CN109427534B - 脱离控制方法和等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种容易进行被处理体从静电卡盘的脱离的脱离控制方法和等离子体处理装置。使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离的脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。

Description

脱离控制方法和等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种脱离控制方法和等离子体处理装置。
背景技术
在对被静电卡盘静电吸附于载置台的晶圆执行等离子体处理之后，利用支承销升起晶圆来从载置台剥离晶圆，并且将该晶圆从等离子体处理室搬出。此时，当在静电卡盘的表面存在有残余电荷时，由于残余电荷而在静电卡盘与晶圆之间产生吸附力，有时使晶圆的位置偏离或晶圆破裂而难以顺畅地剥离晶圆。
因此，以往以来，在晶圆W的等离子体处理后，进行通过向卡盘电极施加与在等离子体处理时施加于卡盘电极的静电电压正负相反且大小相同的静电电压来对残余电荷进行除电的处理。在对残余电荷进行除电之后停止向卡盘电极施加静电电压，利用支承销升起晶圆来剥离该晶圆(例如参照专利文献1)。
例如，在专利文献1的除电方法中，包括：求出静电卡盘的表面的残余电荷的量和残余电荷的正负的极性，并且向卡盘电极施加相当于大小与残余电荷的量相同且极性与所述正负的极性相反的电荷的静电电压的工序；一边向卡盘电极施加基于传热气体的压力值的监视结果计算出的静电电压，一边对处理室内的非活气体进行排气来进行减压的工序；以及停止施加于卡盘电极的静电电压的施加，并且利用支承销使被处理体从静电卡盘脱离的工序。
专利文献1：日本特开2013-149935号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，通过上述除电方法也同样，有时在静电卡盘的表面残留有残余电荷，在利用支承销升起晶圆来将该晶圆剥离时发生晶圆破裂等而不能顺畅地剥离。
针对上述课题，在一个方面中，本发明的目的在于容易地进行被处理体从静电卡盘的脱离。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，根据一个方式，提供一种脱离控制方法，使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离，脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。
根据其它方式，提供一种等离子体处理装置，具有：静电卡盘，其静电吸附被处理体；直流电源，其向静电卡盘的电极施加静电电压；以及控制部，所述控制部进行控制，以使在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。
发明的效果
根据一个方面，能够容易地进行被处理体从静电卡盘的脱离。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的一例的图。
图2是表示以往的脱离控制处理的一例的流程图。
图3是与比较例进行比较来说明基于一个实施方式所涉及的脱离控制方法的残余电荷的状态的图。
图4是表示一个实施方式所涉及的脱离控制处理的一例的流程图。
图5是表示一个实施方式所涉及的存储部中存储的恢复制程的一例的图。
图6是表示一个实施方式所涉及的脱离控制处理中的、静电电压与支承销的力矩的序列的一例的图。
附图标记说明
1：等离子体处理装置；10：处理容器；12：载置台(下部电极)；18：聚焦环；22：挡板；28：排气装置；32：高频电源；38：气体喷头(上部电极)； 40：静电卡盘；40a：卡盘电极；42：直流电源；43：开关；44：接地；52：传热气体供给源；62：气体供给源；71：冷却单元；75：加热器；81：支承销；84：电动机；100：控制部；101：CPU；102：存储器；110：恢复制程； 120：工艺制程。
具体实施方式
下面参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。
[等离子体处理装置的整体结构]
首先，参照图1来对本发明的一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的整体结构进行说明。图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置1 的结构的一例的图。
图1所示的等离子体处理装置1具有例如铝或不锈钢等金属制的圆筒型的处理容器10。处理容器10接地。在处理容器10的内部对半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)进行蚀刻、成膜、灰化等等离子体处理。
在处理容器10的内部设置有载置晶圆的载置台12。载置台12例如由铝构成，经由绝缘性的筒状保持部14支承于从处理容器10的底部向垂直上方延伸的筒状支承部16。在筒状保持部14的上表面配置有包围载置台12的上表面的、例如由石英构成的聚焦环18。
在形成于处理容器10的内壁与筒状支承部16之间的排气通路20中安装有环状的挡板22。在排气通路20的底部设置有排气口24，并且经由排气管26 与具有真空泵等的排气装置28连接。排气装置28将处理容器10的内部减压到规定的真空度。在处理容器10的侧壁安装有在晶圆W的搬入或搬出时进行开闭的闸阀30。
载置台12经由供电棒36和匹配器34与输出等离子体生成用的高频电力的高频电源32连接。高频电源32例如向载置台12施加频率60MHz的高频电力。载置台12也可以经由匹配器与输出偏压用的高频电力的高频电源连接。从该高频电源输出的高频的频率比从高频电源32输出的高频的频率低。根据以上，载置台12也作为下部电极发挥功能。在处理容器10的顶部设置有气体喷头38作为接地电位的上部电极。来自高频电源32的等离子体生成用的高频电力在载置台12与气体喷头38之间容性地接通。
气体喷头38借助覆盖其外缘部的密封环59以封闭处理容器10的顶部的开口的方式进行安装。气体喷头38具有：电极板56，其具有很多气体通气孔 56a；以及电极支承体58，其将电极板56以可装卸的方式支承。在电极支承体58的内部设置有缓冲室60。缓冲室60的气体导入口60a经由气体供给配管 64与气体供给源62连结。根据所述结构，从气体供给源62经由气体喷头38向处理容器10的内部供给期望的气体。
在载置台12的上表面设置有静电吸附晶圆W的静电卡盘40。静电卡盘40 是将由导电膜构成的板状的卡盘电极40a夹持在一对电介质构件即电介质层部40b、40c之间来得到的。
卡盘电极40a经由开关43与直流电源42或接地44(接地部)连接。当切换开关43以使静电卡盘40与直流电源42连接时，从直流电源42向卡盘电极40a施加规定的静电电压，由此能够利用库伦力将晶圆W吸附保持于静电卡盘40 上。
在停止对卡盘电极40a施加电压的情况下，切换开关43使静电卡盘40与接地44连接。在下面，向卡盘电极40a施加(接通)电压是指卡盘电极40a与直流电源42连接的状态，停止(断开)向卡盘电极40a施加电压是指卡盘电极40a 与接地44连接的状态。
传热气体供给源52通过气体供给线54向静电卡盘40的上表面与晶圆W 的背面之间供给He气体、Ar气体等传热气体。在载置台12的内部设置有多个 (例如三个)使晶圆W升降以与搬送臂之间进行晶圆W的交接的支承销81。多个支承销81通过经由连结构件82传递来的电动机84的动力进行上下移动。在贯通处理容器10的底壁的支承销81的贯通孔中设置有波纹管83，保持处理容器10的内部的气密。此外，多个支承销81为升起晶圆W的支承机构的一例。
在处理容器10的周围分上下两层配置有以环状或同心状延伸的磁体66。通过高频电源32形成铅垂方向的RF(Radio Frequency：射频)电场，通过高频的放电在载置台12的表面附近生成高密度的等离子体。由磁体66产生的电磁场控制在等离子体生成空间中生成的等离子体。
在载置台12的内部设置有制冷剂管70。经由冷却单元71被控制为设定温度的制冷剂从冷却单元71输出，经过配管72向制冷剂管70供给，并且经过配管73返回冷却单元71。在静电卡盘40的内部埋设有加热器75。当向加热器75 供给来自未图示的交流电源的电力时，利用加热器75的热来加热载置台12。像这样，通过在制冷剂管70中流动的制冷剂的冷却和加热器75的加热来调整载置台12的温度，由此将静电卡盘40上的晶圆W的温度控制为期望的温度。
控制部100对安装于等离子体处理装置1中的各部、例如气体供给源62、排气装置28、直流电源42、开关43、高频电源32、传热气体供给源52、电动机84、冷却单元71等进行控制。控制部100与主计算机等连接，并且彼此可通信。
控制部100具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)101、由 ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)等构成的存储器102。CPU 101从存储器102中存储的多个工艺制程120中选择表示要对晶圆W实施的处理过程的工艺制程120，并且按照选择出的该工艺制程120来控制特定的等离子体处理。在工艺制程120中针对工艺条件定义有作为等离子体处理装置1的控制信息的工艺时间、处理室内温度(上部电极温度、处理室的侧壁温度、静电卡盘(ESC)温度等)、压力(气体的排气)、高频电力、电压、各种工艺气体流量、传热气体流量等。
[等离子体处理]
参照图2的表示以往的脱离控制处理的一例的流程图来说明在所述结构的等离子体处理装置1中基于工艺制程120进行蚀刻等等离子体处理时的动作。作为开始图2的处理的前提动作，首先使闸阀30开口并且将保持于搬送臂上的晶圆W搬入处理容器10内。接着，利用从静电卡盘40的表面突出的支承销81从搬送臂升起晶圆W，并且将晶圆W保持于支承销81上。接着，该搬送臂从处理容器10退出，并且通过支承销81下降到静电卡盘40内来将晶圆W 载置于静电卡盘40上。当在晶圆W搬入后关闭闸阀30时，利用真空泵等排气装置28对处理容器10内部进行排气。
当开始图2所示的等离子体处理时，通过控制部100的CPU 101的控制，气体供给源62从气体喷头38向处理容器10的内部导入蚀刻气体等工艺气体。另外，排气装置28对处理容器10内进行减压，将处理容器10内维持为规定的压力(步骤S100)。接着，高频电源32向载置台12施加高频电力，激发工艺气体来生成等离子体(步骤S101)。即，通过来自高频电源32的高频电力激发工艺气体，由此在上部电极(气体喷头38)与下部电极(载置台12)之间的等离子体生成空间中生成等离子体。
接着，向卡盘电极40a施加静电电压，使晶圆静电吸附于静电卡盘 40(S102)。接着，向晶圆的背面与静电卡盘40的上表面之间供给传热气体，利用生成的等离子体的自由基、离子对晶圆W进行规定时间的等离子体处理 (S103)。在等离子体处理后，停止(断开)工艺气体的供给和高频电力的施加加(S104)，并且停止(断开)传热气体的供给(S105)，断开静电电压向卡盘电极 40a的供给(S106)。
[除电处理]
接着，对以往以来在使晶圆从静电卡盘40脱离时进行的除电处理的一例进行说明。CPU 101在对晶圆W的等离子体处理后向处理室内导入非活性气体，将处理容器10的内部维持为规定的压力(S107)。接着，CPU 101向卡盘电极40a施加(接通)与在等离子体处理中施加(接通)于卡盘电极40a的电压正负相反且大小相同的静电电压来进行除电(S108)。之后，CPU 101将开关43 的连接目标切换到接地44，断开卡盘电极40a的电压(S109)，结束本处理。
在该状态下，CPU 101使支承销81上升来从静电卡盘40升起晶圆W，从而将晶圆W从静电卡盘50剥离。CPU 101在使闸阀30开口并且搬送臂被搬入处理室内10之后，使支承销81下降来将晶圆W保持于搬送臂上。接着，CPU 101使该搬送臂从处理容器10退出，并且利用搬送臂将下一个晶圆W搬入处理室内10。通过重复该处理，连续地对晶圆W进行处理。
[残余电荷的状态]
然而，通过上述除电方法也同样，有时在静电卡盘40的表面残留有残余电荷，在利用支承销升起晶圆来将该晶圆剥离时，由于残余电荷而不能顺畅地剥离晶圆W。关于其原因，参照图3的(a)所示的通过以往的除电方法的序列而产生的残余电荷的状态来进行说明。
在晶圆W的等离子体处理中，如图3的(a-1)所示，在静电卡盘40的表面产生残余电荷。例如，在图3的(a-1)的例子中，负(-)的电荷移动到静电卡盘 40的表面而成为残余电荷，但也有时正(+)的电荷移动到静电卡盘40的表面而成为残余电荷。
当在该状态下升起支承销81时，如图3的(a-2)所示，由于静电卡盘40的表面的负的残余电荷与由于残余电荷而被吸引到晶圆W的背面的正的电荷之间的吸附力，产生与想要剥离晶圆W的支承销81的升起相应的力矩，晶圆 W不能简单地被剥离。
因此，在以往的除电处理中，为了去除静电卡盘40的表面的负的残余电荷，施加与在晶圆W的等离子体处理中施加于卡盘电极40a的电压正负相反且大小相同的静电电压。由此，去除静电卡盘40的表面的残余电荷，即进行除电。
例如在图3的(a-1)的例子中，施加与施加于卡盘电极40a的电压正负相反且大小相同的、具有负的值的静电电压，由此进行去除静电卡盘40的表面的负的电荷的除电。
然而，通过这样也同样在静电卡盘40的表面残留有残余电荷，难以完全消除残余电荷。
[脱离控制方法]
因此，在本实施方式所涉及的脱离控制方法中，在利用支承销81升起晶圆W时，一边从直流电源42施加规定的静电电压，一边检测作用于支承销81 的力矩，并且判定检测出的力矩是否为规定的阈值以下。基于判定的结果，在检测出的力矩为规定的阈值以下的情况下，决定为晶圆W能够脱离。
也就是说，在本实施方式中，不对残余电荷进行除电，而是向静电卡盘 40供给抵消残余电荷的静电电压HV。由此，如图3的(b-1)所示，供给到卡盘电极40a的电荷以抵消静电卡盘40的残余电荷的方式发生作用，使静电卡盘 40具有的总的电位为0。由此，如图3的(b-2)所示，在静电卡盘40的上表面与晶圆W的背面之间不产生吸附力，能够容易地从载置台12剥离晶圆W。
[脱离控制处理]
接着，参照图4的表示本实施方式所涉及的脱离控制处理的一例的流程图来说明本实施方式所涉及的脱离控制处理的一例。此外，在本实施方式所涉及的脱离控制方法中，使用图1的存储器102中存储的多个恢复制程 110a···110n(也统称为恢复制程110。)。CPU 101从存储器102中存储的多个恢复制程110a···110n中选择一个恢复制程110，将选择出的该恢复制程110用于脱离控制处理。此外，存储器102为存储有预先决定的静电电压与后述的重复次数(重试次数)之间的关系的存储部的一例。
另外，在本实施方式中，在图4的步骤S107～S206的脱离控制处理中，开关43也保持为与直流电源42连接的状态而不进行切换，向卡盘电极40a施加规定的电压(包括0V)。当在像这样地直流电源42与卡盘电极40a连接的状态下利用CPU 101控制施加于卡盘电极40a的电压的情况下，包括向卡盘电极 40a施加0V的电压时在内的向卡盘电极40a的电压的施加接通而未被断开(停止)。
当开始本处理时，通过控制部100的CPU 101的控制来执行等离子体处理 (步骤S100～S105)。图4的步骤S100～S105的处理为与图2中以相同步骤序号所示的处理相同的处理，因此在此省略说明。但是，在图4的等离子体处理中，不进行在图2的等离子体处理中执行的步骤S106的、切断向卡盘电极40a的电压的处理。
在上述等离子体处理后，执行本实施方式所涉及的脱离控制处理(步骤S107、S200～S208)。首先，CPU 101向处理室内导入非活性气体，将处理容器10的内部维持为规定的压力(S107)。
接着，CPU 101使支承销81上升来作为初始处理，开始联锁控制(步骤 S200)，并使支承销81下降(步骤S201)。在联锁控制中，在使支承销81上升时，检测是否对支承销81作用有必要以上的力矩。在判定为作用于支承销81的力矩比联锁的阈值高的情况下，自动地停止电动机84，中止支承销81的上升。可以通过软件(程序)来执行联锁控制，也可以通过硬件来执行该联锁控制。
例如，在图6中示出本实施方式所涉及的脱离控制处理中的静电电压与支承销81的力矩的序列的一例。在图6的例子中，虚线表示施加于卡盘电极 40a的静电电压HV，实线表示作用于支承销81的力矩的一例。另外，在图6 中示出在将静电电压HV阶梯式地控制为0V→300V→600V→900V的情况下作用于支承销81的力矩的一例。
如图6所示，在等离子体处理中施加2500V的静电电压HV。在图4的步骤 S200中执行的脱离控制处理的初始处理中，如图6所示，在紧接在停止2500V 的静电电压HV的施加之后且“初始时销上升”所示的时刻进行使支承销81高速地到达晶圆W的背面的初始动作。可知此时在支承销81产生大的力矩。
返回图4，接着CPU 101基于恢复制程110阶梯式地控制施加于卡盘电极 40a的静电电压(步骤S202)。图5为以曲线图表示恢复制程110的一例的图。在图5的恢复制程110的横轴表示尝试剥离晶圆W的重试次数，在其纵轴表示施加于卡盘电极40a的静电电压HV。在本实施方式中，CPU 101基于图5的恢复制程110使施加于卡盘电极40a的静电电压与重试次数相应地阶梯式地增加。
具体地说，在图4的步骤S202中，CPU 101参照图5的恢复制程110将重试次数为初始值(＝1)时施加于卡盘电极40a的静电电压HV控制为0V。
CPU 101在该状态下使支承销81上升(步骤S203)，并且判定作用于支承销81的力矩是否为联锁的阈值以下(步骤S204)。CPU 101在判定为力矩比联锁的阈值大的情况下，通过联锁控制中止支承销81的上升(步骤S205)，判定重试次数是否为十次以上(步骤S206)。
CPU 101在判定为重试次数比十次小的情况下，基于恢复制程110，与重试次数相应地阶梯式地控制施加于卡盘电极40a的静电电压(步骤S202)。在该时点，CPU 101基于图5的恢复制程110，与重试次数(＝2)相应地将施加于卡盘电极40a的静电电压设为360V。
在该状态下再次使支承销81上升(步骤S203)，CPU 101判定力矩是否为联锁的阈值以下(步骤S204)。CPU 101重复步骤S202～S206的处理直到力矩为联锁的阈值以下为止。
与图6的第二次的销上升(重试次数＝2)的时刻对应地示出在图4的步骤 S202中基于图5的恢复制程110来将静电电压HV设定为360V、并且利用支承销升起晶圆W时的力矩的状态。在重试次数为两次时，力矩超过联锁的阈值。因而，CPU 101通过联锁控制中止支承销81的上升。
接着，与图6的第三次的销上升(重试次数＝3)的时刻对应地示出在图4的步骤S202中基于图5的恢复制程110来将静电电压HV设定为720V、并且利用支承销升起晶圆W时的力矩的状态。在重试次数为三次时，力矩超过联锁的阈值。因而，CPU 101通过联锁控制中止支承销81的上升。
接着，与图6的第四次的销上升(重试次数＝4)的时刻对应地示出在图4的步骤S202中基于图5的恢复制程110来将静电电压HV设定为1080V、并且利用支承销升起晶圆W时的力矩的状态。在重试次数为四次时，力矩为联锁的阈值以下。因而，此时不进行基于联锁控制的支承销81的上升中止。
返回图4，因而，CPU 101使支承销81上升，从而使晶圆W从载置台12 脱离(步骤S208)，将开关43从与直流电源42连接切换为与接地44连接，从而断开向卡盘电极40a的电压的施加，结束本处理。
CPU 101在步骤S206中判定为重试次数为十次以上的情况下，判定为晶圆W由于因残余电荷产生的力矩之外的原因而不能剥离，等待恢复处理的完成(步骤S207)，结束本处理。作为由于因残余电荷产生的力矩以外的原因，例如举出电动机84的异常等。
在恢复处理中，例如打开处理容器10的盖来调查故障的原因或进行故障的维护。在恢复处理完成的情况下，重新启动等离子体处理装置1，进行下一个晶圆的等离子体处理。
此外，重试次数(重复次数)不限于十次，能够使用预先决定的规定的限制值。也就是说，当在步骤S206中重复的次数超过规定的限制值的情况下，进行等离子体处理装置1的维护。
如以上所说明的那样，在本实施方式所涉及的脱离控制方法中，在等离子体处理后不断开静电电压HV，向静电卡盘40供给与残余电荷相应的静电电压HV。由此，虽然不对静电卡盘40的残余电荷进行除电，但是基于供给到卡盘电极40a的静电电压HV的电荷以抵消静电卡盘40的残余电荷的方式发生作用，其结果是静电卡盘40内的总的电位为0。由此，如图3的(b-2)所示，在利用支承销81升起晶圆W时，在静电卡盘40的表面与晶圆W的背面之间不产生吸附力。因此，能够容易地将晶圆W从载置台12剥离。
此外，在图5所示的恢复制程110的曲线图中，将静电电压HV的刻度值设为360V，CPU 101每当重试次数增加一次就向卡盘电极40a施加使紧挨着之前施加的静电电压HV增加360V后得到的电压。然而，图5的曲线图表示用于阶梯式地控制施加于卡盘电极40a的静电电压HV的、施加于静电卡盘40的静电电压HV的刻度值的一例，不限定于此。滞留于静电卡盘40的残余电荷根据工艺条件发生变化。例如，根据在等离子体处理中施加于卡盘电极40a的静电电压HV的正负，图5成为向右上倾斜的阶梯状的曲线图还是成为向右下倾斜的阶梯状的曲线图会发生变化。
另外，这是一例，优选根据等离子体生成用的高频电力HF、偏压用的高频电力LF、在等离子体处理中施加的静电电压HV的大小等工艺条件来改变静电电压HV的刻度值的大小。并且，在图5的曲线图中，重试次数为一次时的电压HV为0V，但不限于此，重试次数为一次时的电压HV可以为负值，也可以为正值。
像这样，优选在恢复制程110中准备与工艺条件相应地预先设定的多个曲线图，并如图1所示那样存储在存储器102中。在该情况下，操作者在选择了符合工艺条件的恢复制程110的基础上执行本实施方式所涉及的脱离控制处理。
如以上所说明的那样，通过使用本实施方式所涉及的等离子体处理装置 1来执行本实施方式所涉及的脱离控制方法，能够容易地进行晶圆W从静电卡盘40的脱离。
以上通过上述实施方式对脱离控制方法和等离子体处理装置进行了说明，但本发明所涉及的脱离控制方法和等离子体处理装置不限定为上述实施方式，能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。上述多个实施方式中记载的事项能够在不矛盾的范围内进行组合。
例如，在上述实施方式中，作为判定与静电卡盘40的残余电荷相应的值是否为规定的阈值以下的步骤的一例，在图4的步骤S204中判定在利用支承销81升起晶圆W时产生的力矩是否为联锁的阈值以下。然而，“与残余电荷相应的值”不限于此，例如可以是在利用支承销81升起晶圆W时流过直流电源42的电流值。当在静电卡盘40残留有残余电荷的状态下升起支承销81来使晶圆W移动时，由于晶圆W与卡盘电极40a之间的静电容量发生变化，发生直流电源42与静电卡盘40之间的电荷的交换，电流在直流电源42与静电卡盘 40之间流动。因此，在将直流电源42和静电卡盘40连接的供电棒安装电流计，测定在升起支承销81来使晶圆移动时流过直流电源42的电流值。而且，也可以根据测定出的电流值来估计残余电荷的量，向卡盘电极40a施加抵消该残余电荷的静电电压HV。通过这样，静电卡盘40的残余电荷也被抵消，能够使静电卡盘40内的总的电位为0。其结果是，能够容易地从载置台12剥离晶圆W。
也可以预先准备能够判断如果对卡盘电极40a施加多少静电电压则在升起晶圆W时产生的力矩为何种程度、是否能够剥离晶圆W的表。在该情况下， CPU 101参照表来导出针对在该时点检测出的力矩能够剥离晶圆W的程度的静电电压，并且将该静电电压施加于卡盘电极40a，由此抵消残余电荷，安全地剥离晶圆W。在该情况下，无需阶梯式地控制施加于卡盘电极40a的静电电压。
本发明所涉及的基板处理装置能够在Capacitively Coupled Plasma(CCP：电容耦合等离子体)、Inductively Coupled Plasma(ICP：电感耦合等离子体)、 Radial LineSlot Antenna(径向线缝隙天线)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR：电子回旋共振等离子体)、Helicon Wave Plasma(HWP：螺旋波等离子体)等任意类型中应用。
在本说明书中，举出晶圆来作为被处理体的一例进行了说明。但是，被处理体不限于此，可以为LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)中使用的各种基板、CD基板、印刷基板等。

Claims (10)

1.一种脱离控制方法，使被静电吸附于配置于等离子体处理装置中的静电卡盘的被处理体脱离，该脱离控制方法具有以下工序：
在利用支承机构升起所述被处理体且所述等离子体处理装置不生成等离子体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离，
其中，使所述被处理体脱离的工序具有以下工序：
一边向所述静电卡盘的电极施加规定的静电电压，一边判定与所述静电卡盘的残余电荷相应的值是否为规定的阈值以下；以及
与所述判定的结果相应地决定所述被处理体是否能够脱离。
2.根据权利要求1所述的脱离控制方法，其特征在于，
与决定所述被处理体是否能够脱离的工序的结果相应地，决定从与所述静电卡盘的电极连接的直流电源向所述静电卡盘的电极施加的静电电压的值。
3.根据权利要求1或2所述的脱离控制方法，其特征在于，
与所述静电卡盘的残余电荷相应的值为在利用所述支承机构升起所述被处理体时产生的力矩。
4.根据权利要求1或2所述的脱离控制方法，其特征在于，
与所述静电卡盘的残余电荷相应的值为在利用所述支承机构升起所述被处理体时在所述静电卡盘的电极与同所述静电卡盘的电极连接的直流电源之间流动的电流值。
5.根据权利要求1或2所述的脱离控制方法，其特征在于，
重复以下工序直到与所述静电卡盘的残余电荷相应的值为规定的阈值以下为止，该工序是阶梯式地改变从与所述静电卡盘的电极连接的直流电源向所述静电卡盘的电极施加的静电电压的值，在升起所述被处理体时，一边向所述静电卡盘的电极施加阶梯式地改变后的所述静电电压一边判定与吸附所述被处理体的残余电荷相应的值是否为规定的阈值以下。
6.根据权利要求5所述的脱离控制方法，其特征在于，
参照存储有预先决定的静电电压与重复次数之间的关系的存储部，来与重复所述工序的次数相应地决定从所述直流电源向所述静电卡盘的电极施加的静电电压的值。
7.根据权利要求6所述的脱离控制方法，其特征在于，
通过在每次进行所述重复时使所述静电电压的值阶梯式地增加或减少规定值来决定从所述直流电源向所述静电卡盘的电极施加的静电电压的值。
8.根据权利要求6或7所述的脱离控制方法，其特征在于，
在所述重复的次数超过规定的限制值的情况下，进行用于对被静电吸附于所述静电卡盘的被处理体进行处理的所述等离子体处理装置的维护。
9.一种等离子体处理装置，具有：
静电卡盘，其静电吸附被处理体；直流电源，其向静电卡盘的电极施加静电电压；以及控制部，
其中，所述控制部进行控制，以在利用支承机构升起所述被处理体且所述等离子体处理装置不生成等离子体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离，
其中，所述控制部进行控制，以使得一边向所述静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边判定与所述静电卡盘的残余电荷相应的值是否为规定的阈值以下，并且与所述判定的结果相应地决定所述被处理体是否能够脱离。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述控制部进行控制，以使得与决定所述被处理体是否能够脱离的决定结果相应地决定从所述直流电源向所述静电卡盘的电极施加的静电电压的值。
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