CN109478717A - 扫描天线及扫描天线的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的扫描天线(1000)是排列着多个天线单元U的扫描天线(1000)，其具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、支撑于所述第一电介质基板(1)上的多个TFT(10)及多个贴片电极(15)、以覆盖贴片电极(15)等的形态配置的第一取向膜(M1)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、支撑于第二电介质基板(51)上的含有多个槽(57)的插槽电极(55)、以覆盖插槽电极(55)的形态配置的第二取向膜(M2)；液晶层(LC)，其介于取向膜(M1、M2)相互对向的TFT基板(101)与插槽基板(201)之间；及反射导电板(65)，其配置为介隔电介质层(54)而与第二电介质基板(51)的相反面(51b)对向。第一取向膜(M1)及第二取向膜(M2)由含有丙烯酸系聚合物的丙烯酸系取向膜构成。

Description

扫描天线及扫描天线的制造方法
技术领域
本发明涉及一种扫描天线及扫描天线的制造方法。
背景技术
在移动通讯、卫星广播等中所利用的天线需要可改变波束方向的波束扫描功能。作为具有此种功能的天线，提出了利用液晶材料(包括向列型液晶、高分子分散液晶)的较大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(例如专利文献1～3)。此种扫描天线的构成是天线单元(元件天线)具有液晶电容，有时也称为“液晶阵列天线”。
而且，在专利文献3中记载了通过利用液晶显示装置的技术而获得价格低的扫描天线的方法。
现有技术文献
专利文件
[专利文献1]特表2013-539949号公报
[专利文献2]特表2016-512408号公报
[专利文献3]特表2009-538565号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
如上所述，虽然将液晶显示技术等液晶技术应用于扫描天线中的想法本身是已知的，但实情是迄今为止完全没有揭示具体应用液晶技术的扫描天线的构成或其具体的制造方法等。
扫描天线的天线单元(元件天线)用于微波等的收发，要求与和其对应的液晶显示装置的像素单元不同的性能等。因此，存在无法将现有的液晶技术简单地应用于扫描天线中的情况。
例如，扫描天线具有夹着液晶层的一对基板作为与现有的液晶显示面板对应的构成。其中一个基板是包含贴片电极的TFT基板，另一个基板是包含插槽电极的插槽基板。形成在这些基板上的电极的尺寸与现有的液晶显示面板的电极相比而言极大，在面向液晶层之侧的各基板上存在较深的凹部或较高的凸部。在具有此种凹凸的基板上，与现有的液晶显示面板同样地形成着控制液晶分子(液晶化合物)取向的取向膜。
作为液晶显示面板的取向膜，例如广泛使用对聚酰胺酸进行了酰亚胺化的高分子膜。因此，如果将现有的在液晶显示面板中所使用的取向膜转用于扫描天线中，则在液晶层中产生气泡，该气泡会妨碍施加电压时的电容变化，从而使扫描天线的性能降低。
在扫描天线中，形成在各基板上的电极的厚度例如为1μm以上，电极的宽度例如为100μm以上。如果在具有这么大的电极的各基板上以覆盖电极的形态形成取向膜，则取向膜用取向剂(取向膜溶液)进入凹部内等，获得包含具有相当厚度的部分的取向膜。
此种取向膜的吸湿水分量也变多，因此可以说在扫描天线的制造工序(例如减压工序、脱气工序、加热工序)或使用所完成的扫描天线时等情况下，容易受到环境的变化(例如气压变化、温度变化)。亦即，如果环境变化，则取向膜中所含的水分气化，该气化的水分(水蒸气)作为气泡残留于液晶层中。而且，在某些情况下存在如下现象：取向膜所含的水分一下子气化，从而造成夹着液晶层的各基板破损。
本发明的目的在于提供具有适宜的取向膜材料的扫描天线及所述扫描天线的制造方法。
解决问题的方案
本发明的扫描天线是排列着多个天线单元的扫描天线，其特征在于具有：TFT基板，其具有第一电介质基板、支撑于所述第一电介质基板上的多个TFT及与所述TFT电连接的多个贴片电极、以覆盖所述TFT及所述贴片电极的形态配置的第一取向膜；插槽基板，其具有第二电介质基板、支撑于所述第二电介质基板上的含有多个槽的插槽电极、以覆盖所述插槽电极的形态配置的第二取向膜；液晶层，其介于以如下形态配置的所述TFT基板与所述插槽基板之间，亦即所述第一取向膜及所述第二取向膜相互对向，且为了构成所述天线单元而在所述贴片电极上分配所述槽；及反射导电板，其配置为介隔电介质层而与未形成所述插槽电极的所述第二电介质基板的相反面对向，所述第一取向膜及所述第二取向膜由含有丙烯酸系聚合物的丙烯酸系取向膜构成。
在所述扫描天线中，所述丙烯酸系取向膜由表现出如下功能的光反应性丙烯酸系取向膜构成，亦即如果被光照射，则使所述液晶层中的液晶化合物取向于特定方向上的功能。
在所述扫描天线中，所述光反应性丙烯酸系取向膜包含光反应性丙烯酸系聚合物，该光反应性丙烯酸系聚合物含有源自于侧链具有光反应性官能基的丙烯酸系单体的结构单元。
在所述扫描天线中，所述液晶层中的液晶化合物于末端具有选自由F基、Cl基、Br基、SCN基、NCS基、CN基、OCN基、NCO基、CF3基、OCF3基及SF5基所构成的群的至少一种官能基。
在所述扫描天线中，所述液晶层中的液晶化合物具有选自由碳-碳三键、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-(CO)O-、-O(CO)-、及-O-所构成的群的至少一种键。
在所述扫描天线中，所述贴片电极及/或所述插槽电极由铜构成。
在所述扫描天线中，具有密封材料，其以包围所述液晶层且分别粘接于所述TFT基板及所述插槽基板上的形态介于所述TFT基板与所述插槽基板之间，所述密封材料具有液晶注入口，其由贯通所述液晶层侧与外侧的孔部构成，在利用真空注入法将构成所述液晶层的液晶化合物注入至所述TFT基板与所述插槽基板之间时利用，且具有密封所述液晶注入口的密封部。
而且，本发明的扫描天线的制造方法是根据上述任一项所述的扫描天线的制造方法，其特征在于使用真空注入法形成所述液晶层。
发明效果
根据本发明，可提供具有适宜的取向膜材料的扫描天线、及所述扫描天线的制造方法。
附图说明
图1是示意性表示第一实施方式的扫描天线的一部分的剖视图。
图2是示意性表示扫描天线所具有的TFT基板的平面图。
图3是示意性表示扫描天线所具有的插槽基板的平面图。
图4是示意性表示TFT基板的天线单元区域的剖视图。
图5是示意性表示TFT基板的天线单元区域的平面图。
图6是示意性表示插槽基板的天线单元区域的剖视图。
图7是示意性表示构成扫描天线的天线单元的TFT基板、液晶层及插槽基板的剖视图。
图8是表示实施例1及比较例1的各取向膜中的脱附气体量的测定结果的图表。
图9是示意性表示通过真空注入法注入了液晶层的复合面板的液晶注入口附近的放大平面图。
具体实施方式
[第一实施方式]
(扫描天线的基本结构)
扫描天线具有可变更波束方向的波束扫描功能，其具有如下结构，亦即具有利用液晶材料的较大的介电常数m(εm)的各向异性(双折射率)的多个天线单元。扫描天线控制对各天线单元的液晶层所施加的电压，使各天线单元的液晶层的有效介电常数m(εm)变化，由此利用静电电容不同的多个天线单元形成二维图案。另外，液晶材料的介电常数具有频率分散，因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数特别记载为“介电常数m(εm)”。
对从扫描天线射出的或被扫描天线接收的电磁波(例如微波)赋予与各天线单元的静电电容相应的相位差，与由静电电容不同的多个天线单元形成的二维图案相应地在特定方向上具有较强的方向性(波束扫描)。例如，从扫描天线射出的电磁波可通过如下方式而获得：考虑由各天线单元提供的相位差，对输入电波射入到各天线单元，被各天线单元散射而获得的球面波进行积分。
此处，参考图1等，对本发明的一实施方式的扫描天线的基本结构加以说明。图1是示意性表示第一实施方式的扫描天线1000的一部分的剖视图。本实施方式的扫描天线1000是槽57排列为同心圆状的径向线槽天线。在图1中示意性地表示从设在排列为同心圆状的槽的中心附近的供电针脚72起，沿着半径方向的截面的一部分。另外，在其他实施方式中，槽的排列也可以是公知的各种排列(例如螺旋状、矩阵状)。
扫描天线1000主要具有：TFT基板101、插槽基板201、配置在它们之间的液晶层LC、及反射导电板65。扫描天线1000成为自TFT基板101侧收发微波的构成。TFT基板101及插槽基板201以夹着液晶层LC而相互对向的形态进行配置。
TFT基板101具有玻璃基板等电介质基板(第一电介质基板的一例)1、形成在电介质基板1的液晶层LC侧的多个贴片电极15及多个TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)10、形成在液晶层LC侧最表面的取向膜M1。在各TFT 10上连接着图1中并未图示的栅极总线及源极总线。
插槽基板201具有玻璃基板等电介质基板(第二电介质基板的一例)51、形成在电介质基板51的液晶层LC侧的插槽电极55、形成在液晶层LC侧的最表面的取向膜M2。插槽电极55具有多个槽57。
作为TFT基板101及插槽基板201中所使用的电介质基板1、51，优选对微波的介电损耗小，除了玻璃基板以外还可以利用塑料基板。电介质基板1、51的厚度并无特别限制，例如优选为400μm以下，更优选为300μm以下。另外，电介质基板1、51的厚度的下限并无特别限制，如果具有可承受制造工艺等的强度即可。
反射导电板65以介隔空气层54而与插槽基板201对向的形态进行配置。另外，在其他实施方式中，还可以使用由对于微波的介电常数m小的电介质(例如PTFE等氟树脂)形成的层来代替空气层54。在本实施方式的扫描天线1000中，插槽电极55、反射导电板65、及它们之间的电介质基板51和空气层54发挥作为波导301的功能。
贴片电极15、含有槽57的插槽电极55的部分(以下有时称为“插槽电极单元57U”)、及它们之间的液晶层LC构成天线单元U。在各个天线单元U中，一个岛状贴片电极15介隔液晶层LC而与一个孔状的槽57(插槽电极单元57U)对向，分别构成液晶电容。在本实施方式的扫描天线1000中，多个天线单元U排列为同心圆状。另外，天线单元U具有与液晶电容并列电连接的辅助电容。
插槽电极55在各插槽电极单元57U中构成天线单元U，且还发挥作为波导301的壁的功能。因此，插槽电极55需要具有抑制微波透过的功能，由相对较厚的金属层构成。此种金属层例如可列举Cu层、Al层等。例如为了将10GHz的微波减低至1/150，将Cu层的厚度设定为3.3μm以上，将Al层的厚度设定为4.0μm以上。而且，为了将30GHz的微波减低至1/150，将Cu层的厚度设定为1.9μm以上，将Al层的厚度设定为2.3μm以上。关于构成插槽电极55的金属层的厚度的上限，并无特别限制，但如果考虑如后所述地形成取向膜M2，则可以说越薄越优选。另外，至于金属层，如果使用Cu层，则具有可以比Al层薄的优点。作为插槽电极55的形成方法，可使用在现有的液晶显示装置的技术中所利用的薄膜沉积法，或将金属箔(例如Cu箔、Al箔)贴附于基板上的其他方法等。金属层的厚度例如设定为2μm以上30μm以下。而且，在使用薄膜沉积法形成金属层的情况下，金属层的厚度例如设定为5μm以下。反射导电板65例如可使用厚度为数mm的铝板、铜板等。
贴片电极15并不像插槽电极55那样构成波导301，因此由厚度比插槽电极55小的金属层构成。另外，为了避免插槽电极55的槽57附近的自由电子振动诱发贴片电极15内的自由电子振动时变为热的损耗，优选电阻较低。自量产性等观点考虑，与Cu层相比而言，优选使用Al层，Al层的厚度例如优选为0.5μm以上2μm以下。
如专利文献1所记载那样，如果将微波的波长设为λ，则天线单元U的排列间距例如设定为λ/4以下、及/或λ/5以下。波长λ例如为25mm，在此情况下的排列间距例如设定为6.25mm以下、及/或5mm以下。
扫描天线1000通过使天线单元U所具有的液晶电容的静电电容值变化而使自各贴片电极15激发(再辐射)的微波的位相变化。因此，液晶层LC优选对于微波的介电常数m(εm)的各向异性(Δεm)较大，且优选tanδm(对于微波的介电损耗角正切)较小。例如可适宜使用M.Wittek et al.,SID 2015DIGEST pp.824-826中所记载的Δεm为4以上、tanδM为0.02以下(均为19Gz的值)。另外，可使用九鬼、高分子第55卷8月号pp.599-602(2006)中记载的Δεm为0.4以上、tanδm为0.04以下的液晶材料。
液晶材料的介电常数虽然在一般情况下具有频率分散，但对于微波的介电各向异性Δεm与对于可见光的折射率各向异性Δn具有正相关。因此，可以说对于微波的天线单元用液晶材料优选对于可见光的折射率各向异性Δn较大的材料。此处，如果使用对于550nm的光的Δn(双折射率)作为指标，则在对于微波的天线单元用途中使用Δn为0.3以上、优选为0.4以上的向列型液晶。Δn的上限并无特别限制。液晶层LC的厚度例如设定为1μm以上500μm以下。
图2是示意性表示扫描天线1000所具有的TFT基板101的平面图，图3是示意性表示扫描天线1000所具有的插槽基板201的平面图。另外，为了方便说明，将与天线单元U对应的TFT基板101的区域、及插槽基板201的区域总称为“天线单元区域”，将与天线单元相同的参考符号作为它们的参考符号。而且，如图2及图3所示，将在TFT基板101及插槽基板201中，由二维地排列的多个天线单元区域U划定的区域称为“收发区域R1”，将收发区域R1以外的区域称为“非收发区域R2”。在非收发区域R2配设着端子部、驱动电路等。
收发区域R1在俯视时成为圆环状。非收发区域R2包含位于收发区域R1的中心部的第一非收发区域R2a、及配置于收发区域R1的周缘的第二非收发区域R2b。收发区域R1的外径例如为200mm以上1,500mm以下，可根据通信量等而适宜设定。
在TFT基板101的收发区域R1设有由衍生物基板1支撑着的多个栅极总线GL及多个源极总线SL，利用这些配线控制各天线单元区域U的驱动。各个天线单元区域U包含TFT 10和与TFT 10电连接的贴片电极15。TFT 10的源极电极与源极总线SL电连接，栅极电极与栅极总线GL电连接。而且，TFT 10的漏极电极与贴片电极15电连接。
在非收发区域R2(第一非收发区域R2a、第二非收发区域R2b)配设有密封区域Rs，该密封区域Rs以包围收发区域R1的方式形成密封材料(未图示)。密封材料使TFT基板101和插槽基板201相互粘接，且具有将液晶材料(液晶层LC)密封在这些基板101、201之间的功能等。
非收发区域R2中，在密封区域R2的外侧配设有栅极端子部GT、栅极驱动器GD、源极端子部ST及源极驱动器SD。各个栅极总线GL经由栅极端子部GT而与栅极驱动器GD连接，而且各个源极总线SL经由源极端子部ST而与源极驱动器SD连接。另外，在本实施方式中，源极驱动器SD及栅极驱动器GD此两者形成在TFT基板101的电介质基板1上，但这些驱动器的一者或两者也可以形成在插槽基板201的电介质基板51上。
而且，在非收发区域R2设有多个传输端子部PT。传输端子部PT与插槽基板201的插槽电极55电连接。在本实施方式中，在第一非收发区域R2a及第二非收发区域R2b的两者配设有传输端子部PT。在其他实施方式中，可以是仅在任一区域配设传输端子部PT的构成。而且，在本实施方式的情况下，传输端子部PT配设在密封区域Rs内。因此，密封材料使用含有导电性粒子(导电性颗粒)的导电性树脂。
如图3所示，在插槽基板201中，在电介质基板51上横跨收发区域R1及非收发区域R2地形成着插槽电极55。另外，在图3中表示了从液晶层LC侧看到的插槽基板201的表面，为了便于说明，去掉了形成在最表面的取向膜M2。
在插槽基板201的收发区域R1中，在插槽电极55上配设有多个槽57。这些槽57在TFT基板101的每个天线单元区域U中分别分配了一个。在本实施方式的情况下，多个槽57为了构成径向线槽天线而将在相互大概正交的方向上延伸的一对槽57配置为同心圆状。由于具有此种一对槽57，所以扫描天线1000可收发圆偏振波。
在插槽基板201的非收发区域R2中设有多个插槽电极55的端子部IT。端子部IT与TFT基板101的传输端子部PT电连接。在本实施方式的情况下，端子部IT配设于密封区域Rs内，如上所述地通过密封材料与对应的传输端子部PT电连接，所述密封材料由含有导电性粒子(导电性颗粒)的导电性树脂构成。
而且，在第一非收发区域R2a中，以配置在槽57所形成的同心圆的中心的形态设有供电针脚72。通过该供电针脚72对波导301供给微波，所述波导301由插槽电极55、反射导电板65及电介质基板51构成。另外，供电针脚72连接到供电装置70上。另外，供电方式可以是直接连接供电方式和电磁耦合方式的任意方式，可采用公知的供电结构。
以下关于TFT基板101、插槽基板201及波导301而加以详细说明。
<TFT基板101的结构>
图4是示意性表示TFT基板101的天线单元区域U的剖视图，图5是示意性表示TFT基板101的天线单元区域U的平面图。在图4及图5中分别表示收发区域R1的一部分剖面构成。
TFT基板101的各个天线单元区域U分别具有：电介质基板(第一电介质基板)1、支撑于电介质基板1上的TFT 10、覆盖TFT 10的第一绝缘层11、形成于第一绝缘层11上的与TFT 10电连接的贴片电极15、覆盖贴片电极15的第二绝缘层17、覆盖第二绝缘层17的取向膜M1。
TFT 10具有：栅极电极3、岛状的半导体层5、配置于栅极电极3与半导体层5之间的栅极绝缘层4、源极电极7S及漏极电极7D。本实施方式的TFT 10是具有底栅结构的沟道蚀刻型。另外，在其他实施方式中，也可以是其他结构的TFT。
栅极电极3与栅极总线GL电连接，由栅极总线GL供给扫描信号。源极电极7S与源极总线SL电连接，由源极总线SL供给数据信。栅极电极3及栅极总线GL也可以由相同的导电膜(栅极用导电膜)形成。而且，源极电极7S、漏极电极7D及源极总线SL也可以由相同的导电膜(源极用导电膜)形成。栅极用导电膜及源极用导电膜例如由金属膜构成。另外，有时将使用栅极用导电膜而形成的层称为“栅极金属层”，将使用源极用导电膜而形成的层称为“源极金属层”。
半导体层5配置为介隔栅极绝缘层4而与栅极电极3重叠。如图4所示，在半导体层5上形成有源极接触层6S及漏极接触层6D。源极接触层6S及漏极接触层6D配置为分别在半导体层5中的形成沟道的区域(沟道区域)的两侧对峙的形态。在本实施方式的情况下，半导体层5由本征非晶硅(i-a-Si)层构成，源极接触层6S及漏极接触层6D由n+型非晶硅(n+-a-Si)层构成。另外，在其他实施方式中，半导体层5也可以由多晶硅层、氧化物半导体层等构成。
源极电极7S设置为与源极接触层6S相接，经由源极接触层6S而与半导体层5连接。漏极电极7D设置为与漏极接触层6D相接，经由漏极接触层6D而与半导体层5连接。
第一绝缘层11具有到达TFT 10的漏极电极7D的接触孔CH 1。
贴片电极15设在第一绝缘层11上和接触孔CH1内，在接触孔CH1内与漏极电极7D相接。贴片电极15主要由金属层构成。另外，贴片电极15也可以是仅由金属层形成的金属电极。贴片电极15的材料可以与源极电极7S及漏极电极7D相同。贴片电极15中的金属层的厚度(在贴片电极15为金属电极的情况下，贴片电极15的厚度)可以与源极电极7S及漏极电极7D的厚度相同，但优选比它们的厚度大。如果贴片电极15的厚度大，则可将电磁波的透过率抑制得较低，贴片电极的薄层电阻减低，贴片电极内的自由电子振动变为热的损耗减低。
而且，还可以使用与栅极总线GL相同的导电膜来设置CS总线CL。CS总线CL配置为介隔栅极绝缘层4而与漏极电极7D(或漏极电极7D的延长部分)重叠，也可以构成以栅极绝缘层4为电介质层的辅助电容CS。
在本实施方式中，在与源极金属层不同的层内形成贴片电极15。因此成为可相互独立地控制源极金属层的厚度与贴片电极15的厚度的构成。
贴片电极15可以包含Cu层或Al层作为主层。扫描天线的性能与贴片电极15的电阻有关系，主层的厚度可设定为获得所期望的电阻。贴片电极15优选为并不阻碍电子振动的程度的低电阻。在贴片电极15中的金属层由Al层形成的情况下，其厚度例如设定为0.5μm以上。
取向膜M1由丙烯酸系树脂构成。取向膜M1的详细如后所述。
TFT基板101例如可通过以下所示的方法而制造。首先，准备电介质基板1。衍生物基板1例如可使用玻璃基板、具有耐热性的塑料基板等。在此种电介质基板1上形成包含栅极电极3及栅极总线GL的栅极金属层。
栅极电极3可与栅极总线GL形成为一体。此处，通过溅射法等在电介质基板1上形成栅极用导电膜(厚度：例如50nm以上500nm以下)。其次，通过对栅极用导电膜进行图案化而形成栅极电极3及栅极总线GL。栅极用导电膜的材料并无特别限定，例如可适宜使用含有铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金、或者其金属氮化物的膜。此处，形成顺次层压MoN(厚度：例如50nm)、Al(厚度：例如200nm)及MoN(厚度：例如50nm)而成的层压膜作为栅极用导电膜。
其次，以覆盖栅极金属层的方式形成栅极绝缘层4。栅极绝缘层4可通过CVD法等而形成。栅极绝缘层4可适宜使用氧化硅(SiO2)层、氮化硅(SiNx)层、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)层、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)层等。栅极绝缘层4可以具有层压结构。此处，形成SiNx层(厚度：例如410nm)作为栅极绝缘层4。
其次，在栅极绝缘层4上形成半导体层5及接触层。此处，通过顺次形成本征非晶硅膜(厚度：例如125nm)及n+型非晶硅膜(厚度：例如65nm)并进行图案化而获得岛状的半导体层5及接触层。另外，半导体层5中所使用的半导体膜并不限定于非晶硅膜。例如，可以形成氧化物半导体层作为半导体层5。在这种情况下，在半导体层5和源极/漏极电极之间也可以不设置接触层。
其次，在栅极绝缘层4上及接触层上形成源极用导电膜(厚度：例如50nm以上500nm以下)，对其进行图案化，由此形成包含源极电极7S、漏极电极7D及源极总线SL的源极金属层。此时，接触层也被蚀刻，形成相互分离的源极接触层6S和漏极接触层6D。
源极用导电膜的材料并无特别限定，例如可适宜使用含有铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金、或其金属氮化物的膜。此处，形成顺次层压MoN(厚度：例如30nm)、Al(厚度：例如200nm)及MoN(厚度：例如50nm)而成的层压膜作为源极用导电膜。
此处，例如利用溅射法形成源极用导电膜，利用湿法刻蚀进行源极用导电膜的图案化(源极/漏极分离)。其后，例如利用干法刻蚀将接触层中的位于成为半导体层5的沟道区域的区域上的部分除去而形成间隙部，分离为源极接触层6S及漏极接触层6D。此时，在间隙部中，半导体层5的表面附近也被蚀刻(过度蚀刻)。
其次，以覆盖TFT 10的方式形成第一绝缘层11。在该例中，第一绝缘层11配置为与半导体层5的沟道区域相接。而且，利用公知的光刻技术，在第一绝缘层11上形成到达漏极电极7D的接触孔CH1。
第一绝缘层11例如可以是氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等无机绝缘层。此处，利用例如CVD法形成厚度例如为330nm的SiNx层而作为第一绝缘层11。
其次，在第一绝缘层11上及接触孔CH1内形成贴片用导电膜，对其进行图案化。由此在收发区域R1形成贴片电极15。另外，在非收发区域R2形成由与贴片电极15相同的导电膜(贴片用导电膜)所构成的贴片连接部。贴片电极15在接触孔CH1内与漏极电极7D相接。
贴片用导电膜的材料可使用与栅极用导电膜或源极用导电膜同样的材料。然而，优选将贴片用导电膜设定为比栅极用导电膜及源极用导电膜厚。贴片用导电膜的适宜的厚度例如为1μm以上30μm以下。如果比其薄，则电磁波的透过率成为30％左右，薄层电阻成为0.03Ω/sq以上，可能会产生损耗变大的问题；如果比其厚，则可能会产生槽57的图案化性恶化的问题。
此处，形成顺次层压MoN(厚度：例如50nm)、Al(厚度：例如1000nm)及MoN(厚度：例如50nm)而成的层压膜(MoN/Al/MoN)作为贴片用导电膜。
其次，在贴片电极15及第一绝缘层11上形成第二绝缘层(厚度：例如100nm以上300nm以下)17。第二绝缘层17并无特别限定，例如可适宜使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。此处，形成例如厚度为200nm的SiNx层作为第二绝缘层17。
其后，通过例如使用氟系气体的干法刻蚀而一次性地蚀刻无机绝缘膜(第二绝缘层17、第一绝缘层11及栅极绝缘层4)。在蚀刻中，贴片电极15、源极总线SL及栅极总线GL发挥作为蚀刻阻挡层的功能。由此在第二绝缘层17、第一绝缘层11及栅极绝缘层4上形成达到栅极总线GL的第二接触孔，在第二绝缘层17及第一绝缘层11上形成到达源极总线SL的第三接触孔。而且，在第二绝缘层17上形成到达上述贴片连接部的第四接触孔。
其次，利用例如溅射法在第二绝缘层17上、第二接触孔、第三接触孔、第四接触孔内形成导电膜(厚度：50nm以上200nm以下)。导电膜可使用例如ITO(氧化物铟锡)膜、IZO膜、ZnO膜(氧化锌膜)等透明导电膜。此处，导电膜使用厚度为例如100nm的ITO膜。
其次，通过对上述透明导电膜进行图案化，形成栅极端子用上部连接部、源极端子用上部连接部及传输端子用上部连接部。栅极端子用上部连接部、源极端子用上部连接部及传输端子用上部连接部用以保护在各端子部露出的电极或配线。如上所述地进行而获得栅极端子部GT、源极端子部ST及传输端子部PT。
其次，以覆盖第二绝缘膜17等的形态形成取向膜M1。取向膜M1的详细如后所述。可如上所述地进行而制造TFT基板101。
<插槽基板201的结构>
其次，更具体地说明插槽基板201的结构。图6是示意性地表示插槽基板201的天线单元区域U的剖视图。
插槽基板201主要具有：电介质基板(第二电介质基板)51、形成在电介质基板51的其中一个板面(朝向液晶层侧的板面、朝向TFT基板101侧的板面)51a上的插槽电极55、覆盖插槽电极55的第三绝缘层58、覆盖第三绝缘层58的取向膜M2。
在插槽基板201的收发区域R1中，在插槽电极55上形成有多个槽57(参考图3)。槽57是贯穿插槽电极55的开口(沟部)。在该例中，对各天线单元区域U分配一个槽57。
插槽电极55包含Cu层、Al层等主层55M。插槽电极55还可以具有层压结构，该层压结构包含主层55M、和夹着其而配置的上层55U及下层55L。主层55M的厚度可根据材料考虑趋肤效应而设定，例如可以是2μm以上30μm以下。主层55M的厚度典型的是设置得比上层55U及下层55L的厚度大。
在该例中，主层55M由Cu层构成，上层55U及下层55L由Ti层构成。通过在主层55M和电介质基板51之间配置下层55L，可使插槽电极55与电介质基板51的密接性提高。而且，通过设置上层55U，可抑制主层55M(例如Cu层)的腐蚀。
第三绝缘层58形成在插槽电极55上及槽57内。第三绝缘层52的材料并无特别限定，例如可适宜使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。
取向膜M2与TFT基板101的取向膜M1同样地由丙烯酸系树脂构成。取向膜M2的详细如后所述。
另外，在插槽基板201的非收发区域R2设有端子部IT(参考图3)。端子部IT具有插槽电极55的一部分、覆盖插槽电极55的一部分的第三绝缘层58、及上部连接部。第三绝缘层58具有到达插槽电极55的一部分的开口(接触孔)。上部连接部在所述开口内与插槽电极55的一部分相接。在本实施方式中，端子部IT由ITO膜、IZO膜等导电层构成，配置于密封区域Rs内，通过含有导电性粒子(例如Au颗粒等导电性颗粒)的密封树脂与TFT基板101中的传输端子部PT连接。
插槽基板201例如通过以下所示的方法制造。首先，准备电介质基板51。电介质基板51可使用玻璃基板、树脂基板等对于电磁波的透过率高(介电常数εM及介电损耗tanδM小)的基板。为了抑制电磁波衰减，优选电介质基板51的厚度较薄。例如在通过后述的工艺在玻璃基板的表面形成插槽电极55等构成组件后，也可以从背面侧对玻璃基板进行薄板化。由此可将玻璃基板的厚度设定为例如500μm以下。另外，一般情况下树脂的介电常数εM及介电损耗tanδM比玻璃小。在电介质基板51由树脂基板构成的情况下，其厚度例如为3μm以上300μm以下。树脂基材的材料使用聚酰亚胺等。
在电介质基板51上形成金属膜，对其进行图案化，由此获得具有多个槽57的插槽电极55。金属膜可使用厚度为2μm以上5μm以下的Cu膜(或Al膜)。此处，使用顺次层压Ti膜、Cu膜及Ti膜而成的层压膜。
其次，在插槽电极55上及槽57内形成第三绝缘层(厚度：例如100nm以上200nm以下)58。此处的第三绝缘层52由氧化硅(SiO2)膜构成。
其后，在非收发区域R2中，在第三绝缘层58上形成到达插槽电极55的一部分的开口(接触孔)。
其次，在第三绝缘层58上及第三绝缘层58的上述开口内形成透明导电膜，对其进行图案化，由此形成在开口内与插槽电极55的一部分相接的上部连接部，获得用以与TFT基板101的传输端子部PT连接的端子部IT。
其后，以覆盖第三绝缘层58的方式形成取向膜M2。取向膜M2的详细如后所述。可如上所述地进行而制造插槽基板201。
<波导301的构成>
波导301构成为如下形态：反射导电板65介隔电介质基板51而与插槽电极55对向。反射导电板65配设为介隔空气层54而与电介质基板51的背面对向。反射导电板65构成波导301的壁，因此优选具有表皮深度的3倍以上、优选5倍以上的厚度。反射导电板65可使用例如通过剃削而制作的厚度为数mm的铝板、铜板等。
例如在扫描天线1000发送信号时，波导301以扩散为放射状的方式向外侧引导由供电针脚72供给的微波，该供电针脚72配置在排列为同心圆状的多个天线单元U的中心。在微波沿波导301移动时被各天线单元U的各槽57切断，因此由于所谓的槽天线的原理而产生电场，由于该电场的作用而在插槽电极55中感应出电荷(亦即，微波被转换为插槽电极55内的自由电子的振动)。在各天线单元U中，通过液晶的取向控制来使液晶电容的静电电容值变化，由此控制在贴片电极15中感应出的自由电子的振动的相位。如果在贴片电极15中感应出电荷，则产生电场(亦即，插槽电极55内的自由电子的振动向贴片电极15内的自由电子的振动移动)，微波(电波)从各天线单元U的贴片电极15朝向TFT基板101的外侧振荡。自各天线单元U振荡的相位不同的微波(电波)相叠加，由此控制波束的方位角。
另外，在其他实施方式中，可以将波导设为分为上层与下层的两层结构。在这种情况下，由供电针脚供给的微波首先在下层内从中心朝向外侧以扩散为放射状的方式移动，其后在下层的外壁部分上升到上层，在上层以从外侧向中心聚集的方式进行移动。通过设为此种两层结构，变得容易使微波均匀地分布到各天线单元U。
<取向膜M1、M2>
在本实施方式的TFT基板101及插槽基板201中利用的取向膜M1、M2(以下有时将它们汇总记载为“取向膜M”)由以丙烯酸系树脂(丙烯酸系聚合物)为材料的高分子膜(丙烯酸系取向膜)构成。
与例如聚酰亚胺系(聚酰胺酸系)取向膜相比而言，以丙烯酸系聚合物为主材料的取向膜M的吸湿性极低。因此，作为如扫描天线的各基板(TFT基板101、插槽基板201)这样的具有较大阶差结构(凹凸结构)的基板的取向膜，适宜的是以丙烯酸系聚合物为主材料的取向膜M。
取向膜M中所利用的丙烯酸系聚合物由包含如下化合物的单体组合物的聚合物构成，亦即具有烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯(以下简称为“(甲基)丙烯酸烷基酯”)、及/或具有光反应性官能基的(甲基)丙烯酸酯(以下简称为“光反应性(甲基)丙烯酸酯”)。另外，在本申请说明书中，所谓“(甲基)丙烯酰基”是表示“丙烯酰基”及/或“甲基丙烯酰基”(“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”中的任一者或两者)。
(甲基)丙烯酸烷基酯例如可适宜地使用下述化学式(1)所表示的化合物。
[化1]
CH2＝C(R1)COOR2 (1)
上述式(1)中的R1是氢原子或甲基。而且，R2是碳数为1～18的直线状或支链状的烷基。另外，R2优选为碳数为1～10的直线状或支链状的烷基，更优选为碳数为1～8的直直状或支链状的烷基。
另外，作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例，例如可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸异硬脂酯等。这些化合物可单独使用或组合使用两种以上。
而且，光反应性(甲基)丙烯酸酯例如可适宜使用下述化学式(2)所表示的化合物。
[化2]
上述(2)式中的R3是氢原子或甲基。而且，R4是间隔部，是单键或2价有机基。另外，R4也可以并不必须。R5是修饰基，是一价有机基或氢原子。另外，R4优选碳数为1～12的烷基，R5优选氢原子、碳数为1～6的烷基、或苯基的任意基。光反应性(甲基)丙烯酸酯在接收到紫外线等规定的光时会产生反应，结构发生变化。
在丙烯酸系聚合物含有源自上述化学式(2)等所表示的光反应性(甲基)丙烯酸酯的结构单元的情况下，由此种丙烯酸系聚合物构成的取向膜M可用作光取向膜(丙烯酸系光取向膜)。此种光取向膜(丙烯酸系取向膜)表现出如下功能，亦即在自特定方向照射规定的光(例如线性偏振紫外线)(光取向处理)时，使液晶层LC中的液晶化合物取向于特定方向上的功能。如上所述，光取向膜(丙烯酸系取向膜)还可以包含光反应性丙烯酸系聚合物，其含有源自于侧链具有光反应性官能基的丙烯酸系单体的结构单元。
上述丙烯酸系聚合物除了源自上述单体((甲基)丙烯酸烷基酯、光反应性(甲基)丙烯酸酯)的结构单元以外，还可以包含源自其他单体的结构单元。
其他单体例如可列举以控制液晶化合物的倾斜角等为目的的含有非光反应性的垂直性侧链的(甲基)丙烯酸酯、或以改善可靠性等为目的的含有非光反应性的热交联性侧链的(甲基)丙烯酸酯等。
上述丙烯酸系聚合物可通过公知或惯用的聚合方法对上述单体组合物进行聚合而制备。丙烯酸系聚合物的聚合方法例如可列举溶液聚合方法、乳化聚合方法、本体聚合方法或照射紫外线的聚合方法等。另外，在丙烯酸系聚合物的聚合时，聚合引发剂、链转移剂、乳化剂、溶剂等等各个与聚合方法相应的适宜成分可自公知或惯用的化合物中适宜选择而使用。
丙烯酸系聚合物的重量平均分子量只要不损及本发明的目的就没有特别限制。而且，作为使丙烯酸系聚合物溶解的溶媒，只要不损及本发明的目的就没有特别限制。
在取向膜M中所利用的适宜的丙烯酸系聚合物例如可列举聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。
而且，只要不损及本发明的目的，在取向膜M中除了上述丙烯酸系聚合物以外还可以含有其他树脂成分。
含有上述聚丙烯酸系聚合物的取向膜M的形成方法并无特别限制，可应用公知的成膜方法。例如利用公知的涂布方法(例如旋涂机等)将上述丙烯酸系聚合物溶解于规定溶媒中而成的取向膜溶液涂布在涂布对象物、亦即TFT基板101等的表面上。涂布后的涂膜以除去溶媒等为目的，适宜地进行加热。对加热后的涂膜(取向膜)适宜地实施取向处理。
作为对取向膜M的取向处理，可以进行摩擦处理，在取向膜M为光取向膜的情况下，可以进行自规定方向照射光(例如线性偏振紫外线)的光取向处理。
取向膜M的厚度并无特别限制，可视需要适宜设定。
此处，参照图7对取向膜M的厚度容易变大的部分等加以说明。图7是示意性表示构成扫描天线1000的天线单元U的TFT基板101、液晶层LC及插槽基板201的剖视图。如图7所示，在天线单元U中，TFT基板101的岛状的贴片电极15和插槽基板201的插槽电极55所具有的孔状(沟状)槽57(插槽电极单元57U)以夹着液晶层LC的形态对向。另外，在本说明书中，线单元U由如下结构构成，该结构包含一个贴片电极15、及配置着与该贴片电极15对应的至少一个槽57的插槽电极55(插槽电极单元57U)。
TFT基板101的液晶层LC侧成为贴片电极15自第一绝缘层11的表面较高地***为凸状的状态。而且，相邻的贴片电极15之间成为深深地凹陷为凹状的状态。如上所述地在TFT基板101的液晶层LC侧的表面形成着主要源自贴片电极15的较大的阶差结构(凹凸结构)。
而且，插槽基板201的液晶层LC侧成为形成在插槽电极55上的槽57深深地凹陷于电介质基板51侧的状态。另外，包围槽57的部分的插槽电极55成为自电介质基板51的表面较高地***的状态。如上所述地在插槽基板201的液晶层LC侧的表面形成着主要源自插槽电极55(槽57)的较大的阶差结构(凹凸结构)。
在如上所述地具有较大阶差结构(凹凸结构)的TFT基板101中，在贴片电极15的***为凸状的周缘部附近(图7中以符号S1、S2所表示的部分)，在制造过程中，取向膜M1容易积存，取向膜M1的厚度容易变大。而且，在插槽基板201中，在凹陷为凹状的槽57内(图7中以符号3所表示的部分)，在制造过程中取向膜M2容易积存，取向膜M2的厚度容易变大。
然而，在本实施方式中，取向膜M(M1、M2)利用以丙烯酸系聚合物为主材料的高分子膜，因此如上所述那样，即便取向膜M(M1、M2)的厚度部分性变大，取向膜M(M1、M2)的吸湿性极低，因此可抑制在液晶层LC中积存气泡。
<液晶层LC>
构成本实施方式的液晶层LC的液晶材料(液晶化合物)优选使用极性大的液晶材料。例如优选于液晶化合物的末端具有选自由卤基(F基、Cl基、Br基)、SCN基、NCS基、CN基、OCN基、NCO基、CF3基、OCF3基、及SF5基所构成的群的至少一种官能基。而且，优选于液晶化合物中具有选自由碳-碳三键(乙炔键)、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-(CO)O-、-O(CO)-、及-O-所构成的群的至少一种键。如果含有此种键，则极性进一步变大，因此优选。
如上所述的液晶化合物的在微波区域的介电常数各向异性大，可以说特别优选作为天线用液晶化合物。此外，与现有的液晶显示面板中所利用的液晶化合物相比而言，上述液晶化合物的极性更大，因此可以说水的溶解性高。因此，即便在从取向膜M(取向膜M1、取向膜M2)产生水分的情况下，也可以使该水分溶解于液晶层LC中，可防止气泡的产生。
(扫描天线的制造方法)
在制造扫描天线时进行如下工序，亦即在TFT基板101与插槽基板201之间封入液晶层LC。构成液晶层LC的液晶材料(液晶化合物)可以与现有的液晶显示面板的制造工序同样地通过液晶滴下注入法(ODF：One Drop Fill)封入到TFT基板101与插槽基板201之间，也可以通过真空注入法封入到TFT基板101与插槽基板201之间。另外，如后所述，在制造本实施方式的扫描天线时，优选使用真空注入法。
在扫描天线的各基板(TFT基板101、插槽基板201)中具有例如厚度为1μm～数μm的电极(贴片电极15、插槽电极55)，如上所述地在这些各基板中存在较大的阶差结构(凹凸结构)。如果在此种基板上涂布取向膜溶液，则取向膜液流入到凹部，因此凹部附近的膜厚变大为例如数百nm～数μm。而且，与现有的液晶显示面板的面积相比而言，其面积也极大。因此，可以说在扫描天线的制造工序中，在从取向膜的形成工序(成膜工序)到将液晶封入至基板间的工序之间，取向膜材料成为容易吸收大量环境中(氛围中)的水分的状态。然而，在本实施方式中，取向膜M如上所述地利用丙烯酸系取向膜(含有丙烯酸系聚合物的高分子膜)，因此可抑制取向膜M吸收水分。丙烯酸系树脂与例如聚酰亚胺系树脂相比而言，极其难以吸湿，因此可抑制如下现象：由于液晶材料的封入工序中的脱气、加热工艺，或在使用所完成的扫描天线时的温度变化、气压变化等，从取向膜M产生气体。因此，通过本实施方式的扫描天线的制造方法，可良率良好地制作能够抑制产生气泡的液晶天线面板(扫描天线的复合面板)。
在制造上述面板后，适宜地在插槽基板201(第二电介质基板51)的相反面51b，以介隔电介质层(空气层)54而对向的方式将反射导电板65安装到所述面板侧。经过此种工序而制造本实施方式的扫描天线。
另外，在上述实施方式中，扫描天线所具有的TFT基板及插槽基板的各取向膜M1、M2使用丙烯酸系取向膜。当如上所述地使用丙烯酸系取向膜作为取向膜的方法适宜时，也可以在扫描天线用途以外的各种基板(例如表面具有较大凹凸结构的液晶显示装置用基板)中使用丙烯酸系取向膜。
[实施例]
以下，基于实施例对本发明加以更详细说明。另外，本发明并不受这些实施例任何限定。
(实施例1)
分别准备与上述第一实施方式中所例示的TFT基板101的基本构成相同的TFT基板、及同样地与上述第一实施方式中所例示的插槽基板201的基本构成相同的插槽基板201。另外，TFT基板的贴片电极及插槽基板的插槽电极均由铝构成。而且，将贴片电极的厚度设定为2μm，且将插槽电极的厚度设定为4μm。
在TFT基板的液晶层侧的表面，以覆盖贴片电极的形态涂布以聚甲基丙烯酸甲酯为主成分的取向膜溶液。另外，取向膜溶液的溶媒使用将N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)与丁基溶纤剂以1：1的体积比混合而成的混合溶媒。而且，对于插槽基板的液晶层侧的表面，也以覆盖插槽电极的形态涂布上述取向膜溶液。
将形成在TFT基板及插槽基板上的由上述取向膜溶液构成的涂膜在70℃下加热5分钟，接着进一步在150℃下加热30分钟。其后，对TFT基板及插槽基板的各涂膜实施摩擦处理(取向处理)，在TFT基板及插槽基板的各表面分别形成取向膜。
在TFT基板的表面(液晶层侧、取向膜侧)，使用框胶涂布机将热固型密封材料(商品名“HC-1413FP”、三井化学株式会社制造)描绘为框状，接着利用ODF法将液晶材料赋予到所描绘的框内。其后，经由热固型密封材料而将插槽基板贴合到TFT基板上。另外，液晶材料(液晶化合物)使用于末端具有-CN基(氰基、腈基)的4-氰基-4'-戊基联苯(5CB)。
在将基板彼此贴合后，在130℃下加热40分钟而进行热固型密封材料的固化和液晶化合物的再取向处理，获得液晶化合物均匀地单轴取向的实施例1的复合面板。
(比较例1)
用以形成取向膜的取向膜材料使用以聚酰胺酸为主成分的取向膜材料，将该取向膜材料涂膜的加热条件设定为在70℃下加热5分钟，接着进一步在200℃下加热30分钟，除此以外与实施例1同样地进行而制作比较例1的复合面板。
[评价1：脱附气体量的测定]
使用热脱附气体分析装置(TDS：Thermal Desorption Spectroscopy)测定实施例1及比较例1的脱附气体量。具体而言，分别在毛坯玻璃上形成实施例1的丙烯酸系取向膜和比较例1的聚酰亚胺系取向膜，测定将这些取向膜在10-7Pa的气压条件下，从室温(23℃)加热至150℃时从各取向膜脱附的气体量(脱附气体量)。其结果，图8是表示实施例1及比较例1的各取向膜的脱附气体量的测定结果的图表。图8的纵轴是气体(质量数为18、H2O)的脱附量(1015个/cm2)。如图8所示，确认与比较例1的聚酰亚胺系取向膜相比而言，实施例1的丙烯酸系取向膜的脱附水蒸气量极少。因此可以说如果使用丙烯酸系取向膜，则可抑制气泡的产生，制作复合面板。
[评价2：初始状态下气泡的有无]
分别准备实施例1的复合面板及比较例1的复合面板各5个。关于实施例1的各复合面板、及比较例1的各复合面板，为了确认有无产生气泡，目视确认制作之后的状态(初始状态)。其结果，关于实施例1的复合面板，没有一个确认有气泡。相对于此，在比较例1中，5个复合面板中有一个复合面板确认有气泡。
[评价3：减压试验后气泡的有无]
如上所述地确认初始状态后，对实施例1的各复合面板及比较例1的各复合面板进行在70℃、50kPa的环境下放置100小时的减压试验。接着，关于减压试验后的各复合面板，目视确认有无产生气泡。其结果，关于实施例1的复合面板，没有一个确认有气泡。相对于此，在比较例1中，5个复合面板中有3个复合面板确认有气泡。如比较例1所示，如果在复合面板中存在气泡，则在施加电压时，复合面板不能正常地工作，从而变得无法发挥作为天线的功能。
(实施例2)
取向膜使用丙烯酸系光取向膜作为，且取向处理进行光取向处理来代替摩擦处理，除此以外与实施例1同样地进行而获得实施例2的复合面板。
实施例2的丙烯酸系光取向膜使用上述化学式(2)所表示的光反应性(甲基)丙烯酸酯的聚合物(亦即，光反应性丙烯酸系聚合物)。另外，化学式(2)中的R3为甲基，R4为C5H10，R5为H。而且，溶解实施例2的丙烯酸系聚合物的溶媒使用将N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)与丁基溶纤剂以1：1的体积比加以混合而成的混合溶媒。
而且，光取向处理是自基板(TFT基板、插槽基板)的法线方向倾斜40度的方向对丙烯酸系聚合物的涂膜照射线性偏振紫外线。线性偏振紫外线的照射量是在中心波长313nm附近为100mJ/cm2。
[实施例2的评价]
与上述实施例1同样地准备合计5个实施例2的复合面板，对于这些复合面板，与实施例1同样地确认初始状态及减压试验后的气泡的有无。其结果，在实施例2中，在初始状态及减压试验后的任意情况下都是在所有的复合面板中均未发现气泡的产生。
(实施例3)
TFT基板的贴片电极及插槽电极的插槽电极使用铜(Cu)，且将贴片电极的厚度设定为1μm、将插槽电极的厚度设定为2μm，除此以外与实施例1同样地进行而制作实施例3的复合面板。
至于电极的厚度，虽然为了获得所期望的天线性能而需要一定以上的厚度，但通过电极的材料使用铜(Cu)代替铝(Al)，可使电极的厚度变小。如果电极的厚度小，则积存于各基板凹部的取向膜量也变少，因此来自取向膜的产生气体量进一步变少，从而抑制气泡的产生。
[实施例3的评价]
与上述实施例1同样地准备合计5个实施例3的复合面板，对于这些复合面板，与实施例1同样地确认初始状态及减压试验后的气泡的有无。其结果，在实施例3中，在初始状态及减压试验后的任意情况下都是在所有的复合面板中均未发现气泡的产生。
(实施例4)
液晶材料(液晶化合物)使用于末端具有-CN基(氰基、腈基)，且于分子中具有-O-键(醚键)的4-氰基-4'-戊氧基联苯(5OCB)，除此以外与实施例1同样地进行而制作实施例4的复合面板。
液晶材料(液晶化合物)利用极性高的材料，由此使水对于液晶层的溶解性变高。因此，即便在从取向膜中产生水分的情况下，也可以使该水分溶解于液晶中，从而防止气泡的产生。
[实施例4的评价]
与上述实施例1同样地准备合计5个实施例4的复合面板，对于这些复合面板，与实施例1同样地确认初始状态及减压试验后的气泡的有无。其结果，在实施例4中，在初始状态及减压试验后的任意情况下都是在所有的复合面板中均未发现气泡的产生。
(实施例5)
使用真空注入法代替ODF法而将液晶材料封入到基板间，除此以外与实施例1同样地进行而制作实施例5的复合面板。
在实施例5中，在TFT基板的表面，与实施例1同样地使用框胶涂布机将热固型密封材料描绘为框状，其后，在封入液晶之前，将TFT基板与插槽基板相互贴合，在130℃下加热40分钟，由此制作未封入液晶的空面板。接着，通过真空注入法将液晶材料封入到该空面板内。图9是示意性表示通过真空注入法注入了液晶层LC的复合面板的液晶注入口81附近的放大平面图。液晶注入口81由孔部构成，该孔部是描绘为框状的密封材料80的一部分贯穿内侧(液晶层LC侧)与外侧的孔部。另外，在图9中示意性表示实施例5的TFT基板101及插槽基板201介隔密封材料80贴合而成的复合面板P的一部分。在将液晶材料(液晶层LC)注入到基板101、201之间后，通过密封部82对液晶注入口81进行闭塞(封口)。另外，密封部82可以使用与密封材料80相同的材料(热固型树脂)，也可以使用其他具有密封性能的材料。此处，密封部82使用商品名“TB3026E”(三键(ThreeBond)株式会社制造)。
在真空注入法中，在空面板的状态(液晶材料与取向膜接触之前的状态)下进行加热、脱气工序。因此，可以在注入液晶时，预先减低取向膜中的吸湿量。如上所述地进行，可进一步防止液晶注入后的气泡产生。
[实施例5的评价]
与上述实施例1同样地准备合计5个实施例5的复合面板，对于这些复合面板，与实施例1同样地确认初始状态及减压试验后的气泡的有无。其结果，在实施例5中，在初始状态及减压试验后的任意情况下都是在所有的复合面板中均未发现气泡的产生。
附图标记说明
1：电介质基板(第一电介质基板)、3：栅极电极、4：栅极绝缘层、5：半导体层、6D：漏极接触层、6S：源极接触层、7D：漏极电极、7S：源极电极、10：TFT、11：第一绝缘层、15：贴片电极、17：第二绝缘层、51：电介质基板(第二电介质基板)、55：插槽电极、55L：下层、55M：主层、55U：上层、57：槽、57U：插槽电极单元、58：第三电极、70：供电装置、72：供电针脚、80：密封材料、81：液晶注入口、82：密封部、101：TFT基板、201：插槽基板、1000：扫描天线、U：天线单元(天线单元区域)、CH1：接触孔、LC：液晶层、P：复合面板、GD：栅极驱动器、GL：栅极总线、GT：栅极端子部、SD：源极驱动器、SL：源极总线、ST：源极端子部、PT：传输端子部、R1：收发区域、R2：非收发区域、Rs：密封区域。

Claims (8)

1.一种扫描天线，其是排列着多个天线单元的扫描天线，其特征在于具有：
TFT基板，其具有第一电介质基板、支撑于所述第一电介质基板上的多个TFT及与所述TFT电连接的多个贴片电极、以覆盖所述TFT及所述贴片电极的形态配置的第一取向膜；
插槽基板，其具有第二电介质基板、支撑于所述第二电介质基板上的含有多个槽的插槽电极、以覆盖所述插槽电极的形态配置的第二取向膜；
液晶层，其介于所述第一取向膜及所述第二取向膜相互对向的所述TFT基板与所述插槽基板之间；及
反射导电板，其配置为介隔电介质层而与未形成所述插槽电极的所述第二电介质基板的相反面对向，
所述第一取向膜及所述第二取向膜由含有丙烯酸系聚合物的丙烯酸系取向膜构成。
2.根据权利要求1所述的扫描天线，其特征在于：所述丙烯酸系取向膜由表现出如下功能的光反应性丙烯酸系取向膜构成，亦即如果被光照射，则使所述液晶层中的液晶化合物取向于特定方向上的功能。
3.根据权利要求2所述的扫描天线，其特征在于：所述光反应性丙烯酸系取向膜包含光反应性丙烯酸系聚合物，该光反应性丙烯酸系聚合物含有源自于侧链具有光反应性官能基的丙烯酸系单体的结构单元。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的扫描天线，其特征在于：所述液晶层中的液晶化合物于末端具有选自由F基、Cl基、Br基、SCN基、NCS基、CN基、OCN基、NCO基、CF3基、OCF3基及SF5基所构成的群的至少一种官能基。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的扫描天线，其特征在于：所述液晶层中的液晶化合物具有选自由碳-碳三键、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-(CO)O-、-O(CO)-、及-O-所构成的群的至少一种键。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的扫描天线，其特征在于：所述贴片电极及/或所述插槽电极由铜构成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的扫描天线，其特征在于：具有密封材料，其以包围所述液晶层且分别粘接于所述TFT基板及所述插槽基板上的形态介于所述TFT基板与所述插槽基板之间，
所述密封材料具有液晶注入口，其由贯通所述液晶层侧与外侧的孔部构成，在利用真空注入法将构成所述液晶层的液晶化合物注入至所述TFT基板与所述插槽基板之间时利用，
且具有密封所述液晶注入口的密封部。
8.一种扫描天线的制造方法，其是根据权利要求1至7中任一项所述的扫描天线的制造方法，其特征在于使用真空注入法形成所述液晶层。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109478718B (zh) * 2016-07-28 2021-01-15 夏普株式会社 扫描天线
CN106953156B (zh) * 2017-04-06 2019-10-15 京东方科技集团股份有限公司 天线结构及其制作方法和通讯装置
JP2019128541A (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 シャープ株式会社 液晶セル、及び走査アンテナ
JP7409316B2 (ja) * 2018-11-14 2024-01-09 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
US11637370B2 (en) * 2018-12-12 2023-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Scanning antenna and method for manufacturing scanning antenna
CN113196569A (zh) * 2018-12-12 2021-07-30 夏普株式会社 扫描天线和扫描天线的制造方法
CN111682317A (zh) * 2020-05-19 2020-09-18 电子科技大学 一种基于液晶的二维波束扫描全息漏波天线

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194972A (en) * 1990-08-24 1993-03-16 Hughes Aircraft Company Microwave phase modulation with liquid crystals
CN103560324A (zh) * 2006-05-24 2014-02-05 D·D·哈兹扎 基于可变介电常数的天线和阵列
CN103794511A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及电子设备
CN105006631A (zh) * 2015-07-24 2015-10-28 哈尔滨工业大学 基于液晶的电控过零扫描波导漏波天线
CN105706304A (zh) * 2013-03-15 2016-06-22 西尔瑞特有限公司 表面散射天线的改进

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0472403A3 (en) * 1990-08-24 1992-08-26 Hughes Aircraft Company Microwave phase modulation with liquid crystals
US5465169A (en) * 1992-08-25 1995-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device with electroconductive protective film and electroconductive alignment film
JP2000022428A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Toshiba Corp 無線通信装置
US7357965B1 (en) * 1999-10-15 2008-04-15 Agfa-Gevaert, N.V. Liquid crystal alignment layer
JP2009538561A (ja) 2006-05-24 2009-11-05 ウェーブベンダー インコーポレーテッド 一体型導波管アンテナ及びアレイ
MX345668B (es) 2010-10-15 2016-03-30 The Invent Science Fund I Llc Antenas de dispersión por superficie.
US9223177B2 (en) * 2012-11-29 2015-12-29 Lg Chem, Ltd. Acrylate compound having photoreactive group, photoreactive acrylate polymer and photo-alignment layer comprising the same
US10431899B2 (en) * 2014-02-19 2019-10-01 Kymeta Corporation Dynamic polarization and coupling control from a steerable, multi-layered cylindrically fed holographic antenna
TWI683837B (zh) * 2015-06-26 2020-02-01 南韓商可隆股份有限公司 聚醯胺醯亞胺前驅物組成物、聚醯胺醯亞胺薄膜及顯示裝置
WO2017002791A1 (ja) * 2015-07-02 2017-01-05 Dic株式会社 液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子
WO2017065097A1 (ja) * 2015-10-15 2017-04-20 シャープ株式会社 走査アンテナおよびその製造方法
US10763583B2 (en) * 2016-05-10 2020-09-01 Kymeta Corporation Method to assemble aperture segments of a cylindrical feed antenna
US20200115387A1 (en) * 2016-07-08 2020-04-16 Merck Patent Gmbh Organic semiconductors
WO2018012525A1 (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 シャープ株式会社 液晶用配向剤、液晶パネル及び走査アンテナ
US11320703B2 (en) * 2016-07-26 2022-05-03 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photochromic system, method for driving photochromic film, and vehicle
KR102178118B1 (ko) * 2017-09-25 2020-11-13 주식회사 엘지화학 액정 배향용 필름의 제조방법
WO2019130839A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 Jsr株式会社 アレイアンテナ及びその製造方法、並びにアレイアンテナ用液晶配向剤

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194972A (en) * 1990-08-24 1993-03-16 Hughes Aircraft Company Microwave phase modulation with liquid crystals
CN103560324A (zh) * 2006-05-24 2014-02-05 D·D·哈兹扎 基于可变介电常数的天线和阵列
CN103794511A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及电子设备
CN105706304A (zh) * 2013-03-15 2016-06-22 西尔瑞特有限公司 表面散射天线的改进
CN105006631A (zh) * 2015-07-24 2015-10-28 哈尔滨工业大学 基于液晶的电控过零扫描波导漏波天线

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Publication number Publication date
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