CN109844626A - 液晶单元的制造方法和液晶单元 - Google Patents

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Abstract

本发明的液晶单元的制造方法具备：薄膜形成工序，在一对带电极的基板中的至少一方带电极的基板的表面形成薄膜，上述一对带电极的基板包括：TFT基板，其具有第1电介质基板、支撑于上述第1电介质基板的多个TFT和电连接到上述TFT的多个贴片电极；以及缝隙基板，其具有第2电介质基板、支撑于上述第2电介质基板的包含多个缝隙的缝隙电极，在该薄膜形成工序中，上述薄膜是以覆盖上述贴片电极和/或上述缝隙电极的形式来形成；以及光照射工序，向上述薄膜照射包含p偏振光的光，得到对上述薄膜赋予使液晶分子取向的取向限制力而成的取向膜，上述液晶单元的制造方法的特征在于，上述薄膜包含聚合物，该聚合物具有光反应性官能基，沿着与上述p偏振光的偏振轴正交的方向表现出上述薄膜的取向限制力。

Description

液晶单元的制造方法和液晶单元
技术领域
本发明涉及液晶单元的制造方法和液晶单元。
背景技术
移动通讯、卫星广播等所利用的天线需要可改变波束方向的波束扫描功能。作为具有这种功能的天线，提出了利用液晶材料(包括向列型液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(例如，专利文献1～3)。这种扫描天线具备在一对带电极的基板间夹着液晶层而成的液晶单元。
在上述基板上，在与液晶层接触的一侧的面上以覆盖电极的形式形成有取向膜。取向膜包括高分子材料，在液晶单元的制造过程中使上述基板彼此贴合之前被实施规定的取向处理，由此表现出使液晶层中的液晶分子向规定方向取向的功能。
在对取向膜进行照射光(例如偏振紫外线)的取向处理(所谓光取向处理)的情况下，使用光反应性的高分子材料作为取向膜。然后，从空气界面侧(表侧)对这样的取向膜照射光，从而使高分子材料发生光反应。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特表2013-539949号公报
专利文献2：特表2016-512408号公报
专利文献3：特表2009-538565号公报
发明内容
发明要解决的问题
在扫描天线用的液晶单元中，构成电极的材料使用铜(Cu)、铝(Al)等金属材料。因此，在取向膜的下侧配置有包括容易反射光的材料的电极。
当在液晶单元的制造过程中对这种取向膜实施光取向处理时，在取向膜中，不仅会由于从表侧供应的光，也会由于被电极反射而从里侧供应的光致使高分子材料发生光反应。这样，由来自表侧的光赋予的取向功能会由于反射光所致的光反应的影响而减少，根据情况而有时会被完全抵消。
本发明的目的在于提供一种在光取向处理时能不受反射光的影响地对取向膜赋予取向限制力的液晶单元的制造方法和液晶单元。
用于解决问题的方案
本发明的液晶单元的制造方法具备：薄膜形成工序，在一对带电极的基板中的至少一方带电极的基板的表面形成薄膜，上述一对带电极的基板包括：TFT基板，其具有第1电介质基板、支撑于上述第1电介质基板的多个TFT和电连接到上述TFT的多个贴片电极；以及缝隙基板，其具有第2电介质基板、支撑于上述第2电介质基板的包含多个缝隙的缝隙电极，在该薄膜形成工序中，上述薄膜是以覆盖上述贴片电极和/或上述缝隙电极的形式来形成；以及光照射工序，向上述薄膜照射包含p偏振光的光，得到对上述薄膜赋予使液晶分子取向的取向限制力而成的取向膜，上述液晶单元的制造方法的特征在于，上述薄膜包含聚合物，该聚合物具有光反应性官能基，沿着与上述p偏振光的偏振轴正交的方向表现出上述薄膜的取向限制力。
优选在上述液晶单元的制造方法中，上述薄膜通过使上述聚合物的上述光反应性官能基异构化而表现出上述取向限制力。
优选在上述液晶单元的制造方法中，上述薄膜通过使异构化后的上述聚合物的上述光反应性官能基二聚化而表现出上述取向限制力。
优选在上述液晶单元的制造方法中，上述薄膜通过使上述聚合物的上述光反应性官能基发生光裂解而表现出上述取向限制力。
优选在上述液晶单元的制造方法中，上述薄膜具有肉桂酸酯基作为上述聚合物的上述光反应性官能基。
优选在上述液晶单元的制造方法中，上述薄膜具有偶氮苯基作为上述聚合物的上述光反应性官能基。
优选在上述液晶单元的制造方法中，上述薄膜具有环丁烷二酰亚胺结构作为上述聚合物的上述光反应性官能基。
优选在上述液晶单元的制造方法中，上述贴片电极和上述缝隙电极包括金属或者合金。
本发明的液晶单元具备：在至少一方基板的表面具有通过上述任意一项记载的液晶单元的制造方法得到的取向膜的一对上述TFT基板和上述缝隙基板；以及液晶层，其介于上述TFT基板与上述缝隙基板之间，上述TFT基板与上述缝隙基板为了使上述缝隙与上述贴片电极对应配置，而以上述贴片电极侧和上述缝隙电极侧相对的形式配置。
优选在上述液晶单元中，上述液晶层中包含的液晶分子含有异硫氰酸酯基。
发明效果
根据本发明，能提供在光取向处理时能不受反射光的影响地对取向膜赋予取向限制力的液晶单元的制造方法和液晶单元。
附图说明
图1是示意性地表示实施方式1的扫描天线的一部分的截面图。
图2是示意性地表示扫描天线所具备的TFT基板的俯视图。
图3是示意性地表示扫描天线所具备的缝隙基板的俯视图。
图4是示意性地表示TFT基板的天线单位区域的截面图。
图5是示意性地表示TFT基板的天线单位区域的俯视图。
图6是示意性地表示缝隙基板的天线单位区域的截面图。
图7是示意性地表示在光取向处理时对取向膜照射的光的偏振轴的方向与取向膜使液晶分子取向的方向之间的关系的说明图。
图8是示出肉桂酸酯基的光反应的机理的说明图。
图9是示出偶氮苯基的光反应的机理的说明图。
图10是示意性地表示具有环丁烷二酰亚胺结构的聚合物的光反应的说明图。
图11是示意性地表示构成扫描天线的天线单位的TFT基板、液晶层和缝隙基板的截面图。
图12是示意性地表示液晶单元的构成的截面图。
具体实施方式
〔实施方式1〕
(扫描天线的基本结构)
扫描天线具备能改变波束方向的波束扫描功能，具有如下结构：具备利用了液晶材料的大的介电常数M(εM)的各向异性(介电常数各向异性)的多个天线单位。扫描天线控制对各天线单位的液晶层施加的电压，使各天线单位的电场方向的液晶层的有效的介电常数M(εM)变化，从而用静电电容不同的多个天线单位形成二维图案。此外，液晶材料的介电常数具有频率分散性，因此在本说明书中，将微波的频带中的介电常数特别记为“介电常数M(εM)”。
从扫描天线射出或者由扫描天线接收的电磁波(例如，微波)被给予与各天线单位的静电电容相应的相位差，根据由静电电容不同的多个天线单位形成的二维图案，在特定的方向具有强的指向性(波束扫描)。例如，能通过如下方式得到从扫描天线射出的电磁波：考虑由各天线单位给予的相位差，对输入电磁波入射到各天线单位并由各天线单位散射而得到的球面波进行积分。
在此，参照图1等说明本发明的一个实施方式的扫描天线的基本结构。图1是示意性地表示实施方式1的扫描天线1000的一部分的截面图。本实施方式的扫描天线1000是缝隙57按同心圆状排列的径向内联缝隙天线(Radial Inline Slot Antenna)。图1示意性地示出了从设于按同心圆状排列的缝隙的中心附近的供电引脚72起沿着半径方向的截面的一部分。此外，在其它实施方式中，缝隙的排列也可以是公知的各种排列(例如螺旋状、矩阵状)。
扫描天线1000主要具备：TFT基板101、缝隙基板201、配置于它们之间的液晶层LC、以及反射导电板65。扫描天线1000为从TFT基板101侧发送接收微波的构成。TFT基板101和缝隙基板201以隔着液晶层LC相互相对的形式配置。
TFT基板101具备：玻璃基板等电介质基板(第1电介质基板的一个例子)1；形成于电介质基板1的液晶层LC侧的多个贴片电极15和多个TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)10；以及形成于液晶层LC侧的最表面的取向膜OM1。各TFT10连接着图1中未图示的栅极总线和源极总线。
缝隙基板201具备：玻璃基板等电介质基板(第2电介质基板的一个例子)51；形成于电介质基板51的液晶层LC侧的缝隙电极55；以及形成于液晶层LC侧的最表面的取向膜OM2。缝隙电极55具备多个缝隙57。
优选TFT基板101和缝隙基板201中使用的电介质基板1、51相对于微波的介电损耗小，除了玻璃基板以外还能利用塑料基板。电介质基板1、51的厚度没有特别限制，例如优选为400μm以下，更优选为300μm以下。此外，电介质基板1、51的厚度的下限没有特别限制，只要具有在制造工序等中能耐受的强度即可。
反射导电板65以隔着空气层54与缝隙基板201相对的形式配置。此外，在其它实施方式中，也可以代替空气层54而使用由相对于微波的介电常数M小的电介质(例如PTFE等氟树脂)形成的层。在本实施方式的扫描天线1000中，缝隙电极55、反射导电板65、它们之间的电介质基板51以及空气层54发挥波导301的功能。
贴片电极15、包含缝隙57的缝隙电极55的部分(以下，有时称为“缝隙电极单位57U”)以及它们之间的液晶层LC构成了天线单位U。在各个天线单位U中，1个岛状的贴片电极15隔着液晶层LC与1个孔状的缝隙57(缝隙电极单位57U)相对，分别构成液晶电容。在本实施方式的扫描天线1000中，多个天线单位U按同心圆状排列。此外，天线单位U具备以电并联的方式与液晶电容连接的辅助电容。
缝隙电极55在各缝隙电极单位57U中构成天线单位U，并且还发挥波导301的壁的功能。因此缝隙电极55需要抑制微波透射的功能，由相对较厚的金属层构成。这种金属层能举出例如Cu层、Al层等。例如，为了将10GHz的微波减少到1/150，Cu层的厚度设定为3.3μm以上，Al层的厚度设定为4.0μm以上。另外，为了将30GHz的微波减少到1/150，Cu层的厚度设定为1.9μm以上，Al层的厚度设定为2.3μm以上。构成缝隙电极55的金属层的厚度的上限没有特别限制，但如后述那样，若考虑到取向膜OM2的形成，则可以说越薄越好。此外，如果金属层使用Cu层，则具有能比Al层薄的优点。缝隙电极55的形成方法也可以使用在现有的液晶显示装置的技术中利用的薄膜沉积法、将金属箔(例如Cu箔、Al箔)贴附于基板上等其它方法。金属层的厚度例如设定为2μm以上30μm以下。另外，在使用薄膜沉积法形成金属层的情况下，金属层的厚度例如设定为5μm以下。反射导电板65能使用例如厚度为数mm的铝板、铜板等。
贴片电极15不是像缝隙电极55那样构成波导301的电极，因此包括比缝隙电极55厚度小的金属层。此外，为了避免缝隙电极55的缝隙57附近的自由电子的振动引起贴片电极15内的自由电子的振动时转变为热的损耗，优选电阻较低。从量产性等的观点出发，与Cu层相比优选使用Al层，优选Al层的厚度例如为0.5μm以上2μm以下。
如专利文献1记载的那样，若将微波的波长设为λ，则天线单位U的排列间距设定为例如λ/4以下和/或λ/5以下。波长λ例如为25mm，这种情况下的排列间距例如设定为6.25mm以下和/或5mm以下。
扫描天线1000通过使天线单位U所具有的液晶电容的静电电容值变化而使从各贴片电极15激发(再辐射)的微波的相位变化。因此，液晶层LC优选相对于微波的介电常数M(εM)的各向异性(ΔεM)大，另外，优选tanδM(相对于微波的介电损耗角正切)小。例如，能适合使用M.Wittek et al.,SID 2015 DIGESTpp.824-826记载的ΔεM为4以上、tanδM为0.02以下(均为19Gz的值)的液晶材料。此外，能使用九鬼、高分子第55卷8月号pp.599-602(2006)记载的ΔεM为0.4以上、tanδM为0.04以下的液晶材料。
液晶材料的介电常数一般具有频率分散性，而相对于微波的介电各向异性ΔεM与相对于可见光的折射率各向异性Δn存在正相关的关系。因此，可以说针对微波的天线单位用的液晶材料优选相对于可见光的折射率各向异性Δn大的材料。在此，如果将相对于550nm的光的Δn(双折射率)用作指标，则在针对微波的天线单位用途中使用Δn为0.3以上并优选为0.4以上的向列型液晶。Δn的上限没有特别限制。液晶层LC的厚度例如设定为1μm以上500μm以下。
图2是示意性地表示扫描天线1000所具备的TFT基板101的俯视图，图3是示意性地表示扫描天线1000所具备的缝隙基板201的俯视图。此外，为了便于说明，将与天线单位U对应的TFT基板101的区域以及缝隙基板201的区域合称为“天线单位区域”，将与天线单位相同的附图标记作为它们的附图标记。另外，如图2和图3所示，在TFT基板101和缝隙基板201中，将由二维排列的多个天线单位区域U划定的区域称为“发送接收区域R1”，将发送接收区域R1以外的区域称为“非发送接收区域R2”。在非发送接收区域R2中配设有端子部、驱动电路等。
发送接收区域R1在俯视时呈圆环状。非发送接收区域R2包含：位于发送接收区域R1的中心部的第1非发送接收区域R2a；以及配置于发送接收区域R1的周缘的第2非发送接收区域R2b。发送接收区域R1的外径例如为200mm以上1,500mm以下，可根据通信量等而适当地设定。
在TFT基板101的发送接收区域R1中设有支撑于电介质基板1的多个栅极总线GL和多个源极总线SL，利用这些配线控制各天线单位区域U的驱动。各个天线单位区域U包含TFT10和电连接到TFT10的贴片电极15。TFT10的源极电极电连接到源极总线SL，栅极电极电连接到栅极总线GL。另外，TFT10的漏极电极与贴片电极15电连接。
在非发送接收区域R2(第1非发送接收区域R2a、第2非发送接收区域R2b)，以包围发送接收区域R1的方式配设有：密封区域Rs，其中形成有密封材料(未图示)。密封材料具有使TFT基板101和缝隙基板201相互粘接，并且将液晶材料(液晶层LC)密封在这些基板101、201间的功能等。
在非发送接收区域R2中的密封区域R2的外侧，配置有栅极端子部GT、栅极驱动器GD、源极端子部ST和源极驱动器SD。各个栅极总线GL经由栅极端子部GT连接到栅极驱动器GD，另外，各个源极总线SL经由源极端子部ST连接到源极驱动器SD。此外，在本实施方式中，源极驱动器SD和栅极驱动器GD双方形成于TFT基板101的电介质基板1上，但也可以是这些驱动器中的一方或者双方形成于缝隙基板201的电介质基板51上。
另外，在非发送接收区域R2设有多个传输端子部PT。传输端子部PT与缝隙基板201的缝隙电极55电连接。在本实施方式中，在第1非发送接收区域R2a和第2非发送接收区域R2b双方配设有传输端子部PT。在其它实施方式中，也可以是仅在任意一方区域中配置有传输端子部PT的构成。另外，在本实施方式的情况下，传输端子部PT配设于密封区域Rs内。因此，密封材料使用含有导电性粒子(导电性颗粒)的导电性树脂。
如图3所示，在缝隙基板201中，缝隙电极55以跨发送接收区域R1和非发送接收区域R2的方式形成于电介质基板51上。此外，在图3中示出了从液晶层LC侧看到的缝隙基板201的表面，为了便于说明，去掉了形成于最表面的取向膜OM2。
在缝隙基板201的发送接收区域R1中，在缝隙电极55配设有多个缝隙57。关于这些缝隙57，在TFT基板101的各个天线单位区域U中分别分配有1个缝隙57。在本实施方式的情况下，在多个缝隙57中，在大体相互正交的方向上延伸的一对缝隙57被配置为同心圆状，从而构成径向内联缝隙天线。由于具有这样的一对缝隙57，因此扫描天线1000能对圆偏振波进行发送接收。
在缝隙基板201的非发送接收区域R2中设有多个缝隙电极55的端子部IT。端子部IT与TFT基板101的传输端子部PT电连接。在本实施方式的情况下，端子部IT配设于密封区域Rs内，如上所述，利用由包含导电性粒子(导电性颗粒)的导电性树脂构成的密封材料与对应的传输端子部PT电连接。
另外，在第1非发送接收区域R2a中，以配置于缝隙57所构成的同心圆的中心的形式设有供电引脚72。利用该供电引脚72，对由缝隙电极55、反射导电板65和电介质基板51构成的波导301供应微波。此外，供电引脚72连接到供电装置70。此外，供电方式可以是直接连结供电方式和电磁耦合方式中的任意方式，能采用公知的供电结构。
以下，详细说明TFT基板101、缝隙基板201和波导301。
(TFT基板101的结构)
图4是示意性地表示TFT基板101的天线单位区域U的截面图，图5是示意性地表示TFT基板101的天线单位区域U的俯视图。图4和图5中分别示出了发送接收区域R1的一部分截面构成。
TFT基板101的各个天线单位区域U分别具备：电介质基板(第1电介质基板)1；支撑于电介质基板1的TFT10；覆盖TFT10的第1绝缘层11；形成于第1绝缘层11上并电连接到TFT10的贴片电极15；覆盖贴片电极15的第2绝缘层17；以及覆盖第2绝缘层17的取向膜OM1。
TFT10具备：栅极电极3、岛状的半导体层5、配置于栅极电极3和半导体层5之间的栅极绝缘层4、源极电极7S以及漏极电极7D。本实施方式的TFT10为具有底栅结构的沟道蚀刻型。此外，在其它实施方式中，也可以是其它结构的TFT。
栅极电极3电连接到栅极总线GL，从栅极总线GL被供应扫描信号。源极电极7S电连接到源极总线SL，从源极总线SL被供应数据信号。栅极电极3和栅极总线GL也可以由相同导电膜(栅极用导电膜)形成。另外，源极电极7S、漏极电极7D和源极总线SL也可以由相同导电膜(源极用导电膜)形成。栅极用导电膜和源极用导电膜例如包括金属膜。此外，有时将使用栅极用导电膜形成的层称为“栅极金属层”，将使用源极用导电膜形成的层称为“源极金属层”。
半导体层5隔着栅极绝缘层4与栅极电极3重叠配置。如图4所示，在半导体层5上形成有源极接触层6S和漏极接触层6D。源极接触层6S和漏极接触层6D以对峙的形式分别配置在半导体层5中的形成沟道的区域(沟道区域)的两侧。在本实施方式的情况下，半导体层5包括本征非晶硅(i-a-Si)层，源极接触层6S和漏极接触层6D包括n+型非晶硅(n+-a-Si)层。此外，在其它实施方式中，半导体层5也可以由多晶硅层、氧化物半导体层等构成。
源极电极7S设置为与源极接触层6S接触，经由源极接触层6S连接到半导体层5。漏极电极7D设置为与漏极接触层6D接触，经由漏极接触层6D连接到半导体层5。
第1绝缘层11具备到达TFT10的漏极电极7D的接触孔CH1。
贴片电极15设置于第1绝缘层11上和接触孔CH1内，在接触孔CH1内与漏极电极7D接触。贴片电极15主要包括金属层。此外，贴片电极15也可以是仅由金属层形成的金属电极。贴片电极15的材料也可以与源极电极7S和漏极电极7D相同。贴片电极15中的金属层的厚度(在贴片电极15为金属电极的情况下，为贴片电极15的厚度)也可以与源极电极7S和漏极电极7D的厚度相同，但是优选比它们的厚度大。贴片电极15的厚度越大，则电磁波的透射率被抑制得越低，贴片电极的薄层电阻降低，贴片电极内的自由电子的振动转变为热的损耗减少。
另外，也可以用与栅极总线GL相同的导电膜来设置CS总线CL。CS总线CL也可以隔着栅极绝缘层4与漏极电极7D(或者漏极电极7D的延长部分)重叠配置，构成将栅极绝缘层4作为电介质层的辅助电容CS。
在本实施方式中，在与源极金属层不同的层内形成有贴片电极15。因此，是能相互独立地控制源极金属层的厚度和贴片电极15的厚度的构成。
贴片电极15也可以包含作为主层的Cu层或者Al层。扫描天线的性能与贴片电极15的电阻具有相关性，主层的厚度设定为能得到所希望的电阻。优选贴片电极15为不会阻碍电子的振动的程度的低电阻。关于贴片电极15中的金属层的厚度，在由Al层形成的情况下，例如设定为0.5μm以上。
取向膜OM1包括对包含具有后述的光反应性官能基的聚合物的薄膜实施了光取向处理后的薄膜。
TFT基板101通过例如以下所示的方法制造。首先，准备电介质基板1。电介质基板1例如能使用玻璃基板、具有耐热性的塑料基板等。在这种电介质基板1上形成包含栅极电极3和栅极总线GL的栅极金属层。
栅极电极3能与栅极总线GL一体地形成。在此，通过溅射法等在电介质基板1上形成栅极用导电膜(厚度：例如50nm以上500nm以下)。接下来，对栅极用导电膜进行图案化，由此形成栅极电极3和栅极总线GL。栅极用导电膜的材料没有特别限定，例如能适当使用包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或者其合金、或者其金属氮化物的膜。在此，作为栅极用导电膜，形成将MoN(厚度：例如50nm)、Al(厚度：例如200nm)和MoN(厚度：例如50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜。
接下来，以覆盖栅极金属层的方式形成栅极绝缘层4。栅极绝缘层4能通过CVD法等形成。栅极绝缘层4能适当使用氧化硅(SiO2)层、氮化硅(SiNx)层、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)层、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)层等。栅极绝缘层4也可以具有层叠结构。在此，作为栅极绝缘层4，形成SiNx层(厚度：例如410nm)。
接下来，在栅极绝缘层4上形成半导体层5和接触层。在此，按顺序形成本征非晶硅膜(厚度：例如125nm)和n+型非晶硅膜(厚度：例如65nm)，并进行图案化，由此得到岛状的半导体层5和接触层。此外，半导体层5中使用的半导体膜不限于非晶硅膜。例如，半导体层5也可以形成为氧化物半导体层。在这种情况下，也可以在半导体层5与源极/漏极电极之间不设置接触层。
接下来，在栅极绝缘层4上和接触层上形成源极用导电膜(厚度：例如50nm以上500nm以下)，并对其进行图案化，由此形成包含源极电极7S、漏极电极7D和源极总线SL的源极金属层。此时，接触层也被蚀刻，形成相互分离的源极接触层6S和漏极接触层6D。
源极用导电膜的材料没有特别限定，能适当使用包含例如铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等的金属或者其合金、或者其金属氮化物的膜。在此，作为源极用导电膜，形成将MoN(厚度：例如30nm)、Al(厚度：例如200nm)和MoN(厚度：例如50nm)按顺序层叠而成的层叠膜。
在此，例如，通过溅射法形成源极用导电膜，通过湿式蚀刻进行源极用导电膜的图案化(源极/漏极分离)。此后，例如通过干式蚀刻，将接触层中的位于成为半导体层5的沟道区域的区域上的部分除去而形成间隙部，分离为源极接触层6S和漏极接触层6D。此时，在间隙部中，半导体层5的表面附近也被蚀刻(过蚀刻)。
接下来，以覆盖TFT10的方式形成第1绝缘层11。在本例中，第1绝缘层11配置为与半导体层5的沟道区域接触。另外，通过公知的光刻技术，在第1绝缘层11形成到达漏极电极7D的接触孔CH1。
第1绝缘层11也可以是例如氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等无机绝缘层。在此，作为第1绝缘层11，例如通过CVD法形成厚度例如为330nm的SiNx层。
接下来，在第1绝缘层11上和接触孔CH1内形成贴片用导电膜，并对其进行图案化。由此，在发送接收区域R1形成贴片电极15。此外，在非发送接收区域R2，形成包括与贴片电极15相同的导电膜(贴片用导电膜)的贴片连接部。贴片电极15在接触孔CH1内与漏极电极7D接触。
贴片用导电膜的材料能使用与栅极用导电膜或者源极用导电膜同样的材料。但是，优选贴片用导电膜设定得比栅极用导电膜和源极用导电膜厚。贴片用导电膜的合适厚度例如为1μm以上30μm以下。如果比这薄，则电磁波的透射率为30％程度，薄层电阻为0.03Ω/sq以上，有可能产生损耗变大的问题；而如果比这厚，则有可能会产生缝隙57的图案化性恶化的问题。
在此，作为贴片用导电膜，形成将MoN(厚度：例如50nm)、Al(厚度：例如1000nm)和MoN(厚度：例如50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(MoN/Al/MoN)。
接下来，在贴片电极15和第1绝缘层11上形成第2绝缘层(厚度：例如100nm以上300nm以下)17。第2绝缘层17没有特别限定，例如能适当使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。在此，作为第2绝缘层17，形成厚度例如为200nm的SiNx层。
此后，通过使用了例如氟系气体的干式蚀刻，对无机绝缘膜(第2绝缘层17、第1绝缘层11和栅极绝缘层4)一并进行蚀刻。在蚀刻中，贴片电极15、源极总线SL和栅极总线GL发挥蚀刻阻挡层的功能。由此，在第2绝缘层17、第1绝缘层11和栅极绝缘层4形成到达栅极总线GL的第2接触孔，在第2绝缘层17和第1绝缘层11形成到达源极总线SL的第3接触孔。另外，在第2绝缘层17形成到达上述贴片连接部的第4接触孔。
接下来，通过例如溅射法在第2绝缘层17上、第2接触孔、第3接触孔、第4接触孔内形成导电膜(厚度：50nm以上200nm以下)。导电膜能使用例如ITO(铟锡氧化物)膜、IZO膜、ZnO膜(氧化锌膜)等透明导电膜。在此，导电膜使用厚度例如为100nm的ITO膜。
接下来，对上述透明导电膜进行图案化，由此形成栅极端子用上部连接部、源极端子用上部连接部和传输端子用上部连接部。栅极端子用上部连接部、源极端子用上部连接部和传输端子用上部连接部用于保护在各端子部处露出的电极或者配线。这样，得到栅极端子部GT、源极端子部ST和传输端子部PT。
接下来，以覆盖第2绝缘膜17等的形式形成包括取向剂的薄膜，该取向剂包含具有后述的光反应性官能基的聚合物(薄膜形成工序的一个例子)，对该薄膜实施后述的光取向处理，从而形成具备规定的取向限制力的取向膜OM1。取向膜OM1在后面进行详细说明。这样，能制造TFT基板101。
(缝隙基板201的结构)
接下来，更具体地说明缝隙基板201的结构。图6是示意性地表示缝隙基板201的天线单位区域U的截面图。
缝隙基板201主要具备：电介质基板(第2电介质基板)51；形成于电介质基板51的一个板面(朝向液晶层侧的板面，朝向TFT基板101侧的板面)51a上的缝隙电极55；覆盖缝隙电极55的第3绝缘层58；以及覆盖第3绝缘层58的取向膜OM2。
在缝隙基板201的发送接收区域R1中，在缝隙电极55形成有多个缝隙57(参照图2)。缝隙57是贯通缝隙电极55的开口(槽部)。在本例中，对各天线单位区域U分配有1个缝隙57。
缝隙电极55包含Cu层、Al层等主层55M。缝隙电极55也可以具有包含主层55M、隔着它配置的上层55U和下层55L的层叠结构。主层55M的厚度也可以根据材料考虑到趋肤效应而设定，例如为2μm以上30μm以下。典型的是，主层55M的厚度设定为比上层55U和下层55L的厚度大。
在本例中，主层55M包括Cu层、上层55U和下层55L包括Ti层。通过在主层55M与电介质基板51之间配置下层55L，能提高缝隙电极55与电介质基板51的紧贴性。另外，通过设置上层55U，能抑制主层55M(例如Cu层)的腐蚀。
第3绝缘层58形成在缝隙电极55上和缝隙57内。第3绝缘层52的材料没有特别限定，能适当使用例如氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。
取向膜OM2与TFT基板101的取向膜OM1同样，包括对包含具有后述的光反应性官能基的聚合物的薄膜实施了光取向处理后的薄膜。
此外，在缝隙基板201的非发送接收区域R2设有端子部IT(参照图3)。端子部IT具备：缝隙电极55的一部分；覆盖缝隙电极55的一部分的第3绝缘层58；以及上部连接部。第3绝缘层58具有到达缝隙电极55的一部分的开口(接触孔)。上部连接部在上述开口内与缝隙电极55的一部分接触。在本实施方式中，端子部IT包括ITO膜、IZO膜等导电层，配置于密封区域Rs内，利用含有导电性粒子(例如Au颗粒等导电性颗粒)的密封树脂与TFT基板101的传输端子部PT连接。
缝隙基板201例如通过以下所示的方法制造。首先，准备电介质基板51。电介质基板51能使用玻璃基板、树脂基板等对电磁波的透射率高(介电常数εM和介电损耗tanδM小)的基板。为了抑制电磁波的衰减而优选电介质基板51的厚度较薄。例如，也可以在通过后述的工序在玻璃基板的表面形成缝隙电极55等构成要素后，从背面侧将玻璃基板薄板化。由此，例如能将玻璃基板的厚度设定为500μm以下。此外，一般来说，树脂的介电常数εM和介电损耗tanδM比玻璃小。在电介质基板51包括树脂基板的情况下，其厚度例如为3μm以上300μm以下。树脂基材的材料使用聚酰亚胺等。
在电介质基板51上形成金属膜，并对其进行图案化，从而得到具有多个缝隙57的缝隙电极55。金属膜可以使用厚度为2μm以上5μm以下的Cu膜(或者Al膜)。在此，使用将Ti膜、Cu膜和Ti膜按该顺序层叠而成的层叠膜。
接下来，在缝隙电极55上和缝隙57内形成第3绝缘层58(厚度：例如100nm以上200nm以下)。此处的第3绝缘层52包括氧化硅(SiO2)膜。
然后，在非发送接收区域R2中，在第3绝缘层58形成到达缝隙电极55的一部分的开口(接触孔)。
接下来，在第3绝缘层58上以及第3绝缘层58的上述开口内形成透明导电膜，并对其进行图案化，由此形成在开口内与缝隙电极55的一部分接触的上部连接部，得到用于与TFT基板101的传输端子部PT连接的端子部IT。
然后，以覆盖第3绝缘层58的形式形成包括取向剂的薄膜，该取向剂包含具有后述的光反应性官能基的聚合物(薄膜形成工序的一个例子)，对该薄膜实施后述的光取向处理，从而形成具备规定的取向限制力的取向膜OM2。取向膜OM2在后面进行详细说明。这样，能制造缝隙基板201。
(波导301的构成)
波导301以反射导电板65隔着电介质基板51与缝隙电极55相对的形式构成。反射导电板65配设为以隔着空气层54的形式与电介质基板51的背面相对。反射导电板65由于构成波导301的壁，因此优选具有表皮深度的3倍以上并优选为5倍以上的厚度。反射导电板65能使用例如通过切削制作的厚度为数mm的铝板、铜板等。
例如，在扫描天线1000发射信号时，波导301将由配置于按同心圆状排列的多个天线单位U的中心的供电引脚72供应的微波引导为向外侧按放射状扩展。微波沿波导301移动时被各天线单位U的各缝隙57切断，从而由于所谓缝隙天线的原理而产生电场，通过该电场的作用，在缝隙电极55中感应出电荷(也就是说，微波被转换为缝隙电极55内的自由电子的振动)。在各天线单位U中，通过液晶的取向控制使液晶电容的静电电容值变化，由此控制贴片电极15感应出的自由电子的振动的相位。当在贴片电极15中感应出电荷时，会产生电场(也就是说，缝隙电极55内的自由电子的振动向贴片电极15内的自由电子的振动进行转移)，微波(电波)从各天线单位U的贴片电极15向TFT基板101的外侧振荡。从各天线单位U振荡的相位不同的微波(电波)相叠加，由此控制波束的方位角。
此外，在其它实施方式中，也可以将波导设为分成上层和下层的双层结构。在这种情况下，由供电引脚供应的微波先在下层内以从中心向外侧按放射状扩展的方式移动，然后在下层的外壁部分上升到上层，并在上层以从外侧向中心聚集的方式移动。通过设为这种双层结构，容易使微波均匀地遍布于各天线单位U。
(取向膜OM(OM1、OM2))
本实施方式的TFT基板101和缝隙基板201所利用的取向膜OM1、OM2(以下，有时将它们集中记为“取向膜OM”)包括对包含光反应性官能基的聚合物(高分子材料)的薄膜进行了光取向处理后的薄膜，具备使液晶分子(液晶化合物)在与光取向处理时所照射的光(p偏振光)的偏振轴正交的方向上取向的功能(取向限制力)。
图7是示意性地表示在光取向处理时对取向膜OM照射的光的偏振轴d1的方向与取向膜OM使液晶分子取向的方向的关系的说明图。图7示出了在光取向处理时入射到取向膜OM的光(入射光、p偏振光)L1和由处于取向膜OM的下侧的电极反射的光(反射光、p偏振光)L2。入射光L1和反射光L1存在于与包括取向膜OM的表面的边界面(X-Y平面)SB垂直的入射面SP内。此外，为了便于说明，假设入射光L1以从法线(Z轴)倾斜了角度θ(°)的状态从表侧向里侧在取向膜OM内行进，并且反射光L2以从法线(Z轴)倾斜了角度θ(°)的状态在取向膜OM内从里侧向表侧行进。
另外，此处的入射光L1和反射光L2是振动面与入射面SP平行的直线偏振光(也就是说，p偏振光)。图7示出了入射光(p偏振光)L1的偏振轴d1和反射光(p偏振光)L2的偏振轴d2。如图7所示，当入射光(p偏振光)L1按角度θ(例如45°)入射到取向膜OM时，利用该入射光L1，取向膜OM表现出使液晶分子在与偏振轴d1正交的方向(Y轴方向，图7中的双箭头F的方向)上取向的功能。
当入射光L1被处于取向膜OM的里侧(下侧)的电极(金属)反射时，会成为具有相对于偏振轴d1旋转了90°的偏振轴d2的反射光(p偏振光)L2。此外，即使反射光L2的偏振轴d2相对于偏振轴d1发生了旋转，偏振轴d2也与入射光L1同样处于入射面SP内(也就是说，振动面是与入射面Sp平行的)。因此，利用反射光L2，取向膜OM也表现出使液晶分子在与偏振轴d2正交的方向(也就是说，与入射光L1同样的Y轴方向)上取向的功能。
这样，只要取向膜OM利用表现出使液晶分子在与光取向处理时所照射的光(p偏振光)的偏振轴正交的方向上取向的取向功能(取向限制力)的聚合物，则不仅能利用入射光L1，也能利用反射光L2表现出取向功能(取向限制力)。
此外，如果取向膜利用表现出使液晶分子在与光取向处理时所照射的光(p偏振光)的偏振轴平行的方向上取向的取向功能(取向限制力)的聚合物，则利用入射光得到的取向功能会被反射光抵消。
接下来，说明取向膜OM所利用的光反应性的高分子材料(具有光反应性官能基的聚合物)。
(具有肉桂酸酯(Cinnamate)基的聚合物)
作为取向膜OM用的具有光反应性官能基的聚合物，能举出例如用下述化学式(1)表示的在侧链具有肉桂酸酯基的聚合物。
[化学式1]
在化学式(1)中，n为2以上的整数，Z为构成主链的任意结构，R1是将主链和肉桂酸酯基连接的任意的键结基，R2是任意的取代基。
在化学式(1)中，具体的Z能举出例如-CH2-CH-、-CH2-C(CH3)-等。此外，化学式(1)的聚合物的主链也可以包括聚酰胺酸、聚酰亚胺等。
另外，在化学式(1)中，具体的R1能举出例如酯基、醚基、亚甲基等亚烷基、直接键合(无R1)等，具体的R2能举出例如氢原子、甲基等烷基、甲氧基等烷氧基等。
用上述化学式(1)表示的聚合物中的具有最单纯的结构的聚合物能举出例如用下述化学式(2)表示的聚合物。
[化学式2]
用上述化学式(2)表示的聚合物是在上述化学式(1)中Z为-CH2-CH-、R1为直接键合(无R1)、R2为氢原子的情况。
在此，参照图8说明上述化学式(1)所示的在侧链具有肉桂酸酯基的聚合物的光反应。图8是示出肉桂酸酯基的光反应的机理的说明图。此外，在图8中，为了便于说明，省略了聚合物的主链部分。如图8所示，包含反式体的肉桂酸酯基的结构(a-1)在被照射光(例如，偏振紫外线)时，会成为包含异构化为了顺式体的肉桂酸酯基的结构(a-2)(异构化反应)。然后，进一步对结构(a-2)照射光时，结构(a-2)彼此以形成环状环的方式发生二聚化反应而得到结构(a-3)。
此外，使包含反式体的肉桂酸酯基的结构(a-1)发生光反应的光的偏振轴d1、d2成为了沿着图8所示的双箭头的方向(左右方向)的状态。并且，如图8所示的双箭头F那样，二聚化得到的结构(a-3)使液晶分子取向的方向是与偏振轴d1、d2正交的方向(上下方向)。液晶分子沿着肉桂酸酯基的芳香环部和脂肪环部排列的方向取向。这样，通过使在侧链具有肉桂酸酯基的聚合物发生光反应，能使液晶分子(液晶化合物)在与光(p偏振光)的偏振轴d1、d2正交的方向上取向。
(具有偶氮苯(Azobenzene)基的聚合物)
接下来，作为取向膜OM所利用的具有光反应性官能基的聚合物，举例示出具有偶氮苯基的聚合物。具有偶氮苯基的聚合物例如能举出用下述化学式(3)表示的聚合物。
[化学式3]
在上述化学式(3)中，n为2以上的整数，R3和R4分别为构成主链的任意结构。此外，R4不是必须的，也可以没有。
用上述化学式(3)表示的聚合物的具体例能举出例如将下述化学式(4)所示的聚酰胺酸如下述化学式(5)所示那样进行酰亚胺化后的物质。
[化学式4]
[化学式5]
在上述化学式(4)和化学式(5)中，n为2以上的整数。
上述化学式(4)所示的聚酰胺酸的酰亚胺化是通过例如以高温(例如200～250℃)对聚酰胺酸进行加热处理而进行的。另外，例如也可以使用将无水醋酸等用作脱水剂，将吡啶等用作催化剂的化学酰亚胺化法。上述化学式(5)所示的聚酰亚胺的酰亚胺化率只要不损害本发明的目的即可，没有特别限制，例如优选为50％以上。
在此，参照图9说明上述化学式(3)所示的具有偶氮苯基的聚合物的光反应。图9是示出偶氮苯基的光反应的机理的说明图。如图9所示，包含反式体的偶氮苯基的结构(b-1)在被照射光(例如，偏振紫外线)时，会成为包含异构化为了顺式体的偶氮苯基的结构(b-2)。此外，使包含反式体的偶氮苯基的结构(b-1)发生光反应的光的偏振轴d1、d2成为了沿着图9所示的双箭头的方向(左右方向)的状态。
反式体的结构(b-1)与顺式体的结构(b-2)通过光、热而可逆地发生异构化。图9示出了具有顺式体的结构(b-2)的偶氮苯基通过光而异构化为反式体后的偶氮苯基的结构(b-3)。结构(b-3)的反式体的偶氮苯基为相对于结构(b-1)的反式体的偶氮苯基旋转了90°的状态。在具有顺式体的偶氮苯基的结构(b-2)之中，有在异构化为反式体时如结构(b-3)那样偶氮苯基的朝向旋转90°的结构(b-2)。当偶氮苯基的朝向这样旋转了90°时，结构(b-3)不再吸收具有偏振轴d1、d2的光而稳定化。具有顺式体的偶氮苯基的结构(b-2)之中的再次返回到结构(b-1)的结构(b-2)再次吸收光而成为具有顺式体的偶氮苯基的结构(b-2)，并且以一定的概率成为对光稳定的结构(b-3)。通过重复这种异构化，随着时间的经过，结构(b-3)的比例变高，包含结构(b-3)的聚合物表现出各向异性。如图9所示的双箭头F那样，结构(b-3)使液晶分子沿着与偏振轴d1、d2正交的方向(上下方向)取向。这样，通过使具有偶氮苯基的聚合物发生光反应，能使液晶分子(液晶化合物)在与光(p偏振光)的偏振轴d1、d2正交的方向上取向。
(具有环丁烷二酰亚胺(Cyclobutane diimide)结构的聚合物)
接下来，作为取向膜OM所利用的具有光反应性官能基的聚合物，举例示出具有环丁烷二酰亚胺结构的聚合物。具有环丁烷二酰亚胺结构的聚合物能举出例如用下述化学式(6)表示的聚合物。
[化学式6]
在上述化学式(6)中，x为2以上的整数，R5和R6分别为构成主链的任意结构。此外，R5不是必须的，也可以没有。
当用上述化学式(6)表示的聚合物发生光反应时，环丁烷环部分会发生裂解(光裂解)，成为用下述化学式(7)表示的结构。
[化学式7]
在上述化学式(7)中，y为1以上的整数，R5和R6与上述化学式(6)相同。
用上述化学式(6)表示的聚合物的具体例能举出例如用下述化学式(8)表示的聚合物。
[化学式8]
在上述化学式(8)中，x为2以上的整数。
当用上述化学式(8)表示的聚合物发生光反应时，环丁烷环部分会发生裂解(光裂解)，成为用下述化学式(9)表示的结构。
[化学式9]
在上述化学式(9)中，y为1以上的整数。
在此，参照图10说明上述化学式(8)所示的具有环丁烷二酰亚胺结构的聚合物的光反应。图10是示意性地表示具有环丁烷二酰亚胺结构的聚合物的光反应的说明图。如图10所示，具有环丁烷二酰亚胺结构的结构(c-1)在被照射光(例如，偏振紫外线)时，环丁烷二酰亚胺结构的环丁烷环部分会成为发生了裂解的结构(c-2)。使包含环丁烷二酰亚胺结构的结构(c-1)发生光反应的光的偏振轴d1、d2成为了沿着图10所示的双箭头的方向(左右方向)的状态。也就是说，结构(c-1)的环丁烷二酰亚胺结构成为了沿着光的偏振轴d1、d2的方向。
图10示意性地示出包含结构(c-1)的光反应前的取向膜OM和包含结构(c-2)的光反应后的取向膜OM。在光反应前的取向膜OM中，分子链的方向没有规则性，但是为了便于说明，用在纵方向上排列的多个聚合物P1和在横方向排列的多个聚合物P2相互交叉而形成了格子状的简略图进行说明。此外，在聚合物P2中，如图10所示的结构(c-1)那样，环丁烷二酰亚胺结构沿着横方向(左右方向)配置。而在聚合物P1中，环丁烷二酰亚胺结构沿着纵方向(上下方向)配置。当对这种光反应前的取向膜OM照射具有偏振轴d1、d2的光时，沿着偏振轴d1、d2排列的聚合物P2的环丁烷二酰亚胺结构会发生光反应，分解为结构(c-2)那样。而以与偏振轴d1、d2正交的方式排列的聚合物P1的环丁烷二酰亚胺结构不发生光反应，不被分解。
这样，如图10所示，形成包含结构(c-2)的光反应后的取向膜OM。在光反应后的取向膜OM中，虽然在纵方向上排列的多个聚合物P1不被切断而残留，但在横方向上，成为了排列有多个将环丁烷二酰亚胺结构在各处切断而得到的聚合物P3的形态。在光反应后的取向膜OM中，沿着不被切断而残留的聚合物(主要是聚合物P1)的方向表现出各向异性。也就是说，在光反应后的取向膜OM中，如图10所示的双箭头F那样，使液晶分子沿着与偏振轴d1、d2正交的方向(上下方向)取向。这样，通过使具有环丁烷二酰亚胺结构的聚合物发生光反应，能使液晶分子(液晶化合物)在与光(p偏振光)的偏振轴d1、d2正交的方向上取向。
如上例示的取向膜OM可以是取向方向(初始取向)相对于基板面为水平的水平取向膜，也可以是取向方向(初始取向)相对于基板面为垂直的垂直取向膜。
另外，在本实施方式中，在TFT基板101和缝隙基板201双方的表面上形成有取向膜OM(取向膜OM1、OM2)，但是在其它实施方式中，也可以是仅在TFT基板101和缝隙基板201中的任意一方基板的表面形成取向膜OM的构成。
(液晶层LC(液晶化合物))
构成液晶层的液晶材料(液晶化合物)使用具有大的介电常数各向异性(Δε)(例如10以上)的含有异硫氰酸酯(Isothiocyanate)基的液晶化合物。含有异硫氰酸酯基的液晶化合物例如使用下述化学式(10-1)和化学式(10-2)所示的化合物。
[化学式10]
在上述化学式(10-1)和化学式(10-2)中，n1和n2分别为1～5的整数，芳香环部的H也可以取代为F或者Cl。
液晶材料只要不损害本发明的目的即可，也可以包含上述含有异硫氰酸酯基的液晶化合物以外的液晶化合物。
作为公开了液晶层LC中能利用的液晶化合物的公知文献，能举出例如特许第5859962号、特许第5859189号等，能适当利用它们所公开的液晶化合物。
此外，构成扫描天线用的液晶单元所利用的液晶层LC的液晶材料(液晶化合物)的极性高，因此容易获取从取向膜、密封材料等其它构件产生的离子。当在液晶层LC中获取了离子时，液晶单元C的电压保持率(VHR：Voltage Holding Ratio)等有可能出现问题。因此，从这种观点出发，优选使用在光取向处理时不会产生可能成为离子的产生源的自由基的取向膜。具体地说，优选使用异构化型和二聚化型的取向膜。
(天线单位U)
图11是示意性地表示构成扫描天线1000的天线单位U的TFT基板101、液晶层LC和缝隙基板201的截面图。如图11所示，在天线单位U中，TFT基板101的岛状的贴片电极15与缝隙基板201的缝隙电极55所具备的孔状(槽状)的缝隙57(缝隙电极单位57U)以隔着液晶层LC的形式相对。这种扫描天线1000具备液晶单元C，该液晶单元C具有：液晶层LC；以及隔着该液晶层LC在各自的液晶层LC侧的表面包含取向膜OM1、OM2的一对TFT基板101和缝隙基板201。此外，在本说明书中，天线单位U为包括1个贴片电极15、以及配置有与该贴片电极15对应的至少1个缝隙57的缝隙电极55(缝隙电极单位57U)的构成。
(液晶单元C)
图12是示意性地表示液晶单元C的构成的截面图。在作为构成液晶单元C的一对带电极的基板的TFT基板101与缝隙基板201之间，以包围在液晶层LC的周围的形式配置有密封材料S。密封材料S分别粘接于TFT基板101和缝隙基板201，具有将TFT基板101和缝隙基板201相互贴合的功能。此外，TFT基板101和缝隙基板201构成隔着液晶层LC并且相互相向的一对基板。密封材料S包括含有固化性树脂的密封材料组成物的固化物。
(液晶单元C的制造方法)
液晶单元C的制造方法的特征在于，具备：薄膜形成工序，在一对带电极的基板中的至少一方带电极的基板的表面形成包含聚合物的薄膜，该聚合物包含光反应性官能基，上述一对带电极的基板包括：TFT基板101，其具有第1电介质基板、支撑于第1电介质基板的多个TFT和电连接到TFT的多个贴片电极；缝隙基板201，其具有第2电介质基板、支撑于第2电介质基板的包含多个缝隙的缝隙电极，在该薄膜形成工序中，上述薄膜是以覆盖贴片电极和/或缝隙电极的形式来形成；以及光照射工序，向薄膜照射包含p偏振光的光，得到对薄膜赋予使液晶分子取向的取向限制力而成的取向膜，上述聚合物表现出使液晶分子沿着与p偏振光的偏振轴正交的方向取向的取向限制力。
在薄膜形成工序中，使具有上述的光反应性官能基的聚合物溶解于规定的有机溶剂而成的取向剂被涂敷于一对带电极的基板(TFT基板101和缝隙基板201)中的至少一方带电极的基板的表面，在上述带电极的基板的表面形成包括上述取向剂的薄膜。将薄膜涂敷于基板上的方法利用公知的方法。此外，为了除去溶剂、固化等目的，也可以对上述薄膜进行加热干燥。
在光照射工序中，对形成于上述带电极的基板的薄膜照射例如偏振紫外线(包含p偏振光)。这样，上述薄膜中的上述聚合物发生光反应，对上述薄膜赋予使液晶分子在与偏振紫外线的p偏振光的偏振轴正交的方向上取向的取向限制力。其结果是，从上述薄膜得到具备规定的取向限制力的取向膜OM。
如上述那样形成有取向膜OM(OM1、OM2)的TFT基板101与缝隙基板201隔着密封材料S相互贴合，并且在TFT基板101和缝隙基板201之间注入液晶层LC。注入液晶材料的方法能举出例如滴下注入法(ODF法)。
(扫描天线的制造方法)
在利用液晶滴下法等制造液晶单元C后，适当地将反射导电板65组装于上述单元侧，使其隔着电介质(空气层)54与缝隙基板201(第2电介质基板51)的背面相对。通过这种工序制造本实施方式的扫描天线。
附图标记说明
1：电介质基板(第1电介质基板)，3：栅极电极，4：栅极绝缘层，5：半导体层，6D：漏极接触层，6S：源极接触层，7D：漏极电极，7S：源极电极，10：TFT，11：第1绝缘层，15：贴片电极，17：第2绝缘层，51：电介质基板(第2电介质基板)，55：缝隙电极，55L：下层，55M：主层，55U：上层，57：缝隙，57U：缝隙电极单位，58：第3电极，70：供电装置，72：供电引脚，101：TFT基板，201：缝隙基板，1000：扫描天线，U：天线单位(天线单位区域)，CH1：接触孔，LC：液晶层，C：液晶单元，GD：栅极驱动器，GL：栅极总线，GT：栅极端子部，SD：源极驱动器，SL：源极总线，ST：源极端子部，PT：传输端子部，R1：发送接收区域，R2：非发送接收区域，Rs：密封区域，S：密封材料，OM，OM1、OM2：取向膜，C：液晶单元，L1：入射光(p偏振光)，L2：反射光(p偏振光)，d1：入射光的偏振轴，d2：反射光的偏振轴，SP：入射面，SB：边界面(取向膜的表面)。

Claims (10)

1.一种液晶单元的制造方法，具备：
薄膜形成工序，在一对带电极的基板中的至少一方带电极的基板的表面形成薄膜，上述一对带电极的基板包括：TFT基板，其具有第1电介质基板、支撑于上述第1电介质基板的多个TFT和电连接到上述TFT的多个贴片电极；以及缝隙基板，其具有第2电介质基板、支撑于上述第2电介质基板的包含多个缝隙的缝隙电极，在该薄膜形成工序中，上述薄膜是以覆盖上述贴片电极和/或上述缝隙电极的形式来形成；以及
光照射工序，向上述薄膜照射包含p偏振光的光，得到对上述薄膜赋予使液晶分子取向的取向限制力而成的取向膜，
上述液晶单元的制造方法的特征在于，
上述薄膜包含聚合物，该聚合物具有光反应性官能基，沿着与上述p偏振光的偏振轴正交的方向表现出上述薄膜的取向限制力。
2.根据权利要求1所述的液晶单元的制造方法，
上述薄膜通过使上述聚合物的上述光反应性官能基异构化而表现出上述取向限制力。
3.根据权利要求2所述的液晶单元的制造方法，
上述薄膜通过使异构化后的上述聚合物的上述光反应性官能基二聚化而表现出上述取向限制力。
4.根据权利要求1所述的液晶单元的制造方法，
上述薄膜通过使上述聚合物的上述光反应性官能基发生光裂解而表现出上述取向限制力。
5.根据权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的液晶单元的制造方法，
上述薄膜具有肉桂酸酯基作为上述聚合物的上述光反应性官能基。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的液晶单元的制造方法，
上述薄膜具有偶氮苯基作为上述聚合物的上述光反应性官能基。
7.根据权利要求1或权利要求4所述的液晶单元的制造方法，
上述薄膜具有环丁烷二酰亚胺结构作为上述聚合物的上述光反应性官能基。
8.根据权利要求1至权利要求7中的任意一项所述的液晶单元的制造方法，
上述贴片电极和上述缝隙电极包括金属或者合金。
9.一种液晶单元，其特征在于，具备：
在至少一方基板的表面具有通过权利要求1至权利要求8中的任意一项所述的液晶单元的制造方法得到的取向膜的一对上述TFT基板和上述缝隙基板；以及
液晶层，其介于上述TFT基板与上述缝隙基板之间，上述TFT基板与上述缝隙基板为了使上述缝隙与上述贴片电极对应配置，而以上述贴片电极侧和上述缝隙电极侧相对的形式配置。
10.根据权利要求9所述的液晶单元，
上述液晶层中包含的液晶分子含有异硫氰酸酯基。
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