CN109494210A - 一种半桥封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种半桥封装结构，属于半导体元器件封装领域，包括引线框架、第一引脚、第二引脚、第三引脚、第一二极管芯片、第二二极管芯片、铜粒、第一跳片、第二跳片、黑胶体、塑封体，其特征在于，每个引线框架上设置有两个基岛及由引线框架引出的一个第二引脚，两基岛上分别对应设置有第一二极管芯片、第二二极管芯片，第一二极管芯片的P面通过铜粒与基岛相连接，第一二极管芯片的N面通过第一跳片与第一引脚相连接，第二二极管芯片的N面设置在基岛上，第二二极管芯片的P面通过第二跳片与第三引脚相连接；两个该半桥即可封装组成一个完整的整流桥，实现代替直插式大桥封装，结构简单，封装可沿用原框架结构，有利于降低成本。

Description

一种半桥封装结构
技术领域
本发明涉及半导体元器件的封装技术领域，具体为一种半桥封装结构。
背景技术
进入21世纪以来，中国电子信息产品制造业每年都以20%以上的速度高速增长，规模从2004年起居世界第二位，2012年产业收入跃居世界第一位。在中国电子信息产业快速发展的推动下，半导体整流器件也得到了迅猛的发展。随着科技的进步，电子产品也不断的发展，电子产品向着轻、小、薄发展。虽说电子元器件表面贴装技术成为国内外发展趋势，但由于受某些技术的限制，大功率元器件基本上都是插件式的封装，如：KBJ，GBU和GBJ等，封装尺寸较大，不利于产品的微型化。如何使用小功率插件封装产品或者表面贴装封装产品代替大尺寸插件式封装成为研究的重点。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种半桥封装结构，两个该半桥即可封装组成一个完整的整流桥，以实现代替直插式大桥封装的目的，结构简单，且封装可沿用原框架结构，有利于降低成本。
本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半桥封装结构，包括引线框架、第一引脚、第二引脚、第三引脚、第一二极管芯片、第二二极管芯片、铜粒、第一跳片、第二跳片、黑胶体、塑封体，其特征在于，每个引线框架分别对应一个第一引脚和一个第三引脚，引线框架与第一引脚和第三引脚之间为分离式结构，每个引线框架上设置有两个基岛及由引线框架引出的一个第二引脚，两基岛上分别对应设置有第一二极管芯片、第二二极管芯片，所述第一二极管芯片的P面朝向基岛，第一二极管芯片的P面通过铜粒与基岛相连接，第一二极管芯片的N面通过第一跳片与第一引脚相连接，所述第二二极管芯片的N面设置在基岛上，第二二极管芯片的P面通过第二跳片与第三引脚相连接，所述引线框架上的两二极管芯片与第一引脚和第三引脚呈一一对应关系，所述黑胶体包裹基岛、铜粒、二极管芯片、跳片形成塑封体。
进一步的，所述第二二极管芯片的P面与第二跳片之间设置有铜粒，第二二极管芯片的P面依次通过铜粒、第二跳片与第三引脚相连接；
进一步的，所述铜粒与第一二极管芯片的P面或第二二极管芯片的P面之间均以面与面接触的形式相连接，并采用锡膏或焊片焊接相连。
另外，还可在第二跳片下表面设置凸点，第二跳片通过凸点与第二二极管芯片的P面相接触连接；凸点与第二二极管芯片的P面之间以面与面接触的形式相连，并采用锡膏或焊片焊接相连。
进一步的，所述引线框架上的第二引脚设置在第一引脚和第三引脚之间。
进一步的，所述第一二极管芯片的N面与第一跳片、第二二极管芯片的N面与基岛之间均通过锡膏或焊片焊接相连。
进一步的，所述铜粒、凸点设置为圆柱体或长方体。
进一步的，第一跳片表面与第一引脚的相连处设置有下凹的凸台，第一跳片端部设置有一组卡设在第一引脚两侧的折弯，第二跳片表面与第三引脚的相连处设置有下凹的凸台，第二跳片端部设置有一组卡设在第三引脚两侧的折弯，用于跳片的定位。
进一步的，所述引线框架中的两基岛呈对称式设置。
进一步的，所述黑胶体设置为环氧树脂胶体。
进一步的，所述引线框架采用铜框架，引线框架的底部裸露在黑胶体之外。
本发明的有益效果是，设置的第一二极管芯片的P面通过铜粒与基岛相连接，第二二极管芯片的N面与基岛相连，并由第二引脚引出作为交流引脚，第一二极管芯片的N面则通过第一跳片与第一引脚相连接，形成正极引脚，第二跳片与第二二极管芯片的P面相连接，形成负极引脚，形成的结构能够在不改变现有框架的基础上完成半桥封装结构，相同的两个半桥可以组合成全桥，达到替代直插式大桥封装等多种用途的应用。相比直插式大桥，节省了外部散热片，占据空间小，提高了生产效率；同时不改变现有框架结构，有利于降低成本。整个结构采用全铜框架，引线框架底部裸露在黑胶体之外，产品的导电性和导热性更好，同时裸露在外面的铜框架更利于产品内热量的散发，产品壳温降低，热阻减小，产品可靠性提高。
附图说明
图1是本发明的主视结构示意图；
图2是本发明的左视结构示意图；
图3是本发明的右视结构示意图；
图4是本发明的半桥结构组成的全桥电路图。
图中：1.引线框架，2.第一引脚，3.第二引脚，4.第三引脚，5.基岛，
6.第一二极管芯片，7.第二二极管芯片，8.铜粒，9.第一跳片，10.第二跳片，
11.塑封体，12.凸台，13.折弯。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1-图3所示，本发明提供了一种半桥封装结构，包括引线框架1、第一引脚2、第二引脚3、第三引脚4、第一二极管芯片6、第二二极管芯片7、铜粒8、第一跳片9、第二跳片10、黑胶体、塑封体11，每个引线框架1分别对应一个第一引脚2和一个第三引脚4，引线框架1与第一引脚2和第三引脚4之间为分离式结构，每个引线框架1上设置有两个基岛5及由引线框架1引出的一个第二引脚3，第二引脚3设置在第一引脚1和第三引脚4之间，两基岛5呈对称式设置，两基岛5上分别对应设置有第一二极管芯片6、第二二极管芯片7，所述第一二极管芯片6的P面朝向基岛5，第一二极管芯片6的P面通过铜粒8与基岛5相连接，第一二极管芯片6的N面通过第一跳片9与第一引脚2相连接，形成正极引脚，所述第二二极管芯片7的N面设置在基岛5上，第二二极管芯片7的P面通过第二跳片10与第三引脚4相连接，形成负极引脚，而第二引脚3由引线框架1引出作为交流引脚，所述引线框架1上的两二极管芯片与第一引脚2和第三引脚4呈一一对应关系，所述黑胶体包裹基岛5、铜粒8、第一二极管芯片6、第二二极管芯片7、第一跳片9、第二跳片10形成塑封体11，第一引脚2和第二引脚3均由塑封体11的分型面水平引出或者端部向下弯折与基岛5共平面。
本实施例中，第二二极管芯片7的P面与第二跳片10之间设置有铜粒8，第二二极管芯片7的P面依次通过铜粒8、第二跳片10与第三引脚4相连接；所述铜粒8与第一二极管芯片6的P面或第二二极管芯片7的P面之间均以面与面接触的形式相连接，并采用锡膏或焊片焊接相连。
另外，在另一实施例中，还可在第二跳片10下表面设置凸点，第二跳片10通过凸点与第二二极管芯片7的P面相接触连接，与铜粒8所不同的是，凸点为由第二跳片10所引出的结构，其与第二跳片10为一体式结构，凸点与第二二极管芯片7的P面之间以面与面接触的形式相连，并采用锡膏或焊片焊接相连。
所述的铜粒或凸点设为较为扁平的圆柱体或长方体。
本发明所述的第一二极管芯片6的N面与第一跳片9、第二二极管芯片7的N面与基岛5之间均通过锡膏或焊片焊接相连。
本发明所述的第一跳片9表面与第一引脚2的相连处设置有下凹的凸台12，第一跳片9端部设置有一组卡设在第一引脚2两侧的折弯13，第二跳片10表面与第三引脚4的相连处设置有下凹的凸台12，第二跳片10端部设置有一组卡设在第三引脚4两侧的折弯13，便于与对应引脚的快速连接与定位。
本发明所述的黑胶体设置为环氧树脂胶体。
本发明所述的引线框架1采用铜框架，引线框架1的底部裸露在黑胶体之外。
本发明中形成的结构能够在不改变现有框架的基础上完成半桥封装结构，相同的两个半桥可以组合成全桥，如图4所示，大大节约了生产成本，提高生产效率，达到替代直插式大桥等多种用途的应用。相比直插式大桥，节省了外部散热片，占据空间小，提高了生产效率；同时不改变现有框架结构，有利于降低成本。整个结构采用全铜框架，引线框架底部裸露在黑胶体之外，产品的导电性和导热性更好，同时裸露在外面的铜框架更利于产品内热量的散发，产品壳温降低，热阻减小，产品可靠性提高。

Claims (10)

1.一种半桥封装结构，包括引线框架（1）、第一引脚（2）、第二引脚（3）、第三引脚（4）、第一二极管芯片（6）、第二二极管芯片（7）、铜粒（8）、第一跳片（9）、第二跳片（10）、黑胶体、塑封体（11），其特征在于，每个引线框架（1）分别对应一个第一引脚（2）和一个第三引脚（4），每个引线框架（1）上设置有两个基岛（5）及由引线框架（1）引出的一个第二引脚（3），两基岛（5）上分别对应设置有第一二极管芯片（6）、第二二极管芯片（7），所述第一二极管芯片（6）的P面朝向基岛（5），第一二极管芯片（6）的P面通过铜粒（8）与基岛（5）相连接，第一二极管芯片（6）的N面通过第一跳片（9）与第一引脚（2）相连接，所述第二二极管芯片（7）的N面设置在基岛（5）上，第二二极管芯片（7）的P面通过第二跳片（10）与第三引脚（4）相连接，所述引线框架（1）上的两二极管芯片与第一引脚（2）和第三引脚（4）呈一一对应关系，所述黑胶体包裹基岛（5）、铜粒（8）、第一二极管芯片（6）、第二二极管芯片（7）、第一跳片（9）、第二跳片（10）形成塑封体（11）。
2.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述第二二极管芯片（7）的P面与第二跳片（10）之间设置有铜粒（8），第二二极管芯片（7）的P面依次通过铜粒（8）、第二跳片（10）与第三引脚（4）相连接。
3.根据权利要求2所述的半桥封装结构，其特征在于，所述铜粒（8）与第一二极管芯片（6）的P面或第二二极管芯片（7）的P面之间均以面与面接触的形式相连接，并采用锡膏或焊片焊接相连。
4.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述第二跳片（10）下表面设置有凸点，第二跳片（10）通过凸点与第二二极管芯片（7）的P面相接触连接。
5.根据权利要求4所述的半桥封装结构，其特征在于，凸点与第二二极管芯片（7）的P面之间以面与面接触的形式相连，并采用锡膏或焊片焊接相连。
6.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述引线框架（1）上的第二引脚（3）设置在第一引脚（2）和第三引脚（4）之间。
7.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述第一二极管芯片（6）的N面与第一跳片（9）、第二二极管芯片（7）的N面与基岛（5）之间均通过锡膏或焊片焊接相连。
8.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，第一跳片（9）表面与第一引脚（2）的相连处设置有下凹的凸台（12），第一跳片（9）端部设置有一组卡设在第一引脚（2）两侧的折弯（13），第二跳片（10）表面与第三引脚（4）的相连处设置有下凹的凸台（12），第二跳片（10）端部设置有一组卡设在第三引脚（4）两侧的折弯（13）。
9.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述黑胶体设置为环氧树脂胶体。
10.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述引线框架（1）采用铜框架，引线框架（1）的底部裸露在黑胶体之外。
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