z轴方向移动激光束照射模块35；第二移动模块372，其设置于基板支撑头34，与基板支撑模块39连接，以向Z轴方向移动基板支撑模块39；凹凸测量模块38，其用于测量基板S表面的凹凸。
并且，本发明实施例中的基板切割装置包括控制单元70，其根据由凹凸测量模块38测量的基板S的凹凸情况来控制第一移动模块371及第二移动模块372，从而调整激光束照射模块35及基板支撑模块39在Z轴方向上的位置。
第一移动模块371及第二移动模块372分别与激光束照射模块35及基板支撑模块39连接，用于将激光束照射模块35及基板支撑模块39向邻近基板S的方向及远离基板S的方向移动。作为第一移动模块371及第二移动模块372可以使用根据气压或油压运行的致动器、根据电磁相互作用运行的直线电机、或球杆装置等直线移动装置。
通过第一移动模块371，激光束照射模块35可以相对于激光束照射头32单独地向Z轴方向移动。通过激光束照射模块35在Z轴方向上的移动，从激光束照射模块35照射出的激光束的斑点在Z轴方向的位置可以被调整。
通过第二移动模块372，基板支撑模块39可以相对于基板支撑头34单独地向Z轴方向移动。通过基板支撑模块39在Z轴方向上的移动，基板支撑模块39的滚动部件391接触或远离基板S的第二面。
凹凸测量模块38可以设置于激光束照射头32。但，本发明并不限于此，凹凸测量模块38可以设置于基板支撑头34或也可以设置于激光束照射头32及基板支撑头34。另一例，如果凹凸测量模块38可以设置于激光束照射头32及基板支撑头34移动方向的先行侧来测量基板S的凹凸，则凹凸测量模块38可以设置于各种位置。
凹凸测量模块38实时测量与基板S的距离，通过与基板S的距离变化来测量基板S的凹凸。
凹凸测量模块38包括：发光部381，其向基板S的表面发出激光；受光部382，与发光部381具有预定距离，用于接收被基板S反射的光。上述凹凸测量模块38将电信号输出至控制单元70来测量与基板S的距离，所述电信号是根据由发光部381发光后被基板S反射的激光的成像位置形成。
如上所述，作为凹凸测量模块38可以使用不与基板S接触的非接触式距离传感器。但是，本发明并不限于此，如果可以测量基板S与凹凸测量模块38之间的距离，则凹凸测量模块38可以采用与基板S接触的接触式距离传感器。
另外，控制单元70以由凹凸测量模块38测量的从基板S表面的距离为准来控制第一移动模块371及第二移动模块372，对应于第一移动模块371及第二移动模块372与基板S的表面之间的距离变化，将激光束照射模块35及基板支撑模块39向Z轴方向移动。
由此，根据由凹凸测量模块38测量的激光束照射模块35与基板S的表面之间的距离变化，激光束照射模块可以向靠近基板S的方向及远离基板S的方向移动，因此可以将激光束照射模块35与基板S表面之间的间隔均匀保持在预定间隔。
在这里，预定间隔是从激光束照射模块35照射出的激光束的斑点位于介质10内的准确位置时的间隔。预定间隔可通过多次实验或者模拟来决定。
如上所述，根据由凹凸测量模块38测量的基板S表面的凹凸，激光束照射模块35向Z轴方向移动，从而可以将第一激光束照射模块35与基板S表面之间的间隔均匀保持在预定间隔。因此，即使基板S表面具有凹凸，由激光束照射模块35照射的激光束的斑点可以位于基板S之间介质10内的准确位置，从而可以准确变性介质10。也因此可易于将基板S与设置于基板S之间的介质10一同切割。
并且，基板支撑模块39可以根据由凹凸测量模块38测量的与基板S表面之间的距离变化而向朝向基板S的方向及远离基板S的方向移动，因此，基板支撑模块39的滚动部件391可以适当的加压力接触于基板S，稳定地支撑基板S。
如上所述，根据由凹凸测量模块38测量的基板S表面的凹凸，基板支撑模块39向Z轴方向移动。由此，即使在基板S表面具有凹凸的情况下，基板支撑模块39的滚动部件391也可以沿着基板S的凹凸向Z轴方向移动，稳定地支撑基板S。
如图2及图3所示，划片单元50在基板S的第一面及第二面向X轴方向分别形成划线。
划片单元50包括：向X轴方向延长的第一框体51；可向X轴移动地设置于第一框体51的第一划线头52；在第一框体51的下方与第一框体51平行地向X轴方向延长的第二框体53；可向X轴方向移动地设置于第二框体53的第二划线头54。
第一框体51上在X轴方向上设置有多个第一划线头52，第二框体53在X轴方向上设置有多个第二划线头54。第一框体51及第二框体53之间可以形成有供基板S通过的空间。第一框体51及第二框体53可以是单独构件，或者可以一体形成。
第一划线头52及第二划线头54可在Z轴方向上相向地设置。
第一划线头52及第二划线头54设置有用于维持划片轮551的划片轮支持部55。设置于第一划线头52的划片轮551与设置于第二划线头54的划片轮551在Z轴方向相互相向地设置。
一对划片轮551分别可以加压于基板S的第一面及第二面。一对划片轮551分别加压于基板S的第一面及第二面的状态下，第一划线头52及第二划线头54相对于基板S向X轴方向移动，从而基板S的第一面及第二面可以在X轴方向上形成划线。
另外，第一划线头52及第二划线头54分别可以相对于第一框体51及第二框体53向Z轴方向移动。为此，第一划线头52及第二划线头54、第一框体51及第二框体53之间可以具有通过气压或油压运行的致动器、根据电磁相互作用运行的直线电机或滚珠螺杆装置等直线移动设备。
第一划线头52及第二划线头54分别相对于第一框体51及第二框体53向Z轴方向移动，由此，一对划片轮551可以加压于基板S或远离基板S。并且，通过调整第一划线头52及第二划线头54向Z轴方向移动的程度，可以调整一对划片轮551加压于基板S的加压力。并且，通过第一划线头52及第二划线头54向Z轴方向移动，可以调整一对划片轮551对基板S的切割深度。
如图2及图3所示，第一移送单元20包括：多个传送带21，用于支撑基板S；第一把持部件22，用于把持被支撑在多个传送带21上的基板S的后行端；第一支撑杆23，其与第一把持部件22连接，并向X轴方向延长；第一导轨24，其与第一支撑杆23连接并向Y轴方向延长；
多个传送带21可以在X轴方向上相互隔开设置。各个传送带21被多个带轮211所支撑，多个带轮211中的至少一个是提供用于旋转传送带21的驱动力的驱动带轮。
第一支撑杆23与第一导轨24之间可以设置有通过气压或油压运行的致动器、根据电磁相互作用运行的直线电机或滚珠螺杆装置等直线移动设备。因此，在第一把持部件22把持基板S的状态下，第一支撑杆23通过直线移动设备向Y轴方向移动，基板S可以向Y轴方向移送。此时，多个传送带21随着第一把持部件22的移动一同旋转，从而可稳定地支撑基板S。
第一把持部件22可以是加压并维持基板S的夹具。另一例，第一把持部件22可以具备与真空源连接的真空孔来吸附基板S。
如图2及图3所示，第二移送单元40包括：支撑基板S的多个传送带41；用于把持被支撑在多个传送带41上的基板S的后行端的第二把持部件42；与第二把持部件42连接并向X轴方向延长的第二支撑杆43；与第二支撑杆43连接并向Y轴方向延长的第二导轨44；邻近于划片单元50设置而漂浮基板S或吸附支撑基板的第一板45。
多个传送带41可在X轴方向上相互隔开设置。各个传送带41被多个带轮411所支撑，多个带轮411中的至少一个可以是提供用于旋转传送带41的驱动力的驱动带轮。
第二支撑杆43与第二导轨44之间可以设置有通过气压或油压运行的致动器、根据电磁相互作用运行的直线电机或滚珠螺杆装置等直线移动设备。因此，在第二把持部件42把持基板S的状态下，第二支撑杆43通过直线移动设备向Y轴方向移动，基板S可以向Y轴方向移送。此时，多个传送带41随着第二把持部件42的移动一同旋转，从而可稳定地支撑基板S。
第二把持部件42可以是加压并维持基板S的夹具。另一例，第二把持部件42可以具备与真空源连接的真空孔来吸附基板S。
第一板45可以漂浮或吸附基板S。例如，第一板45的表面可以形成有可以与气体供应源及真空源连接的多个槽部。当气体从气体供应源供应至第一板45的多个槽部时，基板S可以从第一板45漂浮。并且，在真空源的作用下气体被吸入至第一板45的多个槽部时，基板S被第一板45吸附。
在基板S从第一板45漂浮的状态下，基板S可以与第一板45无摩擦地移动。并且，在基板S的第一面及第二面形成划线的过程中，基板S吸附并固定于第一板45。
如图2至图3所示，第三移送单元60包括：第二板65，其邻接于划片单元50设置而漂浮或吸附地支撑基板S；传送带61，其连接于第二板65；移动装置66，其用于在Y轴方向上往返移动第二板65及传送带61。移动装置66的作用是沿着向Y轴方向延长的导轨64在Y轴方向上往返移动第二板65及传送带61。作为移动装置66可以适用通过气压或油压运行的致动器、根据电磁相互作用运行的直线电机或滚珠螺杆装置等直线移动设备。
第二板65与传送带61可以一同向Y轴方向移动。即，第二板65与传送带61可以一同向平行于基板S被移送的方向(Y轴方向)移动。
通过划片单元50在基板S的第一面及第二面分别形成划线时，第二板65向第一板45移动，第一划线头52及第二划线头54可以位于第一板45与第二板65之间。通过划片单元50在基板S的第一面及第二面分别形成划线时，第二板65向第一板45移动，基板S被第一板45及第二板65所支撑。
传送带61可以是多个，多个传送带61可以在X轴方向上相互隔开设置。各个传送带61被多个带轮611所支撑，多个带轮611中至少一个可以是提供旋转传送带61的驱动力的驱动带轮。
第二板65可以漂浮或吸附基板S。例如，第二板65表面可以形成有与气体供应源及真空源连接的多个槽部。气体从气体供应源供应至第二板65的多个槽部时，基板S可以从第二板65漂浮。并且，在真空源作用下气体吸入至第二板65的多个槽部时，基板S可以吸附于第二板65。
在基板S被移送至第二板65的过程中，气体向第二板65的槽部供应，由此，基板S可以与第二板65无摩擦地进行移动。
在基板S的第一面及第二面形成划线的过程中，基板S被第二板65吸附而固定。
并且，在基板S的第一面及第二面分别形成划线，则基板S被吸附于第一板45及第二板65的状态下，第二板65移动而远离第一板45，从而使得基板S沿着划线被切割。
在基板S从第二板65移动至后续工序的过程中，气体供应至第二板65的槽部，由此，基板S可以与第二板65无摩擦地进行移动。
参照图5至图9，对本发明实施例中的基板切割装置的运行进行说明。
首先，激光束照射模块35与介质10的图案对齐设置，向介质10照射激光束。
这时，如图5所示，激光束照射模块35向Z轴方向移动，激光束的斑点P1位于第一介质11。此时，通过运行射出对应于多个激光源363中的第一介质11的种类的激光束的激光源363及光学装置362，向第一介质11照射激光束。由此，第一介质11的至少一部分受到激光束的光及热而变性。
由此，如图6所示，第一介质11内存在变性部分A1，变性部分A1与第一介质11的其他部分相比，具有相对容易切割的性质。
并且，如图6所示，激光束照射模块35向Z轴方向移动，激光束的斑点P2位于第二介质12。此时，通过运行射出对应于多个激光源363中的第二介质12的种类的激光束的激光源363及光学装置362，向第二介质12照射激光束。由此，第二介质12的至少一部分受到激光束的光及热而变性。
由此，如图7所示，第二介质12内存在变性部分A2，变性部分A2与第二介质12的其他部分相比，具有相对容易切割的性质。
并且，如图7所示，激光束照射模块35向Z轴方向移动，激光束的斑点P3位于第一介质11。此时，通过运行射出对应于多个激光源363中的第一介质11的种类的激光束的激光源363及光学装置362，向第一介质11照射激光束。由此，第一介质11的至少一部分受到激光束的光及热而变性。
由此，如图8所示，第一介质11内存在变性部分A3，变性部分A3与第一介质11的其他部分相比，具有相对容易切割的性质。
在上述过程中，基板支撑模块39的滚动部件391与基板S的第二面接触稳定地支撑基板S。由此，可以稳定执行使得多个介质10的至少一部分变性的过程。
并且，凹凸测量模块38实时测量基板S表面的凹凸，根据由凹凸测量模块38测量的基板S表面的凹凸，激光束照射模块35与基板支撑模块39向Z轴方向移动。因此，即使在基板S的表面形成有凹凸的情况下，由激光束照射模块35照射的激光束的斑点也可以位于基板S之间的介质10内的准确的位置，从而可以稳定地支撑基板S。
并且，本发明实施例说明了多个介质10向垂直方向(Z轴方向)设置，激光束照射模块35向垂直方向移动的同时，激光束的斑点P1、P2、P3向垂直方向移动的过程。但是，本发明并不限于此，可以是多个介质10以水平方向(X轴方向及/或Y轴方向)设置，激光束照射模块35向水平方向移动，并且激光束的斑点向水平方向移动。在此过程中，分别对应于多个介质10的种类的激光束照射至激光束的斑点。
激光束照射模块35及基板支撑模块39在X轴方向上的移动可以通过激光束照射头32及基板支撑头34沿着第一支撑台31及第二支撑台33向X轴方向移动来执行。并且，激光束照射模块35及基板支撑模块39在Y轴方向上的移动可以通过激光束照射模块35及基板支撑模块39相对于基板S的移动而执行，所述激光束照射模块35及基板支撑模块39相对于基板S的移动是根据基板S通过第一移送单元20的向Y轴方向的移动而执行。当然，第一支撑台31及第二支撑台33可以在Y轴方向上移动，这时，激光束照射模块35及基板支撑模块39在Y轴方向上的移动是通过第一支撑台31及第二支撑台33在Y轴方向上的移动而执行。
当激光束照射模块35向水平方向移动时，基板支撑模块39可以与激光束照射模块35一同向水平方向移动，由此，基板支撑模块39的滚动部件391在与基板S的第二面接触的状态稳定地支撑基板S。由此，可以稳定支撑使得多个介质10的至少一部分变性的过程。
如上，介质10的至少一部分改性后，如图8所示，对应于介质10的变性部分A1、A2、A3地将划片轮551加压于基板S，在基板S形成划线。这种划线是根据划片轮551的加压力在基板S内形成的裂痕C。由此，基板S可以沿着划线切割。
如上所述，在介质10受到介质10的变性部分A1、A2、A3的影响变脆弱的状态下在基板S上形成划线，因此，即可切割基板S。作为另一例，在介质10变性，基板S上形成划线的状态下，基板S也可以在移送至裂片工序后被切割。
另一例，如图9所示，还可以增加以下过程：在介质10变性、基板S上形成划线的状态下，在介质10的改性部分A1、A2、A3***划片轮551而在介质10的改性部分A1、A2、A3形成划线。即，第一划线头52及第二划线头54向Z轴方向移动的同时，在第一介质11及第二介质12依次形成划线。由此，通过形成于第一介质11及第二介质12的划线可轻松切割第一介质11及第二介质12。
为了使得划片轮551容易到达介质10，在基板S形成划线的过程中，第一划线头52上的第一划片轮及第二划线头54上的第二划片轮可以通过在贴合基板S形成划线而使得介质10的变性部分A1、A2、A3暴露于外部。
如上所述，不仅在贴合基板S形成划线，在介质10也会形成划线，因此，基板S更容易切割。
如本发明实施例，在基板S之间设置有多个介质10时，激光束照射模块35向Z轴方向移动，并依次照射分别对应于第一介质11及第二介质12的种类的激光束。
本发明实施例中的基板切割装置，将分别对应于多个介质10的种类的激光束照射至多个介质10，使得至少一部分介质10变性，沿着介质10的图案在基板S形成划线，从而切割基板，所述多个介质10以预定图案设置于基板S之间。
虽然示例说明了本发明的优选实施例，然而本发明的范围并不限于这样的特定实施例，可在权利要求书所记载的范围内进行适当变更。

Claims (6)

1.一种基板切割装置，用于沿着介质的图案切割贴合基板，所述贴合基板包括第一基板、第二基板和介质，所述介质以预定图案设置于所述第一基板及所述第二基板之间，其特征在于，所述基板切割装置包括：
激光束照射单元，其向所述介质的至少一部分照射激光束，使得所述介质的至少一部分变性；及
划片单元，其沿着所述介质的图案在从所述激光束照射单元移送的所述贴合基板上形成划线；
其中，所述激光束照射单元包括：
激光束照射模块，其与所述贴合基板的第一面相向地设置，向所述介质照射激光束；
基板支撑模块，其与贴合基板的第二面接触设置而支撑所述贴合基板；
所述基板支撑模块包括滚动部件，所述滚动部件与所述贴合基板的第二面接触而进行滚动运动；
第一移动模块，其将所述激光束照射模块向邻接于所述贴合基板的方向或向远离所述贴合基板的方向移动；
第二移动模块，其将所述基板支撑模块向邻接于所述贴合基板的方向或向远离所述贴合基板的方向移动；
凹凸测量模块，所述凹凸测量模块用于测量所述贴合基板表面的凹凸；
所述第一移动模块及第二移动模块沿着由所述凹凸测量模块测量的所述贴合基板的表面的凹凸来分别移动所述激光束照射模块及所述基板支撑模块。
2.根据权利要求1所述的基板切割装置，其特征在于，所述凹凸测量模块包括：发光部，其向所述贴合基板的表面射出光；受光部，其与所述发光部以预定间隔隔开，接收由所述发光部发出的且被所述贴合基板反射的光。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的基板切割装置，其特征在于，所述贴合基板内设置有多个介质，所述激光束照射单元用于照射分别与多个介质对应的种类的激光束。
4.根据权利要求3所述的基板切割装置，其特征在于，所述激光束照射单元包括：
多个激光源，其与所述激光束照射模块连接，并射出不同种类的激光束；及
光学装置，其与所述多个激光源连接，将所述多个激光源中的一个激光源射出的激光束传递至所述激光束照射模块。
5.根据权利要求1所述的基板切割装置，其特征在于，所述划片单元在所述第一基板及所述第二基板上形成划线，使得所述介质的变性部分外露。
6.根据权利要求5所述的基板切割装置，其特征在于，所述划片单元在外露的所述介质的变性部分形成划线。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102341796B1 (ko) * 2020-01-29 2021-12-21 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
KR102589334B1 (ko) * 2021-10-12 2023-10-16 (주)하나기술 절단성이 개선된 초박막 유리 절단 장치 및 이를 이용한 절단 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002144067A (ja) * 2000-10-21 2002-05-21 Samsung Electronics Co Ltd レーザビームを利用した非メタル基板の切断方法及び装置
CN101031383A (zh) * 2004-05-11 2007-09-05 塔工程有限公司 非金属基板切割设备及其方法
CN101844275A (zh) * 2009-03-25 2010-09-29 三星移动显示器株式会社 基板切割方法
CN103079747A (zh) * 2010-07-12 2013-05-01 费拉瑟美国有限公司 由激光成丝作用进行材料处理的方法
CN103567630A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 三星钻石工业股份有限公司 贴合基板的加工方法及加工装置
CN105481236A (zh) * 2014-07-14 2016-04-13 康宁股份有限公司 用于切割叠层结构的***和方法
CN107117803A (zh) * 2016-12-01 2017-09-01 塔工程有限公司 划片设备及划片方法
CN107117807A (zh) * 2016-12-01 2017-09-01 塔工程有限公司 划片设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002172479A (ja) * 2000-09-20 2002-06-18 Seiko Epson Corp レーザ割断方法、レーザ割断装置、液晶装置の製造方法並びに液晶装置の製造装置
KR101096733B1 (ko) * 2004-12-27 2011-12-21 엘지디스플레이 주식회사 기판의 절단장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법
KR100753162B1 (ko) 2005-12-29 2007-08-30 주식회사 탑 엔지니어링 모터의 포지션 에러를 이용한 기판 위치 검출 방법 및 이를이용한 스크라이버
KR101010787B1 (ko) * 2007-11-14 2011-01-25 배응준 변위감응기를 이용한 스크라이빙 방법 및 장치
KR101770836B1 (ko) * 2009-08-11 2017-08-23 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법
JP2012025068A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Kitaoka Tekkosho:Kk 脆性材料の割断装置および割断方法
KR101949159B1 (ko) * 2012-04-05 2019-02-18 주식회사 탑 엔지니어링 스크라이브 장치, 기판 절단 장치 및, 기판 스크라이브 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002144067A (ja) * 2000-10-21 2002-05-21 Samsung Electronics Co Ltd レーザビームを利用した非メタル基板の切断方法及び装置
CN101031383A (zh) * 2004-05-11 2007-09-05 塔工程有限公司 非金属基板切割设备及其方法
CN101844275A (zh) * 2009-03-25 2010-09-29 三星移动显示器株式会社 基板切割方法
CN103079747A (zh) * 2010-07-12 2013-05-01 费拉瑟美国有限公司 由激光成丝作用进行材料处理的方法
CN103567630A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 三星钻石工业股份有限公司 贴合基板的加工方法及加工装置
CN105481236A (zh) * 2014-07-14 2016-04-13 康宁股份有限公司 用于切割叠层结构的***和方法
CN107117803A (zh) * 2016-12-01 2017-09-01 塔工程有限公司 划片设备及划片方法
CN107117807A (zh) * 2016-12-01 2017-09-01 塔工程有限公司 划片设备

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