CN109314503A - 弹性波装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种耐湿性优异的弹性波装置。一种弹性波装置(1),具备:支承基板(2),在上表面设置有凹部(2c);压电薄膜(4),在支承基板(2)上设置为覆盖支承基板(2)的凹部(2c);IDT电极(5),在压电薄膜(4)设置于支承基板(2)侧的主面(4a)上;以及中间层(8),在压电薄膜(4)设置于与支承基板(2)相反侧的主面(4b)上,构成有被支承基板(2)和压电薄膜(4)包围的空间(9),IDT电极(5)配置为面向空间(9),在压电薄膜(4)以及中间层(8)设置有从中间层(8)的与压电薄膜(4)相反侧的主面(8B)到达空间(9)的贯通孔(11、12),在中间层(8)上还具备设置为覆盖贯通孔(11、12)的开口端的覆盖构件(19)。

Description

弹性波装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及在压电薄膜上设置有IDT电极的弹性波装置以及该弹性波装置的制造方法。
背景技术
以往,提出了使用了表面波、体波(bulk wave)、板波等各种各样的弹性波的弹性波装置。例如,在下述的专利文献1公开了利用了板波的弹性波装置。
在专利文献1记载了用支承体支承压电薄膜而成的弹性波装置。在专利文献1中,在上述压电薄膜的支承体侧形成有空间,并设置有IDT电极,使得面向该空间。此外,在制造专利文献1的弹性波装置时,通过在上述压电薄膜的支承体侧设置牺牲层,并从设置在压电薄膜的蚀刻窗口导入蚀刻气体、蚀刻液等,从而溶出牺牲层,由此形成上述空间。上述牺牲层的溶出通过在压电薄膜内设置为到达牺牲层的贯通孔来进行。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2010/082571号
发明内容
发明要解决的课题
然而,在像专利文献1那样得到的弹性波装置中,有时湿气会经由上述蚀刻窗口以及上述空间侵入到IDT电极部。因此,在专利文献1的弹性波装置中,有时产生频率变动,可靠性并不充分。
本发明的目的在于,提供一种耐湿性优异的弹性波装置以及该弹性波装置的制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备:支承基板,在上表面设置有凹部;压电薄膜,具有相互对置的一对主面,在所述支承基板上设置为覆盖所述支承基板的凹部;IDT电极,在所述压电薄膜设置于所述支承基板侧的所述主面上;以及中间层,在所述压电薄膜设置于与所述支承基板相反侧的所述主面上,具有相互对置的一对主面,构成有被所述支承基板和所述压电薄膜包围的空间,所述IDT电极配置为面向所述空间,在所述压电薄膜以及所述中间层设置有从所述中间层的与所述压电薄膜相反侧的所述主面到达所述空间的贯通孔,在所述中间层上还具备设置为覆盖所述贯通孔的开口端的覆盖构件。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中,所述中间层是具有多个声阻抗层的声反射层,所述多个声阻抗层具有至少一层低声阻抗层和声阻抗比该低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层。在该情况下,能够更加有效地封闭弹性波的能量。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中,所述中间层具有:低声速层,传播的体波声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低;以及高声速层,设置在所述低声速层上,传播的体波声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高。在该情况下,能够更加有效地封闭弹性波的能量。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中,所述中间层是传播的体波声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低的低声速层,所述覆盖构件是传播的体波声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高的高声速层。在该情况下,能够更加有效地封闭弹性波的能量。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述覆盖构件由无机材料构成。在该情况下,能够更进一步提高弹性波装置的耐湿性。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述覆盖构件由Si构成。在该情况下,能够更进一步提高弹性波装置的耐湿性。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中,所述压电薄膜的厚度为1μm以下,所述中间层的厚度为10μm,所述覆盖构件的厚度为25μm以上。
本发明涉及的弹性波装置的制造方法具备:在具有相互对置的一对主面的压电薄膜上设置IDT电极的工序;在所述压电薄膜的一侧的所述主面上设置牺牲层,使得覆盖所述IDT电极的工序;设置在上表面具有凹部的支承基板,使得覆盖所述牺牲层的工序;在所述压电薄膜的与所述牺牲层相反侧的所述主面上设置具有相互对置的一对主面的中间层的工序;在所述压电薄膜以及所述中间层形成从所述中间层的与所述压电薄膜相反侧的所述主面到达所述牺牲层的贯通孔的工序;利用所述贯通孔通过蚀刻除去所述牺牲层,将设置有所述牺牲层的部分作为空间的工序;以及在所述中间层的与所述压电薄膜相反侧的所述主面上设置覆盖构件,使得覆盖所述贯通孔的开口端的工序。
发明效果
根据本发明,能够提供一种耐湿性优异的弹性波装置以及该弹性波装置的制造方法。
附图说明
图1的(a)是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图,图1的(b)是示出其电极构造的示意性俯视图。
图2的(a)~图2的(d)是用于说明本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的各简图式主视剖视图。
图3的(a)~图3的(d)是用于说明本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的各简图式主视剖视图。
图4的(a)~图4的(c)是用于说明本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的各简图式主视剖视图。
图5是本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。
图6是本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。
图7是本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。
图8是本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。
图9是本发明的第六实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。
图10是本发明的第七实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。
图11的(a)~图11的(f)是示出兰姆波的S模式和A模式、以及SH波的传播模式的样子的示意图。
具体实施方式
以下,通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明,从而明确本发明。
另外,需要指出的是,在本说明书记载的各实施方式是例示性的,能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
(第一实施方式)
图1的(a)是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。此外,图1的(b)是示出本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。
弹性波装置1是作为传播的弹性波而利用了板波的弹性波装置。另外,在此所谓的板波,是指使用弹性波的波长以下的厚度的压电体并在该压电体集中了弹性波能量的一大半的波。因而,并不仅限定于压电体为薄板、薄膜的情况下的所谓的中空构造,也可以在薄的压电体的下部形成有用于使弹性波能量的一大半集中在压电体的各种各样的薄膜,进而还可以具有支承这些压电体、薄膜的支承基板。
弹性波装置1具有支承基板2。支承基板2具有上表面2a以及下表面2b。在支承基板2的上表面2a侧设置有朝向上表面2a开放的凹部2c。
在支承基板2的下表面2b层叠有增强基板3。不过,如果支承基板2的强度足够高,则也可以不设置增强基板3。因此,增强基板3不是必需的构成要素。
支承基板2以及增强基板3能够由氧化硅、氧化铝或氮化铝等适当的电介质、或Si等半导体等材料构成。另外,这些材料可以单独使用,也可以并用多种。此外,支承基板2以及增强基板3可以由相同的材料构成,也可以由其它材料构成。
在支承基板2的上表面2a上层叠有压电薄膜4,使得覆盖凹部2c。在像本实施方式那样利用了板波的情况下,在将由IDT电极5的电极指间距确定的波长设为λ时,压电薄膜4的厚度优选为1λ以下。在该情况下,能够更进一步激励板波。不过,像后述的第二实施方式以及第三实施方式那样,在使用在压电薄膜上设置有低声速层以及高声速层的弹性波装置的情况下,最好将压电薄膜4的厚度设为3.5λ以下。
压电薄膜4是由LiTaO3构成的基板。不过,作为压电薄膜4,也可以使用由LiNbO3等其它压电单晶构成的基板,还可以使用由压电陶瓷构成的基板。
压电薄膜4具有相互对置的第一主面4a以及第二主面4b。压电薄膜4以第一主面4a为下而层叠在支承基板2的上表面2a上。即,压电薄膜4的第一主面4a侧配置在支承基板2的上表面2a上。
因此,压电薄膜4设置为对支承基板2的凹部2c进行闭合。由此,构成被支承基板2和压电薄膜4的第一主面4a包围的空间9。
在压电薄膜4的第一主面4a上设置有IDT电极5,使得面向空间9。因而,若在IDT电极5施加交流电压,则形成有IDT电极5的压电薄膜4部分被激励。弹性波装置1利用板波作为像上述那样通过激励IDT电极5而产生的弹性波。
另外,在此所谓板波,是在将激励的板波的波长设为1λ的情况下在膜厚为1λ以下的压电薄板激励的各种波的统称。只要可将波封闭在薄板,则其方式无关紧要。即,可以是仅封闭在压电薄板的膜式的构造,也可以是在压电薄板附近存在对板波进行反射的层的构造,例如,存在声反射膜的构造。对板波仅被封闭在压电薄板的膜式的构造中的模式进行说明。板波根据位移分量而被分类为兰姆波(弹性波传播方向、以及压电体厚度方向上的分量为主)和SH波(SH分量为主)。进而,兰姆波被分类为对称模式(S模式)和反对称模式(A模式)。将在压电体厚度的一半的线处折回时位移重叠的模式作为对称模式,将位移为相反方向的模式作为反对称模式。下标的数值表示厚度方向上的波节的数目。例如,所谓A1模式兰姆波,是一阶反对称模式兰姆波。在图11示出这些兰姆波的S模式和A模式、以及SH波的传播模式的样子。在图11的(a)~图11的(d)中,箭头的方向示出弹性波的位移方向,在图11的(e)以及图11的(f)中,纸面厚度方向示出弹性波的位移方向。
虽然在图1的(a)中以简图方式示出,但是更具体地,在压电薄膜4上形成有图1的(b)所示的电极构造。即,形成有IDT电极5和配置在IDT电极5的声表面波传播方向两侧的反射器15、16。由此,构成单端口型声表面波谐振器。另外,也可以没有反射器15、16。
如图1的(b)所示,IDT电极5具有第一汇流条、第二汇流条和多根第一电极指、第二电极指。多根第一电极指和多根第二电极指彼此相互交替***。此外,多根第一电极指与第一汇流条连接,多根第二电极指与第二汇流条连接。
虽然在本实施方式中省略了图示,但是在本发明中,也可以设置作为温度特性调整膜的SiO2膜,使得覆盖IDT电极。
返回到图1的(a),在压电薄膜4的第一主面4a上形成有电极连接盘6、7。电极连接盘6、7设置为与IDT电极5电连接。
IDT电极5以及电极连接盘6、7由适当的金属或合金构成。此外,IDT电极5以及电极连接盘6、7也可以由层叠多个金属膜而成的层叠金属膜构成。
在压电薄膜4的第二主面4b上设置有作为中间层的声反射层8。声反射层8具有多个声阻抗层。在本实施方式中,声反射层8具有低声阻抗层8a、8c、8e、8g和高声阻抗层8b、8d、8f。中间层的厚度根据中间层的结构、中间层的材料而不同,通常为0.1μm~10μm。
高声阻抗层8b、8d、8f的声阻抗比低声阻抗层8a、8c、8e、8g的声阻抗高。
在本实施方式中,在压电薄膜4的第二主面4b上设置有低声阻抗层8a。在其上,在层叠方向上交替地配置有高声阻抗层8b、8d、8f和低声阻抗层8c、8e、8g。声反射层8可以从存在IDT电极5和反射器15、16的区域横跨存在电极连接盘6、7的区域而形成,也可以仅形成在存在IDT电极5和反射器15、16的区域。优选至少在存在IDT电极5的区域形成有声反射层8。
因此,从压电薄膜4传播过来的板波在作为低声阻抗层8a、8c、8e、8g的上方表面的、低声阻抗层8a、8c、8e、8g与高声阻抗层8b、8d、8f的界面被反射。由此,能够将板波的能量更加有效地封闭在压电薄膜4内。
另外,在本发明中,低声阻抗层和高声阻抗层在层叠方向上也可以不交替地配置。不过,从更进一步提高压电薄膜4内的板波的封闭效率的观点出发,优选低声阻抗层中的至少一层比高声阻抗层中的至少一层设置在靠压电薄膜4侧。
在本实施方式中,构成声反射层8的上述多个声阻抗层中的至少一层的频率温度系数是与压电薄膜4相反的极性。因此,本实施方式涉及的弹性波装置1的频率温度特性更加优异。
不过,在本发明中,构成声反射层8的上述多个声阻抗层中的至少一层的频率温度系数电可以是与压电薄膜4的频率温度系数相同的极性。在该情况下,优选多个声阻抗层中的至少一层的频率温度系数的绝对值小于压电薄膜4的频率温度系数的绝对值。在该情况下,能够更进一步改善弹性波装置1的频率温度特性。
低声阻抗层8a、8c、8e、8g由SiO2构成。不过,低声阻抗层8a、8c、8e、8g也可以由Al、Ti等构成。
高声阻抗层8b、8d、8f由AlN构成。不过,高声阻抗层8b、8d、8f也可以由W、LiTaO3、Al2O3、LiNbO3、SiN或ZnO等构成。这些构成高声阻抗层8b、8d、8f的材料可以单独使用,也可以并用多种。
从更加高效地封闭板波的能量的观点出发,构成声反射层8的多个声阻抗层的各层的厚度分别优选为压电薄膜4的厚度的1/3~3倍左右的范围。不过,多个声阻抗层的各层的厚度也可以与压电薄膜4的厚度不同。
此外,在弹性波装置1中,声反射层8由七层声阻抗层构成。声阻抗层的层叠数没有特别限定,优选像本实施方式这样设为四层~二十层。通过将声阻抗层的层叠数设为上述范围内,从而能够更加高效地封闭板波的能量。
声反射层8具有第三主面8A、第四主面8B。第三主面8A与压电薄膜4的第二主面4b相接。第四主面8B与第三主面8A对置。
在压电薄膜4以及声反射层8设置有第一贯通孔11、12。第一贯通孔11、12从声反射层8的第四主面8B朝向空间9贯通。第一贯通孔11、12在后述的制造工序中被利用为蚀刻孔。第一贯通孔11、12将由凹部2c形成的空间9和外部大气连接。
在声反射层8的第四主面8B上设置有覆盖构件19,使得覆盖第一贯通孔11、12的开口端。作为构成覆盖构件19的材料,没有特别限定,优选使用无机材料。在该情况下,能够更进一步提高弹性波装置1的耐湿性。更具体地,作为构成覆盖构件19的材料,能够使用Si、氧化铝(alumina)、玻璃、蓝宝石等。不过,覆盖构件19也可以由聚酰亚胺等树脂构成。
此外,覆盖构件19的厚度为25μm以上且500μm以下。其理由如下。在覆盖构件19的厚度与压电薄膜4和中间层的厚度相比相对薄的情况下,在将弹性波装置1安装到安装基板时,会对覆盖构件19施加冲击,存在产生裂缝的情况。然而,能够确认,如果压电薄膜4的厚度为1μm以下,中间层的厚度为10μm以下,覆盖构件19的厚度为25μm以上,则覆盖构件19的厚度与压电薄膜4、中间层相比变得相对足够厚,因此即使对覆盖构件19施加了冲击,也会因为覆盖构件19的强度提高,所以不会在覆盖构件19产生裂缝。因此,优选压电薄膜4的厚度为1μm以下,中间层的厚度为10μm以下,覆盖构件19的厚度为25μm以上。另外,如果覆盖构件19的厚度为50μm以上,则覆盖构件19的强度进一步提高,因此更加优选。
另外,在压电薄膜4、声反射层8以及覆盖构件19,在设置有凹部2c的区域的外侧设置有第二层布线10a、10b。更详细地,第二层布线10a、10b埋入到压电薄膜4、声反射层8以及覆盖构件19内,并与电极连接盘6、7电连接。因此,也可以在该第二层布线10a、10b上接合金属凸块等。
第二层布线10a、10b能够由Cu、Ni、AlCu合金、Ti、Al、Pt等适当的金属或合金构成。第二层布线10a、10b也可以由层叠多个金属膜而成的层叠金属膜构成。
在本实施方式的弹性波装置1中,如上所述,在声反射层8的第四主面8B上设置有覆盖构件19,使得对第一贯通孔11、12的开口端进行闭合。因此,在弹性波装置1中,湿气不易侵入到设置有IDT电极5的区域。即,弹性波装置1的耐湿性优异。此外,因为弹性波装置1的耐湿性优异,所以不易产生频率变动,可靠性优异。
(制造方法)
弹性波装置1的制造方法没有特别限定,参照图2~图4对一个例子进行说明。
首先,如图2的(a)所示,准备用于得到压电薄膜4的压电板4A。在压电板4A的一侧主面形成IDT电极5以及电极连接盘6、7。
作为压电板4,使用由LiTaO3构成的板。不过,作为压电板4,也可以使用由LiNbO3等其它压电单晶构成的板,还可以使用由压电陶瓷构成的板。
IDT电极5例如能够通过蒸镀剥离法形成。IDT电极5的厚度没有特别限定,优选设为10~1000nm。
在本实施方式中,IDT电极5由依次层叠了Ti、Al以及Ti的层叠金属膜形成。IDT电极5能够由Ti、Cu、Al、Pt、AlCu合金、NiCr、Ni等适当的金属或合金构成。
也可以在形成IDT电极5之后将作为温度特性调整膜的SiO2膜设置在压电板4A的设置有IDT电极5侧的主面。作为温度特性调整膜的SiO2膜也可以在形成IDT电极5之前设置。
接着,如图2的(b)所示,形成牺牲层17,使得覆盖IDT电极5。另外,在设置上述温度特性调整膜的情况下,在温度特性调整膜上形成牺牲层17。牺牲层17由能够通过后述的蚀刻而除去的适当的材料构成。作为这样的材料,能够举出ZnO、Cu等。
牺牲层17例如能够通过以下的方法形成。首先,通过溅射法形成膜厚为大约1~3μm的膜。此后,依次进行抗蚀剂涂敷、曝光以及显影。接着,使用醋酸、磷酸以及水的混合液(醋酸∶磷酸∶水=1∶1∶10)进行湿式蚀刻,形成牺牲层17的图案,并剥离抗蚀剂。另外,牺牲层17也可以通过其它方法形成。
接着,如图2的(c)所示,形成用于得到支承基板2的平坦化用膜2A,使得覆盖牺牲层17。在本实施方式中,作为平坦化用膜2A,形成了SiO2膜。平坦化用膜2A例如能够通过溅射法形成。作为平坦化用膜2A的膜厚,优选设为2~8μm。
接着,如图2的(d)所示,通过CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械研磨)对平坦化用膜2A进行平坦化研磨。由此,得到了具有凹部的支承基板2。
接着,如图3的(a)所示,在支承基板2的下表面接合增强基板3。支承基板2以及增强基板3的接合例如能够通过树脂粘接剂进行接合。另外,也可以不设置增强基板3。不过,通过设置增强基板3,从而能够容易地进行压电板4A的平滑化处理。
接着,进行压电板4A的薄板化。由此,得到图3的(b)所示的层叠体。上述层叠体具备增强基板3、在上表面具有凹部的支承基板2、填充在凹部的牺牲层17、以及在第一主面4a设置有IDT电极5的压电薄膜4。此外,压电薄膜4从第一主面4a侧层叠在支承基板2的上表面2a。
压电板4A的薄板化能够通过基于离子注入的剥离法、研磨等进行。通过压电板4A的薄板化得到的压电薄膜4的厚度优选设为100~1000nm。从更加有效地提高板波的激励效率的观点出发,压电薄膜4的厚度更优选没为100~500nm。
接着,如图3的(c)所示,在压电薄膜4的第二主面4b上形成作为中间层的声反射层8。更具体地,在压电薄膜4的第二主面4b上通过溅射形成由SiO2构成的低声阻抗层8a。接下来,交替地层叠通过溅射由AlN构成的三层高声阻抗层8b、8d、8f和三层低声阻抗层8c、8e、8g。由此,在压电薄膜4的第二主面4b上形成具有合计七层的声阻抗层的声反射层8(SiO2/AlN/SiO2/A1N/SiO2/AlN/SiO2/压电薄膜4)。
低声阻抗层8a、8c、8e、8g以及高声阻抗层8b、8d、8f的各层的厚度没有特别限定,优选分别设为压电薄膜4的厚度的1/3~3倍。在该情况下,能够更进一步提高板波的能量的压电薄膜4内的封闭效率。
接着,如图3的(d)所示,在声反射层8以及压电薄膜4形成第一贯通孔11、12。另外,第一贯通孔11、12设置为到达牺牲层17。第一贯通孔11、12例如能够通过干式蚀刻法(ICP-RIE(Inductive CoupledPlasma-Reactive Ion Etching,电感耦合等离子体反应离子蚀刻))形成。
接着,如图4的(a)所示,利用第一贯通孔11、12除去牺牲层17。牺牲层17例如能够使用醋酸、磷酸以及水的混合液(醋酸∶磷酸∶水=1∶1∶10)通过湿式蚀刻来除去。
接着,如图4的(b)所示,在声反射层8上形成覆盖构件19。覆盖构件19例如能够通过树脂粘接剂与声反射层8接合。另外,覆盖构件19形成为覆盖第一贯通孔11、12的开口端。在本实施方式中,作为覆盖构件19而使用Si基板。不过,形成覆盖构件19的材料没有特别限定,从更进一步提高耐湿性的观点出发,优选由无机材料形成。
接着,如图4的(c)所示,在声反射层8、压电薄膜4以及覆盖构件19形成第二贯通孔13、14。第二贯通孔13、14例如能够通过干式蚀刻法(ICP-RIE(Inductive Coupled Plasma-Reactive Ion Etching,电感耦合等离子体反应离子蚀刻))形成。此外,第二贯通孔13、14设置为到达电极连接盘6、7。
接着,在面向电极连接盘6、7的第二贯通孔13、14内,使镀膜生长。这样,形成第二层布线10a、10b,得到图1的(a)所示的弹性波装置1(牺牲层型的膜式板波谐振器)。第二层布线10a、10b能够通过蒸镀剥离法形成。第二层布线10a、10b的厚度优选设为100~2000nm。
在本实施方式中,第二层布线10a、10b由依次层叠了Ti以及Al的层叠金属膜构成。另外,第二层布线10a、10b也可以由其它适当的金属或合金形成。
在像上述那样得到的弹性波装置1中,第一贯通孔11、12的开口端被覆盖构件19覆盖,因此耐湿性优异。此外,因为得到的弹性波装置1的耐湿性优异,所以不易产生频率变动,可靠性优异。
(第二实施方式)
图5是本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。在弹性波装置21中,作为中间层,代替声反射层而设置有低声速层20A以及高声速层20B。低声速层20A传播的体波声速比在压电薄膜4传播的弹性波的声速低。在低声速层20A上设置有高声速层20B。高声速层20B传播的体波声速比在压电薄膜4传播的弹性波的声速高。
在本实施方式中,作为低声速层20A,使用氧化硅。不过,低声速层20A能够使用具有与在压电薄膜4传播的弹性波相比为低声速的体波声速的适当的材料。作为这样的材料,能够使用以氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或在氧化硅添加了氟、碳、硼的化合物等材料为主成分的介质。
此外,高声速层20B发挥功能,使得将声表面波封闭在层叠有压电薄膜4以及低声速层20A的部分,不会漏到比高声速层20B靠上的构造。在本实施方式中,高声速层20B由氮化铝构成。不过,只要能够封闭上述弹性波,就能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、以这些材料为主成分的介质、或以这些材料的混合物为主成分的介质等各种各样的高声速材料。其它方面与第一实施方式相同。
在弹性波装置21中,第一贯通孔11、12的开口端也被覆盖构件19覆盖,因此耐湿性优异。此外,因为弹性波装置21的耐湿性优异,所以不易产生频率变动,可靠性优异。
进而,在弹性波装置21中,中间层是低声速层20A以及高声速层20B,因此能够更加高效地封闭弹性波的能量。
(制造方法)
关于弹性波装置21的制造方法,除了代替声反射层8而设置了图5所示的低声速层20A以及高声速层20B这一点以外,与弹性波装置1的制造方法(图2的(a)~图4的(c))相同。
(第三实施方式)
图6是本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。在弹性波装置31中,作为中间层,代替声反射层而设置有低声速层20A。低声速层20A传播的体波声速比在压电薄膜4传播的弹性波的声速低。此外,覆盖构件19是传播的体波声速比在压电薄膜4传播的弹性波的声速高的高声速构件。在本实施方式中,作为低声速层20A,使用氧化硅。不过,低声速层20A能够使用具有与在压电薄膜4传播的弹性波相比为低声速的体波声速的适当的材料。作为这样的材料,能够使用以氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或在氧化硅添加了氟、碳、硼的化合物等材料为主成分的介质。
此外,高声速构件发挥功能,使得将声表面波封闭在层叠有压电薄膜4以及低声速层20A的部分,不会漏到比高声速构件靠上的构造。在本实施方式中,高声速构件由氮化铝构成。不过,只要能够封闭上述弹性波,就能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、以这些材料为主成分的介质、或以这些材料的混合物为主成分的介质等各种各样的高声速材料。其它方面与第一实施方式相同。
在弹性波装置31中,第一贯通孔11、12的开口端也被覆盖构件19覆盖,因此耐湿性优异。此外,因为弹性波装置31的耐湿性优异,所以不易产生频率变动,可靠性优异。
进而,在弹性波装置31中,中间层是低声速层20A,并且覆盖构件19兼作高声速构件,因此能够更加高效地封闭弹性波的能量。
(制造方法)
关于弹性波装置31的制造方法,除了代替声反射层8而设置了图6所示的低声速层20A这一点以外,与弹性波装置1的制造方法(图2的(a)~图4的(c))相同。
(第四实施方式)
图7是本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。在弹性波装置41中,未设置增强基板3,支承基板2兼作增强基板3。其它方面与第一实施方式相同。
在弹性波装置41中,第一贯通孔11、12的开口端也被覆盖构件19覆盖,因此耐湿性优异。此外,因为弹性波装置41的耐湿性优异,所以不易产生频率变动,可靠性优异。
(制造方法)
关于弹性波装置41的制造方法,除了未设置增强基板3以外,与弹性波装置1的制造方法(图2的(a)~图4的(c))相同。
(第五实施方式)
图8是本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。在弹性波装置51中,第二层布线10a、10b未埋入到压电薄膜4、声反射层8以及覆盖构件19内。在弹性波装置51中,第二层布线10a、10b埋入到支承基板2以及增强基板3内,并与电极连接盘6、7电连接。其它方面与第一实施方式相同。
在弹性波装置51中,第一贯通孔11、12的开口端也被覆盖构件19覆盖,因此耐湿性优异。此外,因为弹性波装置51的耐湿性优异,所以不易产生频率变动,可靠性优异。
(制造方法)
关于弹性波装置51的制造方法,不在声反射层8、压电薄膜4以及覆盖构件19形成第二贯通孔13、14,在支承基板2以及增强基板3形成贯通孔。上述贯通孔设置为到达电极连接盘6、7。接着,在面向电极连接盘6、7的上述贯通孔内,使镀膜生长。这样,形成第二层布线10a、10b,得到图8所示的弹性波装置51。其它方面与弹性波装置1的制造方法(图2的(a)~图4的(c))相同。
(第六实施方式)
图9是本发明的第六实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。在弹性波装置61中,设置有封装材料18,使得覆盖增强基板3、支承基板2、压电薄膜4、声反射层8以及覆盖构件19。
另外,封装材料18也可以仅设置在图9的上边,即,可以仅设置在声反射层8、压电薄膜4以及覆盖构件19的正上方的区域。此外,封装材料18未设置在第二层布线10a、10b上。此外,封装材料18由树脂构成。其它方面与第一实施方式相同。
在弹性波装置61中,第一贯通孔11、12的开口端也被覆盖构件19覆盖,因此耐湿性优异。此外,因为弹性波装置61的耐湿性优异,所以不易产生频率变动,可靠性优异。
此外,在封装材料18由树脂构成的情况下,能够仅通过涂敷以及固化形成封装材料18。因此,弹性波装置61的制造变得更加容易。另外,封装材料18也可以由聚酰亚胺、感光性聚酰亚胺等构成。
(制造方法)
关于弹性波装置61的制造方法,除了在第一实施方式的弹性波装置1设置有封装材料18这一点以外,与弹性波装置1的制造方法(图2的(a)~图4的(c))相同。
更具体地,在弹性波装置61的制造方法中,在弹性波装置1的制造方法(图2的(a)~图4的(c))之后,像图9那样,使封装材料18直接层叠在覆盖构件19上。作为层叠的方法,例如,若将感光性聚酰亚胺涂敷到覆盖构件19并经过利用了热的固化、曝光、显影,则仅在所需的区域形成封装材料18。
(第七实施方式)
图10是本发明的第七实施方式涉及的弹性波装置的示意性主视剖视图。第七实施方式是第六实施方式的变形例。与第六实施方式的不同在于,未清楚记载第二层布线10a、10b。这是因为,弹性波装置71用于与外部连接的布线可以是任何方式,未必一定要限于第六实施方式。例如,也可以在将封装材料18直接层叠在覆盖构件19上之后,形成用于与外部连接的布线。关于其它方面,与第六实施方式相同。
另外,封装材料18也可以仅设置在图10的上边,即,可以仅设置在声反射层8、压电薄膜4以及覆盖构件19的正上方的区域。
(制造方法)
关于弹性波装置71的制造方法,除了关于第二层布线10a、10b的部分以外,与第六实施方式的弹性波装置61相同(图2的(a)~图4的(c))。
本发明的弹性波装置广泛用于各种各样的电子设备、通信设备。作为电子设备,例如有传感器。作为通信没备,例如有包含本发明的弹性波装置的双工器、包含本发明的弹性波装置和PA(Power Amplifier,功率放大器)和/或LNA(Low Noise Amplifier,低噪声放大器)和/或SW(Switch,开关)的通信模块设备、包含该通信模块设备的移动体通信设备、保健用通信设备等。作为移动体通信设备,有便携式电话、智能电话、车载导航等。作为保健用通信设备,有体重计、体脂计等。保健用通信设备、移动体通信设备具备天线、RF模块、LSI、显示器、输入部、电源等。
附图标记说明
1、21、31、41、51、61、71:弹性波装置;
2:支承基板;
2a:上表面;
2b:下表面;
2c:凹部;
2A:平坦化用膜;
3:增强基板;
4:压电薄膜;
4a、4b:第一主面、第二主面;
4A:压电板;
5:IDT电极;
6、7:电极连接盘;
8:声反射层;
8a、8c、8e、8g:低声阻抗层;
8b、8d、8f:高声阻抗层;
8A、8B:第三主面、第四主面;
9:空间;
10a、10b:第二层布线;
11、12:第一贯通孔;
13、14:第二贯通孔;
15、16:反射器;
17:牺牲层;
18:封装材料;
19:覆盖构件;
20A:低声速层;
20B:高声速层。

Claims (8)

1.一种弹性波装置,具备:
支承基板,在上表面设置有凹部;
压电薄膜,具有相互对置的一对主面,在所述支承基板上设置为覆盖所述支承基板的凹部;
IDT电极,在所述压电薄膜设置于所述支承基板侧的所述主面上;以及
中间层,在所述压电薄膜设置于与所述支承基板相反侧的所述主面上,具有相互对置的一对主面,
构成有被所述支承基板和所述压电薄膜包围的空间,
所述IDT电极配置为面向所述空间,
在所述压电薄膜以及所述中间层设置有从所述中间层的与所述压电薄膜相反侧的所述主面到达所述空间的贯通孔,
在所述中间层上还具备设置为覆盖所述贯通孔的开口端的覆盖构件。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述中间层是具有多个声阻抗层的声反射层,
所述多个声阻抗层具有至少一层低声阻抗层和声阻抗比该低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层。
3.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述中间层具有:
低声速层,传播的体波声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低;以及
高声速层,设置在所述低声速层上,传播的体波声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高。
4.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述中间层是传播的体波声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低的低声速层,
所述覆盖构件是传播的体波声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高的高声速层。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述覆盖构件由无机材料构成。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述覆盖构件由Si构成。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电薄膜的厚度为1μm以下,
所述中间层的厚度为10μm以下,
所述覆盖构件的厚度为25μm以上。
8.一种弹性波装置的制造方法,具备:
在具有相互对置的一对主面的压电薄膜上设置IDT电极的工序;
在所述压电薄膜的一侧的所述主面上设置牺牲层,使得覆盖所述IDT电极的工序;
设置在上表面具有凹部的支承基板,使得覆盖所述牺牲层的工序;
在所述压电薄膜的与所述牺牲层相反侧的所述主面上设置具有相互对置的一对主面的中间层的工序;
在所述压电薄膜以及所述中间层形成从所述中间层的与所述压电薄膜相反侧的所述主面到达所述牺牲层的贯通孔的工序;
利用所述贯通孔通过蚀刻除去所述牺牲层,将设置有所述牺牲层的部分作为空间的工序;以及
在所述中间层的与所述压电薄膜相反侧的所述主面上设置覆盖构件,使得覆盖所述贯通孔的开口端的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111740719A (zh) * 2019-03-25 2020-10-02 太阳诱电株式会社 声波器件、滤波器及复用器

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6806776B2 (ja) * 2016-07-26 2021-01-06 京セラ株式会社 弾性波デバイスおよび通信装置
CN111566933B (zh) * 2017-12-22 2023-04-04 株式会社村田制作所 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置和弹性波装置的制造方法
WO2019124128A1 (ja) * 2017-12-22 2019-06-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US10790802B2 (en) 2018-06-15 2020-09-29 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate
US11509279B2 (en) 2020-07-18 2022-11-22 Resonant Inc. Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency
US11996827B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US10637438B2 (en) 2018-06-15 2020-04-28 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US10985728B2 (en) 2018-06-15 2021-04-20 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US12040781B2 (en) 2018-06-15 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
US11996825B2 (en) 2020-06-17 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US12021496B2 (en) 2020-08-31 2024-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US11323091B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals
US10998882B2 (en) 2018-06-15 2021-05-04 Resonant Inc. XBAR resonators with non-rectangular diaphragms
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
CN118316415A (zh) * 2019-04-05 2024-07-09 株式会社村田制作所 横向激励薄膜体声波谐振器封装和方法
US12034423B2 (en) * 2019-06-27 2024-07-09 Murata Manufacturing Co., Ltd XBAR frontside etch process using polysilicon sacrificial layer
CN113497593B (zh) * 2020-04-08 2023-05-12 诺思(天津)微***有限责任公司 单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
KR102474555B1 (ko) * 2020-07-02 2022-12-06 (주)아이블포토닉스 압전 단결정 소자, 이를 이용한 멤스 디바이스 및 그 제조방법
CN117397166A (zh) * 2021-05-28 2024-01-12 株式会社村田制作所 压电体波装置及其制造方法

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1159099A (zh) * 1995-11-21 1997-09-10 株式会社村田制作所 表面波器件
CN1638272A (zh) * 2003-12-24 2005-07-13 京瓷株式会社 表面弹性波装置以及电路装置
US20050168104A1 (en) * 2003-12-12 2005-08-04 Stmicroelectronics Sa Acoustic resonator device
US20060119230A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Keiichi Umeda Piezoelectric thin-film resonator and process for producing same
CN1883115A (zh) * 2003-10-30 2006-12-20 阿瓦戈科技无线Ip(新加坡)股份有限公司 具有简单封装的薄膜体声波谐振器(fbar)器件
US20080079512A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Tdk Corporation Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave resonator
WO2009031358A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電共振子
CN101409537A (zh) * 2007-10-12 2009-04-15 富士通媒体部品株式会社 声表面波装置及其制造方法
JP2009225094A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Epson Toyocom Corp 弾性表面波フィルタ
US20110266918A1 (en) * 2009-01-15 2011-11-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device
CN103283147A (zh) * 2010-12-24 2013-09-04 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
US20140152145A1 (en) * 2010-11-30 2014-06-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and manufacturing method for same
CN104660211A (zh) * 2013-11-18 2015-05-27 太阳诱电株式会社 声波滤波器和双工器
US20160079958A1 (en) * 2014-05-30 2016-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising vertically extended acoustic cavity
JP2016123016A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN105794107A (zh) * 2013-12-27 2016-07-20 株式会社村田制作所 弹性波装置以及其制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006101092A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、弾性表面波デバイスの製造方法
US9013088B1 (en) * 2011-07-07 2015-04-21 Sand 9, Inc. Field effect control of a microelectromechanical (MEMS) resonator

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1159099A (zh) * 1995-11-21 1997-09-10 株式会社村田制作所 表面波器件
CN1883115A (zh) * 2003-10-30 2006-12-20 阿瓦戈科技无线Ip(新加坡)股份有限公司 具有简单封装的薄膜体声波谐振器(fbar)器件
US20050168104A1 (en) * 2003-12-12 2005-08-04 Stmicroelectronics Sa Acoustic resonator device
CN1638272A (zh) * 2003-12-24 2005-07-13 京瓷株式会社 表面弹性波装置以及电路装置
US20060119230A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Keiichi Umeda Piezoelectric thin-film resonator and process for producing same
US20080079512A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Tdk Corporation Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave resonator
US20100148638A1 (en) * 2007-09-06 2010-06-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator
WO2009031358A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電共振子
CN101409537A (zh) * 2007-10-12 2009-04-15 富士通媒体部品株式会社 声表面波装置及其制造方法
JP2009225094A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Epson Toyocom Corp 弾性表面波フィルタ
US20110266918A1 (en) * 2009-01-15 2011-11-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device
US20140152145A1 (en) * 2010-11-30 2014-06-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and manufacturing method for same
CN103283147A (zh) * 2010-12-24 2013-09-04 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
CN104660211A (zh) * 2013-11-18 2015-05-27 太阳诱电株式会社 声波滤波器和双工器
CN105794107A (zh) * 2013-12-27 2016-07-20 株式会社村田制作所 弹性波装置以及其制造方法
US20160079958A1 (en) * 2014-05-30 2016-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising vertically extended acoustic cavity
JP2016123016A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIANG PEICHEN 等: "A high linearity downconverter for SAW-less LTE receivers", 《JOURNAL OF SEMICONDUCTOR》 *
陆晓欣 等: "以四面体非晶碳为布拉格反射栅高声阻抗材料的固贴式薄膜体声波谐振器性能仿真分析", 《功能材料》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111740719A (zh) * 2019-03-25 2020-10-02 太阳诱电株式会社 声波器件、滤波器及复用器

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