CN109548209B - 一种专用于传感电磁炉的电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及烹饪加热设备领域，公开了一种专用于传感电磁炉的电路。通过本发明创造，可提供一种能够降低电路复杂度以及减小“竞争冒险”风险的新型传感电磁炉电路，即通过设计逻辑电路单元，可以将来自主控制电路单元的一路PWM信号转换为两路同步且电平互反的驱动信号，并通过IGBT半桥驱动电路的同步放大作用，可以对IGBT半桥电路单元中的上部晶体管和下部晶体管进行互反地通断控制，进而不但可以降低电路复杂度，还可以有效规避在互反通断过程中出现“竞争冒险”的风险，确保最终在涡流线圈中能够稳定地产生封闭磁场力。此外，所述电路还具有可防止电流冲击、自动散热降温、成本低廉和易于实现等优点，便于实际推广和应用。
Description
技术领域
本发明属于烹饪加热设备领域，具体涉及一种专用于传感电磁炉的电路。
背景技术
传感电磁炉是一种类似电磁炉的高频传感加热设备(其工作频率一般为音频，因而不会在使用时产生对人体有害的电磁波宽带)，由于其可脱离接触烹饪器皿0～3.5cm并实现高效加热目的，因此可安装在厨房案板或餐桌板的底面，使板面整洁美观和易于清洁，受到消费者的普遍欢迎。在现有传感电磁炉的内部主板中，普遍是通过主控单元来产生分别用于控制半桥电路中上部晶体管和下部晶体管通断的且电平互反的两PWM信号，以便使电性并联上部晶体管的集电-发射极两端的涡流线圈间断地产生无数具有较强穿透特性的封闭磁场力，最后利用这些封闭磁场力在导磁体(例如铁质锅)的底部产生无数小涡流，进而使锅体自行高速发热并加热锅内食物。但是针对两路电平互反的PWM信号，需要分别配置信号驱动支路，不但增加了电路结构的复杂度，还可能存在因不同路径时延而导致在上部晶体管和下部晶体管的互反通断过程中出现“竞争冒险”风险，影响封闭磁场力的产生。
发明内容
为了解决现有传感电磁炉电路所存在的复杂度高以及易“竞争冒险”的问题，本发明目的在于提供一种专用于传感电磁炉的电路。
本发明所采用的技术方案为：
一种专用于传感电磁炉的电路，包括市电插接件、EMI滤波电路单元、整流桥电路单元、开关电源电路单元、IGBT半桥电路单元、IGBT半桥驱动电路单元、逻辑电路单元、主控制电路单元和涡流线圈，其中，所述逻辑电路单元包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一与门、第二与门、第三与门、第四与门、第一三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻，所述IGBT半桥电路单元包括第一IGBT晶体管、第二IGBT晶体管、第一电感、第一电容、第二电容和第三电容；
所述主控制电路单元的PWM信号输入端分别电连接所述第一二极管的阴极、所述第二二极管的阳极、所述第二与门的第一输入端和所述第三二极管的阳极，所述第一二极管的阳极分别电连接所述第二二极管的阴极和所述第一与门的输入端，所述第一与门的输出端分别电连接所述第二与门的第一输入端和所述第四二极管的阳极，所述第二与门的输出端电连接所述第三与门的第一输入端，所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阴极分别电连接第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端分别电连接所述第二电阻的一端和所述第一三极管的基极，所述第一三极管的集电极分别电连接所述第三电阻的一端和所述第四与门的第二输入端；
所述主控制电路单元的使能信号输入端通过所述第四电阻分别电连接所述第五电阻的一端、所述第三与门的第二输入端和所述第四与门的第一输入端，所述第三与门的输出端通过第六电阻电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第一脉冲信号输出端，所述第四与门的输出端通过第七电阻电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第二脉冲信号输出端，所述第三电阻的另一端和所述第五电阻的另一端分别电连接第一高电平电位，所述第二电阻的另一端和所述第一三极管的发射极分别接地；
所述IGBT半桥驱动电路单元的第一驱动信号输出端电连接所述第一IGBT晶体管的门极，所述IGBT半桥驱动电路单元的第二驱动信号输出端电连接所述第二IGBT晶体管的门极，所述第一IGBT晶体管的集电极分别电连接所述整流桥电路单元的高电位输出端、所述第一电容的一端、所述第三电容的一端和所述涡流线圈的一端，所述第一IGBT晶体管的发射极分别电连接所述第二IGBT晶体管的集电极、所述第一电感的一端和所述涡流线圈的另一端，所述第一电感的另一端分别电连接所述第一电容的另一端和所述第二电容的一端，所述第二IGBT晶体管的发射极、所述第二电容的另一端和所述第三电容的另一端分别接地；
所述市电插接件、所述EMI滤波电路单元和所述整流桥电路单元依次电连接，所述整流桥电路单元的高电位输出端电连接所述开关电源电路单元。
优化的，还包括电流检测电路单元和防电流冲击电路单元，其中，所述电流检测电路单元包括型号为ACS712的电流检测芯片、第四电容、第八电阻和第九电阻，所述防电流冲击电路单元包括第一光耦合器、第二三极管、第五二极管、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻和第一继电器；
所述电流检测芯片的引脚1和2分别电连接所述第三电容的另一端，所述电流检测芯片的引脚3和4分别电连接所述整流桥电路单元的低电位输出端,所述电流检测芯片的引脚5接地，所述电流检测芯片的引脚6通过所述第四电容接地，所述电流检测芯片的引脚7分别电连接所述第八电阻的一端和所述第九电阻的一端，所述电流检测芯片的引脚8电连接第一高电平电位，所述第八电阻的另一端接地，所述第九电阻的另一端电连接所述主控制电路单元的第一检测信号输入端；
所述主控制电路单元的第一控制信号输出端电连接所述第一光耦合器的发光源阴极，所述第一光耦合器的发光源阳极电连接第一高电平电位，所述第一光耦合器的受光器正极分别电连接第二高电平电位和所述第十电阻的一端，所述第一光耦合器的受光器负极分别电连接所述第十一电阻的一端，所述第十电阻的另一端分别电连接所述第一继电器的线圈支路一端和所述第五二极管的阴极，所述第一继电器的线圈支路另一端分别电连接所述第五二极管的阳极和所述第二三极管的集电极，所述第十一电阻的另一端分别电连接所述第二三极管的基极和所述第十二电阻的一端，所述第二三极管的发射极和所述第十二电阻的另一端分别接地；
所述第一继电器的开关支路与所述第十三电阻并联且串联在位于所述EMI滤波电路单元与所述整流桥电路单元之间的零线上。
优化的，还包括温度检测电路单元、风扇驱动电路单元和风扇，其中，所述温度检测电路单元包括用于布置在所述IGBT半桥电路单元中的第一NTC电阻、用于布置在所述涡流线圈正下方的第二NTC电阻、第十四电阻、第十五电阻、第六二极管和第七二极管，所述风扇驱动电路单元包括第二光耦合器、第十六电阻、第十七电阻、第一场效应管和第八二极管；
所述第一NTC电阻的一端电连接第一高电平电位，所述第一NTC电阻的另一端分别电连接所述第十四电阻的一端和所述第六二极管的阳极，所述第二NTC电阻的一端电连接第一高电平电位，所述第二NTC电阻的另一端分别电连接所述第十五电阻的一端和所述第七二极管的阳极，所述第十四电阻的另一端和所述第十五电阻的另一端分别接地，所述第六二极管的阴极和所述第七二极管的阴极分别电连接所述主控制电路单元的第二检测信号输入端；
所述主控制电路单元的第二控制信号输出端电连接所述第二光耦合器的发光源阴极，所述第二光耦合器的发光源阳极电连接第一高电平电位，所述第二光耦合器的受光器正极电连接第三高电平电位，所述第二光耦合器的受光器负极电连接所述第十六电阻的一端，所述第十六电阻的另一端分别电连接所述第十七电阻的一端和所述第一场效应管的栅极，所述第一场效应管的漏极电连接所述第八二极管的阳极，所述第八二极管的阴极电连接第三高电平电位，所述第十七电阻的另一端和所述第一场效应管的源极分别接地，所述第八二极管与所述风扇电性并联。
进一步具体的，所述风扇包括用于布置在所述IGBT半桥电路单元正下方的第一风扇和用于布置在所述涡流线圈正下方的第二风扇。
优化的，还包括电压检测电路单元，其中，所述电压检测电路单元包括第十八电阻、第十九电阻、第二十电阻和第三光耦合器；所述第十八电阻的一端电连接所述整流桥电路单元的高电位输出端，所述第十八电阻的另一端电连接所述第三光耦合器的发光源阳极，所述第三光耦合器的发光源阴极接地，所述第三光耦合器的受光器正极电连接第一高电平电位，所述第三光耦合器的受光器负极分别电连接所述第十九电阻的一端和所述第二十电阻的一端，所述第十九电阻的另一端接地，所述第二十电阻的另一端电连接所述主控制电路单元的第三检测信号输入端。具体的，所述第十八电阻由多个电阻电性串联而成。
优化的，还包括电连接所述主控制电路单元的控制面板电路单元和/或线控器主板电路单元。
具体的，所述主控制电路单元采用型号为STC11Fxx DIP/SoP-20的单片机芯片及其***电路。
具体的，所述IGBT半桥驱动电路单元采用型号为IR22141的半桥驱动芯片及其***电路。
具体的，所述第一与门、所述第二与门、所述第三与门和所述第四与门集成在型号为74LS08的四与门集成芯片中。
本发明的有益效果为：
(1)本发明创造提供了一种能够降低电路复杂度以及减小“竞争冒险”风险的新型传感电磁炉电路，即通过设计逻辑电路单元，可以将来自主控制电路单元的一路PWM信号转换为两路同步且电平互反的驱动信号，并通过IGBT半桥驱动电路的同步放大作用，可以对IGBT半桥电路单元中的上部晶体管和下部晶体管进行互反地通断控制，进而不但可以降低电路复杂度，还可以有效规避在互反通断过程中出现“竞争冒险”的风险，确保最终在涡流线圈中能够稳定地产生封闭磁场力；
(2)所述电路还具有可防止电流冲击、自动散热降温、成本低廉和易于实现等优点，便于实际推广和应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的专用于传感电磁炉的电路原理结构示意图。
图2是本发明提供的第一部分的具体电路图。
图3是本发明提供的第二部分的具体电路图。
图4是本发明提供的第三部分的具体电路图。
图5是本发明提供的主要信号波形的示例图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步阐述。在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，单独存在B，同时存在A和B三种情况，本文中术语“/和”是描述另一种关联对象关系，表示可以存在两种关系，例如，A/和B，可以表示：单独存在A，单独存在A和B两种情况，另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”关系。
实施例一
如图1～5所示，本实施例提供的所述专用于传感电磁炉的电路，包括市电插接件、EMI滤波电路单元、整流桥电路单元、开关电源电路单元、IGBT半桥电路单元、IGBT半桥驱动电路单元、逻辑电路单元、主控制电路单元和涡流线圈，其中，所述逻辑电路单元包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一与门AND1、第二与门AND2、第三与门AND3、第四与门AND4、第一三极管BJT1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7，所述IGBT半桥电路单元包括第一IGBT晶体管IBGT1、第二IGBT晶体管IGBT2、第一电感L1、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3。
所述主控制电路单元的PWM信号输入端PWM分别电连接所述第一二极管D1的阴极、所述第二二极管D2的阳极、所述第二与门AND2的第一输入端和所述第三二极管D3的阳极，所述第一二极管D1的阳极分别电连接所述第二二极管D的阴极和所述第一与门AND的输入端，所述第一与门AND1的输出端分别电连接所述第二与门AND2的第一输入端和所述第四二极管D4的阳极，所述第二与门AND2的输出端电连接所述第三与门AND3的第一输入端，所述第三二极管D3的阴极和所述第四二极管D4的阴极分别电连接第一电阻R1的一端，所述第一电阻R1的另一端分别电连接所述第二电阻R2的一端和所述第一三极管BJT1的基极，所述第一三极管BJT1的集电极分别电连接所述第三电阻R3的一端和所述第四与门AND4的第二输入端。
所述主控制电路单元的使能信号输入端ENABLE通过所述第四电阻R4分别电连接所述第五电阻R5的一端、所述第三与门AND3的第二输入端和所述第四与门AND3的第一输入端，所述第三与门AND3的输出端通过第六电阻R6电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第一脉冲信号输出端INHS+，所述第四与门AND4的输出端通过第七电阻R7电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第二脉冲信号输出端INLS+，所述第三电阻R3的另一端和所述第五电阻R5的另一端分别电连接第一高电平电位5V，所述第二电阻R2的另一端和所述第一三极管BJT1的发射极分别接地。
所述IGBT半桥驱动电路单元的第一驱动信号输出端IGBT_H电连接所述第一IGBT晶体管IBGT1的门极，所述IGBT半桥驱动电路单元的第二驱动信号输出端IGBT_L电连接所述第二IGBT晶体管IBGT2的门极，所述第一IGBT晶体管IBGT1的集电极分别电连接所述整流桥电路单元的高电位输出端HV+/VBUS、所述第一电容C1的一端、所述第三电容C3的一端和所述涡流线圈的一端，所述第一IGBT晶体管IBGT1的发射极分别电连接所述第二IGBT晶体管IBGT2的集电极、所述第一电感L1的一端VHS和所述涡流线圈的另一端，所述第一电感L1的另一端分别电连接所述第一电容C1的另一端和所述第二电容C2的一端，所述第二IGBT晶体管IBGT2的发射极、所述第二电容的另一端和所述第三电容C3的另一端分别接地。
所述市电插接件、所述EMI滤波电路单元和所述整流桥电路单元依次电连接，所述整流桥电路单元的高电位输出端HV+/VBUS电连接所述开关电源电路单元。
如图1～5所示，在所述专用于传感电磁炉的具体电路中，所述市电插接件用于导入外部交流市电。所述EMI(Electro Magnetic Interference，电磁干扰)滤波电路单元用于实现电磁干扰滤波，滤除高频杂散信号，其采用如图2所示的现有电路实现。所述整流桥电路单元用于将交流电整理为直流电，其也可采用如图2所示的现有电路实现。所述开关电源电路单元用于将直流电压转换为多级不同稳定电压，例如5V、15V和18V的高电平电位等，以便为其他电路单元提供电能支持，其可采用如图4所述的现有电路实现。所述IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)半桥电路单元同于周期性控制所述涡流线圈的供电支路通断情况，以便使所述涡流线圈间断地产生封闭磁场力。所述主控制电路单元用于输出稳定的PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制)信号以及使能信号，其可以但不限于采用型号为STC11Fxx DIP/SoP-20的单片机芯片及其***电路。所述逻辑电路单元用于实现如图5所示的控制逻辑，即将来自所述主控制电路单元的一路PWM信号转换为两路同步且电平互反的驱动信号，其中的所述第一与门AND1、所述第二与门AND2、所述第三与门AND3和所述第四与门AND4可以但不限于集成在型号为74LS08的四与门集成芯片中。所述IGBT半桥驱动电路单元用于对两路驱动信号进行同步放大，进而实现对所述IGBT半桥电路单元中的上部晶体管和下部晶体管进行互反地通断控制目的，其可以但不限于采用如图3所示的型号为IR22141的半桥驱动芯片及其***电路或其它现有电路实现。由此通过前述电路结构，不但可以降低电路复杂度，还可以有效规避在互反通断过程中出现“竞争冒险”的风险，确保最终在涡流线圈中能够稳定地产生封闭磁场力。
优化的，还包括电流检测电路单元和防电流冲击电路单元，其中，所述电流检测电路单元包括型号为ACS712的电流检测芯片U3、第四电容C4、第八电阻R8和第九电阻R9，所述防电流冲击电路单元包括第一光耦合器GOQ1、第二三极管BJT2、第五二极管D5、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13和第一继电器JDQ1。
所述电流检测芯片U3的引脚1和2(AMP+)分别电连接所述第三电容C3的另一端，所述电流检测芯片U3的引脚3和4(AMP-)分别电连接所述整流桥电路单元的低电位输出端HV-,所述电流检测芯片U3的引脚5接地，所述电流检测芯片U3的引脚6通过所述第四电容C4接地，所述电流检测芯片U3的引脚7分别电连接所述第八电阻R8的一端和所述第九电阻R9的一端，所述电流检测芯片U3的引脚8电连接第一高电平电位5V，所述第八电阻R8的另一端接地，所述第九电阻R9的另一端电连接所述主控制电路单元的第一检测信号输入端I_sensor。
所述主控制电路单元的第一控制信号输出端Relay电连接所述第一光耦合器GOQ1的发光源阴极，所述第一光耦合器GOQ1的发光源阳极电连接第一高电平电位5V，所述第一光耦合器GOQ1的受光器正极分别电连接第二高电平电位15V和所述第十电阻R10的一端，所述第一光耦合器GOQ1的受光器负极分别电连接所述第十一电阻R11的一端，所述第十电阻R10的另一端分别电连接所述第一继电器JDQ1的线圈支路一端和所述第五二极管D5的阴极，所述第一继电器JDQ1的线圈支路另一端分别电连接所述第五二极管D5的阳极和所述第二三极管BJT2的集电极，所述第十一电阻R11的另一端分别电连接所述第二三极管BJT2的基极和所述第十二电阻R12的一端，所述第二三极管BJT2的发射极和所述第十二电阻R12的另一端分别接地。
所述第一继电器JDQ1的开关支路与所述第十三电阻R13并联且串联在位于所述EMI滤波电路单元与所述整流桥电路单元之间的零线N上。
如图1和2所示，所述电流检测电路单元用于检测所述整流桥电路单元的输出直流大小，以便所述主控制电路单元基于现有程序判断是否出现冲击电流。所述防电流冲击电路单元用于在所述主控制电路单元的控制下，一旦发现存在冲击电流，立即截止所述第一继电器JDQ1的线圈支路，使所述第一继电器JDQ1的开关支路断开，进而通过提升限流电阻的方式限制在所述整流桥电路单元的输出端出现冲击电流。
优化的，还包括温度检测电路单元、风扇驱动电路单元和风扇，其中，所述温度检测电路单元包括用于布置在所述IGBT半桥电路单元中的第一NTC电阻NTC1、用于布置在所述涡流线圈正下方的第二NTC电阻NTC2、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第六二极管D6和第七二极管D7，所述风扇驱动电路单元包括第二光耦合器GOQ2、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第一场效应管JFET1和第八二极管D8。
所述第一NTC电阻NTC1的一端电连接第一高电平电位5V，所述第一NTC电阻NTC1的另一端分别电连接所述第十四电阻R14的一端和所述第六二极管D6的阳极，所述第二NTC电阻NTC2的一端电连接第一高电平电位5V，所述第二NTC电阻NTC2的另一端分别电连接所述第十五电阻R15的一端和所述第七二极管D7的阳极，所述第十四电阻R14的另一端和所述第十五电阻R15的另一端分别接地，所述第六二极管D6的阴极和所述第七二极管D7的阴极分别电连接所述主控制电路单元的第二检测信号输入端NTC。
所述主控制电路单元的第二控制信号输出端FAN电连接所述第二光耦合器GOQ2的发光源阴极，所述第二光耦合器GOQ2的发光源阳极电连接第一高电平电位5V，所述第二光耦合器GOQ2的受光器正极电连接第三高电平电位18V，所述第二光耦合器GOQ2的受光器负极电连接所述第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端分别电连接所述第十七电阻R17的一端和所述第一场效应管JFET1的栅极，所述第一场效应管JFET1的漏极电连接所述第八二极管D8的阳极，所述第八二极管D8的阴极电连接第三高电平电位18V，所述第十七电阻R17的另一端和所述第一场效应管JFET1的源极分别接地，所述第八二极管D8与所述风扇电性并联。
如图1和3所示，通过前述设计，可以分别监测所述IGBT半桥电路单元和所述涡流线圈周围的温度环境，一旦发现有一处的温度过高，即可启动所述风扇进行散热。进一步具体的，为了实现分别独立散热目的，所述风扇包括用于布置在所述IGBT半桥电路单元正下方的第一风扇FAN1和用于布置在所述涡流线圈正下方的第二风扇FAN2。
优化的，还包括电压检测电路单元，其中，所述电压检测电路单元包括第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20和第三光耦合器GOQ3；所述第十八电阻R18的一端电连接所述整流桥电路单元的高电位输出端HV+/VBUS，所述第十八电阻R18的另一端电连接所述第三光耦合器GOQ3的发光源阳极，所述第三光耦合器GOQ3的发光源阴极接地，所述第三光耦合器GOQ3的受光器正极电连接第一高电平电位5V，所述第三光耦合器GOQ3的受光器负极分别电连接所述第十九电阻R19的一端和所述第二十电阻R20的一端，所述第十九电阻R19的另一端接地，所述第二十电阻R20的另一端电连接所述主控制电路单元的第三检测信号输入端V-detect。具体的，所述第十八电阻R18由多个电阻电性串联而成。
优化的，还包括电连接所述主控制电路单元的控制面板电路单元和/或线控器主板电路单元。如图1所示，所述控制面板电路单元和所述线控器主板电路单元分别用于在手动作用下产生相应的控制指令，例如启动指令、火力调节指令或温度调节指令等，它们可分别采用现有电路实现。
综上，采用本实施例所提供的专用于传感电磁炉的电路，具有如下技术效果：
(1)本实施例提供了一种能够降低电路复杂度以及减小“竞争冒险”风险的新型传感电磁炉电路，即通过设计逻辑电路单元，可以将来自主控制电路单元的一路PWM信号转换为两路同步且电平互反的驱动信号，并通过IGBT半桥驱动电路的同步放大作用，可以对IGBT半桥电路单元中的上部晶体管和下部晶体管进行互反地通断控制，进而不但可以降低电路复杂度，还可以有效规避在互反通断过程中出现“竞争冒险”的风险，确保最终在涡流线圈中能够稳定地产生封闭磁场力；
(2)所述电路还具有可防止电流冲击、自动散热降温、成本低廉和易于实现等优点，便于实际推广和应用。
本发明不局限于上述可选的实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品。上述具体实施方式不应理解成对本发明的保护范围的限制，本发明的保护范围应当以权利要求书中界定的为准，并且说明书可以用于解释权利要求书。
Claims (8)
1.一种专用于传感电磁炉的电路，其特征在于：包括市电插接件、EMI滤波电路单元、整流桥电路单元、开关电源电路单元、IGBT半桥电路单元、IGBT半桥驱动电路单元、逻辑电路单元、主控制电路单元和涡流线圈，其中，所述逻辑电路单元包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第一与门(AND1)、第二与门(AND2)、第三与门(AND3)、第四与门(AND4)、第一三极管(BJT1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)和第七电阻(R7)，所述IGBT半桥电路单元包括第一IGBT晶体管(IBGT1)、第二IGBT晶体管(IGBT2)、第一电感(L1)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第三电容(C3)；
所述主控制电路单元的PWM信号输入端(PWM)分别电连接所述第一二极管(D1)的阴极、所述第二二极管(D2)的阳极、所述第二与门(AND2)的第一输入端和所述第三二极管(D3)的阳极，所述第一二极管(D1)的阳极分别电连接所述第二二极管(D)的阴极和所述第一与门(AND)的输入端，所述第一与门(AND1)的输出端分别电连接所述第二与门(AND2)的第一输入端和所述第四二极管(D4)的阳极，所述第二与门(AND2)的输出端电连接所述第三与门(AND3)的第一输入端，所述第三二极管(D3)的阴极和所述第四二极管(D4)的阴极分别电连接第一电阻(R1)的一端，所述第一电阻(R1)的另一端分别电连接所述第二电阻(R2)的一端和所述第一三极管(BJT1)的基极，所述第一三极管(BJT1)的集电极分别电连接所述第三电阻(R3)的一端和所述第四与门(AND4)的第二输入端；
所述主控制电路单元的使能信号输入端(ENABLE)通过所述第四电阻(R4)分别电连接所述第五电阻(R5)的一端、所述第三与门(AND3)的第二输入端和所述第四与门(AND3)的第一输入端，所述第三与门(AND3)的输出端通过第六电阻(R6)电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第一脉冲信号输出端(INHS+)，所述第四与门(AND4)的输出端通过第七电阻(R7)电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第二脉冲信号输出端(INLS+)，所述第三电阻(R3)的另一端和所述第五电阻(R5)的另一端分别电连接第一高电平电位(5V)，所述第二电阻(R2)的另一端和所述第一三极管(BJT1)的发射极分别接地；
所述IGBT半桥驱动电路单元的第一驱动信号输出端(IGBT_H)电连接所述第一IGBT晶体管(IBGT1)的门极，所述IGBT半桥驱动电路单元的第二驱动信号输出端(IGBT_L)电连接所述第二IGBT晶体管(IBGT2)的门极，所述第一IGBT晶体管(IBGT1)的集电极分别电连接所述整流桥电路单元的高电位输出端(HV+/VBUS)、所述第一电容(C1)的一端、所述第三电容(C3)的一端和所述涡流线圈的一端，所述第一IGBT晶体管(IBGT1)的发射极分别电连接所述第二IGBT晶体管(IBGT2)的集电极、所述第一电感(L1)的一端(VHS)和所述涡流线圈的另一端，所述第一电感(L1)的另一端分别电连接所述第一电容(C1)的另一端和所述第二电容(C2)的一端，所述第二IGBT晶体管(IBGT2)的发射极、所述第二电容的另一端和所述第三电容(C3)的另一端分别接地；
所述市电插接件、所述EMI滤波电路单元和所述整流桥电路单元依次电连接，所述整流桥电路单元的高电位输出端(HV+/VBUS)电连接所述开关电源电路单元；
所述电路还包括电连接所述主控制电路单元的控制面板电路单元和/或线控器主板电路单元；
所述主控制电路单元采用型号为STC11Fxx DIP/SoP-20的单片机芯片及其***电路。
2.如权利要求1所述的一种专用于传感电磁炉的电路，其特征在于：还包括电流检测电路单元和防电流冲击电路单元，其中，所述电流检测电路单元包括型号为ACS712的电流检测芯片(U3)、第四电容(C4)、第八电阻(R8)和第九电阻(R9)，所述防电流冲击电路单元包括第一光耦合器(GOQ1)、第二三极管(BJT2)、第五二极管(D5)、第十电阻(R10)、第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)、第十三电阻(R13)和第一继电器(JDQ1)；
所述电流检测芯片(U3)的引脚1和2(AMP+)分别电连接所述第三电容(C3)的另一端，所述电流检测芯片(U3)的引脚3和4(AMP-)分别电连接所述整流桥电路单元的低电位输出端(HV-),所述电流检测芯片(U3)的引脚5接地，所述电流检测芯片(U3)的引脚6通过所述第四电容(C4)接地，所述电流检测芯片(U3)的引脚7分别电连接所述第八电阻(R8)的一端和所述第九电阻(R9)的一端，所述电流检测芯片(U3)的引脚8电连接第一高电平电位(5V)，所述第八电阻(R8)的另一端接地，所述第九电阻(R9)的另一端电连接所述主控制电路单元的第一检测信号输入端(I_sensor)；
所述主控制电路单元的第一控制信号输出端(Relay)电连接所述第一光耦合器(GOQ1)的发光源阴极，所述第一光耦合器(GOQ1)的发光源阳极电连接第一高电平电位(5V)，所述第一光耦合器(GOQ1)的受光器正极分别电连接第二高电平电位(15V)和所述第十电阻(R10)的一端，所述第一光耦合器(GOQ1)的受光器负极分别电连接所述第十一电阻(R11)的一端，所述第十电阻(R10)的另一端分别电连接所述第一继电器(JDQ1)的线圈支路一端和所述第五二极管(D5)的阴极，所述第一继电器(JDQ1)的线圈支路另一端分别电连接所述第五二极管(D5)的阳极和所述第二三极管(BJT2)的集电极，所述第十一电阻(R11)的另一端分别电连接所述第二三极管(BJT2)的基极和所述第十二电阻(R12)的一端，所述第二三极管(BJT2)的发射极和所述第十二电阻(R12)的另一端分别接地；
所述第一继电器(JDQ1)的开关支路与所述第十三电阻(R13)并联且串联在位于所述EMI滤波电路单元与所述整流桥电路单元之间的零线(N)上。
3.如权利要求1所述的一种专用于传感电磁炉的电路，其特征在于：还包括温度检测电路单元、风扇驱动电路单元和风扇，其中，所述温度检测电路单元包括用于布置在所述IGBT半桥电路单元中的第一NTC电阻(NTC1)、用于布置在所述涡流线圈正下方的第二NTC电阻(NTC2)、第十四电阻(R14)、第十五电阻(R15)、第六二极管(D6)和第七二极管(D7)，所述风扇驱动电路单元包括第二光耦合器(GOQ2)、第十六电阻(R16)、第十七电阻(R17)、第一场效应管(JFET1)和第八二极管(D8)；
所述第一NTC电阻(NTC1)的一端电连接第一高电平电位(5V)，所述第一NTC电阻(NTC1)的另一端分别电连接所述第十四电阻(R14)的一端和所述第六二极管(D6)的阳极，所述第二NTC电阻(NTC2)的一端电连接第一高电平电位(5V)，所述第二NTC电阻(NTC2)的另一端分别电连接所述第十五电阻(R15)的一端和所述第七二极管(D7)的阳极，所述第十四电阻(R14)的另一端和所述第十五电阻(R15)的另一端分别接地，所述第六二极管(D6)的阴极和所述第七二极管(D7)的阴极分别电连接所述主控制电路单元的第二检测信号输入端(NTC)；
所述主控制电路单元的第二控制信号输出端(FAN)电连接所述第二光耦合器(GOQ2)的发光源阴极，所述第二光耦合器(GOQ2)的发光源阳极电连接第一高电平电位(5V)，所述第二光耦合器(GOQ2)的受光器正极电连接第三高电平电位(18V)，所述第二光耦合器(GOQ2)的受光器负极电连接所述第十六电阻(R16)的一端，所述第十六电阻(R16)的另一端分别电连接所述第十七电阻(R17)的一端和所述第一场效应管(JFET1)的栅极，所述第一场效应管(JFET1)的漏极电连接所述第八二极管(D8)的阳极，所述第八二极管(D8)的阴极电连接第三高电平电位(18V)，所述第十七电阻(R17)的另一端和所述第一场效应管(JFET1)的源极分别接地，所述第八二极管(D8)与所述风扇电性并联。
4.如权利要求3所述的一种专用于传感电磁炉的电路，其特征在于：所述风扇包括用于布置在所述IGBT半桥电路单元正下方的第一风扇(FAN1)和用于布置在所述涡流线圈正下方的第二风扇(FAN2)。
5.如权利要求1或2所述的一种专用于传感电磁炉的电路，其特征在于：还包括电压检测电路单元，其中，所述电压检测电路单元包括第十八电阻(R18)、第十九电阻(R19)、第二十电阻(R20)和第三光耦合器(GOQ3)；
所述第十八电阻(R18)的一端电连接所述整流桥电路单元的高电位输出端(HV+/VBUS)，所述第十八电阻(R18)的另一端电连接所述第三光耦合器(GOQ3)的发光源阳极，所述第三光耦合器(GOQ3)的发光源阴极接地，所述第三光耦合器(GOQ3)的受光器正极电连接第一高电平电位(5V)，所述第三光耦合器(GOQ3)的受光器负极分别电连接所述第十九电阻(R19)的一端和所述第二十电阻(R20)的一端，所述第十九电阻(R19)的另一端接地，所述第二十电阻(R20)的另一端电连接所述主控制电路单元的第三检测信号输入端(V-detect)。
6.如权利要求5所述的一种专用于传感电磁炉的电路，其特征在于：所述第十八电阻(R18)由多个电阻电性串联而成。
7.如权利要求1所述的一种专用于传感电磁炉的电路，其特征在于：所述IGBT半桥驱动电路单元采用型号为IR22141的半桥驱动芯片及其***电路。
8.如权利要求1所述的一种专用于传感电磁炉的电路，其特征在于：所述第一与门(AND1)、所述第二与门(AND2)、所述第三与门(AND3)和所述第四与门(AND4)集成在型号为74LS08的四与门集成芯片中。
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