CN109530374A - 一种晶圆盒清洗方法 - Google Patents

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CN109530374A CN201811392601.6A CN201811392601A CN109530374A CN 109530374 A CN109530374 A CN 109530374A CN 201811392601 A CN201811392601 A CN 201811392601A CN 109530374 A CN109530374 A CN 109530374A
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Abstract

本发明提供了一种晶圆盒清洗方法，所述晶圆盒清洗方法包括以下步骤：(1)使用乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，然后将晶圆盒敞开置于活性剂中浸泡；(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用氢氟酸浸泡；(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用工业清洗液浸泡；(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用活性剂浸泡；(5)将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上清洗、烘干得到洁净的晶圆盒；本发明所提供的清洗方法，使得清洗后的晶圆盒表面没有任何沾污，运输测试后，每片晶圆表面测量颗粒大于0.1μm的颗粒增加值小于5颗，同时每片晶圆表面金属含量小于1E10atoms/cm2，清洗效果显著，洁净效果优良。

Description

一种晶圆盒清洗方法
技术领域
本发明属于半导体领域，涉及一种晶圆盒清洗方法，尤其涉及一种装载IC级晶圆的晶圆盒清洗方法。
背景技术
随着全球电子化设备的不断更新换代，全球芯片需要量也在不断的增加，由于芯片的价格过于昂贵，芯片厂在正式生产过程中会使用大量的假陪片来确保工艺和设备的稳定，假陪片的定义是可以反复回收使用的硅片，同时洁净等级是与产品片有着一致要求的一种硅片，所以用于装载假陪片的晶圆盒同样有着极高的洁净等级要求。
当假陪片在芯片厂多次使用后，会使用晶圆盒装好送至返抛厂回收再加工，由于假陪片加工好后颗粒及金属等级要求极高，通常返抛厂会使用全新的晶圆盒包装硅片再出货，这类晶圆盒占了返抛厂很大的成本，那些沾污的晶圆盒由于无法处理只能作塑料垃圾处理，极大的污染了环境，同时也不利于返抛厂的成本管控。如果能够将这类沾污的晶圆盒利用起来，一来可以降低环境的污染，二来可以降低返抛厂的成本，这是很有必要做的一项工作。
这类晶圆盒一般经过芯片厂出来后晶圆盒表面残留有硅片的信息标签，晶圆盒内部残留有芯片厂在晶圆上做工艺后掉落的各种金属膜层残渣，以及一些碎的硅片粉末，这对后续处理有着极大的挑战，清洗干净的晶圆盒必须达到与购买全新的晶圆盒一样的洁净水平。
CN108389781A公开了一种清洗回收晶圆盒或卡塞的方法，包括以下步骤：使用光源检查晶圆盒或卡塞，撕去晶圆盒或卡塞上的标签，将晶圆盒或卡塞拆卸备用；将拆卸备用的晶圆盒或卡塞放入第一超声槽中进行超声清洗3～5min，第一超声槽里放有氨水和去离子水形成的混合溶液，氨水和去离子水体积比为1:30～60；之后将晶圆盒或卡塞取出放入溢流槽中，使用去离子水进行溢流处理1～3min；将晶圆盒或卡塞取出放入第二超声槽中进行超声清洗3～5min，第二超声槽内盛放有酒精和去离子水的混合溶液，酒精和去离子水的体积比为1:10～30；之后再将晶圆盒或卡塞取出放入溢流槽中，使用去离子水进行溢流处理1～3min；取出晶圆盒或卡塞晾干后在暗室里使用光源进行检查，挑出合格的晶圆盒或卡塞。此方法只能简单处理晶圆盒卡槽内明显的沾污，无法去除微观上的颗粒，同时晶圆盒里的金属残余物和有机物无法清除，此方法清洗的晶圆盒只能在工厂内部流转，无法达到出货的洁净水平。
CN102658270A公开了一种晶圆盒清洗装置以及利用该晶圆盒清洗装置进行清洗的方法。其通过刷子上的刷头对晶圆盒的狭缝进行清扫，使附着在狭缝内的颗粒离开狭缝内表面，经过刷头清扫过的晶圆盒狭缝有易于利用去离子水进行再次清洗。此方法刷子会产生大量的颗粒附着在晶圆盒表面，肉眼是无法观察到的，当装载了干净的晶圆后会沾污晶圆，此方法只适用在没有颗粒要求的工序。
CN103170469A公开了用于清洗和干燥晶圆盒的装置，包括清洗腔、用于支撑若干晶圆盒的支架、外接清洗液源的清洗液喷管、排液管路及排气管路，所述排液管路及所述排气管路分别连接于所述清洗腔的底部，所述支架与清洗液喷管设于所述清洗腔内，所述用于清洗和干燥晶圆盒的装置还包括外接干燥气源的干燥气体喷管，所述干燥气体喷管设于所述清洗腔内。还公开了一种用于清洗和干燥晶圆盒的方法。除了在清洗腔内设置外接清洗液源的清洗液喷管，还设置外接干燥气源的干燥气体喷管，使用干燥气体不但可以驱走清洗腔内的超纯水水汽，而且可以吸干所有凝结在晶圆盒内的凝结水，实现对晶圆盒的全面、充分干燥。此方法靠水汽冲洗只能去除表面一些大的沾污，金属残留物及有机物小颗粒等等是无法冲洗掉的。
上述清洗方法均存在无法彻底将晶圆盒洗净的缺陷，也不能保证运输过程的洁净等级。因此，如何开发一种清洗效果显著、洁净效果优良的晶圆盒清洗方法，对于晶圆盒的再利用具有重要的意义。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种晶圆盒清洗方法，以使得晶圆盒清洗效果显著、洁净效果优良，保证在运输过程中的洁净度，实现晶圆盒的再利用。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种晶圆盒清洗方法，所述晶圆盒清洗方法包括以下步骤：
(1)使用乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，然后将晶圆盒敞开置于活性剂中浸泡；
(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用氢氟酸浸泡；
(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用工业清洗液浸泡；
(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用活性剂浸泡；
(5)将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上清洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
本发明提供的晶圆盒清洗方法，通过特定清洗试剂的组合使用以及特定的清洗步骤，使得清洗后的晶圆盒表面没有任何沾污，内部装载干净的晶圆包装好后运输24h，每片晶圆表面测量颗粒大于0.1μm的颗粒增加值小于5颗，每片晶圆表面金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌等含量小于1E10atoms/cm2，清洗效果显著，洁净效果优良，可以使得晶圆盒重复利用，降低环境污染以及相关成本。
优选地，步骤(1)中所述乙醇溶液的质量分数为95％～99.5％，例如可以是95％、95.5％、96％、96.5％、96.8％、97％、97.3％、98％、98.4％、98.9％、99％、99.1％或99.5％等。
在本发明中，乙醇溶液的质量分数至少要在95％以上，这样可以更好的去除晶圆盒上面的残留胶。
优选地，所述涂覆的时间1～2min，例如可以是1min、1.1min、1.2min、1.3min、1.4min、1.5min、1.6min、1.7min、1.8min、1.9min或2min等。
优选地，步骤(1)活性剂浸泡之前，还包括使用无尘布擦拭晶圆盒。使用无尘布擦拭，可将残留的胶等初步去除。
优选地，步骤(1)中所述活性剂为NCW-1002清洗剂。
优选地，所述NCW-1002清洗剂为聚氧乙烯烷基醚和水的混合物。
聚氧乙烯烷基醚的化学式为RO(CH2CH2O)l(CH(CH3)CH2O)m(CH2CH2O)nH，其中R为C12H25/C14H29(7/3)，l+n＝14，0<l<14，m＝1.5。R表示一类聚合在一起的基团。
优选地，所述聚氧乙烯烷基醚在NCW-1002清洗剂中的质量分数为5％～15％，例如可以是5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％或15％等。
优选地，步骤(1)中所述浸泡的温度为40～60℃，例如可以是40℃、42℃、45℃、50℃、53℃、55℃、58℃或60℃等。
在本发明中，经过对实际清洗情况的摸索，发现当NCW-1002清洗剂中聚氧乙烯烷基醚的质量分数控制在5％～15％范围内，并且温度在40～60℃之间进行清洗时，可以达到最佳的清洗效果。
优选地，步骤(1)中所述浸泡的时间为5～10min，例如可以是5min、6min、7min、8min、9min或10min等。
优选地，步骤(2)中所述氢氟酸的质量分数为1％～5％，例如可以是1％、2％、3％、4％或5％等。
在本发明中，适当浓度的氢氟酸，可以去除晶圆盒表面的氧化物。
优选地，步骤(2)中所述浸泡的时间为5～10min，例如可以是5min、6min、7min、8min、9min或10min等。
优选地，步骤(3)中所述工业清洗剂为盐酸、双氧水和水组成的混合溶液。
优选地，所述盐酸的质量分数为5％～10％，例如可以是5％、6％、7％、8％、9％或10％等。
优选地，所述双氧水的质量分数为5％～10％，例如可以是5％、6％、7％、8％、9％或10％等。
优选地，步骤(3)中所述浸泡的时间为4～10min，例如可以是4min、5min、6min、7min、8min、9min或10min等。
在本发明中，工业清洗剂中，盐酸和双氧水的浓度要控制在适宜范围内，如果浓度太高会损坏晶圆盒，太低又没有去除金属的效果。盐酸的作用是与金属残留物反应，双氧水同时将反应物氧化剥离。
优选地，步骤(4)中所述活性剂与步骤(1)中所述活性剂相同。
优选地，步骤(4)中所述浸泡的时间为5～10min，例如可以是5min、6min、7min、8min、9min或10min等。
优选地，步骤(4)中使用活性剂浸泡的同时还包括超声清洗。
优选地，所述超声的频率为28～40kHz，例如可以是28kHz、29kHz、30kHz、31kHz、32kHz、33kHz、34kHz、35kHz、36kHz、37kHz、38kHz、39kHz或40kHz等。
优选地，所述超声的时间为5～10min，例如可以是5min、6min、7min、8min、9min或10min等。
在本发明中，NCW-1002可以结合表面颗粒杂质，可将其剥离晶圆盒表面，而通过两次的清洗，可将表面颗粒杂质清洗的更为彻底，配合超声清洗可以更好的去除大于1μm以上的杂质。
优选地，步骤(5)中所述清洗为使用水进行冲洗。
在本发明中，水一般选择使用去离子水。
作为优选技术方案，本发明提供的晶圆盒清洗方法包括以下步骤：
(1)将晶圆盒表面的残留标签信息撕除干净，使用质量分数为95％～99.5％的乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，1～2min后使用无尘布擦拭晶圆盒，再将晶圆盒打开放入温度在40～60℃且聚氧乙烯烷基醚质量分数为5％～15％的NCW-1002清洗剂中浸泡5～10min；
(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为1％～5％的氢氟酸中浸泡5～10min；
(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为5％～10％的盐酸、质量分数为5％～10％双氧水和水组成的混合溶液浸泡4～10min；
(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用聚氧乙烯烷基醚质量分数为5％～15％的NCW-1002清洗剂浸泡5～10min，同时配合使用频率为28～40kHz的超声清洗5～10min；
(5)最后将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上使用水进行冲洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
本发明提供的清洗方法，清洗顺序是特定的，如果缺少某一步骤或者清洗顺序改变，均会使得清洗效果下降。并且，必须保证最后使用高压的水配合加热去除剩余的表面小于1μm的小颗粒，从而确保清洗的干净。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的晶圆盒清洗方法，通过特定清洗试剂的组合使用以及特定的清洗步骤，使得清洗后的晶圆盒表面没有任何沾污，内部装载干净的晶圆包装好后运输24h，每片晶圆表面测量颗粒大于0.1μm的颗粒增加值小于5颗，每片晶圆表面金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌等含量小于1E10atoms/cm2，清洗效果显著，洁净效果优良，可以使得晶圆盒重复利用，降低环境污染以及相关成本，对于晶圆盒的利用具有重要意义和价值。
附图说明
图1是实施例1中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图2是实施例1中晶片表面金属含量值的测试图。
图3是实施例2中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图4是实施例2中晶片表面金属含量值的测试图。
图5是实施例3中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图6是实施例3中晶片表面金属含量值的测试图。
图7是实施例4中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图8是实施例4中晶片表面金属含量值的测试图。
图9是实施例5中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图10是实施例5中晶片表面金属含量值的测试图。
图11是实施例6中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图12是实施例6中晶片表面金属含量值的测试图。
图13是实施例7中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图14是实施例7中晶片表面金属含量值的测试图。
图15是实施例8中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图16是实施例8中晶片表面金属含量值的测试图。
图17是实施例9中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图18是实施例9中晶片表面金属含量值的测试图。
图19是实施例10中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图20是实施例10中晶片表面金属含量值的测试图。
图21是实施例11中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图22是实施例11中晶片表面金属含量值的测试图。
图23是实施例12中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图24是实施例12中晶片表面金属含量值的测试图。
图25是对比例1中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图26是对比例1中晶片表面金属含量值的测试图。
图27是对比例2中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图28是对比例2中晶片表面金属含量值的测试图。
图29是对比例3中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图30是对比例3中晶片表面金属含量值的测试图。
图31是对比例4中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图32是对比例4中晶片表面金属含量值的测试图。
图33是对比例5中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图34是对比例5中晶片表面金属含量值的测试图。
图35是对比例6中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图36是对比例6中晶片表面金属含量值的测试图。
图37是对比例7中晶圆表面颗粒的增加值变化图。
图38是对比例7中晶片表面金属含量值的测试图。
在本发明附图中，晶圆表面颗粒的增加值指的是：大于0.1μm的颗粒增加值，增加值变化图中纵坐标的单位为“个”；金属含量数据的单位为“E10atoms/cm2”。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
本发明所述清洗装置一组4个，每个分为上下两部分，每个装置上部分固定晶圆盒盒盖和片架，下半部分固定晶圆盒盒底和密封圈，晶圆盒组成部分全部开口向外放置，使用PVDF材质模块固定，清洗装置使用SUS316不锈钢材质固定，4个一组做离心力旋转，并使用压力6kg以上、电阻18Mohm-cm以上的超纯水清洗晶圆盒并烘干。
本发明所述晶圆盒可以是芯片厂通用的FOUP、FOSB、信越A1晶圆盒、信越A3晶圆盒、信越A5晶圆盒或者应特格Ultrapak晶圆盒等等。
实施例1
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
(1)将晶圆盒表面的残留标签信息撕除干净，使用质量分数为95％的乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，2min后使用无尘布擦拭晶圆盒，再将晶圆盒打开放入温度在60℃且聚氧乙烯烷基醚质量分数为5％的NCW-1002清洗剂中浸泡10min；
(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用质量分数5％的氢氟酸中浸泡5min；
(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为10％的盐酸、质量分数为10％双氧水和水组成的混合溶液浸泡10min；
(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用聚氧乙烯烷基醚质量分数为15％的NCW-1002清洗剂浸泡5min，同时配合使用频率为40kHz的超声清洗5min；
(5)最后将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上使用去离子水进行冲洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
实施例2
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
(1)将晶圆盒表面的残留标签信息撕除干净，使用质量分数为99.5％的乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，1min后使用无尘布擦拭晶圆盒，再将晶圆盒打开放入温度在40℃且聚氧乙烯烷基醚质量分数为5％的NCW-1002清洗剂中浸泡5min；
(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为1％的氢氟酸中浸泡10min；
(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为5％的盐酸、质量分数为5％双氧水和水组成的混合溶液浸泡4min；
(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用聚氧乙烯烷基醚质量分数为5％的NCW-1002清洗剂浸泡10min，同时配合使用频率为28kHz的超声清洗10min；
(5)最后将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上使用去离子水进行冲洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
实施例3
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
(1)将晶圆盒表面的残留标签信息撕除干净，使用质量分数为97.3％的乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，1.5min后使用无尘布擦拭晶圆盒，再将晶圆盒打开放入温度在50℃且聚氧乙烯烷基醚质量分数为8％的NCW-1002清洗剂中浸泡8min；
(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为4％的氢氟酸中浸7min；
(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为8％的盐酸、质量分数为9％双氧水和水组成的混合溶液浸泡9min；
(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用聚氧乙烯烷基醚质量分数为11％的NCW-1002清洗剂浸泡6min，同时配合使用频率为30kHz的超声清洗7min；
(5)最后将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上使用水进行冲洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
实施例4
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(1)中不包括使用无尘布擦拭晶圆盒的步骤。其余均与实施例1相同。
实施例5
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(4)中不包括配合使用超声清洗的步骤。其余均与实施例1相同。
实施例6
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(1)中使用聚氧乙烯烷基醚质量分数为2％的NCW-1002清洗剂。其余均与实施例1相同。
实施例7
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(1)中使用聚氧乙烯烷基醚质量分数为19％的NCW-1002清洗剂。其余均与实施例1相同。
实施例8
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(1)中浸泡的温度为30℃。其余均与实施例1相同。
实施例9
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(1)中浸泡的温度为70℃。其余均与实施例1相同。
实施例10
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(3)中使用质量分数为15％的盐酸。其余均与实施例1相同。
实施例11
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(3)中使用质量分数为2％的盐酸。其余均与实施例1相同。
实施例12
本实施例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本实施例与实施例1的区别仅在于，本实施例步骤(3)中使用质量分数为14％的双氧水。其余均与实施例1相同。
对比例1
本对比例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本对比例与实施例1的区别仅在于，本对比例不包括步骤(2)，其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本对比例与实施例1的区别仅在于，本对比例不包括步骤(3)，其余均与实施例1相同。
对比例3
本对比例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本对比例与实施例1的区别仅在于，本对比例不包括步骤(4)，其余均与实施例1相同。
对比例4
本对比例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本对比例与实施例1的区别仅在于，本对比例不包括步骤(5)，其余均与实施例1相同。
对比例5
本对比例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本对比例与实施例1的区别仅在于，本对比例不包括步骤(3)和步骤(4)，其余均与实施例1相同。
对比例6
本对比例通过如下步骤清洗晶圆盒：
本对比例与实施例1的区别仅在于，本对比例首先进行实施例1中步骤(5)的操作，然后再进行实施例1中步骤(4)的操作，其余均与实施例1相同。
对比例7
本对比例通过如下步骤清洗晶圆盒：
(1)将晶圆盒表面的残留标签信息撕除干净，使用质量分数为95％的乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，2min后使用无尘布擦拭晶圆盒，再将晶圆盒打开放入温度在60℃且聚氧乙烯烷基醚质量分数为5％的NCW-1002清洗剂中浸泡10min；
(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为10％的盐酸、质量分数为10％双氧水和水组成的混合溶液浸泡10min；
(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒再次使用聚氧乙烯烷基醚质量分数为15％的NCW-1002清洗剂浸泡5min，同时配合使用频率为40kHz的超声清洗5min；
(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒使用质量分数5％的氢氟酸中浸泡5min；
(5)最后将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上使用去离子水进行冲洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
将上述实施例1-12与对比例1-7清洗后的晶圆盒进行运输试验，模拟出货测试，使用美国KLA-Tencor集团的颗粒测试机SP1测量晶圆表面颗粒的增加值来判断清洗的效果，使用ICP-MS测试仪测量晶圆表面金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌等含量数据是否小于1E10atoms/cm2来判断清洗的效果，具体结果如图1-38所示，通过图中结果可知：
实施例1-3按照本发明提供的方法清洗后，测试晶圆表面的颗粒和金属数据均达到了验收标准；实施例4-5在改变了基础条件后，测试晶圆表面的颗粒效果有所下降；实施例6-12在改变了清洗的配方后，测试晶圆表面的颗粒和金属，清洗效果均产生下降。
通过对比例1-5发现当缺少任意一步实施后，测试晶圆表面的颗粒和金属达不到验收标准；通过对比例6-7发现，改变本发明的顺序后，测试晶圆表面的颗粒和金属达不到验收的标准。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的晶圆盒清洗方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆盒清洗方法，其特征在于，所述晶圆盒清洗方法包括以下步骤：
(1)使用乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，然后将晶圆盒敞开置于活性剂中浸泡；
(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用氢氟酸浸泡；
(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用工业清洗液浸泡；
(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用活性剂浸泡；
(5)将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上清洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
2.根据权利要求1所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(1)中所述乙醇溶液的质量分数为95％～99.5％；
优选地，所述涂覆的时间1～2min。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(1)活性剂浸泡之前，还包括使用无尘布擦拭晶圆盒。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(1)中所述活性剂为NCW-1002清洗剂；
优选地，所述NCW-1002清洗剂为聚氧乙烯烷基醚和水的混合物；
优选地，所述聚氧乙烯烷基醚在NCW-1002清洗剂中的质量分数为5％～15％；
优选地，步骤(1)中所述浸泡的温度为40～60℃；
优选地，步骤(1)中所述浸泡的时间为5～10min。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(2)中所述氢氟酸的质量分数为1％～5％；
优选地，步骤(2)中所述浸泡的时间为5～10min。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(3)中所述工业清洗剂为盐酸、双氧水和水组成的混合溶液；
优选地，所述盐酸的质量分数为5％～10％；
优选地，所述双氧水的质量分数为5％～10％；
优选地，步骤(3)中所述浸泡的时间为4～10min。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(4)中所述活性剂与步骤(1)中所述活性剂相同；
优选地，步骤(4)中所述浸泡的时间为5～10min。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(4)中使用活性剂浸泡的同时还包括超声清洗；
优选地，所述超声的频率为28～40kHz；
优选地，所述超声的时间为5～10min。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，步骤(5)中所述清洗为使用水进行冲洗。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的晶圆盒清洗方法，其特征在于，所述晶圆盒清洗方法包括以下步骤：
(1)将晶圆盒表面的残留标签信息撕除干净，使用质量分数为95％～99.5％的乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，1～2min后使用无尘布擦拭晶圆盒，再将晶圆盒打开放入温度在40～60℃且聚氧乙烯烷基醚质量分数为5％～15％的NCW-1002清洗剂中浸泡5～10min；
(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为1％～5％的氢氟酸中浸泡5～10min；
(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用质量分数为5％～10％的盐酸、质量分数为5％～10％双氧水和水组成的混合溶液浸泡4～10min；
(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用聚氧乙烯烷基醚质量分数为5％～15％的NCW-1002清洗剂浸泡5～10min，同时配合使用频率为28～40kHz的超声清洗5～10min；
(5)最后将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上使用水进行冲洗、烘干得到洁净的晶圆盒。
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