CN109425765A - 微机电***探针、制作其的方法及使用其的测试装置 - Google Patents

微机电***探针、制作其的方法及使用其的测试装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109425765A
CN109425765A CN201810960590.0A CN201810960590A CN109425765A CN 109425765 A CN109425765 A CN 109425765A CN 201810960590 A CN201810960590 A CN 201810960590A CN 109425765 A CN109425765 A CN 109425765A
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact portion
terminal contact
coating layer
mems
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810960590.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109425765B (zh
Inventor
朴雄纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leeno Industiral Inc
Original Assignee
Leeno Industiral Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leeno Industiral Inc filed Critical Leeno Industiral Inc
Publication of CN109425765A publication Critical patent/CN109425765A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109425765B publication Critical patent/CN109425765B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716—Elastic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G01R1/06761—Material aspects related to layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07357—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
    • H01R13/2471—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point pin shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R2201/00—Connectors or connections adapted for particular applications
    • H01R2201/20—Connectors or connections adapted for particular applications for testing or measuring purposes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

公开一种用于在待测试对象的受试接触点与测试电路的测试接触点之间进行电连接的微机电***(MEMS)探针。MEMS探针包括：第一端子接触部分；第二端子接触部分，能够靠近和远离第一端子接触部分而移动；以及弹性连接部分，连接第一端子接触部分与第二端子接触部分，弹性连接部分通过第二端子接触部分的接近而弹性变形，且包括在弹性变形方向上堆叠的多个镀覆层。此外，公开一种制作微机电***探针的方法及测试装置。根据本发明，MEMS探针包括在弹性变形方向上堆叠的多个镀覆层，由此使疲劳失效减少且使耐久性提高。

Description

微机电***探针、制作其的方法及使用其的测试装置
技术领域
本发明涉及一种微机电***(microelectromechanical system，MEMS)探针、制作其的方法及一种使用所述MEMS探针测试半导体或类似待测试对象的电特性的测试装置。
背景技术
作为测试半导体晶片或类似待测试对象的电特性或妥善性(adequacy)的测试装置，一直使用包括用于在待测试对象的端子与测试电路板的端子之间进行电连接的多个探针的探针卡(probe card)以及支撑这些探针的探针支撑件(probe supporter)。
随着技术的发展，半导体晶片变更大且半导体变更小。随着可形成在一片半导体晶片上的半导体焊盘(semiconductor pad)的数目增加，各半导体焊盘之间的距离必须更为靠近。像这样，随着间距(pitch)变窄，则需要密度更高的探针卡。
一般来说，探针卡采用悬臂探针(cantilever probe)、垂直探针(verticalprobe)、微机电***(MEMS)探针等。悬臂探针的缺点是所有工艺均是由人逐一地修改及执行，但悬臂探针所需的生产成本比MEMS或垂直型的情形低。然而，悬臂探针是复杂的，原因是在需要修复或维修的情况下人必须逐一地重新排列引脚(pin)。
MEMS或垂直型通过精密工具来耦合MEMS探针，这造成生产成本增加，但精度有相当程度的提高。
图1示出传统MEMS探针11。如图1中所示，MEMS探针11包括将要与待测试对象的端子及测试电路板的端子分别接触的第一端子接触部分13及第二端子接触部分14以及用于在第一端子接触部分13与第二端子接触部分14之间进行连接的预先弯曲的弹性变形部分16。在此种情形中，MEMS探针11包括在与弹性变形部分16的弹性变形方向垂直的方向上堆叠的多个镀覆层10A、10B、10C、10D及10E。然而，在与弹性变形方向垂直的方向上堆叠的所述多个镀覆层10A、10B、10C、10D及10E具有由于因多次实行测试而产生的运动应力(motionstress)而造成界面分层(interface delamination)的问题。因此，具有在与弹性变形方向垂直的方向上堆叠的所述多个镀覆层的MEMS探针的耐久性(durability)由于界面分层现象而劣化。
发明内容
本发明的一方面旨在解决传统问题并提供一种MEMS探针及一种使用所述MEMS探针的测试装置，所述测试装置防止多个镀覆层在测试期间出现界面分层且使耐久性提高。
根据本发明的实施例，提供一种用于在待测试对象的受试接触点与测试电路的测试接触点之间进行电连接的MEMS探针。MEMS探针包括：第一端子接触部分；第二端子接触部分，能够靠近和远离第一端子接触部分而移动；以及弹性连接部分，连接第一端子接触部分与第二端子接触部分，弹性连接部分通过第二端子接触部分的接近而弹性变形，且包括在弹性变形方向上堆叠的多个镀覆层。根据本发明，MEMS探针包括在弹性变形方向上堆叠的多个镀覆层，由此使疲劳失效(fatigue failure)减少且使耐久性提高。
弹性连接部分可沿弯曲路径弯曲且弹性连接第一端子接触部分与第二端子接触部分，且所述多个镀覆层沿包括所述弯曲路径的弯曲平面堆叠。
所述多个镀覆层可包括弹性镀覆层及导电镀覆层，所述导电镀覆层具有比所述弹性镀覆层低的弹性系数(elastic coefficient)及比所述弹性镀覆层高的导电率(electric conductivity)。
所述多个镀覆层可包括位于最外侧处的绝缘涂布层。
根据本发明的实施例，提供一种制作MEMS探针的方法。所述方法包括：堆叠并镀覆形状像平板的多个层的探针主体；让多个层的探针主体经历初级热处理；将经历初级热处理的探针主体的中间部分按压成形为在堆叠方向上弯曲；以及让弯曲的探针主体经历次级热处理。
根据本发明的实施例，提供一种用于测试待测试对象的电特性的测试装置。所述测试装置包括：第一支撑构件，具有多个引导孔；第二支撑构件，具有多个端子孔且与第一支撑构件平行地间隔开；以及多个MEMS探针，各自包括第一端子接触部分、第二端子接触部分及弹性连接部分，所述第一端子接触部分***第一支撑构件的引导孔中而被支撑以在测试方向上滑动及移动，所述第二端子接触部分支撑在第二支撑构件的端子孔中，所述弹性连接部分在所述第一端子接触部分与所述第二端子接触部分之间弹性变形且包括在变形方向上堆叠的多个镀覆层。
附图说明
通过结合附图阅读对示例性实施例的以下说明，以上和/或其他方面将变得显而易见且更易于理解，在附图中：
图1是传统MEMS探针的透视图。
图2是根据本发明第一实施例的MEMS探针的透视图。
图3是制作图2所示MEMS探针的流程图。
图4是使用图2所示MEMS探针的测试装置的剖视图。
图5是根据本发明第二实施例的MEMS探针的透视图。
[符号的说明]
1：测试装置
10：待测试的对象
11：MEMS探针
10A、10B、10C、10D、10E、100A、100B、100C、100D、100E、200A、200B、200C、200D：镀覆层
200E：镀覆层/最顶层
12：凸块端子
13：第一端子接触部分
14：第二端子接触部分
16、120、220：弹性变形部分
20：测试电路板/插板
22：焊盘端子
30：第一支撑构件
32：端子孔
40：第二支撑构件
42：引导孔
100、200：MEMS探针
200F：绝缘涂布层
110、210：端子接触部分
112：端子接触主体部分
114：第一接触尖端
130、230：滑动接触部分
132：滑动接触主体部分
134：第二接触尖端
222：狭槽
S11、S12、S13、S14、S15：操作
A-A：截面
具体实施方式
以下，将参照附图详细阐述本发明的实施例。
图2是根据本发明一个实施例的MEMS探针100的透视图。参照图2与图4，MEMS探针100是由导电材料制成，且电连接待测试的对象10的凸块端子12与测试电路板或插板20的焊盘端子22。MEMS探针100可用于电连接两个特定接触点以及待测试的对象10与测试电路板20。以下，将以举例的方式阐述MEMS探针100用于在待测试的对象10与测试电路板20之间进行连接。
MEMS探针100包括待与测试电路板20的焊盘端子22接触的端子接触部分110、在测试期间弹性变形的弹性变形部分120及待与待测试的对象10的凸块端子12接触的滑动接触部分130。
端子接触部分110包括端子接触主体部分112及第一接触尖端114，端子接触主体部分112延伸成具有直板形状，第一接触尖端114从端子接触主体部分112逐渐变细且具有金字塔形状以与测试电路板20的焊盘端子22接触。
弹性变形部分120作为单个本体连接到端子接触部分110且形状像沿预定弯曲路径弯曲的板。当滑动接触部分130朝焊盘端子22移动时，弹性变形部分120在弯曲方向上弹性变形和/或弯折。当施加到滑动接触部分130的压力被释放时，弹性变形部分120从弹性变形形状恢复到原始形状。
滑动接触部分130包括滑动接触主体部分132及第二接触尖端134，滑动接触主体部分132作为单个本体连接到弹性变形部分120且形状像直板，第二接触尖端134待与待测试的对象10接触。在测试期间，滑动接触部分130在接触并按压待测试的对象10的同时朝端子接触部分110移动，由此使弹性变形部分120弹性变形。当弹性变形的弹性变形部分120通过释放施加给待测试的对象10的接触压力而复原时，滑动接触部分130远离焊盘端子22移动。
MEMS探针100包括五个镀覆层100A、100B、100C、100D及100E，但并非仅限于此。所述五个镀覆层100A、100B、100C、100D及100E在厚度方向上(即沿包括弹性变形部分的弯曲路径的弯曲平面)堆叠。换句话说，所述五个镀覆层100A、100B、100C、100D及100E沿弹性变形部分120的弹性变形方向堆叠。所述五个镀覆层100A、100B、100C、100D及100E是由具有高导电性的导电镀覆层与具有比所述导电镀覆层的弹性系数高的弹性系数的弹性镀覆层的组合提供。当然，所述五个镀覆层100A、100B、100C、100D及100E中的所有镀覆层可作为导电镀覆层及弹性镀覆层中的仅任一者来提供。此处，导电镀覆层及弹性镀覆层基本上是由良好导电性材料制成，但在弹性系数上可有所不同。
图3是制作图2所示MEMS探针100的流程图。
在操作S11处，举例来说，将导电镀覆层及弹性镀覆层交替地堆叠且镀覆成平板形状，由此形成多个镀覆层的探针主体。堆叠及镀覆方法包括浸涂方法(dip coatingmethod)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)方法、电镀方法(electroplating method)、无电镀覆方法(electroless plating method)及原子层沉积(atomiclayer deposition，ALD)方法。导电镀覆层及弹性镀覆层是由金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、铍(Be)、铑(Rh)、钯(Pd)合金、镍(Ni)合金、氧化铝、石墨烯、氧化石墨烯、石墨、二硫化钼、二硫化钼金属或它们的合金制成。举例来说，可通过控制钯(Pd)合金、镍(Ni)合金或类似内容物调整导电镀覆层及弹性镀覆层的弹性系数。
在操作S12处，让包括所述多个镀覆层的探针主体经历强化热处理(strengthening heat treatment)或退火热处理(annealing heat treatment)以使按压成形平坦。
在操作S13处，基于精密模具而通过按压成形使经热处理的探针主体在与弹性变形部分对应的中间部分处沿堆叠方向弯曲。
在操作S14处，让形成有弹性变形部分的探针主体经历强化热处理以确保弹性。
在操作S15处，以绝缘涂布层涂布经历强化热处理的探针主体的整体或特定部分，例如弹性变形部分或弹性变形部分的最顶部分。绝缘涂布层用于防止当所述多个MEMS探针100在测试装置1中极为靠近地排列时在各个相邻的MEMS探针之间出现短路。
绝缘涂布层还防止所述多个堆叠镀覆层在横向侧处受到损坏或被氧化，由此提高MEMS探针的耐久性。绝缘涂层层包括金刚石涂层、聚对二甲苯涂层、特氟龙涂层、氧化物膜涂层等。
图4是使用根据本发明第一实施例的MEMS探针100的测试装置1的剖视图。
测试装置1包括第一支撑构件30、第二支撑构件40及多个MEMS探针100，第一支撑构件30具有多个端子孔32，第二支撑构件40具有多个引导孔42且与第一支撑构件30平行地间隔开，且所述多个MEMS探针100的相对两端***端子孔32及引导孔42中。
第一支撑构件30被设置成绝缘板构件且具有多个端子孔32，MEMS探针100的端子接触部分110***多个端子孔32中。
第二支撑构件40被设置成绝缘板构件且具有多个引导孔42，滑动接触部分130在滑动以靠近和远离端子接触部分110而移动的同时***多个引导孔42中。
MEMS探针100与图1中所示MEMS探针相同，且因此将不再对其予以赘述。
当待测试的对象10(例如半导体)的凸块端子12在测试期间接触并按压滑动接触部分130的端部时，滑动接触部分130在引导孔42内滑动且朝端子接触部分110移动。弹性变形部分120随着滑动接触部分130移动而在弯曲方向上额外地变形。在此种情形中，弹性变形部分120在多个镀覆层的堆叠方向上的弹性变形产生运动应力，由此使运动负载(motionload)减小且防止镀覆层剥落。
图5是根据本发明第二实施例的MEMS探针200的透视图。如图5中所示，MEMS探针200包括五个镀覆层200A、200B、200C、200D及200E以及覆盖所述镀覆层的外侧的绝缘涂布层200F(见图5中的截面A-A)，但并非仅限于此。所述五个镀覆层200A、200B、200C、200D及200E在厚度方向上(即沿包括弹性变形部分的弯曲路径的弯曲平面)堆叠。换句话说，所述五个镀覆层200A、200B、200C、200D及200E在弹性变形部分220的弹性变形方向上堆叠。绝缘涂布层200F防止施加到测试装置1的多个相邻的MEMS探针200之间出现短路，且防止多个堆叠镀覆层在横向侧处受损或氧化，由此使MEMS探针200的耐久性提高。绝缘涂布层200F可选择性地涂布在弹性变形部分220的仅最顶层200E上。
MEMS探针200包括端子接触部分210、弹性变形部分220及滑动接触部分230，端子接触部分210待与测试电路板20的焊盘端子22接触，弹性变形部分220在测试期间弹性变形和/或弯折，滑动接触部分230接触待测试的对象10的凸块端子12。由于对端子接触部分210及滑动接触部分230的说明与对图2中的MEMS探针100的端子接触部分及滑动接触部分的说明相同，因此以下将不再对其予以赘述。
弹性变形部分220包括沿纵向形成的至少一个狭槽(slit)222。狭槽222使弹性变形部分220易于变形且防止耐久性由于过量的应力变化而降低。具体来说，在与图1所示变形方向垂直的方向上，传统堆叠方法难以形成狭槽222。
根据本发明，MEMS探针被制作成在弹性变形方向上进行镀覆及堆叠，由此防止所述多个镀覆层由于弹性变形运动而出现界面分层，且使耐久性提高。
尽管通过若干示例性实施例及附图阐述本发明，然而本发明并不限于前述示例性实施例，且所属领域中的普通技术人员应理解，可相对于这些实施例作出各种润饰及变化。
因此，本发明的范围不应由示例性实施例界定，而应由随附权利要求及等效形式界定。

Claims (7)

1.一种微机电***探针，用于测试待测试对象的电特性，所述微机电***探针包括：
第一端子接触部分；
第二端子接触部分，与所述第一端子接触部分相对；以及
弹性连接部分，在所述第一端子接触部分与所述第二端子接触部分之间弹性变形且包括在变形方向上堆叠的多个镀覆层。
2.根据权利要求1所述的微机电***探针，其中所述弹性连接部分在预定方向上预先弯曲。
3.根据权利要求2所述的微机电***探针，其中所述多个镀覆层沿所述预定方向堆叠。
4.根据权利要求1所述的微机电***探针，其中所述多个镀覆层包括弹性镀覆层及导电镀覆层，所述导电镀覆层具有比所述弹性镀覆层低的弹性系数及比所述弹性镀覆层高的导电率。
5.根据权利要求1所述的微机电***探针，其中所述多个镀覆层包括位于最外侧处的绝缘涂布层。
6.一种制作微机电***探针的方法，所述方法包括：
堆叠并镀覆平板形状的多个层的探针主体；
让所述多个层的所述探针主体经历初级热处理；
将经历所述初级热处理的所述探针主体的中间部分按压成形为在堆叠方向上弯曲；以及
让弯曲的所述探针主体经历次级热处理。
7.一种测试装置，用于测试待测试对象的电特性，所述测试装置包括：
第一支撑构件，具有多个引导孔；
第二支撑构件，具有多个端子孔且与所述第一支撑构件平行地间隔开；以及
多个微机电***探针，各自包括第一端子接触部分、第二端子接触部分及弹性连接部分，所述第一端子接触部分***所述第一支撑构件的所述引导孔中而被支撑以在测试方向上滑动及移动，所述第二端子接触部分支撑在所述第二支撑构件的所述端子孔中，所述弹性连接部分在所述第一端子接触部分与所述第二端子接触部分之间弹性变形且包括在变形方向上堆叠的多个镀覆层。
CN201810960590.0A 2017-08-23 2018-08-22 微机电***探针、制作其的方法及使用其的测试装置 Active CN109425765B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170106770A KR101962644B1 (ko) 2017-08-23 2017-08-23 검사프로브 및 이를 사용한 검사장치
KR10-2017-0106770 2017-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109425765A true CN109425765A (zh) 2019-03-05
CN109425765B CN109425765B (zh) 2022-05-31

Family

ID=65434265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810960590.0A Active CN109425765B (zh) 2017-08-23 2018-08-22 微机电***探针、制作其的方法及使用其的测试装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11408914B2 (zh)
KR (1) KR101962644B1 (zh)
CN (1) CN109425765B (zh)
TW (1) TWI679426B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111504766A (zh) * 2020-05-08 2020-08-07 强一半导体（苏州）有限公司 一种mems探针单转轴对称弯曲测试结构及其俯仰臂
CN113049934A (zh) * 2019-12-26 2021-06-29 Sda 有限公司 可调型微机电***探针卡及其装配方法
CN113495177A (zh) * 2020-04-07 2021-10-12 松翰股份有限公司 具有3d电路的微机电探针测试头及探针卡
TWI756947B (zh) * 2020-11-30 2022-03-01 中華精測科技股份有限公司 探針卡裝置及雙溝式探針
CN115308456A (zh) * 2022-09-29 2022-11-08 深圳市道格特科技有限公司 一种垂直探针及探针卡
TWI802353B (zh) * 2022-03-31 2023-05-11 中華精測科技股份有限公司 探針頭及其柵欄狀探針
WO2023188999A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 日本電子材料株式会社 プローブピンおよびプローブカード

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11768227B1 (en) 2019-02-22 2023-09-26 Microfabrica Inc. Multi-layer probes having longitudinal axes and preferential probe bending axes that lie in planes that are nominally parallel to planes of probe layers
JP7386656B2 (ja) 2019-09-25 2023-11-27 Idec株式会社 接続装置
CN111403937A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 东莞立德精密工业有限公司 金属端子及其制作方法
TWI737291B (zh) * 2020-05-08 2021-08-21 中華精測科技股份有限公司 垂直式測試裝置
JP7473810B2 (ja) 2020-08-05 2024-04-24 ダイトロン株式会社 プローブ及び検査装置
CN111766417B (zh) * 2020-08-14 2020-12-08 强一半导体（苏州）有限公司 一种导引板mems探针结构模板烧刻设备
KR20220135453A (ko) * 2021-03-30 2022-10-07 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR102549551B1 (ko) * 2021-04-06 2023-06-29 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀, 이를 구비하는 검사장치 및 전기 전도성 접촉핀의 제조방법
KR20230001193A (ko) * 2021-06-28 2023-01-04 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR20230001190A (ko) * 2021-06-28 2023-01-04 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀
KR20230133487A (ko) * 2022-03-11 2023-09-19 (주)포인트엔지니어링 금속 성형물, 그 제조방법 및 이를 구비하는 검사장치
KR20230146795A (ko) * 2022-04-13 2023-10-20 퀄맥스 주식회사 검사장치용 프로브 핀
EP4325227A1 (de) * 2022-08-16 2024-02-21 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Bandförmiger verbundwerkstoff für prüfnadeln
WO2024062559A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 日本電子材料株式会社 プローブカード用カンチレバー型プローブ
WO2024062558A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 日本電子材料株式会社 プローブカード用プローブ
WO2024062560A1 (ja) * 2022-09-21 2024-03-28 日本電子材料株式会社 プローブカード用プローブ
CN115951203B (zh) * 2023-03-14 2023-06-16 杭州朗迅科技股份有限公司 一种双模组集成电路高频测试设备

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101051056A (zh) * 2006-04-05 2007-10-10 株式会社东京阴极研究所 微型探针导向装置的制造方法以及微型探针单元
CN101122614A (zh) * 2006-08-10 2008-02-13 李诺工业有限公司 测试探针装置及其制造方法
CN101294983A (zh) * 2007-04-29 2008-10-29 财团法人工业技术研究院 多层式电探针的结构以及制造方法
US20080309363A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Nictech Co., Ltd. Probe assembly with wire probes
JP2011039066A (ja) * 2006-10-24 2011-02-24 Ind Technol Res Inst 多層電気プローブおよびその製造方法
CN102213727A (zh) * 2010-04-09 2011-10-12 山一电机株式会社 探针以及具备它的ic插座
CN102782507A (zh) * 2010-03-15 2012-11-14 日本发条株式会社 接触式探针及探针单元
US20130207682A1 (en) * 2012-02-14 2013-08-15 Toshiyuki Nakamura Probe pin and method of manufacturing the same
CN104755943A (zh) * 2012-12-04 2015-07-01 日本电子材料株式会社 电接触构件
CN105358991A (zh) * 2013-07-11 2016-02-24 约翰国际有限公司 用于微电路和晶圆级ic测试的测试装置和方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952843A (en) * 1998-03-24 1999-09-14 Vinh; Nguyen T. Variable contact pressure probe
JP2010122057A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nhk Spring Co Ltd プローブユニット
JP5396112B2 (ja) * 2009-03-12 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 プローブカード
KR101173900B1 (ko) * 2011-12-22 2012-08-16 정한순 프로브핀 및 그 제조방법
US10359447B2 (en) 2012-10-31 2019-07-23 Formfactor, Inc. Probes with spring mechanisms for impeding unwanted movement in guide holes
TWI522624B (zh) * 2014-06-06 2016-02-21 旺矽科技股份有限公司 探針及探針製造方法
CN107430151B (zh) 2015-03-31 2021-06-15 泰克诺探头公司 特别适用于高频应用的竖向接触探针和包含其的测试头
KR101712367B1 (ko) * 2015-12-04 2017-03-07 한국기계연구원 계층적 구조를 갖는 반도체 검사용 프로브 및 그 제조 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101051056A (zh) * 2006-04-05 2007-10-10 株式会社东京阴极研究所 微型探针导向装置的制造方法以及微型探针单元
CN101122614A (zh) * 2006-08-10 2008-02-13 李诺工业有限公司 测试探针装置及其制造方法
JP2011039066A (ja) * 2006-10-24 2011-02-24 Ind Technol Res Inst 多層電気プローブおよびその製造方法
CN101294983A (zh) * 2007-04-29 2008-10-29 财团法人工业技术研究院 多层式电探针的结构以及制造方法
US20080309363A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Nictech Co., Ltd. Probe assembly with wire probes
CN102782507A (zh) * 2010-03-15 2012-11-14 日本发条株式会社 接触式探针及探针单元
CN102213727A (zh) * 2010-04-09 2011-10-12 山一电机株式会社 探针以及具备它的ic插座
US20130207682A1 (en) * 2012-02-14 2013-08-15 Toshiyuki Nakamura Probe pin and method of manufacturing the same
CN104755943A (zh) * 2012-12-04 2015-07-01 日本电子材料株式会社 电接触构件
CN105358991A (zh) * 2013-07-11 2016-02-24 约翰国际有限公司 用于微电路和晶圆级ic测试的测试装置和方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113049934A (zh) * 2019-12-26 2021-06-29 Sda 有限公司 可调型微机电***探针卡及其装配方法
CN113495177A (zh) * 2020-04-07 2021-10-12 松翰股份有限公司 具有3d电路的微机电探针测试头及探针卡
CN111504766A (zh) * 2020-05-08 2020-08-07 强一半导体（苏州）有限公司 一种mems探针单转轴对称弯曲测试结构及其俯仰臂
TWI756947B (zh) * 2020-11-30 2022-03-01 中華精測科技股份有限公司 探針卡裝置及雙溝式探針
TWI802353B (zh) * 2022-03-31 2023-05-11 中華精測科技股份有限公司 探針頭及其柵欄狀探針
WO2023188999A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 日本電子材料株式会社 プローブピンおよびプローブカード
WO2023188369A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 日本電子材料株式会社 プローブピンおよびプローブカード
JP7506267B2 (ja) 2022-03-31 2024-06-25 日本電子材料株式会社 プローブピンおよびプローブカード
CN115308456A (zh) * 2022-09-29 2022-11-08 深圳市道格特科技有限公司 一种垂直探针及探针卡
CN115308456B (zh) * 2022-09-29 2023-03-10 深圳市道格特科技有限公司 一种垂直探针及探针卡

Also Published As

Publication number Publication date
CN109425765B (zh) 2022-05-31
TW201913109A (zh) 2019-04-01
US11408914B2 (en) 2022-08-09
KR101962644B1 (ko) 2019-03-28
US20190064215A1 (en) 2019-02-28
TWI679426B (zh) 2019-12-11
KR20190021693A (ko) 2019-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109425765A (zh) 微机电***探针、制作其的方法及使用其的测试装置
US10670628B2 (en) Test probe and test device using the same
EP1136827B1 (en) Contactor having LSI-circuit-side contact piece and test-board-side contact piece for testing semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101906626B1 (ko) 비선형 수직 리프 스프링
US6507207B2 (en) Contact probe pin for wafer probing apparatus
US10656180B2 (en) Test device
KR102015798B1 (ko) 검사장치용 프로브
CN109507457B (zh) 探针卡装置
TWI646332B (zh) 探針卡裝置及其信號傳輸模組
TW201703355A (zh) 電氣接觸子及電氣零件用插座
US7477065B2 (en) Method for fabricating a plurality of elastic probes in a row
CN100387994C (zh) 探头卡
TW201913108A (zh) 探針卡裝置及其矩形探針
CN109752576B (zh) 探针卡装置及其信号传输模块
JP6546765B2 (ja) 電気部品用ソケット
JP6559999B2 (ja) 電気部品用ソケット
CN109425818B (zh) 探针卡装置及其矩形探针
JP2017096722A (ja) コンタクトプローブ
JP6482354B2 (ja) 電気部品用ソケットの製造方法及び電気部品用ソケット
CN107076781A (zh) 测试连接器
KR20230062902A (ko) 코어 프로브가 구비된 수직형 프로브 헤드
JP2016192303A (ja) 電気接触子及び電気部品用ソケット
JP2016192305A (ja) 電気部品用ソケット

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant