CN109371379B - 一种沉积装置及制备热解炭的方法 - Google Patents

一种沉积装置及制备热解炭的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109371379B
CN109371379B CN201811466903.3A CN201811466903A CN109371379B CN 109371379 B CN109371379 B CN 109371379B CN 201811466903 A CN201811466903 A CN 201811466903A CN 109371379 B CN109371379 B CN 109371379B
Authority
CN
China
Prior art keywords
deposition
gas
cylinder
rotating shaft
pyrolytic carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811466903.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109371379A (zh
Inventor
戴煜
吕攀
李志国
胡祥龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HUNAN DINGLI TECHNOLOGY CO LTD
Original Assignee
Advanced Corp for Materials and Equipments Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Corp for Materials and Equipments Co Ltd filed Critical Advanced Corp for Materials and Equipments Co Ltd
Priority to CN201811466903.3A priority Critical patent/CN109371379B/zh
Publication of CN109371379A publication Critical patent/CN109371379A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109371379B publication Critical patent/CN109371379B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated

Abstract

本发明公开了一种沉积装置，包括转动轴、进气通道、筒体、位于所述筒体内的沉积基板，所述筒体上设有盖板，所述盖板上开设有通孔，所述沉积基板与所述盖板相对设置，所述沉积基板与所述转动轴固定连接，所述筒体与所述进气通道连通。本发明所提供的沉积装置，通过转动轴带动沉积基板旋转，能够保证沉积气体及沉积膜厚度分布均匀，实现沉积气体在沉积基板上方均匀分布并沉积，延长沉积时间，可以得到大厚度且密度均匀的热解炭，同时本发明的结构简单，降低了生产成本。

Description

一种沉积装置及制备热解炭的方法
技术领域
本发明涉及化学气相沉积技术领域，更具体地说，特别涉及一种沉积装置及制备热解炭的方法。
背景技术
热解炭是指碳氢化合物气体在热固体表面上发生热分解并在该固体表面上沉积的炭素材料，根据热解炭材料的微观结构可以将其分为各向异性和各向同性热解炭。各向同性热解炭的结构致密、晶粒尺寸小、各向性能一致性好，除了具备普通炭质材料的耐高温(无氧环境下)、自润滑、耐磨损等共同优点外，还具有强度高、密封性好、可加工性优良的特点，因而在机械、航空、航天、船舶、医学等领域有广阔的应用前景。
文献“大尺寸各向同性热解炭的制备与表征《新型炭材料》第21卷2006年第2期”公开了一种采用旋转基体稳态流化床装置制备各向同性热解炭的方法。采用此方法在沉积温度为1400-1500℃下，制备出了直径130mm，厚度为5mm的各向同性热解炭材料。但这种方法存在难以沉积厚度大、结构均匀、密度大的热解炭的问题。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种沉积装置，本发明提供的沉积装置结构简单，操作方便，且能够用于沉积厚度大、结构均匀的热解炭。本发明还提供一种制备热解炭的方法，能用于沉积厚度大、结构均匀、密度大的热解炭。
一种沉积装置，包括转动轴、进气通道、筒体、位于所述筒体内的沉积基板，所述筒体上设有盖板，所述盖板上开设有通孔，所述沉积基板与所述盖板相对设置，所述沉积基板与所述转动轴固定连接，所述筒体与所述进气通道连通。
上述沉积装置，优选的，还包括导流杆，所述导流杆与所述沉积基板固定连接，所述导流杆从所述盖板的开孔处伸出所述筒体，所述导流杆与所述转动轴分别位于所述沉积基板的两侧。
上述沉积装置，优选的，所述导流杆与所述转动轴同轴设置，所述转动轴与所述沉积基板所在平面垂直。
上述沉积装置，优选的，还包括炉体，所述炉***于所述筒体的外部。
上述沉积装置，优选的，还包括电机，所述转动轴与所述电机相连，所述电机用于驱动所述转动轴转动。
上述沉积装置，优选的，所述通孔的直径范围为25-125mm，所述沉积基板的直径范围为50-200mm。
上述沉积装置，优选的，所述进气通道用于通入载气和碳源气体。
一种利用上述的沉积装置制备热解炭的方法，包括以下步骤：
S1，向所述筒体内通入载气；
S2，将所述筒体内的温度升至1300～1500℃，将所述筒体内压力升至70MPa～100MPa，调整所述转动轴转速为10～30r/min，向所述筒体内通入碳源气体，沉积20～40h；
S3，停止通入碳源气体，继续通入载气，降温后得到所述热解炭。
上述制备热解炭的方法，优选的，所述载气和所述碳源气体组成的混合气体的流量范围为15～30L/min，其中所述碳源气体的质量浓度为40-70％。
上述制备热解炭的方法，优选的，所述碳源气体为丙烯、丙烷、乙炔中的一种或几种。
本发明所提供的沉积装置，通过转动轴带动沉积基板旋转，能够保证碳源气体在沉积基板上均匀沉积，同时保证沉积膜厚度分布均匀。延长沉积时间，可以得到大厚度且密度均匀的热解炭，同时本发明的结构简单，降低了生产成本。本发明所提供的制备热解炭的方法，是通过本发明所提供的沉积装置实现的，在可制作大厚度且密度均匀的热解炭的同时，还能够通过调节压力等工艺参数得到高密度的热解炭。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明沉积装置构造示意图。
1-筒体，2-炉体，3-盖板，4-沉积基板，5-转动轴，6-导流杆，7-进气通道，8-进气口，通孔9。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
如图1所示，根据本发明的一个优选实施方式的沉积装置包括：转动轴5、进气通道7、筒体1和位于筒体1内的沉积基板4，筒体1上设有盖板3，盖板3上开设有通孔9，沉积基板4与转动轴5固定连接，沉积基板4与盖板3相对设置，筒体1与进气通道7连通。
本发明所提供的沉积装置，通过转动轴5带动沉积基板4旋转，能够保证碳源气体在沉积基板4上均匀沉积，同时保证沉积膜厚度分布均匀。通过延长沉积时间，可以得到大厚度且密度均匀的热解炭。
其中，筒体1优选设置为圆柱形，沉积基板4优选设置为圆形板，沉积基板4用于承载沉积的热解炭。由于沉积基板4与转动轴5固定连接，转动轴5转动时能够带动沉积基板4旋转，以使得热解炭在沉积基板4上沉积。进气通道7与筒体1的接口优选设于筒体1的底板上，进气通道7用于向筒体1内输送气体，优选的，进气通道上可以设置进气口8，所述进气口8用于通入相同或不同的气体。盖板3上开设的通孔9用于使筒体1内多余的气体流出。沉积基板4与盖板3相对设置，优选为平行设置。沉积时，包括碳源气体在内的气体从进气通道7进入筒体1，转动轴5带动沉积基板4旋转，碳源气体颗粒在沉积基板4上方沉积，多余的气体从盖板3上开设的通孔9流出。
本发明所述的沉积装置，优选地，还可以设置导流杆6，导流杆6与沉积基板4固定连接，导流杆6从盖板3的开孔处伸出筒体1，导流杆6与转动轴5分别位于沉积基板4的两侧。
其中，导流杆6优选为圆柱形杆体，导流杆6位于沉积基板4上且从盖板3的开孔处伸出筒体1，能够对正在从筒体1内逸出筒体1外的气体起到引导作用，将筒体1内的气体尤其是沉积基板4上方的气体均匀、方向稳定地从通孔9处导出，以防止热解炭沉积厚度、密度不一，实现均匀沉积热解炭的技术效果。
优选地，导流杆6与转动轴5同轴设置，转动轴5与所述沉积基板4所在平面垂直。通过将导流杆6与转动轴5设置为同轴且导流杆6和转动轴5均垂直于沉积基板4所在平面，使得导流杆6能将气体从与沉积基板4垂直的方向导出筒体1，从而使得热解炭沉积得更加均匀。
本实施例所述的沉积装置，还包括炉体2，炉体2位于筒体1的外部。炉体2内设置有加热装置，能起到加热筒体1和保温筒体1温度的作用。
本实施例所述的沉积装置，还包括电机，转动轴5与电机相连，电机用于驱动转动轴5转动。由于沉积基板4与转动轴5固定连接，所以当电机驱动转动轴5转动时，转动轴5能带动沉积基板4旋转，实现热解炭在沉积基板4上均匀沉积，转动轴5的转动应尽可能保持均匀，以使得热解炭的沉积更加均匀。
本实施例所述的沉积装置，通孔9的直径范围优选设置为25-125mm，沉积基板4的直径范围优选设置为50-200mm。
本实施例所述的沉积装置，进气通道7用于通入载气和碳源气体。载气可以是氢气或者惰性气体，在通入碳源气体之前通入载气，可以驱走筒体1内的空气，在通入碳源气体的同时通入载气，能对碳源气体的沉积起到保护作用，防止碳源气体与氧气反应。
本发明还提供一种利用该沉积装置制备热解炭的方法，主要包括以下步骤：
S1，向所述筒体1内通入载气；
S2，将所述筒体1内的温度升至1300～1500℃，将所述筒体1内压力升至70MPa～100MPa，调整所述转动轴5转速为10～30r/min，向所述筒体1内通入碳源气体，沉积20～40h；
S3，停止通入碳源气体，继续通入载气，降温后得到所述热解炭。
其中，载气和所述碳源气体组成的混合气体的流量范围优选设置为15～30L/min，其中所述碳源气体的质量浓度优选设置为40-70％。
其中，所述碳源气体为丙烯、丙烷、乙炔中的一种或几种，还可以是其他的碳氢气体。
本发明所提供的制备热解炭的方法，在制备热解炭时，通过转动轴5带动沉积基板4旋转，保证碳源气体在沉积基板4上均匀沉积，同时保证沉积膜厚度分布均匀，可以得到密度、结构均匀的热解炭，当延长沉积时间时，还可以得到大厚度的热解炭，本发明还能够通过调节压力、盖板3、通孔9尺寸、温度等工艺参数得到与需求相适应的热解炭。
以下给出3个优选的实施例。
实施例1
将沉积基板4直径为80mm，盖板3上通孔9直径为30mm的沉积装置进行预先清洗，以去除上次加工时表面附着的石墨颗粒，并将沉积装置进行干燥去除水分，检验装置密封性。
向筒体1内通入氮气，在氮气保护气氛下，将筒体1内温度设定为1300～1400℃，将***绝对压力设定为90～100MPa，打开电机驱动转动轴5旋转，调整电机转动速度为20～30r/分钟。当温度和***绝对压力达到设定值并保持稳定后，打开甲烷阀，向筒体1内充入丙烷气体，调整氮气和丙烷的流量值，使得氮气和所述甲烷气体组成的混合气体的流量范围为15～30L/分钟，其中甲烷气体的质量浓度为40-70％。
沉积25小时后，关闭甲烷阀，继续通入氮气，停止沉积。断电降温后，在沉积基板4上形成热解炭制件。所获得的热解炭材料密度为1.82g/cm3，弹性模量为11.5GPa，沉积厚度12mm，直径70mm。
实施例2
将沉积基板4直径为120mm，盖板3上通孔9直径为40mm的沉积装置进行预先清洗，以去除上次加工时表面附着的石墨颗粒，并将沉积装置进行干燥去除水分，检验装置密封性。
向筒体1内通入氢气，在氢气保护气氛下，将筒体1内温度设定为1400～1500℃，将***绝对压力设定为80～100MPa，打开电机驱动转动轴5旋转，调整电机转动速度为20r/分钟。当温度和***绝对压力达到设定值并保持稳定后，打开丙烷阀，向筒体1内充入丙烷气体，调整氢气和丙烷的流量值，使得氢气和所述丙烷气体组成的混合气体的流量范围为20～30L/分钟，其中丙烷气体的质量浓度为40-70％。
沉积30小时后，关闭丙烷阀，继续通入氢气，停止沉积。断电降温后，在沉积基板4上形成热解炭制件。所获得的热解炭材料密度为1.85g/cm3，弹性模量为11.9GPa，沉积厚度15mm，直径100mm。
实施例3
将沉积基板4直径为150mm，盖板3上通孔9直径为50mm的沉积装置进行预先清洗，以去除上次加工时表面附着的石墨颗粒，并将沉积装置进行干燥去除水分，检验装置密封性。
向筒体1内通入氢气，在氢气保护气氛下，将筒体1内温度设定为1400～1500℃，将***绝对压力设定为70～90MPa，打开电机驱动转动轴5旋转，调整电机转动速度为20r/min。当温度和***绝对压力达到设定值并保持稳定后，打开乙炔阀，向筒体1内充入乙炔气体，调整氢气和乙炔的流量值，使得氢气和乙炔气体组成的混合气体的流量范围为20～30L/分钟，其中乙炔气体的质量浓度为40-70％。
沉积20小时后，关闭乙炔阀，继续通入氢气，停止沉积。断电降温后，在沉积基板4上形成热解炭制件。所获得的热解炭材料密度为1.91g/cm3，弹性模量为12.8GPa，沉积厚度11mm，直径140mm。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种沉积装置，其特征在于，包括转动轴(5)、进气通道(7)、筒体(1)和位于所述筒体(1)内的沉积基板(4)，所述筒体(1)上设有盖板(3)，所述盖板(3)上开设有通孔(9)；
所述沉积基板(4)与所述转动轴(5)固定连接，所述沉积基板(4)与所述盖板(3)相对设置，所述筒体(1)与所述进气通道(7)连通；
还包括导流杆(6)，所述导流杆(6)与所述沉积基板(4)固定连接，所述导流杆(6)从所述盖板( 3) 的开孔处伸出所述筒体(1)，所述导流杆(6)与所述转动轴(5)分别位于所述沉积基板(4)的两侧。
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述导流杆(6)与所述转动轴(5)同轴设置，所述转动轴(5)与所述沉积基板(4)所在平面垂直。
3.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，还包括炉体(2)，所述炉体(2)位于所述筒体(1)的外部。
4.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，还包括电机，所述转动轴(5)与所述电机相连，所述电机用于驱动所述转动轴(5)转动。
5.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述通孔(9)的直径范围为25-125mm，所述沉积基板(4)的直径范围为50-200mm。
6.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述进气通道(7)用于通入载气和碳源气体。
7.一种利用权利要求1-6中任意一项所述的沉积装置制备热解炭的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，向所述筒体( 1) 内通入载气；
S2，将所述筒体( 1) 内的温度升至1300～1500℃，调整所述转动轴(5)转速为10～30r/min，向所述筒体(1)内通入碳源气体和载气的混合气体，保持所述筒体(1)内压力为70MPa～100MPa，沉积20～40h；
S3，停止通入碳源气体，继续通入载气，降温后得到所述热解炭。
8.根据权利要求7所述的制备热解炭的方法，其特征在于，所述载气和所述碳源气体组成的混合气体的流量范围为15～30L/min，其中所述混合气体中所述碳源气体的质量浓度为40-70％。
9.根据权利要求8所述的制备热解炭的方法，其特征在于，所述碳源气体为丙烯、丙烷、乙炔中的一种或几种。
CN201811466903.3A 2018-12-03 2018-12-03 一种沉积装置及制备热解炭的方法 Active CN109371379B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811466903.3A CN109371379B (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种沉积装置及制备热解炭的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811466903.3A CN109371379B (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种沉积装置及制备热解炭的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109371379A CN109371379A (zh) 2019-02-22
CN109371379B true CN109371379B (zh) 2021-05-11

Family

ID=65375169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811466903.3A Active CN109371379B (zh) 2018-12-03 2018-12-03 一种沉积装置及制备热解炭的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109371379B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101705476A (zh) * 2009-11-20 2010-05-12 中南大学 一种cvd热板法快速制备高密度各向同性炭的方法
CN202323024U (zh) * 2012-03-02 2012-07-11 烟台鲁航炭材料科技有限公司 一种化学气相沉积炉用沉积室
CN103343334A (zh) * 2013-07-18 2013-10-09 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0969120B1 (en) * 1991-05-10 2003-07-30 Celestech, Inc. Method for plasma deposition
CN103896243B (zh) * 2012-12-29 2016-03-09 清华大学 反应器及生长碳纳米管的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101705476A (zh) * 2009-11-20 2010-05-12 中南大学 一种cvd热板法快速制备高密度各向同性炭的方法
CN202323024U (zh) * 2012-03-02 2012-07-11 烟台鲁航炭材料科技有限公司 一种化学气相沉积炉用沉积室
CN103343334A (zh) * 2013-07-18 2013-10-09 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109371379A (zh) 2019-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101875562B (zh) 一种炭纤维增强炭和六方氮化硼双基体摩擦材料的制备方法
CN103773985A (zh) 一种高效原位制备石墨烯增强铜基复合材料的方法
CN103073332B (zh) 具有纳米孔结构的过渡金属碳化物陶瓷及其制备方法
CN104103821B (zh) 硅碳负极材料的制备方法
CN101157564A (zh) 用炭纳米纤维增强炭/炭构件的方法
CN103276477A (zh) 中间相沥青基碳纤维制备工艺
CN112938940B (zh) 硅-碳纳米管及硅-碳纳米管复合膜的制备方法、设备、硅-碳纳米管复合膜及锂电池
Zhang et al. Growth mechanism and ablation behavior of CVD-HfC coating on the surface of C/C composites and CVD-SiC coating
CN104603999A (zh) 负极碳材料制造装置及使用该装置的负极碳材料的制造方法
CN109371379B (zh) 一种沉积装置及制备热解炭的方法
CN108625159A (zh) 用于碳纤维布表面均匀生长碳纳米管的装置及方法
CN1955112A (zh) 碳纳米管制备方法
CN110723973A (zh) 一种高温稳定SiBCN复合陶瓷的制备方法
Liu et al. Preparation and characterization of zirconium carbide coating on coated fuel particles
CN111139453A (zh) 一种高导电铜/石墨烯复合材料的制备方法
CN112876254B (zh) 一种多孔碳化硅陶瓷膜及其制备方法
CN111850498B (zh) 一种碳纳米纤维增强镍基复合涂层及其制备方法
CN102433542B (zh) 碳-铝复合材料的制备方法
JP4487017B1 (ja) バイオマスを原料にしたバイオマスカーボンブラックの製造方法及びその装置
CN213651867U (zh) 一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的装置
CN112209390B (zh) 一种制备锂离子电池负极材料的高温装置及其制备方法
CN110042362B (zh) 一种多用途化学气相沉积装置
CN210322798U (zh) 一种用于制备氧化钼纳米片表面增强拉曼散射基底的装置
CN110342502B (zh) 一种石墨片原位生长石墨烯复合碳材料的制备方法
CN112875685A (zh) 一种基于木质素原位生成的石墨烯及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP02 Change in the address of a patent holder
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: 410199 No. 1271, liangtang East Road, Xingsha industrial base (Changlong Street), Changsha area, China (Hunan) pilot Free Trade Zone, Changsha, Hunan Province

Patentee after: ADVANCED CORPORATION FOR MATERIALS & EQUIPMENTS Co.,Ltd.

Address before: Room 606, complex building, 1318 Kaiyuan East Road, Xingsha industrial base, Changsha Economic and Technological Development Zone, Changsha, Hunan 410005

Patentee before: ADVANCED CORPORATION FOR MATERIALS & EQUIPMENTS Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 410199 No. 1271, liangtang East Road, Xingsha industrial base (Changlong Street), Changsha area, China (Hunan) pilot Free Trade Zone, Changsha, Hunan Province

Patentee after: Hunan Dingli Technology Co.,Ltd.

Address before: 410199 No. 1271, liangtang East Road, Xingsha industrial base (Changlong Street), Changsha area, China (Hunan) pilot Free Trade Zone, Changsha, Hunan Province

Patentee before: ADVANCED CORPORATION FOR MATERIALS & EQUIPMENTS Co.,Ltd.