CN109346575B - 一种发光二极管外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体器件制备技术领域,涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、n型电子阻挡层、应力释放层、具有新量子阱结构的发光层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层、p型接触层。本发明创新在于设计了一种新的量子阱生长结构,通过在传统量子阱生长前后***富铟层,减少了量子阱层铟组分的波动,在较大程度上提高了外延片的发光均匀性,进而提升了LED芯片的光效性能。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件制备技术领域,涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。
背景技术
LED(发光二极管)由于具有亮度高、能耗低、使用寿命长、发光均匀性好等优点成为国家节能领域中优先扶持对象,通过将蓝光LED芯片和荧光粉组合能发出白光而广泛应用于路灯、汽车灯、家用灯等照明领域。随着近年来LED市场产能过剩局面越来越严重,LED外延生长技术要求也越来越高。正常蓝光LED外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、非故意掺杂层以及n 型氮化镓层、有源发光层、p型氮化镓层等,其中发光层包括多个周期的量子阱层(InxGa(1-x)N)和量子垒层(GaN),量子阱层的生长时间、In/Ga比相同。但量子阱InxGa(1-x)N中In组分浓度受温度影响较大,在量子阱到量子垒的升温以及p型氮化镓层生长过程中会发生铟析出现象,导致量子阱中的铟组分浓度减少,其组分减少量沿外延层生长方向逐渐增加。量子阱层中In组分浓度的差异对发光波长的均匀性及光效产生了较大的影响。
发明内容
本发明的目的在于,针对上述LED外延生长过程中量子阱铟组分浓度发生变化、影响发光波长均匀性和光效这一技术难题,提出一种具有新量子阱结构的发光二极管外延片及其制备方法,外延结构包括:蓝宝石衬底、缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、n型电子阻挡层、应力释放层、具有新量子阱结构的发光层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层、p型接触层。
本发明的技术方案:
一种发光二极管外延片,以蓝宝石为衬底,其表面依次为缓冲层、非故意掺杂氮化镓层和n型氮化镓层,其中n型氮化镓层,以硅烷(SiH4)为掺杂剂;在n型氮化镓层上再依次生长n型电子阻挡层和应力释放层,其中应力释放层为数个周期的InxGa(1-x)N/GaN超晶格层,0.1≤x≤0.4;在应力释放层上继续外延生长具有新量子阱结构的发光层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层和p型接触层,其中新量子阱结构为InN(t1)/InxGa(1-x)N/InN(t2)三明治结构, t1和t2为量子阱生长时间,随着阱层个数增加而增加,0.1≤x≤0.4;p型电子阻挡层采用AlxGa(1-x)N体结构生长,p型电子阻挡层、p型氮化镓层和p 型接触层均采用二茂镁(Cp2Mg)作为掺杂剂;
所述的缓冲层的厚度为10nm~50nm;
所述的非故意掺杂氮化镓层的厚度为1μm~5μm;
所述的n型氮化镓层的厚度为2μm~10μm;
所述的n型电子阻挡层的厚度为20nm~200nm;
所述的应力释放层的厚度为50nm~500nm,周期数为2~10个;
所述的新量子阱结构的发光层周期数为6~15个,每个周期包括一个量子阱层和一个量子垒层,其中量子阱层为InN(t1)/InxGa(1-x)N/InN(t2)三明治结构生长,0.1≤x≤0.4,t1、t2为InN层的生长时间,t1为5s~50s,t2为8~80s;量子阱层的厚度为2nm~20nm,量子垒层的厚度为4nm~40nm;
所述的p型电子阻挡层的厚度为10nm~200nm;
所述的p型氮化镓层的厚度为50nm~500nm;
所述的p型接触层的厚度为5nm~100nm;
发光二极管外延片的优选条件:
所述的缓冲层的厚度为15nm~30nm;
所述的非故意掺杂氮化镓层的厚度为1.5μm~4μm;
所述的n型氮化镓层的厚度为3μm~6μm;
所述的n型电子阻挡层的厚度为25nm~100nm;
所述的应力释放层的厚度为60nm~200nm,周期数为3~8个;
所述的新量子阱结构的发光层周期数为8~13个,量子阱层厚度为 3nm~10nm,量子垒层厚度为6nm~20nm,InN生长时间t1为6s~30s,t2为 10~50s。
所述的p型电子阻挡层的厚度为20nm~100nm;
所述的p型氮化镓层的厚度为100nm~300nm;
所述的p型接触层的厚度为10nm~60nm,所述的p型接触层为 InxGa(1-x)N/GaN超晶格结构层,周期数在4~12个。
一种发光二极管外延片的制备方法,步骤如下:
步骤1:在蓝宝石衬底上沉积一层缓冲层;
步骤2:在缓冲层上外延生长非故意掺杂氮化镓层,生长温度为 1000℃~1100℃;
步骤3:在非故意掺杂氮化镓层上生长n型氮化镓层和n型电子阻挡层, n型氮化镓层生长温度在950℃~1050℃,硅掺浓度在1*1018~1*1021/cm3;n 型电子阻挡层生长温度在950℃~1050℃;
步骤4:温度降到800℃~900℃时继续生长应力释放层;
步骤5:在步骤4得到的应力释放层上接着生长具有新量子阱结构的发光层,生长温度在760℃~810℃,生长InN(t1)/InxGa(1-x)N/InN(t2)三明治结构,生长时间t1与t2随着量子阱个数增加而增加,t1为5s~50s,t2为8~80s,x 在0.1~0.4之间;
步骤6:在步骤5完成后继续生长p型电子阻挡层,生长温度在 800℃~900℃;
步骤7:温度升高到1050℃~1150℃继续生长p型氮化镓层,镁掺浓度在 1*1018~1*1021/cm3;
步骤8:在步骤7生长结束后降温至700℃~780℃后,生长最后一层p 型接触层。
所述的应力释放层为数个周期的InxGa(1-x)N/GaN超晶格结构,周期数在 2~8个。
以下条件作为制备方法的优选条件:
步骤2中生长温度为1050℃~1080℃。
步骤3中生长温度为980℃~1030℃,硅掺浓度在1*1019~1*1020/cm3。
步骤5中量子阱生长温度为780℃~800℃,x在0.2~0.35之间。
所述的生长方法为化合物化学气相沉积法。
本发明的有益效果:本发明创新在于设计了一种新的量子阱生长结构,通过在传统量子阱生长前后***富铟层,减少了量子阱层铟组分的波动,在较大程度上提高了外延片的发光均匀性,进而提升了LED芯片的光效性能。
具体实施方式
以下结合技术方案,进一步说明本发明的具体实施方式。
实施例1
步骤1:在蓝宝石衬底上沉积一层氮化镓层;
步骤2:在氮化镓层上外延生长非故意掺杂氮化镓层,生长温度为 1000℃~1100℃;
步骤3:在非故意掺杂氮化镓层上生长n型氮化镓层和n型电子阻挡层, N型氮化镓层生长温度在950℃~1050℃,硅掺浓度在1*1018~1*1021/cm3;
步骤4:温度降到800℃~900℃时生长2~8个周期的InxGa(1-x)N/GaN超晶格结构应力释放层;
步骤5:在步骤4得到的外延层上接着生长具有新量子阱结构的发光层,生长温度在760℃~810℃之间,量子阱采用InN(t1)/InxGa(1-x)N/InN(t2)三明治结构,生长时间t1与t2随着量子阱个数增加而增加,t1为5s~30s,t2为10~50s, x在0.1~0.4之间;
步骤6:在步骤5完成后生长p型电子阻挡层,生长温度在800℃~900℃;
步骤7:温度升高到1050℃~1150℃生长p型氮化镓层,镁掺浓度在 1*1018~1*1021/cm3;
步骤8:在步骤7生长结束后降温至700℃~780℃后生长4~12个周期p 型掺杂的InxGa(1-x)N/GaN超晶格结构接触层。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (7)
1.一种发光二极管外延片,其特征在于,所述的发光二极管外延片以蓝宝石为衬底,其表面依次为缓冲层、非故意掺杂氮化镓层和n型氮化镓层,其中n型氮化镓层,以硅烷为掺杂剂;在n型氮化镓层上再依次生长n型电子阻挡层和应力释放层,其中应力释放层为数个周期的InxGa(1-x)N/GaN超晶格层,0.1≤x≤0.4;在应力释放层上继续外延生长具有量子阱结构的发光层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层和p型接触层,其中量子阱层为InN/InxGa(1-x)N/InN三明治结构,第一层InN的生长时间为t1,第二层InN的生长时间为t2,t1与t2随着量子阱层个数增加而增加,0.1≤x≤0.4;p型电子阻挡层采用AlxGa(1-x)N体结构生长,p型电子阻挡层、p型氮化镓层和p型接触层均采用二茂镁作为掺杂剂;
所述的缓冲层的厚度为10nm~50nm;
所述的非故意掺杂氮化镓层的厚度为1μm~5μm;
所述的n型氮化镓层的厚度为2μm~10μm;
所述的n型电子阻挡层的厚度为20nm~200nm;
所述的应力释放层的厚度为50nm~500nm,周期数为2~10个;
所述的量子阱结构的发光层周期数为6~15个,每个周期包括一个量子阱层和一个量子垒层,其中量子阱层为InN/InxGa(1-x)N/InN三明治结构,0.1≤x≤0.4,第一层InN的生长时间为t1,第二层InN的生长时间为t2,t1为5s~50s,t2为8~80s;量子阱层的厚度为2nm~20nm,量子垒层的厚度为4nm~40nm;
所述的p型电子阻挡层的厚度为10nm~200nm;
所述的p型氮化镓层的厚度为50nm~500nm;
所述的p型接触层的厚度为5nm~100nm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,
所述的缓冲层的厚度为15nm~30nm;
所述的非故意掺杂氮化镓层的厚度为1.5μm~4μm;
所述的n型氮化镓层的厚度为3μm~6μm;
所述的n型电子阻挡层的厚度为25nm~100nm;
所述的应力释放层的厚度为60nm~200nm,周期数为3~8个;
所述的量子阱结构的发光层周期数为8~13个,量子阱层厚度为3nm~10nm,量子垒层厚度为6nm~20nm,InN生长时间t1为6s~30s,t2为10~50s;
所述的p型电子阻挡层的厚度为20nm~100nm;
所述的p型氮化镓层的厚度为100nm~300nm;
所述的p型接触层的厚度为10nm~60nm,为InxGa(1-x)N/GaN超晶格结构层,周期数在4~12个。
3.一种发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,步骤如下:
步骤1:在蓝宝石衬底上沉积一层缓冲层;
步骤2:在缓冲层上外延生长非故意掺杂氮化镓层,生长温度为1000℃~1100℃;
步骤3:在非故意掺杂氮化镓层上生长n型氮化镓层和n型电子阻挡层,n型氮化镓层生长温度在950℃~1050℃,硅掺浓度在1*1018~1*1021/cm3;n型电子阻挡层生长温度在950℃~1050℃;
步骤4:温度降到800℃~900℃时继续生长应力释放层;
步骤5:在步骤4得到的应力释放层上接着生长具有量子阱结构的发光层,生长温度在760℃~810℃,量子阱层为InN/InxGa(1-x)N/InN三明治结构,第一层InN的生长时间为t1,第二层InN的生长时间为t2,t1与t2随着量子阱层个数增加而增加,t1为5s~50s,t2为8~80s,x在0.1~0.4之间;
步骤6:在步骤5完成后继续生长p型电子阻挡层,生长温度在800℃~900℃;
步骤7:温度升高到1050℃~1150℃继续生长p型氮化镓层,镁掺浓度在1*1018~1*1021/cm3;
步骤8:在步骤7生长结束后降温至700℃~780℃后,生长最后一层p型接触层。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤2中生长温度为1050℃~1080℃。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,步骤3中n型氮化镓层的生长温度为980℃~1030℃,硅掺浓度在1*1019~1*1020/cm3。
6.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,步骤5中量子阱结构的发光层的生长温度为780℃~800℃,x在0.2~0.35之间。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤5中量子阱结构的发光层的生长温度为780℃~800℃,x在0.2~0.35之间。
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GR01 | Patent grant | ||
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